CH492355A - Relais magnétostatique - Google Patents

Description

  Relais     magnétostatique       Le brevet no 452 005, de la titulaire a pour objet  un relais magnétostatique comprenant un amplificateur  magnétique comportant un noyau magnétique saturable  qui supporte un enroulement de travail et au moins un  enroulement de commande, combiné à un transistor,  caractérisé en ce que l'émetteur du transistor est  connecté directement à une première polarité et la  sortie de l'enroulement de travail de l'amplificateur  magnétique est reliée à travers un redresseur traversé  seulement par l'alternance positive directement à la  base du transistor, à laquelle est appliquée la deuxième  polarité.  



  Le temps de déclenchement d'un tel relais,     c'est-à-          dire    l'intervalle de temps qui s'écoule. entre l'instant  où l'on agit sur le courant de commande aux enroule  ments de commande, et l'instant où disparaît le. cou  rant de sortie sur le collecteur du transistor, est infé  rieur au dixième de     milliseconde,    ce qu'on peut consi  dérer comme relativement rapide.  



  Il peut arriver qu'on ait besoin d'un relais qui  déclenche avec un certain retard, c'est-à-dire qu'entre  l'instant où la commande de déclenchement     est     donnée aux enroulements de commande, et l'instant  où disparaît le courant de sortie sur le collecteur du  transistor, s'écoule un temps relativement important:  par exemple, une centaine de     millisecondes,    ou plus; le  but de la présente invention est de fournir un tel relais  retardé au déclenchement.  



  Le dispositif objet de l'invention est un relais       magnétostatique    selon la revendication du brevet prin  cipal, ce relais étant caractérisé en ce qu'il comporte  un deuxième transistor dont une électrode est  connectée à travers une diode au collecteur du premier  transistor, le premier transistor pouvant prendre un  état conducteur et un état bloqué, et le deuxième tran  sistor comportant un dispositif à retard comprenant  résistance et condensateur, de façon que, lorsque le  premier transistor devient non passant, la charge du  condensateur rende le deuxième transistor passant réa  lisant un retard au déclenchement du relais.

      Les caractéristiques de l'invention apparaîtront au  cours de la description qui en est faite ci-après, en  relation avec les figures du dessin annexé, qui donne, à  titre d'exemple, une forme de réalisation du     dispositif     selon l'invention. Dans ces     figures:     - la     fig.    1 représente le schéma d'un relais     magné-          tostatique    retardé au déclenchement et  - la     fig.    2 représente la courbe de l'élément tempo  risateur du relais selon     fig.    1.  



  Le relais magnétostatique retardé au déclenche  ment représenté sur la fie. 1 est constitué par     l'associa-          tion    d'un relais     magnétostatique    normal, S (cadre en       tireté),    et d'un dispositif     temporisateur    spécialement  conçu pour s'adapter aux caractéristiques du relais       magnétostatique.    Le relais     magnétostatique    S selon le  brevet principal comprend un amplificateur magné  tique dont la sortie attaque un montage à transistor T.

    L'amplificateur magnétique est alimenté à ses     bornes     d'entrée AB par un courant alternatif qui     parcourt    un  enroulement de travail nt bobiné sur un circuit magné  tique saturable, sur lequel sont     également        placés    plu  sieurs enroulements de commande n, c,,     n_        c_    etc. par  courus par des courants continus et un enroulement de  réaction     n3        c3    pouvant être inséré dans le circuit de  sortie du relais, entre les points P et Q et parcouru par  le courant collecteur du transistor T.

   La somme des  ampères-tours dus aux enroulements de commande  détermine un courant de sortie de l'amplificateur  magnétique tel que,     lorsque    ce     courant    de     sortie    dépasse       une        certaine    valeur de référence  
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    le transistor T est bloqué, et qu'au contraire, lorsque  ce courant de sortie est     inférieur    à la valeur de réfé  rence, le transistor T est passant.      Le dispositif temporisateur est placé en parallèle  sur la sortie Q du relais magnétostatique S.  



  II comporte un     transistorT_    et     un    circuit à constante  de temps constitué par des résistances     R,,    R;,     R,    et     un     condensateur C... Le collecteur du transistor T est  polarisé     négativement    ait point K. par un potentiel -U.  à travers la résistance R,. La sortie Q du relais magné  tostatique S est prolongée jusqu'à une borne S._. Le  transistor     T.,    dont l'émetteur est à la terre. a son col  lecteur relié à une borne de sortie S.,.

   Les sorties     S_    et  S., sont réunies entre les points J et L par une diode D,  dont la     borne        positive    est reliée au     point    J.     Ainsi     lorsque le relais S est au travail, la     borne    S., peut, elle,  recevoir le débit de ce relais, alors que la borne     S_    ne  peut pas recevoir le débit du transistor     T._"    la diode D,  étant alors non passante.  



  La base du transistor     T_    est reliée à un point N,  commun à la résistance     Re    dont l'autre extrémité est à  la terre. et à une     armature    du     condensateur    C..; l'autre  armature du condensateur     C_    est reliée à un point NI à       travers    la résistance R;, le point NI étant lui-même  relié, d'une part. par le point K à la sortie du relais S.

    et d'autre part. au potentiel négatif -L. à travers la  résistance     R,.    Si     l'on        suppose    le relais S au     travail,    le  potentiel terre de l'émetteur du transistor T inclus dans  le relais S se retrouve     très    sensiblement sur les     bornes     de sorties     S_,    e; S.,. Le point     1.I    est lui-même à ce  potentiel terre, et. par conséquent. le point     N    de la  base du transistor T., est au potentiel terre également.  étant polarisé à travers la résistance R,;. Le transistor  T, est donc bloqué.

   Lorsque. le relais S reprend son  état de repos: un circuit se ferme alors, comprenant en  série la résistance     R,,    la résistance R;, le condensateur       G    et la résistance     R,;.    Le condensateur     C_    se charge  entre le potentiel -U et la terre; le potentiel du point  N, base du transistor T.,, est alors inférieur à celui de  l'émetteur. et le transistor     T=    devient passant. Dès que       T=    est passant. le potentiel terre de l'émetteur est  replacé sur la sortie S.,.

   Il n'y a donc eu, sur la borne       S;,,    qu'une très courte interruption du potentiel terre  après la mise au repos dit relais S. dont la sortie     S_     reste polarisée     nagativement    à travers la résistance     R.,     et le point K ; cette interruption correspond au temps  de réponse du transistor T_.

   Mais le point N de la base  reprend le potentiel terre à travers     Rn,    dès la fin de  charge du condensateur C_ et, par suite. le transistor  T.,     Sc        rcbloque.        L,        :;        ans;stor    T,     n'cst    donc resté pas  sant que pendant le temps de charge du condensateur  C_, temps qui dépend des constantes     R,.    R;

   et     R,    du  circuit de charge, mais ce temps s'est pratiquement  ajouté au temps réel, pendant lequel le relais S est  resté     :r,clenché.    En somme, la     borne    S,, conserve le  potentiel terre plus longtemps que la borne S..; la diffé  rence des temps constitue le retard au déclenchement  du relais S. 11 faut remarquer, en effet, que lorsque     S,     est à la terre, la diode D, est dans le sens non passant,  si la borne S., est. t ce moment, polarisée négative  ment. Les différents courants représentés à la ? en  fonction du temps, vont contribuer à une explication  plus précise du fonctionnement: la fia. 2-1 représente  l'interruption du courant de sortie     I.    du relais S.

   A  l'instant 0, dès que ce courant est interrompu, un cou  rant de base     lb.    prend naissance dans le transistor       (fig.    ?-2) et ce courant dure tant que le condensateur       C_    n'est pas entièrement chargé.

   Le transistor T_ est  passant tant que dure le courant de base<B>lb,</B> et un cou  rant collecteur 1,     (fig.    2-3), apparaît sur la     borne    S, et    dure le même temps que le courant de base     lb.    Si, par  conséquent, on considère la borne     S,    dans le temps,  c'est-à-dire avant et après l'instant 0 où le     relais          magnétostatique    S est revenu au repos, on voit que la  courbe fia.     2--1    est la somme des courbes 2-1 et 2-3.

    L'interruption au temps t = 0 correspond au temps de  réponse du transistor T, et n'est pas perceptible, prati  quement (plus petite que 1 microseconde): en fait, on a  donc une     prolongation    du courant d'une durée t, après  le retour au repos du relais     magnétostatique.    On       remarque    que la borne S_. correspond au courant de  sortie d'un relais     magnétostatique    normal, alors que la  borne S., correspond au courant de sortie d'un relais       magnétostatique    retardé au déclenchement. Le relais S  et le transistor T_ ne débitent donc pas simultanément  mais successivement: le temps de retard t, est caracté  risé par la constante de temps de l'ensemble condensa  teur et résistances.  



  Une application possible. donné: à titre d'exemple,  du dispositif selon     fig.    1. est dans la réception des  impulsions émises par un poste d'abonné: en effet, si  un enroulement du     relais    S est placé en série avec le  circuit d'alimentation de la     li,-,ne    d'abonné, on peut  recueillir les impulsions de numérotation à la sortie S._.,  et séparer les trains d'impulsions par la sortie     S,.     



  Les fonctions classiques de relais d'impulsion et de  relais de train se trouvent ainsi réalisées simultané  ment.  



  Le relais décrit à titre d'exemple comprend des  transistors du type     PNP;    Il est cependant évident qu'il  pourrait être réalisé avec des transistors de type     NPN,     en observant les polarités convenables et en orientant  convenablement les diodes.

Claims (1)

1. REVENDICATION Relais magnétostatique selon la revendication du brevet principal. caractérisé cri ce qu'il comporte un deuxième transistor dont une électrode est connectée à travers une diode au col'.ectettr du premier transistor, le premier transistor pouvant prendre un état conduc teur et un état bloqué. et le deuxième transistor com portant un dispositif à retard comprenant résistance et condensateur. de faon que. lorsque le premier tran sistor devient non passant. la charge du condensateur rende le deuxième transistor passant réalisant un retard au déclenchement du relais. <B>SOUS-</B> RE%'ENDIC.-#,TIONS 1.

   Relais selon la revendication, caractérisé par le fait que le deuxième transistor est monté en parallèle sur la sortie du premicr 'ransistor. le deuxième tran sistor ayant son circuit de base raccordé d'une part<B>il</B> une polarité à travers une résistance et d'autre part à la sortie du premier transistor à travers le condensa teur, la diode reliant la sortie du premier transistor et le collecteur du deuxième transistor étant orientée de façon à laisser passer le courant du premier transistor vers la sortie du deuxième transistor. 2.

   Relais selon la revendication ou la sous-revendi- cation 1, caractérisé par le fait que le collecteur du premier transistor est relié. d'une part. à la base du deuxième transistor à travers la résistance et le condensateur. et d'autre part. au collecteur du deuxième transistor à travers la diode, une polarisation à travers une résistance étant donnée à la sortie du col lecteur du premier transistor et une terre étant placée sur la base du deuxième transistor à travers la résis tance, l'émetteur du deuxième transistor étant lui- même relié directement à la terre, le collecteur du deuxième transistor constituant la sortie du dispositif.