CH504105A - Verfahren zum Herstellen einer Widerstandszone in einer monolithischen Festkörperschaltung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer Widerstandszone in einer monolithischen Festkörperschaltung

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CH504105A
CH504105A CH1799069A CH1799069A CH504105A CH 504105 A CH504105 A CH 504105A CH 1799069 A CH1799069 A CH 1799069A CH 1799069 A CH1799069 A CH 1799069A CH 504105 A CH504105 A CH 504105A
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CH
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resistance zone
monolithic solid
monolithic
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CH1799069A
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Schilling Harald
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Itt
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/40Resistors
    • H10D1/43Resistors having PN junctions
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/40Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes
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DE19681812790 DE1812790A1 (de) 1968-12-05 1968-12-05 Verfahren zum Herstellen eines niederohmigen Widerstandes oder einer elektrischen Verbindung in einer monolithischen Festkoerperschaltung

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DE1812790A1 (de) 1970-06-11
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FR2025396A1 (de) 1970-09-11

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