CH504101A - Verfahren zum Herstellen eines mit einer Metallkontaktschicht versehenen Halbleiterbauelementes, das in ein Gehäuse einzubauen ist - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines mit einer Metallkontaktschicht versehenen Halbleiterbauelementes, das in ein Gehäuse einzubauen ist

Info

Publication number
CH504101A
CH504101A CH1453669A CH1453669A CH504101A CH 504101 A CH504101 A CH 504101A CH 1453669 A CH1453669 A CH 1453669A CH 1453669 A CH1453669 A CH 1453669A CH 504101 A CH504101 A CH 504101A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
housing
producing
contact layer
metal contact
semiconductor component
Prior art date
Application number
CH1453669A
Other languages
English (en)
Inventor
Wolfgang Dipl Phys Ganser
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH504101A publication Critical patent/CH504101A/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H10P95/50—Alloying conductive materials with semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12528—Semiconductor component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12736—Al-base component
    • Y10T428/12743—Next to refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12896—Ag-base component
CH1453669A 1968-09-30 1969-09-26 Verfahren zum Herstellen eines mit einer Metallkontaktschicht versehenen Halbleiterbauelementes, das in ein Gehäuse einzubauen ist CH504101A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1789062A DE1789062C3 (de) 1968-09-30 1968-09-30 Verfahren zum Herstellen von Metallkontaktschichten für Halbleiteranordnungen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH504101A true CH504101A (de) 1971-02-28

Family

ID=5706784

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH1453669A CH504101A (de) 1968-09-30 1969-09-26 Verfahren zum Herstellen eines mit einer Metallkontaktschicht versehenen Halbleiterbauelementes, das in ein Gehäuse einzubauen ist

Country Status (9)

Country Link
US (1) US3650826A (de)
JP (1) JPS4831506B1 (de)
AT (1) AT303119B (de)
CH (1) CH504101A (de)
DE (1) DE1789062C3 (de)
FR (1) FR2032259A1 (de)
GB (1) GB1229381A (de)
NL (1) NL6913039A (de)
SE (1) SE340849B (de)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3872419A (en) * 1972-06-15 1975-03-18 Alexander J Groves Electrical elements operable as thermisters, varisters, smoke and moisture detectors, and methods for making the same
US3922385A (en) * 1973-07-02 1975-11-25 Gen Motors Corp Solderable multilayer contact for silicon semiconductor
US4293587A (en) * 1978-11-09 1981-10-06 Zilog, Inc. Low resistance backside preparation for semiconductor integrated circuit chips
WO1982002457A1 (en) * 1980-12-30 1982-07-22 Finn John B Die attachment exhibiting enhanced quality and reliability
US4965173A (en) * 1982-12-08 1990-10-23 International Rectifier Corporation Metallizing process and structure for semiconductor devices
SE8306663L (sv) * 1982-12-08 1984-06-09 Int Rectifier Corp Forfarande for framstellning av halvledaranordning
DE3426199C2 (de) * 1984-07-17 1994-02-03 Asea Brown Boveri Überbrückungselement
DE3426200C2 (de) * 1984-07-17 1994-02-10 Asea Brown Boveri Überbrückungselement
NL8600021A (nl) * 1986-01-08 1987-08-03 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij op een halfgeleiderlichaam een metallisatie met een dikke aansluitelektrode wordt aangebracht.
US4921158A (en) 1989-02-24 1990-05-01 General Instrument Corporation Brazing material
US5008735A (en) * 1989-12-07 1991-04-16 General Instrument Corporation Packaged diode for high temperature operation

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL292995A (de) * 1962-05-25 1900-01-01
GB1053069A (de) * 1963-06-28
US3465209A (en) * 1966-07-07 1969-09-02 Rca Corp Semiconductor devices and methods of manufacture thereof
US3523223A (en) * 1967-11-01 1970-08-04 Texas Instruments Inc Metal-semiconductor diodes having high breakdown voltage and low leakage and method of manufacturing

Also Published As

Publication number Publication date
DE1789062B2 (de) 1978-03-30
DE1789062A1 (de) 1972-01-05
AT303119B (de) 1972-11-10
SE340849B (de) 1971-12-06
DE1789062C3 (de) 1978-11-30
JPS4831506B1 (de) 1973-09-29
NL6913039A (de) 1970-04-01
FR2032259A1 (de) 1970-11-27
US3650826A (en) 1972-03-21
GB1229381A (de) 1971-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH495842A (de) Verfahren zum Herstellen eines Schichtbauteils
AT334497B (de) Verfahren zum herstellen einer maschenware mit vorstehenden haken
CH517381A (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleitergleichrichters und nach diesem Verfahren hergestellter Halbleitergleichrichter
CH457627A (de) Halbleiterbauelement mit einem Metallkontakt und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
AT302765B (de) Verfahren zum Herstellen eines Verbundmaterials mit einer Metallschicht
CH540099A (de) Verfahren zum Beschichten einer Fläche
CH557577A (de) Verfahren zum herstellen eines verbunddrahtes mit einem aluminiumkern und einer niobhuelle.
BR7208265D0 (pt) Processo para reduzir um minerio em forma de particulas de metal e aparelho para uso no processo
CH525497A (de) Verfahren zum Herstellen eines Hologrammes
CH498490A (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
AT317136B (de) Verfahren zum Herstellen eines textilähnlichen Schichtstoffes
CH511659A (de) Verfahren zur Herstellung einer Axiallagerscheibe mit flachen Spiralnuten in der Lagerfläche
DE1950158B2 (de) Verfahren zum kontinuierlichen ueberziehen eines drahtes mit einer metallschicht
CH522953A (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einem Metall-Halbleiterkontakt und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
CH514704A (de) Verfahren und Einrichtung zum Bilden einer Hilfskante beim Weben
AT321991B (de) Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelementes mit einer schottky-sperrschicht
AT306840B (de) Verfahren zum Herstellen eines Zweischichten-Sinterkontaktstückes
AR196092A1 (es) Un metodo para obtener superficies metalicas pretratadas
CH493288A (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Verformungen in der äusseren Oberfläche eines Rohrs
AT310465B (de) Verfahren zum Herstellen eines selbsteinstellenden Tragelements mit einem Magnetkopf
AT338335B (de) Verfahren zum herstellen einer zone eines ersten leitfahigkeitstyps in einem halbleiterkristall vom zweiten, zum ersten entgegengesetzten leitfahigkeitstyp
CH536197A (de) Verfahren zum Abdichten einer Oberfläche
CH544160A (de) Verfahren zum Herstellen eines Musters in einem metallischen Film
AT305317B (de) Verfahren zum Herstellen einer Metallschablone
AT366994B (de) Verfahren zum erwaermen einer in einem abschreck- mittel abzuschreckenden glastafel

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased