CH506856A - Optoelektronische Vorrichtung mit mindestens einem Feldeffekttransistor - Google Patents

Optoelektronische Vorrichtung mit mindestens einem Feldeffekttransistor

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CH506856A
CH506856A CH571270A CH571270A CH506856A CH 506856 A CH506856 A CH 506856A CH 571270 A CH571270 A CH 571270A CH 571270 A CH571270 A CH 571270A CH 506856 A CH506856 A CH 506856A
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optoelectronic
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CH571270A
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Hugo Dr Ruechardt
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Siemens Ag
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    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/69—IGFETs having charge trapping gate insulators, e.g. MNOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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