CH500554A - Matrix-Speicher für die vorübergehende Speicherung von Impulsen, insbesondere Gebührenimpulsen von Telephonteilnehmern - Google Patents

Matrix-Speicher für die vorübergehende Speicherung von Impulsen, insbesondere Gebührenimpulsen von Telephonteilnehmern

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CH500554A
CH500554A CH243370A CH243370A CH500554A CH 500554 A CH500554 A CH 500554A CH 243370 A CH243370 A CH 243370A CH 243370 A CH243370 A CH 243370A CH 500554 A CH500554 A CH 500554A
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CH
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connection
capacitor
pulse
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CH243370A
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Beiner Peter
Messerli Karl
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Autophon Ag
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  • Interface Circuits In Exchanges (AREA)

Description


  
 



  Matrix-Speicher für die vorübergehende Speicherung von Impulsen, insbesondere Gebührenimpulsen von Telephonteilnehmern
Anlagen zur zentralen Verarbeitung von Gebührenimpulsen, welche die in Telephonzentralen auf einer Vielzahl von Leitungen in beliebiger unregelmässiger Folge einlaufenden Impulse erfassen und sie nacheinander aufzeichnen, sind bekannt. Diese Anlagen lassen sich grundsätzlich in zwei Gruppen einteilen. In beiden Gruppen werden die Leitungen periodisch abgetastet, und zwar in der ersten Gruppe mit einer Periode, welche kürzer ist als der kürzeste der einlaufenden Impulse.

  In der zweiten Gruppe ist jeder Leitung eine Speichereinheit zugeordnet, die einen einzelnen Impuls zu speichern vermag, wobei die Speichereinheiten mit einer Periode abgetastet werden, die lediglich kürzer sein muss als die kürzeste Pause, die zwischen zwei auf derselben Leitung einlaufenden Impulsen auftritt. Diese Abtastperiode kann daher wesentlich länger sein als diejenige in der ersten Gruppe. Im ersten Falle ist zwar der auf die einzelnen abzutastenden Leitungen entallende Schaltungsaufwand klein, der allgemeine Schaltungsaufwand jedoch ziemlich umfangreich, während es im zweiten Falle gerade umgekehrt ist. In den bekannten Anlagen werden als Speicher Ferritkerne verwendet.



   Sofern die zu verarbeitenden Impulse durch Kontakte erzeugt sind, ergeben sich in beiden Fällen Schwierigkeiten, indem gegebenenfalls ein durch eine Kontaktprellung in zwei Teile unterteilter Impuls als zwei Impulse aufgezeichnet wird, wenn er während der durch die Prellung verursachten Lücke abgetastet wird. Es sind zwar Anlagen bekannt geworden, in denen diese Schwierigkeiten umgangen sind, aber der dazu benötigte Aufwand ist verhältnismässig gross, indem z. B. zwei Ferritkerne pro Leitung angeordnet werden müssen.



   Mit Hilfe der vorliegenden Erfindung ist es nun möglich, Verarbeitungsanlagen für Gebührenimpulse zu bauen, welche in die zweite der beschriebenen Gruppen gehören und in welchen ein aufgrund von Prellungen auftretendes fehlerhaftes Aufzeichnen von Impulsen mit sehr wenig Aufwand verhindert ist. Die Erfindung betrifft einen Matrix-Speicher, welcher für die vorübergehende Speicherung von auf einer Vielzahl von Leitungen in beliebiger Folge eintreffenden, durch Kontakte erzeugten Impulsen, insbesondere Gebührenimpulsen von Telephonteilnehmern, geeignet ist. Dieser Speicher enthält je einer der Leitungen zugeteilte Speichereinheiten, in welche die auf der betreffenden Leitung einlaufenden Impulse eingespeichert werden. Der Speicher enthält ferner Zeilen- und   Kolonnenstromkreise,    von denen jeder Speichereinheit je einer zugeordnet ist.



  Die Speichereinheiten werden durch diese Stromkreise derart abgetastet, dass durch das Zusammenwirken je eines Zeilen- und eines Kolonnenstromkreises ein in der den beiden Stromkreisen angehörigen Speichereinheit allenfalls gespeicherter Impuls ausgespeichert wird. Dieser Speicher ist dadurch gekennzeichnet, dass die Speichereinheiten je einen Kondensator enthalten, dessen Ladezustand für die Speicherung oder Nicht-Speicherung eines Impulses charakteristisch ist. Die Erfindung wird nun anhand eines Ausführungsbeispiels erklärt.



   Die Figur 1 zeigt ein   Übersichtsschema    mit 9 Gesprächszählern, die je über eine Leitung in beliebiger Folge mit Impulsen beaufschlagt werden, wobei diese Impulse einem Speicher mit 9 Speichereinheiten zugeführt werden, die ihrerseits von 3 Zeilen- und 3 Kolonnenstromkreisen abgetastet werden können.



   Die Figur 2 zeigt das Detailschema einer Speichereinheit mit einem Kontakt zur Einspeicherung von Impulsen und je mit einem zugehörigen Zeilen- und Kolonnenstromkreis.



   Die Figur 3 zeigt den zeitlichen Verlauf der Potentiale an verschiedenen Punkten der Schaltungsanordnungen gemäss Figur 2, wobei die Zeitpunkte, an denen sich irgend etwas ändert, mit fortlaufenden Zahlen bezeichnet sind.



   Der Speicher gemäss Figur 1 ist zur Zwischen  speicherung von Gebührenimpulsen in einer Telephonzentrale bestimmt. Er ist mit 9 Leitungen   L11...L33    parallel an die Gebührenzähler GZ von 9 Teilnehmern angeschlossen und eignet sich somit zum nachträglichen Einbau in bestehende Telephonzentralen. Auf die Gebührenzähler GZ gelangen in bekannter Weise Impulse, die je von einem mechanischen Kontakt erzeugt und über Wähler und andere Schaltmittel den Zählern zugeleitet werden. Die impulsgebenden Kontakte sind gesamthaft symbolisch durch den einzigen Kontakt zk dargestellt, der über den Widerstand R4 ein Minuspotential an die Zähler GZ anlegt. Auch die Wähler und andern Schaltmittel zwischen Kontakten und Leitungen sind durch eine Klammer symbolisch dargestellt.

  Anstelle der Zähler könnten natürlich auch Widerstände angeordnet sein, oder die Zähler könnten - bei geeigneter Dimensionierung der Schaltmittel des Speichers - überhaupt weggelassen werden. Im Speicher ist jeder Leitung L eine Speichereinheit S zugeordnet. Die Speichereinheiten sind schaltungsmässig drei Zeilenstromkreisen G1...G3 und drei Kolonnenstromkreisen P1...P3 zugeordnet, wobei die erste Ziffer ihrer Bezeichnung den Zeilenstromkreis und die zweite Ziffer den Kolonnenstromkreis angibt, dem das betreffende Speicherelement zugeteilt ist.

  Es ist klar, dass die mechanische Anordnung der Speicherelemente in keiner Weise der elektrischen Zeilen- und Kolonnenzuordnung entsprechen muss. Über die Verbindungen g sind die einer bestimmten Zeile angehörenden Speichereinheiten parallel mit dem betreffenden Zeilenstromkreis G und über die Verbindungen P sind die einer bestimmten Kolonne angehörigen Speichereinheiten mit dem betreffenden Kolonnenstromkreis P verbunden. Über die Leitungen ga und pa werden die Zeilen- und Kolonnenstromkreise von einem zentralen, nicht näher dargestellten Steuerstromkreis AS aus in der richtigen Reihenfolge in den Arbeitszustand geschaltet. Durch das später erklärte Zusammenwirken je eines Zeilenstromkreises und eines Kolonnenstromkreises wird die diesen beiden Stromkreisen angehörige Speichereinheit S periodisch abgetastet.



   Sofern anlässlich der Abtastung in einer der Speichereinheiten ein gespeicherter Impuls vorliegt, wird er über die von den Kolonnenstromkreisen ausgehenden Leitungen r ausgespeichert und nach einer nicht dargestellten Aufzeichnungseinrichtung geführt. Es ist klar, dass nur der Einfachheit halber eine so kleine Zahl von Speichereinheiten für die Darstellung des Speichers gewählt wurde; in Wirklichkeit wird man natürlich in einem Speicher eine grössere Anzahl von Zeilen anordnen und dabei auch die Zahl der Kolonnen grösser wählen.



   Eine Speichereinheit samt dem zugehörigen Zeilenund dem Kolonnenstromkreis ist in Figur 2 dargestellt.



  Sie enthält einen Kondensator C mit zwei Anschlüssen kl und k2, an welche je zwei Zweige angeschlossen sind.



  Die Ladung des Kondensators kann über den Zweig mit der Diode   D1    und dem Widerstand   R1    und den Zweig mit der Diode D3 und dem Widerstand R3 im einen Sinne verändert werden und über den Zweig mit der Diode D5 und dem Widerstand R2 und den Zweig mit der Diode D4 im andern Sinne. An jedem der beiden Anschlüsse kl und k2 sind somit 2 Zweige angeschlossen, welche entgegengesetzt gerichtete Dioden enthalten und auf diese Weise mit andern Speichereinheiten parallel an die verschiedenen Zeilen- und Kolonnenstromkreise angeschlossen werden können.



   Durch den Kontakt zk, welcher über den Widerstand R4 ein Potential von -60 V an den Gebührenzähler GZ und damit an die Leitung L anlegt, wird ein Impuls in die Speichereinheit eingespeichert. Der der dargestellten Speichereinheit S zugeordnete Zeilenstromkreis G besteht aus dem Transistor TR1 und den Widerständen R7 und R8, und der zugehörige Kolonnenstromkreis P ist aus dem Transistor TR2 und den Widerständen R5 und R6 aufgebaut. Wie bereits kurz erwähnt, wird die dargestellte Speichereinheit durch das Zusammenwirken der beiden Stromkreise G und P abgetastet und sofern ein Impuls gespeichert   war - in    den Ruhezustand zurückgeführt, wobei im zuletzt erwähnten Falle am Anschluss r ein Impuls angegeben wird.



   An den Speichereinheiten spielen sich dabei die in der Folge beschriebenen Vorgänge ab. Im Ruhezustand liegt der erste Anschluss kl des Kondensators C auf dem Potential   V    und der Anschluss k2 auf dem Potential O, so dass der Kondensator mit 5 V aufgeladen ist. Der Anschluss k2 ist über den Widerstand R1, die Diode   D1    und den Zähler GZ mit Masse verbunden, so dass er auf die Dauer kein höheres Potential annehmen kann. Er steht zwar über die Diode D5 und die Widerstände R2 und R7 und über die Diode D2 mit dem Potential   V    in Verbindung, was aber wegen der Wirkung der Dioden keinen Einfluss auf sein Potential haben kann.

  Der im Ruhezustand gesperrte, dem Zeilenstromkreis G angehörige Transistor TR1 wird über den Steuereingang ga und den Widerstand R8 jeweils auf nicht dargestellte Weise geöffnet, wenn die Zeile, welcher das betreffende Speicherelement angehört, abgetastet werden soll. Durch den Transistor wird dabei das Potential O an den Punkt g gelegt. Wie aus dem in Figur 3 dargestellten Potentialverlauf auf der Verbindungsleitung g ersichtlich ist, ist dies zwischen den Zeitpunkten 5 und 7, 10 und 12, ferner 15 und 19 der Fall. Dem Potential am Punkt k2 wird infolgedessen, sofern es kleiner als 0 sein sollte, bei dieser Gelegenheit ermöglicht, wiederum seinen Sollwert anzunehmen.

  Der Anschluss kl des Kondensators C steht einerseits über den Widerstand R3 und die Diode D3 mit dem Potential   V    in Verbindung, so dass das Potential am Punkt kl auf die Dauer nicht unter   V    sein kann. Anderseits steht der Punkt kl über die Diode D4 und den Widerstand R5 mit dem Punkt pa in Verbindung. Da das Potential an diesem Punkt, auf nicht dargestellte Art gesteuert, in einer aus Figur 3 ersichtlichen Weise an den Zeitpunkten 2, 6, 8, 9, 11, 13, 14, 17 und 20, d. h. periodisch kurzzeitig vom Ruhepotential O in das Potential   V    ändert, kann das Potential am Punkte kl auf die Dauer auch nicht über dem Wert   V    bleiben.

  Vor dem Zeitpunkt 1 besitzt somit das erste Potential am Punkt kl den Wert   -5V    und das zweite am Punkt k2 den Wert O, so dass der Kondensator C geladen ist. Dieser Zustand ist somit dafür charakteristisch, dass kein   Impuls    gespeichert ist.

 

   Schliesst nun im Zeitpunkt 1 der Kontakt zk, legt er ein Potential von   V,    d. h. ein von den beiden sonst ausschliesslich angelegten Potentialen -5V und 0 verschiedenes Potential, über den Widerstand R4 an den Zähler GZ und die Leitung L. Auf dieser Leitung ergibt sich dann ein Potential von beispielsweise   V,    und es fliesst somit ein Strom vom Potential   V    über Diode D2, Widerstand R1, Diode D1, Kontakt zk und Widerstand R4. Der Punkt k2 wird infolgedessen.



  unbekümmert um die Höhe des durch den Kontakt zk angelegten Potentials, an das an der Diode D2 liegende   Potential   V    gelegt. Der Widerstand R3 ist hochohmig, so dass der Kondensator C vorderhand geladen bleibt, wobei das Potential am Punkt kl einen Sprung   auf -10V    macht. Der Kondensator C entlädt sich nun über die Diode D3, den Widerstand R3 und über die beschriebenen, zwischen dem Punkt k2 und dem Potential   V    angeordneten Schaltelemente. Die Diode D2 verhindert das Potential am Punkt k2 daran, auf einen Wert unter   V    zu sinken, so dass überall mit den beiden Potentialen 0 und -5V gearbeitet werden kann.

  Die Zeitkonstante dieser Entladung, welche im Zeitpunkt 3 beendet ist, ist kleiner als die Dauer der vom Kontakt zk erzeugten Impulse, aber grösser als die durch Kontaktprellungen entstehenden Unterbrüche. Sie wird neben der Kapazität des Kondensators C in erster Linie durch den Widerstand R3 bestimmt, dessen Wert denjenigen der Widerstände R1 und R4 wesentlich übertrifft.



   Nach Öffnen des Kontaktes zk bleibt der Kondensator C im entladenen Zustande, und die beiden Punkte kl und k2 befinden sich je auf dem Potential -5 V. Der entladene Zustand ist somit dafür charakteristisch, dass ein Impuls gespeichert wurde.



   Wird nun im Zeitpunkt 5 der in Figur 2 dargestellte Zeilenstromkreis   G,    welchem das dargestellte Speicherelement zugeteilt ist, über den Anschluss ga in seinen Arbeitszustand geschaltet, damit die betreffende Zeile von Speicherelementen abgetastet werden kann, nimmt der Transistor TR1 den leitenden Zustand an. Der Punkt k2 ist dann über Emitter und Kollektor des Transistors TR1, die Diode D5 und den Widerstand R2 mit dem Potential 0 verbunden. Das Potential am Punkt k2 macht somit einen Sprung in positiver Richtung.



  Infolge des entladenen Zustandes des Kondensators C führt sein Anschluss kl ebenfalls einen Sprung vom Potential   V    nach 0 aus. Die Ladung des Kondensators C kann sich jedoch vorderhand nicht verändern, da einerseits die Diode D3 ein Fliessen von Strom durch    den Widerstand R3 nach dem Potential V verhindert    und anderseits auf beiden Seiten der Diode D4 dasselbe Potential vorhanden ist.



   Durch Abtasten der Speichereinheit S durch das Zusammenfallen der Abtastung durch den Zeilenstromkreis G und den Kolonnenstromkreis P wird nun der Ladezustand des Kondensators C festgestellt.



  Damit wird der eingespeicherte Impuls ausgespeichert und der Ruhezustand des Speicherelementes wiederum hergestellt. Diese Vorgänge spielen sich   ab.   



  indem während des zwischen den Zeitpunkten 5 und 7 liegenden Arbeitszustandes des Zeilenstromkreises G der zugehörige Kolonnenstromkreis P in den Arbeitszustand geschaltet wird. Dieser Zustand tritt ein, wenn auf nicht dargestellte Weise im Zeitpunkt 6 das Potential -5V an den Punkt pa gelegt wird. Zwischen den Punkten K1 und pa entsteht in diesem Falle eine Spannung, und der Kondensator C wird über Transistor TR1, Diode D5, Widerstand R2, Diode D4 und Widerstand R5 geladen. Die Summe der Werte der Widerstände R2 und R5 ist wesentlich kleiner als der Wert des Widerstandes R3. Sie ist derart gewählt, dass die Zeitkonstante dieser Ladung sehr kurz ist und in der Grössenordnung der bei Kontaktprellungen auftretenden Unterbrüche und der dazwischen liegenden Schliessungen liegt.

  Der während dieser Ladung fliessende Strom erzeugt eine Spannung im Widerstand R5, welche auch zwischen Basis und Emitter des Transistors TR2 auftritt. Der Transistor TR2 wird daher leitend, und der Anschluss r, welcher über den Widerstand R6 mit Masse verbunden ist und dessen Potential somit im gesperrten Zustand des Transistors das Potential 0 aufweist, nimmt nun das Potential -5V an. Dieser Potentialsprung kann in nicht dargestellter Weise irgendwie aufgezeichnet werden, wobei natürlich noch die Zeile berücksichtigt werden muss, welcher die Speichereinheit angehört, aus welcher der betreffende Impuls ausgespeichert wurde. Nach dem Zeitpunkt 6 bleibt der Kondensator C im geladenen Zustand, und alle Potentiale entsprechen wieder den eingangs beschriebenen, vor dem Zeitpunkt 1 vorhandenen.

  Beim Vorgang der Abtastung ist es somit wesentlich, dass im Ruhezustand an der Verbindung g das Potential -5V, an der Verbindung p dagegen das Potential 0 liegt, während anlässlich der Abtastung die an die beiden Zweige gelegten Potentiale, unter Beibehaltung des Absolutwertes der dazwischen liegenden Spannung, gegenüber dem Ruhezustand vertauscht sind.



   Sofern im geladenen (Ruhe-)Zustand des Kondensators, beispielsweise im Zeitpunkt 11, eine Abtastung der betreffenden Speichereinheit vorgenommen wird, bleibt dies wirkungslos, da bei dieser Abtastung lediglich diejenigen Potentiale an die Anschlüsse des Kondensators gelegt werden, die dort bereits vorhanden sind.



   Zwischen den Zeitpunkten 16 und 18 ist in Figur 3 das Eintreffen eines Impulses über die Leitung L dargestellt, welcher während des zwischen den Zeitpunkten 15 und 19 vorhandenen Arbeitszustandes des Zeilenstromkreises G eintrifft. Im Zeitpunkt 17, somit während des Impulses, wird ausserdem durch eine Potentialsenkung am Punkt pa der zugehörige Kolonnenstromkreis in den Arbeitszustand versetzt.



  Trotz dieses die Voraussetzungen zu einer Abtastung schaffenden Zusammentreffens findet ausschliesslich eine Einspeicherung statt, indem das Vorhandensein des leitenden Zustandes des Transistors TR1 während der Schliessung des Kontaktes zk keinen Einfluss auf den Potentialverlauf am Punkt k2 hat. Dies ergibt sich daraus, dass die Verbindung dieses Punktes über die Diode D2 mit dem Potential   V    wesentlich weniger Widerstand aufweist als die über die Diode D5 und den Widerstand R2 an das Potentiale führende, wobei aber - wie früher ausgeführt - der Wert des Widerstandes R2 gegenüber demjenigen des Widerstandes R3 immer noch wesentlich kleiner ist.

  Der Einfluss des Potentials -5V und damit die Wirkung der Einspeicherung überwiegt daher die Wirkung der Ausspeicherung, und am Punkt k2 stellt sich somit das Potential   V    ein, das dort auch bei nicht leitendem Transistor TR1 aufgetreten wäre. Ein Unterschied der beschriebenen Einspeicherung gegenüber einer Einspeicherung während des Ruhezustandes des Zeilenstromkreises besteht lediglich darin, dass nun am Widerstand R2 eine Spannung von 5 V auftritt und darin ein entsprechender Strom fliesst. Unbekümmert um den Arbeitszustand des Zeilenstromkreises G wird somit beim Eintreffen eines Impulses über die Leitung L der Kondensator C über den Widerstand R3 entladen. 

  Auch die erwähnte zum Zeitpunkt 17 auftretende Potentialabsenkung am Punkt pa, d. h. ein Wirksamwerden der Kolonnenabtastung, kann auf die Potentiale an den Punkten kl und k2 keinen Einfluss haben, da in diesem Zeitpunkt das Potential am Punkt kl gegenüber demjenigen am Punkte pa nicht positiv ist, so dass kein Strom über den Widerstand R5 fliessen kann. Der Kondensator C bleibt somit entladen.  



   Nach dem Ende des vom Kontakt zk abgegebenen Impulses steigt nun das Potential am Punkt k2 auf den Wert 0, da der immer noch leitende Transistor TR1 dieses Potential immer noch an den Punkt g anlegt, während jedoch im Widerstand R1 und in der Diode D2 kein Strom mehr fliesst. Damit verschiebt sich auch das Potential am Punkt kl um 5 V und erreicht somit den Wert O. Über den Widerstand R5 kann vorderhand kein Strom fliessen, da sich auch der Punkt pa auf dem Potential 0 befindet.



   Nachdem der Transistor TR1 wiederum gesperrt ist, bleiben die Potentiale am Kondensator bestehen. Sie sind zwar gegenüber den Potentialen, die im Normalfall der Speicherung eines Impulses auftreten, um je   5 V    verschoben, was aber ohne Bedeutung ist, da allein der Ladezustand des Kondensators ausschlaggebend ist.



   Sofern jedoch im Zeitpunkt 20 durch Anlegen des Potentials   V    an den Punkt pa der der Speichereinheit zugeordnete Kolonnenstromkreis P in den Arbeitszustand geschaltet wird, während sich der   zugeorndnete    Zeilenstromkreis G im Ruhezustand befindet, verschiebt sich auch das Potential am Punkt kl von 0 auf   V,    und infolge des entladenen Zustandes des Kondensators nimmt der Anschluss k2 ebenfalls dieses Potential an.



  Ein Strom kann jedoch weder über die Diode D2 noch über den Widerstand R2 fliessen, da keine Spannung über diesen Elementen liegt. Die Potentialverteilung an den verschiedenen Stellen der Speichereinheit S entspricht dann derjenigen zwischen den Zeitpunkten 4 und 5, so dass sich die darauf folgende, in der Figur 3 nicht dargestellte Abtastung wie die bereits beschriebene abspielt.



   Wie aus den vorangehenden Ausführungen hervorgeht, erfolgt somit, sofern während der Einspeicherung eines Impulses eine Abtastung stattfindet, keine Ausspeicherung. Der Zustand der Einspeicherung bleibt erhalten, und die Ausspeicherung erfolgt bei der näch sten Abtastung in normaler Weise. Unter bestimmten Voraussetzungen können sich höchstens prallele Poten   tialverschiebungen    der Punkte kl und k2 ergeben, die aber auf die Gesamtfunktion ohne Einfluss bleiben.



   Dank der Verwendung von lediglich einer einzigen niedrigen Spannung von 5 V ist einerseits die Speisung des Speichers vereinfacht und anderseits ist es möglich, in weitgehendem Masse integrierte Schaltungen zu ver wenden.



   Sofern die Einspeicherung der Impulse mit einem Kontakt vorgenommen wird, muss immer mit Prellungen gerechnet werden. Es darf aber vorausgesetzt werden, dass sich die Prellungen je auf eine bestimmte Zeit spanne am Anfang und am Schluss eines Impulses beschränken und dass der dazwischen liegende Hauptteil des Impulses vollständig frei von Prellungen ist. Unter diesen Voraussetzungen ist es durch die im vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel angewandte Dimensionierung des Kondensators und der Widerstände möglich, die Beeinträchtigung der Zahl der   ausgespeicherten    Impulse durch Prellungen zu vermeiden.

  Diese Dimen sionierung besteht bekanntlich darin, dass einerseits die durch den Kondensator C und   den    Widerstand R3 bestimmte Zeitkonstante für die Einspeicherung be trächtlich länger als die Summe der in einer zusammen hängenden Serie von Prellungen auftretenden Kontakt schliessungen gewählt wird und anderseits die durch die -Widerstände. R2- und R5 und den Kondensator C bestimmte Zeitkonstante kürzer oder mindestens ungefähr gleich lang   bemessen    wird wie die während den Prellungen auftretenden Unterbrüche.

  Unter diesen Voraussetzungen kann sich während der Zeitspanne, während der am Anfang eines einzuspeichernden Impulses Prellungen auftreten, der Kondensator nicht entladen, so dass während dieser Zeitspanne kein Impuls gespeichert wird und somit eine mit einem Unterbruch der Kontaktgabe zusammenfallende Abtastung keine Ausspeicherung bewirken kann. Die Ausspeicherung erfolgt dagegen unter den genannten Voraussetzungen derart schnell, dass der Kondensator nahezu vollständig geladen und damit der gespeicherte Impuls ordnungsgemäss ausgespeichert wird, wenn während der Zeitspanne, während der am Schlusse eines einzuspeichernden Impulses Prellungen auftreten, die Abtastung mit einem Kontaktunterbruch zusammenfällt.

  Aus den vorher dargelegten Gründen kann in der an diese Ausspeicherung anschliessenden kurzen bis zum Impulsende zur Verfügung stehenden Zeit eine erneute Einspeicherung nicht mehr erfolgen, so dass auch hier weder ein Impuls verloren geht noch doppelt gezählt wird. Es sind allerdings bei Prellungen am Schlusse eines Impulses Grenzfälle denkbar, in denen der Kondensator bei einer Abtastung nicht voll geladen wird, so dass dies erst bei einer zweiten Abtastung der Fall ist. Beim Vorliegen solcher Umstände besteht natürlich die Gefahr, dass anstelle eines einzelnen Impulses entweder zwei Impulse aufgezeichnet werden oder dass eine Aufzeichnung unterbleibt, indem entweder jede Teil-Ladung allein genügt, eine Aufzeichnung auszulösen oder indem die beiden Teil-Ladungen zu schwach sind, um eine solche Aufzeichnung zu bewirken.

  Um eindeutige Verhältnisse zu schaffen, ist es notwendig, auf nicht dargestellte Weise den Energieinhalt der am Punkt r abgegebenen Impulse zu überwachen und nur Impulse zur Aufzeichnung zuzulassen, die eine bestimmte Schwelle überschreiten. Sofern es dabei gelingt, diese Schwelle derart anzusetzen, dass Teil-Ladungen von etwas mehr als der Hälfte einer Voll-Ladung eine Aufzeichnung bewirken und solche von etwas weniger als der Hälfte keine Wirkungen auslösen, können ausschliesslich Fälle, bei denen bei beiden Ladevorgängen genau gleich viel Energie verschoben wird, das fälschliche Unterlassen einer Aufzeichnung bewirken, während eine Aufzeich nung von zu vielen Impulsen in allen Fällen vermieden ist.

  Es dürfte ohne weiteres einleuchten, dass durch passende Ansetzung der Ansprechschwellen die Gefahr von Unstimmigkeiten auf einen derart kleinen Wert vermindert werden kann, dass sie zu vernachlässigen ist.

 

   Es ist selbstverständlich, dass sich die Erfindung nicht auf das beschriebene Ausführungsbeispiel be schränkt. Insbesondere ist es nicht notwendig, dass beim Einspeichern der Kondensator entladen und beim Aus speichern geladen wird; es liessen sich auch Schaltungs anordnungen finden, bei denen dies umgekehrt wäre. Es ist auch nicht notwendig, dass das Einspeichern von Impulsen durch Anlegen eines Potentials vorgenommen werden muss, welches sich von den beiden andern in der   Schaltung    verwendeten Potentialen unterscheidet.



  Bei der Verwendung von insgesamt nur zwei Potentialen könnte auf die Diode D2 und den Widerstand R1 verzichtet werden. Es wäre auch, ohne den Erfindungsgedanken zu verlassen, möglich, die jetzt als Kolonnen stromkreise - bezeichneten Schaltungsanordnungen zur
Zeilenabtastung zu verwenden und umgekehrt. 

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH
    Matrix-Speicher für die vorübergehende Speicherung von auf einer Vielzahl von Leitungen (L) in beliebiger Folge eintreffenden, durch Kontakte (zk) erzeugten Impulsen, insbesondere Gebührenimpulsen von Telephonteilnehmern, enthaltend je einer der Leitungen (L) zugeteilte Speichereinheit (S), in welche die auf der betreffenden Leitung einlaufenden Impulse eingespeichert werden und enthaltend Zeilen- (G) und Kolonnenstromkreise (P), von denen jeder Speichereinheit je einer zugeordnet ist, durch welche Stromkreise (G, P) die Speichereinheiten derart abgetastet werden, dass durch das Zusammenwirken je eines Zeilen- und eines Kolonnenstromkreises ein in der den beiden Stromkreisen angehörigen Speichereinheit allenfalls gespeicherter Impuls ausgespeichert wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Speichereinheiten je einen Kondensator (C) enthalten,
    dessen Ladezustand für die Speicherung oder Nicht Speicherung eines Impulses charakteristisch ist.
    UNTERANSPRÜCHE 1. Matrix-Speicher nach dem Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass zur Ein- und Ausspeicherung in jeder Speichereinheit (S) mit jedem Anschluss (kl, k2) des Kondensators (C) zwei je eine Diode (D1, D5; D3, D4) enthaltende Zweige verbunden sind, wobei die beiden einem Anschluss zugeordneten Dioden in bezug auf diesen Anschluss entgegengesetzt gerichtet sind, so dass die Ein- und die Ausspeicherung je über zwei voneinander verschiedene, mit den verschiedenen Anschlüssen des Kondensators verbundene Zweige erfolgen muss (D1, D3; D5, D4).
    2. Matrix-Speicher nach dem Unteranspruch 1, mit in mindestens einem Teil der genannten Zweige angeordneten Widerständen (R1, R3; R2, R5), gekennzeichnet durch eine derartige Bemessung dieser Widerstände, dass der bei der Einspeicherung wirksame Gesamtwidersband (R1 + R3) wesentlich grösser ist als der bei der Ausspeicherung wirksame (R2 + R5).
    3. Matrix-Speicher nach Unteranspruch 2, gekennzeichnet durch Speichereinheiten (S), in denen der hohe, bei der Einspeicherung wirksame Widerstand in einem einzigen, mit einem ersten Anschluss (kl) des Kondensators verbundenen Zweig konzentriert ist (R3), und in denen Schaltmittel enthalten sind (D2), welche während der Einspeicherung den zweiten Anschluss (k2) niederohmig mit einem ersten Potential (-5 V) verbinden.
    4. Matrix-Speicher nach Unteranspruch 3, gekennzeichnet durch bei der Abtastung wirksame Stromkreise (G, TR1), welche während der Abtastung einer Speichereinheit (S) an den zweiten Anschluss (k2) des betreffenden Kondensators ein vom genannten ersten Potential verschiedenes zweites Potential (O) über einen im betreffenden Zweig enthaltenen Widerstand (R2) anlegen, dessen Wert wesentlich grösser als die genannte niederohmige Verbindung (D2), dagegen wesentlich kleiner als der genannte, während der Einspeicherung wirksame Widerstand (R3) ist, so dass beim zeitlichen Zusammenfallen von Einspeicherung und Abtastung bei einer bestimmten Speichereinheit (S) von den auf das Potential des zweiten Anschlusses (k2) ausgeübten Wirkungen die Wirkung der Einspeicherung überwiegt.
    5. Matrix-Speicher nach Unteranspruch 4, mit Schaltmitteln zur jeweiligen Einspeicherung eines Impulses in eine Speichereinheit (S) durch Anlegen eines des mit dem genannten zweiten Anschluss (k2) verbundenen Zweiges (R1, D1) an ein sowohl vom genannten ersten (-5 V) als auch vom genannten zweiten Potential (O) verschiedenes Potential (-60 V), gekennzeichnet durch Speichereinheiten (S), in denen der zweite Anschluss (k2) über eine derart gerichtete Diode (D2) mit dem ersten Potential (-5 V) verbunden ist, dass beim Anlegen des genannten verschiedenen Potentials (-60 V) der zweite Anschluss (k2) das erste Potential (-5 V) annimmt.
    6. Matrix-Speicher nach Patentanspruch, gekennzeichnet durch eine derartige Ausbildung der abtastenden Schaltungsmittel (P), dass sie an die der Abtastung dienenden Zweige (R2, D5; D4) des abzutastenden Kondensators (C) zwei Potentiale (0, -5 V) anlegen, deren Differenz (5 V) dem Ladezustand des Kondensators, wenn er keinen Impuls gespeichert hat, entspricht, und dass sie diese beiden Potentiale im Ruhezustand (O an pa; -5V an g) je gegenüber der Abtastung umgekehrt (O an g; -5V an pa) an die beiden genannten Zweige (R2, D5; D4) der Kondensatoren (C) legen.
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