Zusatzpatent zum Hauptpatent Nr. 453 505 Mit mehreren dünnen Filmen gleicher Flächenausdehnung beschichtete Unterlage zur Herstellung einer integrierten Dünnfilmschaltung Die Erfindung betrifft eine mit mehreren dünnen Filmen gleicher Flächenausdehnung beschichtete Un terlage zur Herstellung einer integrierten Dünnfilm schaltung mittels selektiver Ätzung, mit mindestens einer auf der Unterlage niedergeschlagenen Wider standsschicht und einer leitenden Kondensatorelektro- denschicht,
welche Schichten aus einem anodisch oxy- dierbaren Metall oder einer Verbindung eines solchen Metalles bestehen, wobei zum Schutz eines Angriffes der Widerstandsschicht durch auf die Kondensatorelek- trodenschicht zur Einwirkung gelangende Ätzmittel zwi schen diesen Schichten eine Trennschutzschicht ange ordnet ist. die eine elektrisch leitende Verbindung zwi schen der '%4'iderstandsschicht und der Kondensator elektrodenschicht bildet. wobei das Material der Trenn schutzschicht, so Gewählt ist.
dass es durch mindestens eines der die Kondensatorelektrodenschicht angreifen den Atzmittel in geringerem N.tasse als dieses oder gar nicht angegriffen wird.
Eine integrierte Dünnfilm-Schaltung kann eine Mehrzahl von untereinander verbundenen Dünnfilm- Bauelementen umfassen, die aus übereinanderliegenden Filmen aus leitendem. halbleitendem und/oder nichtlei tendem hlarial oder aus Widerstandsmaterial bestehen und von einer einzigen Unterlage Getragen werden. Eine solche Schaltung lässt sich am besten in der Weise herstellen, dass man die verschiedenen Filme nacheinander als Schichten gleicher Gebietsgrösse nie derschlägt und danach die Filme selektiv und stufen weise zur gewünschten Konfiguration ätzt.
Auf diese Weise erübrigt sich nicht nur die Anbrin- gung einer Abdeckung während der Abscheidung, wie sie bisher üblich war, sondern es wird gleichzeitig die Gefahr des Einschleppens von Verunreinigungen zwi schen den einzelnen Abscheidungsvorgängen vermie den, da sämtliche Abscheidungsvorgänge nunmehr in einer einzigen Vakuum-Apparatur ohne Wechsel des Abscheidegefässes durchgeführt werden können. Als weiterer Vorteil ist dabei der verminderte Zeit- und Ko@tenaufw < < nd zu nennen.
Bei der Herstellung von solchen integrierten Dünn filmschaltungen treten jedoch Schwierigkeiten auf, wenn zwei aneinanderstossende Schichten aus dem gleichen Material bestehen oder wenn zwei verwendete Materialien von den gleichen Ätzmitteln angegriffen werden, wie beispielsweise bei der Herstellung von in tegrierten RC-Schaltungen aus Dünnfilm;
Dünnfilm- Widerstände können durch selektives Ätzen eines Dünnfilms aus einem anodisierbaren Widerstandsmate rial zwecks Bildung einer Mehrzahl von Dünnfilm- Widerständen und danach Anodisierung der Wider stände zum Trimmen auf einen Sollwert hergestellt werden. Dünnfilm-Kondensatoren kann man herstellen, indem man selektiv einen Dünnfilm aus einem anodi- sierbaren leitenden Material zwecks Bildung einer Vielzahl individueller unterer Kondensator-Elektroden ätzt.
die unteren Elektroden anodisiert, um diesbezüg liche dielektrische Kondensatorschichten zu bilden und Gegenelektroden aus leitendem Material über dem Dielektrikum niederzuschlagen.
Zwei Stoffe, die sich als besonders geeignet zur Bildung von Dünnfilm Widerständen erwiesen haben, sind Tantalnitrid und Niobnitrid. Indessen bilden diese Stoffe beim Anodisie- ren dielektrische Schichten von verhältnismässig nied riger Dielektrizitätskonstante, hohem Streufaktor und geringer Stabilität und sind demzufolge für die Ver wendung als Kondensator-Dielektrika nicht geeignet. Für diesen Zweck hat sich Tantal oder Niob am besten erwiesen. Diese Stoffe bilden jedoch keine guten Widerstände.
Demzufolge ist es für die Herstellung einer Dünnfilm-RC-Schaltung mit optimalen Eigen schaften notwendig, einen Film aus Tantalnitrid oder Niobnitrid für die Widerstände und einen Film aus Tantal oder Niob für die Kondensatoren zu verwen den. Alle diese Materialien werden indessen von den gleichen Ätzmitteln angegriffen.
Zur Herstellung einer derartigen Unterlage bringt man bekanntlich die Schichten in einem einzigen Durchgang unter Vakuum kontinuierlich auf, derart, dass Atome des die kondcnsatorelektrudenschicltt h11- denden Materials während des Niederschlagens in die Trennschutzschicht eindringen.
Der Trennschutzschicht kommt dabei die Aufgabe zu, die darunterliegende Schicht zu schützen, während die darüberliegende Schicht geätzt wird; sie muss daher aus einem Material bestehen, das von den für die an deren Schichten spezifischen Ätzmitteln löslich ist, die die übrigen Materialien nicht angreifen. So wurde bei spielsweise in der US-Patentschrift Nr. 3 387 952 be reits vorgeschlagen, als Material für die Trennschutz schicht ein anodisierbares leitendes Material zu ver wenden, so dass die Trennschutzschicht eine Verbin dung niedrigen Widerstandes zwischen der ersten und der zweiten Schicht bildet.
Die genannten Eigenschaf ten sind für die für die Trennschutzschicht zu verwen denden Materialien von ausschlaggebender Bedeutung, da sie einerseits die elektrische Kontinuität zwischen dem widerstandsbildenden Film und dem kapazitätsbil denden Film herstellen müssen und notwendigerweise anodisch behandelbar sein müssen.
Ohne diese letztere Eigenschaft würde es nicht möglich sein, den kapazi- tätbildenden Film zwecks Bildung eines Kondensator- Dielektrikums zu anodisieren. da nicht anodisierbare Stoffe bei Vornahme der Anodisierun- mit dem Anodi- sierungs-Elektrolyten in Lösung gehen, wobei sie dar über liegende Filme unterwandern und abschwemmen.
Die bisher verwendeten Materialien sind jedoch mit zahlreichen Nachteilen behaftet. die einerseits in einem nur wenig unterschiedlichen Verhalten gegenüber den verwendeten Ätzmitteln und andererseits in nur unge nügenden elektrischen bzw. elektrochemischen Eigen schaften begründet liegen. Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Material für eine Trennschutzschicht an zugeben, durch das diese Nachteile vermieden werden.
Die erfindungsgemässe beschichtete Unterlage ist dadurch gekennzeichnet, dass die Trennschutzschicht eines der Metalle Antimon, Wismut, Molybdän, Wolf ram oder Zirkon enthält.
Diese Stoffe eignen sich. wie Untersuchungen, die zur Lösung der der Erfindung zugrundeliegenden Auf gabe durchgeführt wurden. Bezeigt haben, besonders gut zur Herstellung der Trennschutzschicht, da sie nicht von den gleichen Ätzmitteln angegriffen werden wie die Widerstands- und kapazitätsbildenden Materia lien und ihrerseits aber in Ätzmitteln löslich sind, die die Widerstands- und kapazitätsbildenden ?Materialien nicht angreifen. .Ausserdem sind diese Stoffe ausrei chend leitend und anodisch behandelbar, so dass bei ihnen die vorstehend Benannten Nachteile nicht auftre ten.
Nähere Einzelheiten von Auführungsbeispielen der Erfindung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung und den beigefügten Zeichnungen hervor.
Fig.1 ist ein Blockschema zur Erläuterung des Verfahrens zur Herstellung der mehrlagig mit dünnen Filmen beschichteten Unterlage und der nachfolgenden Weiterverarbeitun- zli integrierten Dünnfilmschaltun- gen; Fio.2-11 stellen die einzelnen Verfahrensschritte zur Herstellung einer integrierten Dünnfilmschaltung dar; Fig.12 ist ein Schaltschema der gemäss der Fie. 2-11 unter Verwendung der Unterlage hergestell ten Diinnfilmschaltune.
Es ist zu beachten, dass die Dicke der in den Quer- schnittsbil(lci-n der 2-11 #,ezeigten Schichten aus Gründen der Klarheit stark vergrössert wiedergegeben ist.
Bei der nachstehend beschriebenen Ausführung be steht die beschichtete Unterlage 20 aus einer Wider standsschicht aus Tantalnitrid, einer Trennschutz schicht aus Antimon und einer Kondensatorelektroden- schicht aus metallischem Tantal.
In den Fig.2 und 3 ist die mehrlagig mit dünnen Filmen beschichtete Unterlage 20 dargestellt. Die be schichtete Unterlage 20 besteht aus einer nichtleiten den Unterlage 21 aus Glas oder keramischem Material, der widerstandsbildenden Schicht 22 aus Tantalnitrid, der Trennschutzschicht 23 aus Antimon und der kapa zitätsbildenden Schicht 24 aus Tantal.
Der erste Schritt in der Herstellung der beschichte ten Unterlage 20 ist die Reinigung der Unterlage 21 zwecks Entfernung aller organischen Verunreinigun gen. Dies wird durch jede geeignete, konventionelle Reinigungstechnik erreicht.
Der nächste Schritt ist die Abscheidung der Wider standsschicht 22 aus Tantalnitrid. Dies wird durch ein konventionelles kathodisches Zerstäubungsverfahren oder Vakuum-Aufdampftechnik in einer Atmosphäre mit 5 0,\o Stickstoff erreicht.
Nach Abscheidung der Tantalnitridschicht 22 wird die trennende Antimonschicht 23 darüber durch übliche kathodische Zerstäubung oder Aufdampftech- nik niedergeschlagen.
Den Abschluss bildet als letzter Verfahrensschritt die Abscheidung der Kondensatorelektrodenschicht 24 durch kathodische Zerstäubung von metallischem Tan- tal über der Antimon-Trennschutzschicht 23.
Im allgemeinen ist die Dicke der Schichten 22, 23 und 24 nicht kritisch. Für die hier besprochenen Zwecke liegen diese Schichten vorzugsweise in folgen den Bereichen:
EMI0002.0080
Schicht <SEP> 22 <SEP> 1000 <SEP> AE <SEP> bis <SEP> 1400 <SEP> ÄE
<tb> Schicht <SEP> 23 <SEP> 2000 <SEP> ÄE <SEP> bis <SEP> 3000 <SEP> ÄE
<tb> Schicht <SEP> 24 <SEP> 4000 <SEP> AE <SEP> bis <SEP> 5000 <SEP> AE Wie schon früher festgestellt, wird man vorzugsweise die Schichten 22. 23 und 24 als sich deckende, gebiets gleiche Schichten in einem einstufigen Behandlungssy stem niederschlagen. Zu diesem Zweck können die Schichten 22. 23 und 2-1 beim Durchlauf der gereinig ten Unterlage 21 durch eine kontinuierlich arbeitende Vakuumapparatur abgeschieden werden.
<I>Herstellung einer integrierten</I> Schaltung unter <I>Verwen-</I> <I>dung der</I> mehrlagig <I>reit dünnen Filmen</I> beschichtetccii Unterlage Die beschichtete Unterlage 20 kann zu einer ge wünschten integrierten RC-Schaltung weiterverarbeitet werden. Dies kann unmittelbar anschliessend oder zu einem anderen Zeitpunkt geschehen.
Die einzelnen Be- handlunLysschritte werden zweckweise anhand des nachfolgenden, erläuternden Beispiels beschrieben, das die Verarbeitung der erfindungsgemässen Unterlage 20 zur Siebscha!tung der Fie. 12@ für eine singuläre Fre quenz zeigt.
Nach FiB. 4 besteht der erste Schritt in der Maskie- rung derjenigen Gebiete der Kondensatorelektroden- schicht ?4, die als untere Kondensator-Flektrode <I>die-</I> <I>lief]</I> sol!cn, ferner a1> Stromwege ltt1L1 Anschlusstellen vermittels einer Ätzmaske 26. Diese Gebiete werden im folgenden kollektiv als Leitbahnen bezeichnet.
Die Ätzmaske 26 mag in jeder geeigneten Weise angelegt werden. Vorteilhafterweise wird die Ätzmaske 26 durch ein übliches Aufsieben durch Seidengaze angebracht. Alternativ kann sie durch ein photolithographisches Verfahren aufgebracht werden, das in der Bedeckung der gesamten Oberfläche der Schicht 24 mit einer üblichen Photo-Ätzmaske besteht und diejenigen Teile der Schicht 24 dem Licht aussetzt, die maskiert werden sollen.
Die Schicht 24 wird danach einem der üblichen photographischen Entwicklungsprozesse unterworfen, die die exponierten Gebiete der Photo-Ätzmaske säure beständig macht und die nichtbelichteten Gebiete ent fernt und die darunterliegende Schicht 24 freilegt.
Nach Erzeugung der ätzbeständigen Maske wird die Schicht 24 einem Ätzmittel ausgesetzt, welches die Kondensatorelektrodenschicht 24 angreift, aber nicht die darunterliegende Trennschutzschicht 23.
Im vorlie genden Beispiel mit einer Schicht 24 aus Tantal und einer Trennschutzschicht 23 aus Antimon ist das ver wendete Ätzmittel heisses Ätznatron. Das heisse Natri- umhydroxid ätzt und löst die exponierten Tantalflä- chen, greift aber die geschützten Tantalflächen oder die Antimontrennschutzschicht 23 nicht an.
Die ent standene Struktur wird in Fig.5 gezeigt, die einen Querschnitt der mehrlagig beschichteten Unterlage 20 nach Fig. 4 nach dem Ätzen zeigt.
Nach dem Ätzen wird die Ätzmaske 26 entfernt. In dieser Behandlungsstufe kann man nach zwei Möglich keiten verfahren. Der erste Weg, der im linken Zweig des Blockschemas der Fig.l dargelegt ist, wird in Fi;. 6-11 erläutert. Der rechte Zweig des Fliesschemas nach Fig. 1 ist nicht in den Zeichnungen dargestellt, sondern soll kurz weiter unten erklärt werden.
Der nächste Schritt besteht in Übereinstimmung mit dem ersten oder linksseitige dargelegten Verfahren nach Fig. 1 in der Entfernung derjenigen Teile der Antimon- Trennschutzschicht. die während des Ätzens der Tan- talschicht 2s exponiert gewesen sind. Dies bewirkt man. indem man das Antirr.on einem Ätzmittel wie heisse Schwefelsäure aussetzt. welche Antimon löst, aber die darunterliegende Tantalnitridschicht 23 nicht angreift.
Antimon löst sich rasch in Schwefelsäure, wohin"e;en sowohl Tantal als auch Tantalnitrid von allen Säuren ausser Flussäure unangegriffen bleiben. Da Schwefelsäure Tantal nicht angreift, ist es nicht notwendig, während des Arbeitsgangs der Antimonent- fernung eine Ätzmaske als Überzug der Tantalschicht 23 atifzubri:
#=en. Die Abbildungen 6 bzw. 7 zeigen Aufsichts- und Ouerschnittsbilder des Zw -ischetierzeug- nisses 20 nach der Entfernung aus dem Schwefelsäure- bad.Wie man aus Fig. 6 und 7 ersieht, legt die Entfer nung des exponierten Antimons Teile der widerstands bildenden Schicht 22 frei.
Die Betrachtung der Fi_.8 zeigt, dass der nächste Schritt des Verfahrens die Maskierungen derjenigen Bereiche der exponierten, widerstandsbildenden Schicht 22 ist. die Dünnfilm-Widerstände mit einer Ätzmaske 27 auf das stromleitende Tantalmuster aufzu bringen. Die Atzmaske 27 kann nach photolithographi scher .Art in gleicher Weise wie das Ätzmuster 26 auf gebracht werden oder auch nach einem anderen geeig neten Verfahren, wie Aufsieben durch Seidengaze.
Nach dem Schutz des stromleitenden Tantalmusters und der Teile der Tantalnitridschicht 22, die die 1Viderst:inde bildest ,ollen, wird da, ungeschützte Tan- talnitrid mit einem Ätzmittel aus heissem Natriumhy- droxid entfernt. Alternativ kann das Ätzmittel aus einer Mischung von Flussäure und Salpetersäure bestehen.
Wenn dies letztere Ätzmittel ausgewandt wird, sollte eine schützende Oxidschicht, etwa eine Lage aus Tan- talpentoxid vorzugsweise auf der Unterlage 21 vor der Abscheidung der Schichten 22, 23 und 24 niederge schlagen werden. Die Funktion einer solchen Oxid schicht besteht in der Verhinderung der Unterwande- rung der Unterlage 21 während der Ätzung der Schicht 22 mit dem Ätzmittel aus Flussähre- Salpetersäure. Ein vollständigeres Verständnis von Zweck und Wirkung der schützenden Oxidschicht ergibt sich aus dem U. S.-Patent 3 220 938.
Die nach der Ätzung entste hende Struktur wird in Fig. 9 gezeigt, die einen Quer schnitt des Zwischenerzeugnisses der Fig. 8 nach dem Ätzen darstellt.
Offenbar ist der Wert jedes Widerstands eine Funktion des Tantalnitrids und der Widerstandslänge, -breite und -dicke. Um Widerstände hoher Präzision zu erhalten, werden diese Faktoren nach üblicher Praxis so ausgewählt, dass sich die Widerstandswerte nach dem Ätzen den gewünschten Werten annähern, aber kleiner bleiben. Die Widerstände werden dann genau auf die Sollwerte gebracht, indem man sie einem Ano- disierungs-Verfahren unterwirft, das die wirksame Dicke jedes Widerstands vermindert und damit seinen Widerstand erhöht.
Für eine ausführlichere Beschrei bung der Anodisierung von Dünnfilm-Widerständen auf Sollwert wird auf das U. S.-Patent 3 148 129 ver wiesen. Vor der Anodisierung ist natürlich eine Entfer nung der Ätzmaske 27 mit einem geeigneten Lösungs mittel erforderlich.
Der nächste Verfahrensschritt ist die Bildung des Kondensator-Dielektrikums. Dies erfolgt durch Anodi- sierung derjenigen Teile der exponierten Tantalschicht 24, die als untere Kondensatorelektroden dienen sol len.
Die Anodisierung des exponierten Tantals bildet eine darauf liegende dielektrische Schicht aus Tantal- pentoxid. Man lässt die Anodisierung bis zu einer Spannung fortschreiten. die bei Berücksichtigung der Fläche der unteren Elektroden ein Oxiddielektrikum 28-28 (FiR.ll) schafft, das geeignete Dicke besitzt. um Kondensatoren der gewünschten Kapazität zu er zeugen.
Danach werden Gold-Gegenelektroden 29-29 über den Dielektrika 28-28 abgeschieden, um die Kondensatoren zu vervollständigen. Kennzeichnender weise werden die Goldelektroden 29-29 durch eine Maske in einem diskontinuierlich arbeitenden Verfah ren aufgedampft, was etwa in einer Glockenapparatur durchgeführt wird. Für eine vollständigere Beschrei bung der Herstellung von Dünnfilm-Kondensatoren wird auf das U. S.-Patent 2 993 266 Bezug genommen.
Schliesslich werden zur Vervollständigung der inte grierten Dünnfilmschaltung die Anschlusstellen mit einem leitenden Material 30 (Fig. 11) plattiert und lei tende Verbindungen 31-31 abgeschieden, wo sie benö tigt werden. Die Strompfade 31-31 und das Material 30 können aus einem unlegierten hochleitenden Metall wie Gold bestehen oder aus aufeinanderfoleenden Schichten aus Nichrom (einer Nickel-Chromlegierung), Kupfer und Palladium zusammengesetzt sein.
Das lei tende Material 30 kann anstelle der Abscheidung in diesem Verfahrenspunkt als Flächenfilm über der Kon- densatorelektrodensschicht 24 vor jeder Ätzung dersel ben niedergeschlagen werden und das Material 30 selektiv in dem gewünschten Strompfad-Anschlussmu- ster vor dem Ätzen der Schicht 24 selektiv geätzt wer den. Das entstandene Gerät wird in Fig. 10 und 11 ge zeigt.
In Fig. 10 sind die Anschlusstellen mit den Buchstaben a, b und c, die Kondensatoren mit C, und C, und die Tantalnitrid-Widerstände mit R, und R, be zeichnet. Es wird ein abgeschiedener Goldleiter 31 ge zeigt, der zwischen Anschlusstelle a und der Gegen elektrode 29 des Kondensators C, verläuft sowie der andere Goldleiter 31, der zwischen Anschlusstelle b und der Gegenelektrode 29 des Kondensators C, liegt. Das entsprechende elektrische Schaltschema ist in Fig. 12 mit den zugehörigen Anschlüssen und Schalt elementen bezeichnet. Bei Verbindung des Anschlusses c mit einer Induktion L entsteht eine Siebschaltung.
Falls gewünscht, wird die Induktion L auf der Unter lage 21 hergestellt.
Nach dem Ätzen des leitenden Tantalmusters und Entfernung der ersten ätzmaske wird eine zweite Ätzmaske angebracht, die das Widerstandsmuster fest legt und das exponierte, leitende Tantalmuster schützt. Danach werden sowohl die Trennschutzschicht und die Widerstandsschicht entsprechend dem Ätzmasken- Muster in einem einzigen Arbeitsgang unter Verwen dung eines Ätzmittels entfernt, das aus einer Mischung von Flussäure und Salpetersäure besteht. Wie oben be merkt, sollte die Unterlage 21 eine aufgelagerte schüt zende Oxidschicht besitzen, wenn dies Ätzmittel ver wendet wird.
Die nach dem Ätzen entstandene Struktur ist genau die gleiche, wie in Fig. 8 und 9 gezeigt, mit der Ausnahme, dass die Widerstandsmuster Schichten von Widerstandsmaterial und Material der Trenn- Schutzschicht enthalten. Die übrigen Stufen des Her stellungsverfahrens gehen dann wie in dem oben im einzelnen erklärten Verfahren vor sich. Da das Trenn schutzschichtmaterial anodisierbar ist, ist zu beachten, dass das Trennschutzschichtmaterial, das das Wider standsmuster bedeckt, während des Trimmvorgangs völlig in nichtleitendes Oxid verwandelt wird und daher auf den Widerstandswert keinen Einfluss haben wird.
Anstelle der in den oben beschriebenen Ausfüh rungsbeispielen verwendeten Werkstoffe, könnte die Widerstandsschicht aus Niobnitrid bestehen und die Kondensatorelektrodenschicht aus (metallischem) Niob, deren Ätzcharakteristiken mit denen des Tantal- nitrids und (metallischen) Tontals identisch sind.
Dar überhinaus sind die widerstandsbildenden und kapazi tätsbildenden Eigenschaften von Niob und Niobnitrid praktisch die gleichen wie bei Tontal und Tantalnitrid. Die Trennschicht könnte anstatt aus Antimon aus Wis mut, Wolfram, Molybdän oder Zirkon bestehen, die alle anodisierbar sind, mässig Leitfähigkeit besitzen, von einem oder beiden der Ätzmittel unangegriffen bleiben, die die widerstandsbildenden und kapazitäts bildenden Werkstoffe angreifen und von Ätzmitteln an gegriffen werden, die das widerstandsbildende und kapazitätsbildende Material nicht angreifen.
Die nach folgende Tabelle illustriert für die linke Seite des Ver fahrens nach Fig. 1 die Ätzmittel, die bei jedem der Werkstoffe verwendet werden können, die in den Er findungsumfang fallen.
EMI0004.0033
<I>Tabelle</I>
<tb> Trennschicht <SEP> Atzmittel <SEP> f. <SEP> d. <SEP> Ätzmittel <SEP> <B>f. <SEP> d.</B> <SEP> Ätzmittel <SEP> f. <SEP> d.
<tb> kapazitätsbild. <SEP> Trennschicht <SEP> widerstandsbild.
<tb> Schicht <SEP> Schicht
<tb> Antimon <SEP> NaOH <SEP> H=SO, <SEP> oder <SEP> Königswasser <SEP> NaOH <SEP> oder <SEP> HF
<tb> Wismut <SEP> NaOH <SEP> HNOs, <SEP> H:
SO, <SEP> oder <SEP> Königswasser <SEP> NaOH <SEP> oder <SEP> HF
<tb> Molybdän <SEP> HF <SEP> HNO9 <SEP> oder <SEP> HySO, <SEP> NaOH <SEP> oder <SEP> HF
<tb> Wolfram <SEP> KOH <SEP> oder <SEP> HF <SEP> Königswasser <SEP> <B>H=SO,</B> <SEP> NaOH <SEP> oder <SEP> HF
<tb> Zirkon <SEP> NaOH <SEP> Königswasser <SEP> NaOH <SEP> oder <SEP> HF