CH509824A - Verfahren zum Herstellen eines aus mindestens zwei halbleitenden chemischen Elementen zusammengesetzten, mindestens teilweise legierten Halbleitermaterials - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines aus mindestens zwei halbleitenden chemischen Elementen zusammengesetzten, mindestens teilweise legierten Halbleitermaterials

Info

Publication number
CH509824A
CH509824A CH473362A CH473362A CH509824A CH 509824 A CH509824 A CH 509824A CH 473362 A CH473362 A CH 473362A CH 473362 A CH473362 A CH 473362A CH 509824 A CH509824 A CH 509824A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
elements
carrier
semiconductor
carrier body
semiconducting
Prior art date
Application number
CH473362A
Other languages
English (en)
Inventor
Friedrich Dr Bischoff
Heinrich Dr Kniepkamp
Rosenberger Georg
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH509824A publication Critical patent/CH509824A/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08—Compounds containing halogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B41/00—Obtaining germanium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B30/00—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions
    • C30B30/02—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions using electric fields, e.g. electrolysis
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
    • C30B9/14—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by electrolysis
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/1906—Control of temperature characterised by the use of electric means using an analogue comparing device
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/27—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing element responsive to radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P10/00—Bonding of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P10/12—Bonding of semiconductor wafers or semiconductor substrates to semiconductor wafers or semiconductor substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
    • H10P14/2901—Materials
    • H10P14/2902—Materials being Group IVA materials
    • H10P14/2905—Silicon, silicon germanium or germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
    • H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/917—Magnetic
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • General Induction Heating (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description


  Verfahren zum Herstellen eines aus mindestens zwei halbleitenden chemischen Elementen  zusammengesetzten, mindestens teilweise legierten Halbleitermaterials    Es     ist        bereits    ein     Verfahren    zur     Herstellung        eines          Halbleitereigenschaften    aufweisenden.     chemischen        Ele.          mentes,    z.

   B. von     Germanium    oder     Silizium,        in        kom-          pakt        .kristallinem        Zustand    vorgeschlagen worden, -bei       ,dem.    mindestens     ein        in        einem    Reaktionsgefäss     gehal-          terter    -aus dem     ,

  gleichen    Element bestehender     Trä-          gerkörper        durch        einen        in        ihm    erzeugten     elektrischen          Strom    auf hohe     Temperatur        erhitzt        und        mit        einem          gereinigten,        eine        gasförnüge        Verbindung    des,

       herzustel-          lenden        halbleitenden        Elementes    enthaltenden     Reak-          tionsgas        in    Berührung     ,gebracht        wird,    so dass infolge       thermischer        Zersetzung    aus Ader gasförmigen Verbin  dung     das        @betreffende        Halbleiterelleunent        sich        im        freien          Zustand    an der Oberfläche ;

  des     Trägerkörpers        nie-          derschlägt    und dort     ankrisfia@llisie:rt.    Die     gasförmige.    Ver  bindung ödes     häbleitenden        Elenientes    besteht     dabei     aus einer     Verbindung    des Elementes,     rüder    dieses  ,an     einte    oder     mehrere        leichter        flüchtige,

      bei der     Her-          stellung    des Halbleiters nicht     verunreinigend        winkende          Komponenten    gebunden ist. Diese     Komponenten    sind       entweder    Halogene     oder    Wasserstoff.

   Für die Darstel  lung von Silizium kommen vor allem     die    Verbindun  gen     SiGI4    oder     SHGss        in    Betracht, die bei einer we  nig     über        Zimmerbetniperatur    ,erhöhten Temperatur       lebhaft        verdampfen        und    die sich z.

   B.     durch        Destil-          lation    in     reinem        Zustand        darstellen.        lassen.        Im        Reak-          tions!gas        sind        diese        Verbindungen    .gewöhnlich durch       hochreinen        Wasserstoff    verdünnt,     wodurch        einerseits     die     Abscheldung        erleichtert,

          .anderseits        :die        Kristalli-          sationsgüte        des        niedergeschlagenen    halbleitenden     Ele-          mentes    erheblich     verbessert        wird.    Die Temperatur des       Trägers    wird     etwas        unterhalb    des     Schmelzpunktes,    des  'betreffenden     Materials        eingestellt,

      so dass das     hal'bleil-          tende    Element unmittelbar aus der     Gasphase    an der  festen Oberfläche des Trägers     ankristalllislert.     



  In     der        Halbleitertechnik    werden vielfach auch     Le-          gierungen    aus     halbleitenden    Elementen benötigt. Diese  ermöglichen     nämlich,        :

  elektrische.        Eigenschaften    zu         realisieren,    welche     zwischen    dem     Eigenschaften    der zu  ihrer     Herstellung        verwendeten        Halibleitereleimenten        lie-          gen.    Hierzu     ist        allerdings        erforderlich,        dass    die     be:

  tref-          fenden        halbleitenden    Elemente     keine        Verbindungen     miteinander     eingehen,    :da     solche        Verbindungen        zu        Stof-          fen    mit Eigenschaften     führen    würden, die von denen       ,der        Komponenten    wesentlich verschieden sein können.

         Vielmehr        handelt    es     sich        beim        Gegenstand    der Er  findung -auch um.     @die    Herstellung von     halbleitenden          Lagiemngen,        deren    Eigenschaften     in    kontinuierlicher       Weise        eingestellt    werden     können.    Ein     Beispiel    hier  für ,ist eine,     Germian@ium@Sil,izium-Legierun@g,

      die sich     in          allen        möglichen        Zusammensetzungen        herstellen        iä.sst          und    !die durch Variation :der     Zus-ammensetzung        einen          kontinuierlichen        Übergang    von den Eigenschaften des       reinen    Siliziums zu     denen    des     reinen        Gemmianiuims        er-          möglicht.     



  Die     Erfindung    bezieht sich auf     ein        Verfahren        zum     Herstellen     eines        aus        @minde:

  stens,    zwei     halbgleitenden    ehe  mischen Elementen     zusammengesetzten        teilweise        le-          gierten        Halbleitermaterials    mit     einem,        mindestens        für     die     Herstellung    vom     Halbleitervorrichtungen    erforderli  chen Reinheitsgrad.

       Dieses        Verfahren    isst dadurch     ge-          kennzeichnet,    dass die     halbleitenden        chemischen    Ele  mente durch     thermische        Zersetzung    mindestens einer       gasförmigen    Verbindung     der    genannten     Elemente,    im       welchen        Verbindungen        diese        Elemente    an     leichter          flüchtige,

      nicht     verunreinigend        wirkende        Komponenten          gebunden        sind,        Ruf        einem,aus        mindestens        einem.    Element  des darzustellenden Halbleitermaterials bestehenden     Trä-          gerkörper,äbgesehieden    werden,

       indem        die        gasförmigen          Verbindungen    mit     dem     durch    .in     ihm,        erzeugten    elek  trischen     Strom    auf die zur Bildung     dem        chemischen     Elemente aus den Gasen     erforderliche        hohe    Temper  ratur     erhitzten        Trägerkörper    in Berührung gebracht       werden,

      wobei die     Abscheldung        der    chemischen Ele  mente     so        gesteuert    wird, dass ein mindestens teilweise       legiertes    Halbleitermaterial entsteht.      Als Träger     dient    bevorzugt ein     lansggestreckter,     z.

   B.     draht-    oder     fadenförmiger    Körper,     der        entwe-          der    aus dem zu     =gewinnenden        Halbleiterstoff        oder    aus       mindestens    einer seiner Komponenten besteht     und    der  vorzugsweise vertikal     kn.        Reaktionsgefäss        ausgespannt     ist.

   Er kann durch direkten     Stromdurchgang        oder     durch     Hochfrequenz    erhitzt werden,     wobei    es zu     Be-          ginn    des     Heizvorganges    zweckmässig     sein,        kann,    den  Träger     vorzuwärmen.    Dieser Träger, der dann in er  hitztem Zustand mit dem     Reaktionsgas        dm        Berührung     steht, wird     durch    die     Abscheidung    :

  der zum     Aufbau     des     Halbleiters    benötigten chemischen Elemente     zu          einem    Stab verdickt.  



  Dabei können entweder die verschiedenen     cherns-          schen    Verbindungen, welche die     einzelnen        chemischen     Elemente des, zu     gewinnenden        Halbleiters        enthalten,     zu gleicher Zeit im Reaktionsgefäss, anwesend     sein     und einer gemeinsamen     thermischen        Zersetzung    unter  worfen werden.

   Dieses Verfahren kann     zu    einkristalli  nen     Stäben        führen,        wenn    als Trägerkörper ein geeig  neter orientierter     Einkristall    aus. Odem     betreffenden          Mischhalbleiter    verwendet wird.

   Im     Alternative    zu die  sem     Verfahren    können :aber -auch die     einzelnen    die  zum Aufbau des     Halbleiters    dienenden chemischen       EIPmenten    enthaltenden gasförmigen Verbindungen  nacheinander in     das        Reaktionsgefäss        einsgeleitet        werden,     wobei unter Umständen :bei jedem Wechsel     :

  das.        Reak-          tionsgefäss    vorher mit einem     inerten    Gas     ausgespült     wird.     Hierdurch    werden die     einzel@nene        Komponenten     .des     Halbleiters    schichtweise auf :dem Trägerkörper  z. B. im     periodischen    Wechsel     niedergeschlagen.    An  schliessend können die Schichten     @durch        Zonenschmel-          zen    mit dem Träger zu     einer    einheitlichen     Legierung     umgeschmolzen werden.

   Die     Albscheidung        kann        in        allen     Fällen erleichtert werden,     wenn    den.     Raktionssgasen     gereinigter Wasserstoff zugemischt     wird.     



  Eine     Homogenisierung    des     Absdheldekörpers        kann          erfolgen,        indem    der     Abscheidungskörper,        @gegebenen-          falls    in     dem    zu seiner     Herstellung    dienenden     Beh        and-          lun;

  gsgefäss,        dehn    an sich bekannten     Schmelzzonenver-          fahren    unterworfen wird, wobei     gegebenenfalllls        anstelle     der Schmelzzone.

       eine        Glühzone        treten        kann.    Das     Zo-          nenschmelzen    kann in     an    sich bekannter Weise gleich  zeitig zur     Herstellung    einer     Dotierung    des     Halbleiter-          materials    ausgenützt     werden,    indem in der     geschmol-          zenen    Zone     Dotierungsstoffe,    z.

   B. aus der verwen  deten,     Behandlungsatmosphäre    oder -     insbesondere,     wenn die Homogenisierung unter Vakuum     bzw.    Hoch  vakuum vorgenommen     wird    - durch     Bestrahlung    mit  dotierenden Korpuskeln :oder durch Einführung fester       zur        Lösung        gebracht        werden.        Die          kann        d:

  abe.i     einheitlich über den gesamten hergestellten     Abschei-          dungskörper    oder     zonenweise,        insbesondere        zwecks          Erzeugung    von     Übergängen    zwischen Zonen     unter-          schiedlicher        Dotierung,    vorgenommen werden.  



  Die verwendete Apparatur     besteht    vorzugsweise. aus  einem     Reaktionsgefäss,        welches    mit     mindestens        einer     Zu- und     Abfi@ussstelle    für das Reaktionsgas     während,     des Betriebs ausgerüstet ist. In dem Reaktionsgefäss,       welches    z.

   B. -aus Quarz     ibestehen    kann,     sind    ausser  dem noch     Halterun,gsorgane    für den     Träger        saus        eineng     möglichst temperaturbeständigen     Stoff        vorgesehen.    In  den     Halterungsorganen        sind    die Enden     des,    Trägers       geklammert,

          während    die übrige     Trälgeroberfläohe        un-          bedeckt    bleibt     und    daher mit dem Reaktionsgas     un-          gehindert    in -Berührung kommen kann.

   Die     Hal:terungs-          organe    sind     vorteilhaft        gleichzeitig    -als Elektroden aus-         gebildet        und        können    mit     einer        ausserhalb    des.

       Abschei-          dungsgefässes        angeordneten        Betriebssp        nnungsquelle,     welche den     zur        Erhitzung        des    Trägers erforderlichen       Strom        iliefert,    in leitende     Verbindung    gebracht werden.  



       Handelt    es     sich    z. B. um die     Herstellung        einer     aus     Silizium        und        Germaniumbesteh    enden     halbleitenden          Lesgierunig,    so     wird        in    ,dem Reaktionsgefäss     ein    aus       Germanium    und     Silizium    bestehender     hochreiner        Trä-          gerkörper        aufgespannt    und ,

  in     erhitztem    Zustand mit  einem gereinigten, bei der     eingestellten        Trägertempera-          tur    ;gerade die     gewünschte    Zusammensetzung des ab  geschiedenen     Materials        liefernden,    mit einem das     Re-          aktionsgefäss        durchströmenden    Gemisch aus     Silizium-          chloroform,        Germaniumtetrachlorid    und reinem     Was-          serstoff    in Berührung gehalten,

   so     dass    sich     auf    dem  auf     konstanter        Glühtemperatur        gehaltenen    Träger die  gewünschte     Silizium-Germanium-Legierung        nieder-          schlägt.    Durch     entsprechende        Einstellung    des gegen  seitigen     Dampfdmuckverhäfltnisses    der die halbleitenden       Elemente        liefernden        gasförmigen    Verbindungen     im    Re  aktionsgas lässt sich das     gewünschte  

      A@bseheidungsver-          hältnis    in     @diesem   RTI ID="0002.0238" WI="6" HE="4" LX="1412" LY="968">  Fall    besonders leicht erreichen. Ins  besondere     ist    auch eine     kontinuierlich    gesteuerte     Än-          derung    der     Abscheidung        möglich,    was z.

   B. zur Her  stellung von halbleitenden Legierungen     mit    veränder  licher     Bündibreite    von Bedeutung ist.     Anwesenheit     von     Dotierun,gsstoffen,        die,    um. den Forderungen der       Halible:itertechnik    zu genügen, nur in     extrem        geringer          Konzentration    angewendet werden     können,        beeinfilusst     aus diesem     Grunde        :

  die        Abscheidungsvorgänge,        nicht.     Es kann     deshalb,        fas    die     Herstellung    einer     :dotiertem          halbleitenden    Legierung mit     einem    zur     Herstellung    von  Halbleitervorrichtungen     benötigten        @Reimheitsgrad        @er-          wünscht    :ist, um :

  dem zur Albscheidung der Komponen  ten     verwendetem    Reaktionsgas     der        jeweils        gewünschte          Dotierunigsstoff    in     :der    erforderlichen geringen     Konzen-          tration        lbeigesinischt:sein.     



  Durch     Zonenschmelzen    können in     einer    aus zwei       halbleitenden    Elementen     gebildeten        Legierung    z. B.  in einer     Siliziu@mgermaniu:

  mleg-lerung    auch Zonen     un-          terschiedlicher        Bünd!breite        erzeugt    werden, indem der       Zonenschmelzprozess    so, gelenkt     wird,    dass Zonen     un-          terschiedlicher        Zusammensetzung    und damit unter  schiedlicher     Bandbreite    in     dem    :behandelten     Halbleiter#          stab    entstehen.

   Dies ist deswegen     möglich,    weil     für     beide     -Stoffe    auf     Grund        ihrer    unterschiedlichen     Ver          teilungskoeffizienten    :die     Tendenz    sich aus der     ge-          schmolzenen    Zone abzuscheiden unterschiedlich     ist        und     deshalb die     Zusammensetzung    des aus der     geschrn:

  ol-          zenen    Zone auskristallisierenden     Materials    durch die  Zusammensetzung des     Materials    der     geschmolzenem     Zone     @ges:teuert        wird.     



  Gemäss einer weiteren     Ausbildung    des Erfindungs  gedankens. kann     oder        s:taibförmige    Trägerkörper     wäh-          rend    des     .Abscheldungsvorganges    derart     auseinanderge-          zogen    werden,     dass    er mindestens von einer bestimm  ten     D        icke        an    seine Dicke beibehält.

   Es     ist        ausserdem      besonders bei senkrechter Anordnung     -des        Trägerkör-          pers    - zweckmässig, ihn während     ;

  des,        Atbscheidever-          fahrens        und/oder    den gewonnene Körper während der       Nachbehandlung    zu     drehen,    um in den     einzelnen        Stab-          querschnitten    möglichst homogene     Verhältnisse        zu        er-          hafften.     



       Werden    für     das        Abscheldun!gsverfah@re.n    Halogenver  bindungen der Aden Halbleiter     ibildenden        chemischen     Elemente     verwendet,    so     empfiehlt        ges    sich, die     noch     flüssigen     Ausgangssubstanzen    einer partiellen Hydrolyse           zu        unterwerfen.        Dies        wird        durchgeführt,

          indem    der zu       reinigenden        Substanz        etwas        Wasserzugegeben        wird,     wodurch     ein.        geringer    Teil des     Halogenids        hydmolysiert          wird.    Die :

  dabei     gobildeten    Hydrate     können    gegebenen  falls     Verunreinigungen    in     hohem    Masse-     absorbieren        und          wanden    von der     Halogenverbindung        in        üblicher        Weise          getrennt.     



       Die    nach :dem     Verfahren:    nach der     Erfindung    her  gestellten     Legierungen        eignen        sich        besonders        zur        Her-          Stellung        von        Halbleiteranordnungen,    wie z. B.

   Richt  leitern,     Transistoren,        Fieldistoren,    mit oder     ohne        Vor-          spannung    betriebenen Photozellen.     Heissleitern,        Vari-          storen,        durch        elektrische        und/oider    magnetische     Mittel          beeinflussbaren    Körpern., vorzugsweise     Widerständen,     der     dergleichen.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH Verfahren zum Herstellen eines :aus mindestens zwei hallbjeliroenden chemischen Elementen zusammengesetz- ten,
    mindestens teilweise legierten Halbleitermaterials nu t einem mindestens für die Herstellung von Halb- leItervorrichtungen erforderlichen Reinheitsgrad, da durch gekennzeichnet, dass die ,
    halbleitenden chemi- schen Elemente durch thermische Zersetzung min- destens einer gas:
    förnnigen Verbindung der genannten Elemente, in welchen Voibindungen diese Elemente an leichter flüchtige, nicht verunreinigend. wirkende Komponenten gebunden sind, nuf einem aus mindestens.
    einem Element des darzustellenden Halbleitermnaterials bestehenden Trägerkörper abgeschieden werden, in dem (die gasförmig= Verbindungen ,mit dem durch in 'hm erzeugten elektrischen Strom auf die zur Bil dung der chemischen :
    Elemente aus den Gasen er forderliche hohe Temperatur erhitzten Trägerkörper in Berührung gebracht werden, wobei die Abschei- dungder chemischen Elemente so gesteuert wird, dass ein mindestens teilweisse legiertes H älbleiterm@aterlal ent steht.
    UNTERANSPRÜCHE 1. Verfahren nach Patentanspruch, dadurch gekenn zeichnet, dass ein :laniggestreckter, draht- oder faden- förmiger Trägerkörper verwendet wird. 2.
    Verfahren nach Patentanspruch, dadurch gekenn- zeichnet, dass die :das Halbleitermaterial bildenden che- mischen Elemente durch entsprechenden Wechsel der mit dem Trägerkörper im: Berührung :
    gebrachten Gase in Form. einzelner Schichten auf dem erhitzten Trä- gerkärper niedergeschlagen werden und idabei die Stär- ken der einzelnen Schichten so bemessen werden,
    dass nach Homogenisierung der abgeschiedenen Schichten einschliesslich des Trägerkörpers durch Zonenschmel zen der gesamte Träger :
    meine darzustellende halb- leitende I.egie rang übergeführt wird. 3. Verfahren nach Patentanspruch, dadurch ,gekenn- zeichnet, dass der Trägerkörper paus der darzustellen den halbleitenden Legierung besteht. 4. Verfahren nach Patentanspruch :
    und Unterau- sspruch 3, dadurch gekennzeichnet, :dass, die während des gesamten Abscheidevorgangs verwendeten :
    Gase die zur Darstellung einer halbleitenden Legierung benötig ten .Elemente 'um gebundenem Zustand in solchen An- teilen enthalten, idass sich diese Elemente bei der ein gestellten Trägertemperatur nebeneinander :in dem zum Bildung der halbleitenden Legierung erforderlichen Ausmass :
    auf :der Trägeroberfläche kristallin 5. Verfahren zur Herstellung einer ;aus Germanium und Silizium bestehenden Halbleiterlegierung nach Pa- tentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass :die zur Bil dung benötigten Komponenten aus :
    einem Gemisch von Siliz iumchloroform und Germaniumtetrachlorid auf ei nem aus :
    Silizium und Germ@anwm bestehenden Träg,er- körpeT niedergeschlagen werden. 6.
    Verfahren nach Unteranspruch 5, dadurch ge- kennzeichmet, @dass in dem durch Abscheidung erhaltenen Mischkörper durch Zonenschmrelzen Zonen unter schied ächer Bandbreite erzeugt RTI ID="0003.0252" WI="12" HE="4" LX="1609" LY="1364"> werden. 7.
    Verfahren nach Patentanspruch, dadurch gekenn- zeichnet, dass in dem sich bildemeden Halbheiter Do- tierungs:stoffe eingebaut werden.
    B. Verfahren nach Patentanspruch, dadurch gekenn zeichnet, dass mindestens eine der zur Darstellung des Halbleitermaterials zu verwendenden Verbindungen vorher durch partielle Hydrolye gereinigt wird. <I>Anmerkung des</I> Eidg. <I>Amtes für geistiges Eigentum:
    </I> Sollten Teile der Beschreibung mit der im Patentanspruch gegebenen Definition der Erfindung nicht in Einklang stehen, so sei daran erinnert, dass gemäss Art. 51 des Patentgesetzes der Patentanspruch für den sachlichen Geltungs bereich des Patentes massgebend ist.
CH473362A 1954-05-18 1955-05-17 Verfahren zum Herstellen eines aus mindestens zwei halbleitenden chemischen Elementen zusammengesetzten, mindestens teilweise legierten Halbleitermaterials CH509824A (de)

Applications Claiming Priority (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES67478A DE1134459B (de) 1954-05-18 1954-05-18 Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkoerper aus Silizium
DES39209A DE1102117B (de) 1954-05-18 1954-05-18 Verfahren zum Herstellen von reinstem Silicium
DES42803A DE1223815B (de) 1954-05-18 1955-02-24 Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium
DES0042824 1955-02-25
DES49371A DE1193022B (de) 1954-05-18 1956-07-06 Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium
DES50407A DE1185449B (de) 1954-05-18 1956-09-18 Einrichtung zum Herstellen von reinsten Halbleiterstoffen
DES55831A DE1211610B (de) 1954-05-18 1957-11-11 Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium
DES56317A DE1208298B (de) 1954-05-18 1957-12-19 Verfahren zum Herstellen von Silicium fuer Halbleiteranordnungen
DE1958S0058219 DE1217348C2 (de) 1954-05-18 1958-05-14 Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium
DES61117A DE1209113B (de) 1954-05-18 1958-12-23 Verfahren zum Herstellen von hochreinem Silicium
DES66308A DE1212949B (de) 1954-05-18 1959-12-17 Verfahren zum Herstellen von hochreinem Silicium
DES69895A DE1235266B (de) 1954-05-18 1961-05-18 Verfahren zum Herstellen reinster kristalliner Stoffe, insbesondere fuer Halbleiterzwecke

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH509824A true CH509824A (de) 1971-07-15

Family

ID=27582950

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH473362A CH509824A (de) 1954-05-18 1955-05-17 Verfahren zum Herstellen eines aus mindestens zwei halbleitenden chemischen Elementen zusammengesetzten, mindestens teilweise legierten Halbleitermaterials
CH358411D CH358411A (de) 1954-05-18 1955-05-17 Verfahren zum Herstellen eines Halbleitereigenschaften aufweisenden chemischen Elementes in kompakt-kristallinem Zustand
CH4780657A CH378863A (de) 1954-05-18 1957-06-28 Verfahren zur Herstellung eines Halbleitereigenschaften aufweisenden chemischen Elementes
CH6585358A CH416582A (de) 1954-05-18 1958-11-05 Verfahren zum Herstellen von kristallischem Silizium für Halbleiteranordnungen
CH8185859A CH424732A (de) 1954-05-18 1959-12-15 Verfahren zum Herstellen eines hochreinen Halbleiterstabes
CH1344660A CH440228A (de) 1954-05-18 1960-11-29 Verfahren zum Herstellen eines hochreinen Siliziumstabes

Family Applications After (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH358411D CH358411A (de) 1954-05-18 1955-05-17 Verfahren zum Herstellen eines Halbleitereigenschaften aufweisenden chemischen Elementes in kompakt-kristallinem Zustand
CH4780657A CH378863A (de) 1954-05-18 1957-06-28 Verfahren zur Herstellung eines Halbleitereigenschaften aufweisenden chemischen Elementes
CH6585358A CH416582A (de) 1954-05-18 1958-11-05 Verfahren zum Herstellen von kristallischem Silizium für Halbleiteranordnungen
CH8185859A CH424732A (de) 1954-05-18 1959-12-15 Verfahren zum Herstellen eines hochreinen Halbleiterstabes
CH1344660A CH440228A (de) 1954-05-18 1960-11-29 Verfahren zum Herstellen eines hochreinen Siliziumstabes

Country Status (6)

Country Link
US (5) US2854318A (de)
CH (6) CH509824A (de)
DE (11) DE1134459B (de)
FR (2) FR1125207A (de)
GB (6) GB809250A (de)
NL (7) NL258754A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4857270A (en) * 1987-05-19 1989-08-15 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Process for manufacturing silicon-germanium alloys
JP2010138065A (ja) * 2008-12-11 2010-06-24 Wacker Chemie Ag ゲルマニウムで合金化された多結晶シリコン及びその製造方法

Families Citing this family (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL113118C (de) * 1954-05-18 1900-01-01
DE1017795B (de) * 1954-05-25 1957-10-17 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
US3330251A (en) * 1955-11-02 1967-07-11 Siemens Ag Apparatus for producing highest-purity silicon for electric semiconductor devices
DE1061593B (de) * 1956-06-25 1959-07-16 Siemens Ag Vorrichtung zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials fuer elektrotechnische Zwecke
US3021197A (en) * 1956-11-20 1962-02-13 Olin Mathieson Preparation of diborane
DE1207922B (de) * 1957-04-30 1965-12-30 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zum Herstellen von hochreinen Halbleitersubstanzen, insbesondere von Silizium
US3169892A (en) * 1959-04-08 1965-02-16 Jerome H Lemelson Method of making a multi-layer electrical circuit
US2993763A (en) * 1957-11-14 1961-07-25 Plessey Co Ltd Manufacturing process for the preparation of flakes of sintered silicon
DE1081869B (de) * 1957-12-03 1960-05-19 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Silicium-Einkristallen
DE1198321B (de) * 1958-01-06 1965-08-12 Int Standard Electric Corp Verfahren zur Herstellung von Halbleitermaterial grosser Reinheit
DE1098496B (de) * 1958-04-11 1961-02-02 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur gleichzeitigen Herstellung von kristallinem oder amorphem Silicium und Siliciumverbindungen mit Si-Si-Bindungen
NL236697A (de) * 1958-05-16
US3030189A (en) * 1958-05-19 1962-04-17 Siemens Ag Methods of producing substances of highest purity, particularly electric semiconductors
NL238464A (de) * 1958-05-29
US3020129A (en) * 1958-07-25 1962-02-06 Gen Electric Production of silicon of improved purity
DE1123653B (de) * 1958-07-25 1962-02-15 Gen Electric Verfahren zum Herstellen von Siliciumtetrajodid
US3017251A (en) * 1958-08-19 1962-01-16 Du Pont Process for the production of silicon
BE595351A (de) * 1958-09-20 1900-01-01
NL246189A (de) * 1958-12-09
DE1154796B (de) * 1958-12-16 1963-09-26 Western Electric Co Verfahren zum Reinigen von Silicium- oder Germaniumverbindungen
NL246431A (de) * 1958-12-16 1900-01-01
US3025192A (en) * 1959-01-02 1962-03-13 Norton Co Silicon carbide crystals and processes and furnaces for making them
NL246971A (de) * 1959-01-02 1900-01-01
NL251143A (de) * 1959-05-04
DE1140548B (de) * 1959-06-25 1962-12-06 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterkoerpern
NL256017A (de) * 1959-09-23 1900-01-01
NL256255A (de) * 1959-11-02
DE1128412B (de) * 1959-12-17 1962-04-26 Metallgesellschaft Ag Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium durch thermische Zersetzung von gasfoermigen Siliciumverbindungen
DE1147567B (de) * 1960-01-15 1963-04-25 Siemens Ag Verfahren zum Gewinnen von insbesondere einkristallinem, halbleitendem Silicium
NL262949A (de) * 1960-04-02 1900-01-01
US3098774A (en) * 1960-05-02 1963-07-23 Mark Albert Process for producing single crystal silicon surface layers
DE1123300B (de) * 1960-06-03 1962-02-08 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Silicium oder Germanium
DE1155098B (de) * 1960-06-10 1963-10-03 Siemens Ag Verfahren zur Gewinnung von reinstem Silicium
US3161474A (en) * 1960-06-21 1964-12-15 Siemens Ag Method for producing hyperpure semiconducting elements from their halogen compounds
DE1129145B (de) * 1960-07-07 1962-05-10 Knapsack Ag Verfahren zur Herstellung von hochreinem Silicium
US3134694A (en) * 1960-08-25 1964-05-26 Siemens Ag Apparatus for accurately controlling the production of semiconductor rods
DE1216842B (de) * 1960-09-30 1966-05-18 Karl Ernst Hoffmann Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium und Germanium
DE1138746B (de) * 1960-10-22 1962-10-31 Int Standard Electric Corp Verfahren zur Reinigung von Siliciumtetrachlorid
NL271345A (de) 1960-11-30
DE1419717A1 (de) * 1960-12-06 1968-10-17 Siemens Ag Monokristalliner Halbleiterkoerper und Verfahren zur Herstellung desselben
DE1198787B (de) * 1960-12-17 1965-08-19 Siemens Ag Verfahren zur Gewinnung von reinstem Silicium, Siliciumkarbid oder Germanium aus ihren gasfoermigen Verbindungen
NL277330A (de) * 1961-04-22
US3188244A (en) * 1961-04-24 1965-06-08 Tektronix Inc Method of forming pn junction in semiconductor material
DE1193486B (de) * 1961-06-19 1965-05-26 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von n-leitendem Silicium
NL281754A (de) * 1961-08-04
DE1215110B (de) * 1961-08-14 1966-04-28 Siemens Ag Vorrichtung zum Einspannen des Endes eines Stabes bei Apparaturen zum tiegellosen Zonenschmelzen
US3325392A (en) * 1961-11-29 1967-06-13 Siemens Ag Method of producing monocrystalline layers of silicon on monocrystalline substrates
NL288035A (de) * 1962-01-24
US3152932A (en) * 1962-01-29 1964-10-13 Hughes Aircraft Co Reduction in situ of a dipolar molecular gas adhering to a substrate
DE1255635B (de) * 1962-06-14 1967-12-07 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen kristalliner, insbesondere einkristalliner Schichten aus halbleitenden Stoffen
DE1188057B (de) * 1962-06-18 1965-03-04 Siemens Ag Verfahren zum Reinigen von Siliciumstaeben
DE1444526B2 (de) * 1962-08-24 1971-02-04 Siemens AG, 1000 Berlin u 8000 München Verfahren zum Abscheiden eines halb leitenden Elements
DE1184733B (de) * 1962-09-15 1965-01-07 Siemens Ag Anordnung zur Stromversorgung eines zu beheizenden Traegers einer Anlage zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials durch Abscheidung aus der Gasphase
DE1268599B (de) * 1963-03-27 1968-05-22 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einkristalliner Staebe durch Aufwachsen aus der Gasphase
US3310426A (en) * 1963-10-02 1967-03-21 Siemens Ag Method and apparatus for producing semiconductor material
DE1286512B (de) * 1963-10-08 1969-01-09 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von insbesondere stabfoermigen Halbleiterkristallen mit ueber den ganzen Kristall homogener oder annaehernd homogener Dotierung
US3381114A (en) * 1963-12-28 1968-04-30 Nippon Electric Co Device for manufacturing epitaxial crystals
DE1262243B (de) * 1964-03-18 1968-03-07 Ibm Deutschland Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen von Halbleitermaterial
US3459152A (en) * 1964-08-28 1969-08-05 Westinghouse Electric Corp Apparatus for epitaxially producing a layer on a substrate
NL6513397A (de) * 1964-11-02 1966-05-03 Siemens Ag
US3502516A (en) * 1964-11-06 1970-03-24 Siemens Ag Method for producing pure semiconductor material for electronic purposes
US3372671A (en) * 1965-05-26 1968-03-12 Westinghouse Electric Corp Apparatus for producing vapor growth of silicon crystals
US3523816A (en) * 1967-10-27 1970-08-11 Texas Instruments Inc Method for producing pure silicon
US3925146A (en) * 1970-12-09 1975-12-09 Minnesota Mining & Mfg Method for producing epitaxial thin-film fabry-perot cavity suitable for use as a laser crystal by vacuum evaporation and product thereof
BE806098A (fr) * 1973-03-28 1974-02-01 Siemens Ag Procede de fabrication de silicium ou autre matiere semi-conductrice tres pure
US4076859A (en) * 1973-08-29 1978-02-28 Schladitz-Whiskers Ag Process for metallizing strips, sheets or the like
US4047496A (en) * 1974-05-31 1977-09-13 Applied Materials, Inc. Epitaxial radiation heated reactor
US4108108A (en) * 1974-07-10 1978-08-22 Schladitz-Whiskers Ag. Apparatus for metallizing strips, sheets or the like
US4081313A (en) * 1975-01-24 1978-03-28 Applied Materials, Inc. Process for preparing semiconductor wafers with substantially no crystallographic slip
DE2528192C3 (de) * 1975-06-24 1979-02-01 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum Abscheiden von elementarem Silicium auf einen aus elementarem Silicium bestehenden stabförmigen Trägerkörper
DE2638270C2 (de) * 1976-08-25 1983-01-27 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur Herstellung großflächiger, freitragender Platten aus Silicium
DE2753567C3 (de) * 1977-12-01 1982-04-15 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur Herstellung von hochreinen Halbleitermaterialien und Reinstmetallen
US4233934A (en) * 1978-12-07 1980-11-18 General Electric Company Guard ring for TGZM processing
JPS5595319A (en) * 1979-01-12 1980-07-19 Wacker Chemitronic Pure semiconductor material* specially silicon precipitating device and method
DE2928456C2 (de) * 1979-07-13 1983-07-07 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur Herstellung von hochreinem Silicium
EP0053150A1 (de) * 1980-06-13 1982-06-09 Establishment For Science And Technology Verfahren zur herstellung einer dünnen schicht mit gerichteter struktur, vorrichtung zur durchführung dieses verfahrens und durch diese verfahren hergestellte produkte
US4444812A (en) * 1980-07-28 1984-04-24 Monsanto Company Combination gas curtains for continuous chemical vapor deposition production of silicon bodies
US4309241A (en) * 1980-07-28 1982-01-05 Monsanto Company Gas curtain continuous chemical vapor deposition production of semiconductor bodies
FR2532783A1 (fr) * 1982-09-07 1984-03-09 Vu Duy Phach Machine de traitement thermique pour semiconducteurs
US4698486A (en) * 1984-02-28 1987-10-06 Tamarack Scientific Co., Inc. Method of heating semiconductor wafers in order to achieve annealing, silicide formation, reflow of glass passivation layers, etc.
US4649261A (en) * 1984-02-28 1987-03-10 Tamarack Scientific Co., Inc. Apparatus for heating semiconductor wafers in order to achieve annealing, silicide formation, reflow of glass passivation layers, etc.
JPS61101410A (ja) * 1984-10-24 1986-05-20 Hiroshi Ishizuka 多結晶珪素の製造法及びそのための装置
DE19528784C1 (de) * 1995-08-04 1996-08-29 Inst Neuwertwirtschaft Gmbh Verfahren zur Reinigung von Inertgasen mittels Sorbenzien
DE19608885B4 (de) * 1996-03-07 2006-11-16 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zum Aufheizen von Trägerkörpern
US6365225B1 (en) 1999-02-19 2002-04-02 G.T. Equipment Technologies, Inc. Cold wall reactor and method for chemical vapor deposition of bulk polysilicon
WO2000049199A1 (en) 1999-02-19 2000-08-24 Gt Equipment Technologies Inc. Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon
US6594446B2 (en) 2000-12-04 2003-07-15 Vortek Industries Ltd. Heat-treating methods and systems
JP2005515425A (ja) 2001-12-26 2005-05-26 ボルテック インダストリーズ リミテッド 温度測定および熱処理方法およびシステム
KR20120045040A (ko) 2002-12-20 2012-05-08 맷슨 테크날러지 캐나다 인코퍼레이티드 피가공물 지지 방법
WO2005059991A1 (en) 2003-12-19 2005-06-30 Mattson Technology Canada Inc. Apparatuses and methods for suppressing thermally induced motion of a workpiece
CN101460398B (zh) * 2006-04-13 2012-08-29 卡伯特公司 通过闭合环路方法生产硅
JP5967859B2 (ja) 2006-11-15 2016-08-10 マトソン テクノロジー、インコーポレイテッド 熱処理中の被加工物を支持するシステムおよび方法
RU2499768C2 (ru) * 2008-03-10 2013-11-27 Аег Пауэр Солюшнс Б.В. Устройство и способ равномерного электропитания кремниевого стержня
CN101559948B (zh) * 2008-03-10 2014-02-26 安奕极电源系统有限责任公司 在沉积工艺期间在硅棒中产生均匀温度分布的装置和方法
CN102089873A (zh) 2008-05-16 2011-06-08 加拿大马特森技术有限公司 工件破损防止方法及设备
ES2331283B1 (es) * 2008-06-25 2010-10-05 Centro De Tecnologia Del Silicio Solar, S.L. (Centsil) Reactor de deposito de silicio de gran pureza para aplicaciones fotovoltaicas.
DE102009010086B4 (de) * 2009-01-29 2013-04-11 Centrotherm Sitec Gmbh Anordnung und Verfahren zur Messung der Temperatur und des Dickenwachstums von Siliziumstäben in einem Silizium-Abscheidereaktor
DE102009056437B4 (de) 2009-12-02 2013-06-27 Spawnt Private S.À.R.L. Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von kurzkettigen halogenierten Polysilanen
RU2428525C1 (ru) * 2010-03-03 2011-09-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет Способ формирования слоя поликристаллического кремния на стержневой основе
WO2011116273A2 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Gt Solar Incorporated System and method for polycrystalline silicon deposition
DE102010044755A1 (de) 2010-09-08 2012-03-08 Spawnt Private S.À.R.L. Verfahren zur Herstellung von Silicium hoher Reinheit
DE102010042869A1 (de) 2010-10-25 2012-04-26 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von polykristallinen Siliciumstäben

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1733752A (en) * 1929-10-29 Refractory metal and its manufacture
DE304857C (de) * 1913-10-16 1918-04-08
US1336017A (en) * 1919-01-16 1920-04-06 Electrometals Ltd Electric blast-furnace
GB183118A (en) * 1921-07-13 1922-12-21 Gen Electric Co Ltd Improvements in the manufacture of metal filaments for electric incandescent lamps
GB200879A (en) * 1922-03-24 1923-07-24 Philips Nv Improvements in or relating to the manufacture of bodies from metals having a high melting-point
US1617161A (en) * 1922-08-07 1927-02-08 Gen Electric Process of preparing metals
US1650072A (en) * 1925-11-21 1927-11-22 Bbc Brown Boveri & Cie Flame-arc furnace
DE542404C (de) * 1929-03-06 1932-01-23 Steatit Magnesia Akt Ges Verfahren zur Herstellung hochohmiger Widerstaende
DE527105C (de) * 1929-06-05 1931-06-15 Siemens & Halske Akt Ges Verfahren zur Herstellung von Metallueberzuegen auf Gluehfaeden und anderen Koerpern
DE587330C (de) * 1929-08-01 1933-11-02 Philips Nv Verfahren zur Herstellung von Roehren aus Wolfram
US2160177A (en) * 1934-04-13 1939-05-30 Celluloid Corp Apparatus for carrying out chemical reactions
FR865497A (fr) * 1939-05-09 1941-05-24 Philips Nv Appareil servant à déposer des métaux sur un corps incandescent
US2422734A (en) * 1939-05-23 1947-06-24 Jung Erwin Pierre Device for regulating the temperature of electric furnaces of the resistance type
DE765487C (de) * 1940-02-02 1953-11-02 Siemens & Halske A G Einrichtung zur Verdampfung von Stoffen
US2291007A (en) * 1941-02-07 1942-07-28 Lee R Titcomb Electric furnace
US2441603A (en) * 1943-07-28 1948-05-18 Bell Telephone Labor Inc Electrical translating materials and method of making them
BE594959A (de) * 1943-07-28
DE853926C (de) * 1949-04-02 1952-10-30 Licentia Gmbh Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern mit Silizium als halbleitender Substanz
DE883784C (de) * 1949-04-06 1953-06-03 Sueddeutsche App Fabrik G M B Verfahren zur Herstellung von Flaechengleichrichtern und Kristallverstaerkerschichten aus Elementen
US2671739A (en) * 1949-06-22 1954-03-09 Bell Telephone Labor Inc Plating with sulfides, selenides, and tellurides of chromium, molybdenum, and tungsten
US2514935A (en) * 1949-08-12 1950-07-11 Gen Electric Variable impedance apparatus
DE906807C (de) * 1949-10-01 1954-03-18 Guenther Dobke Dipl Ing Verfahren zur Herstellung von Kohlekoerpern und Kohleschichten
BE500569A (de) * 1950-01-13
US2686864A (en) * 1951-01-17 1954-08-17 Westinghouse Electric Corp Magnetic levitation and heating of conductive materials
DE863997C (de) * 1951-03-02 1953-01-22 Degussa Abscheidung von Elementen mit metallaehnlichem Charakter aus ihren Verbindungen
NL99536C (de) * 1951-03-07 1900-01-01
US2745067A (en) * 1951-06-28 1956-05-08 True Virgil Automatic impedance matching apparatus
DE885756C (de) * 1951-10-08 1953-06-25 Telefunken Gmbh Verfahren zur Herstellung von p- oder n-leitenden Schichten
US2686865A (en) * 1951-10-20 1954-08-17 Westinghouse Electric Corp Stabilizing molten material during magnetic levitation and heating thereof
US2763581A (en) * 1952-11-25 1956-09-18 Raytheon Mfg Co Process of making p-n junction crystals
US2754259A (en) * 1952-11-29 1956-07-10 Sprague Electric Co Process and apparatus for growing single crystals
NL89230C (de) * 1952-12-17 1900-01-01
BE527032A (de) * 1953-03-19
GB778383A (en) * 1953-10-02 1957-07-03 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to the production of material for semi-conductors
NL113118C (de) * 1954-05-18 1900-01-01
US2808316A (en) * 1954-07-22 1957-10-01 Du Pont Chemical process control apparatus
US2782246A (en) * 1955-03-30 1957-02-19 Texas Instruments Inc Temperature control
NL211056A (de) * 1955-11-02
FR1141561A (fr) * 1956-01-20 1957-09-04 Cedel Procédé et moyens pour la fabrication de matériaux semi-conducteurs
NL113918C (de) * 1957-09-07
US2912311A (en) * 1957-11-20 1959-11-10 Allied Chem Apparatus for production of high purity elemental silicon
US3020129A (en) * 1958-07-25 1962-02-06 Gen Electric Production of silicon of improved purity
DE1150366B (de) * 1958-12-09 1963-06-20 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4857270A (en) * 1987-05-19 1989-08-15 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Process for manufacturing silicon-germanium alloys
JP2010138065A (ja) * 2008-12-11 2010-06-24 Wacker Chemie Ag ゲルマニウムで合金化された多結晶シリコン及びその製造方法
EP2196435A3 (de) * 2008-12-11 2010-10-27 Wacker Chemie AG Polykristallines germaniumlegiertes Silicium und ein Verfahren zu seiner Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
GB849718A (en) 1960-09-28
CH378863A (de) 1964-06-30
DE1211610B (de) 1966-03-03
DE1185449B (de) 1965-01-14
NL122356C (de) 1900-01-01
DE1134459B (de) 1962-08-09
DE1217348C2 (de) 1966-12-22
US3063811A (en) 1962-11-13
GB809250A (en) 1959-02-18
NL233004A (de) 1900-01-01
GB898342A (en) 1962-06-06
US2981605A (en) 1961-04-25
DE1235266B (de) 1967-03-02
NL246576A (de) 1900-01-01
DE1102117B (de) 1961-03-16
CH358411A (de) 1961-11-30
CH416582A (de) 1966-07-15
GB938699A (en) 1963-10-02
FR1125207A (fr) 1956-10-26
DE1217348B (de) 1966-05-26
CH440228A (de) 1967-07-31
CH424732A (de) 1966-11-30
DE1193022B (de) 1965-05-20
DE1212949B (de) 1966-03-24
GB889192A (en) 1962-02-07
NL258754A (de) 1900-01-01
DE1209113B (de) 1966-01-20
DE1223815B (de) 1966-09-01
GB833290A (en) 1960-04-21
DE1208298B (de) 1966-01-05
US2854318A (en) 1958-09-30
NL218408A (de) 1900-01-01
NL130620C (de) 1900-01-01
US3232792A (en) 1966-02-01
US3146123A (en) 1964-08-25
NL113118C (de) 1900-01-01
FR1182346A (fr) 1959-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH509824A (de) Verfahren zum Herstellen eines aus mindestens zwei halbleitenden chemischen Elementen zusammengesetzten, mindestens teilweise legierten Halbleitermaterials
DE970420C (de) Elektrisches Halbleitergeraet
DE1017795B (de) Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
DE2638270A1 (de) Verfahren zur herstellung grossflaechiger, freitragender platten aus silicium
DE1138481C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen durch einkristalline Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Gasphase
DE3231671C2 (de)
DE1285465B (de) Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen von Schichten aus Silicium oder Germanium
DE2207056A1 (de) Verfahren zum selektiven epitaxialen Aufwachsen aus der flüssigen Phase
DE1913565C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Kristalls einer halbleitenden Am Bv -Verbindung
DE2533455A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von silizium
DE2447691C2 (de) Verfahren zum Herstellen von reinem Silicium
DE2455012C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Silicium
CH494590A (de) Verfahren zum Herstellen einer aus mindestens zwei chemischen Elementen bestehenden kompakt kristallinen halbleitenden Verbindung
DE1276331B (de) Verfahren zur Herstellung eines homogenen halbleitenden Einkristalls
DE1004382B (de) Verfahren zur Reinigung eines Elementes oder einer chemischen Verbindung
DE1519804B2 (de) Verfahren zum Aufwachsen einen Schicht aus Halbleitermaterial auf einen Keimkristall
DE1544315C3 (de) Verfahren zum Dotieren von Halbleiterkristallen mit Fremdatomen
AT242747B (de) Verfahren zur Herstellung von blattförmigen Einkristallen aus Halbleitermaterial
DE1639602A1 (de) Halbleiter
AT212879B (de) Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Körpern aus hochgereinigtem Halbleitermaterial
AT236917B (de) Verfahren zur Herstellung der neuen Verbindung Tl2Te3 sowie der neuen isomorphen Mischkristallverbindungen vom Typus Tl2-xAxTe3-yBy
DE1267198C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer halbleitenden Verbindung
DE1442795C3 (de) Verfahren zum Kristallisieren, Reinigen und/oder Dotieren eines Materials durch Wärmebehandlung im Dampf eines aktiven Elementes
DE2422250A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von semi-isolierendem cadmiumtellurid
DE1037015B (de) Stoerstellenhalbleiter vom N-Typ fuer Transistoren od. dgl.

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased