CH627558A5 - Verfahren zur herstellung einer eine fluessigkristallschicht homoeotrop orientierenden schicht. - Google Patents
Verfahren zur herstellung einer eine fluessigkristallschicht homoeotrop orientierenden schicht. Download PDFInfo
- Publication number
- CH627558A5 CH627558A5 CH401978A CH401978A CH627558A5 CH 627558 A5 CH627558 A5 CH 627558A5 CH 401978 A CH401978 A CH 401978A CH 401978 A CH401978 A CH 401978A CH 627558 A5 CH627558 A5 CH 627558A5
- Authority
- CH
- Switzerland
- Prior art keywords
- layer
- liquid crystal
- solution
- elements
- orienting
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims 4
- 150000002763 monocarboxylic acids Chemical class 0.000 claims 3
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims 2
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 claims 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 238000007725 thermal activation Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
- G02F1/133719—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films with coupling agent molecules, e.g. silane
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S359/00—Optical: systems and elements
- Y10S359/90—Methods
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer eine Flüssigkristallschicht homöotrop orientierenden Schicht (Orientierungsschicht) auf einem mit einem leitfähigen Belag 55 versehenen Substrat.
Die Moleküle einer Flüssigkristallschicht müssen für eine Vielzahl von Anwendungsfällen, beispielsweise bei Flüssigkristallanzeigen mit dynamischer Streuung oder auf der Basis bestimmter Feldeffekte («DAP-Effekt», «phase-change»-Effekt), so im Ruhezustand senkrecht zur Substratebene («homöotrop») ausgerichtet sein. Für eine homöotrope Orientierung sind bislang die verschiedensten Techniken entwickelt worden, die jedoch, wenn sie brauchbare und vor allem auch reproduzierbare Resultate liefern, relativ kompliziert sind und sich insbesondere 65 für eine Fertigung in grösserem Massstab nur bedingt eignen (eine Übersicht über die derzeit praktizierten Orientierungsmethoden ist in der Arbeit v. L.A. Goodman in «RCA Rev.» 35
(1974) 447 enthalten). Dass man trotz intensiver Bemühungen noch keine wirklich befriedigende Ausrichttechnik gefunden hat, mag damit zusammenhängen, dass die eigentlichen Orientierungsmechanismen noch nicht richtig verstanden werden und man nach wie vor mehr oder weniger plausible Vermutungen angewiesen ist.
Wird eine Flüssigkristallschicht elektrisch geschaltet, so muss man ausserdem darauf achten, dass die Schicht vor jeglicher Gleichspannung, die bekanntlich einen Flüssigkristall zersetzt, geschützt ist. Zu diesem Zweck überzieht man die Elektroden einer Flüssigkristallanzeige in der Regel mit einer Isolationsschicht, da bei praktisch allen Ansteuerungstechniken gewisse Gleichspannungskomponenten unvermeidlich sind. Ein solcher Überzug hat eine Reihe von Forderungen zu erfüllen: Er muss über einen sehr hohen elektrischen Widerstand verfügen und einen möglichst gut haftenden, porenfreien Film bilden ; er sollte dabei mechanisch, thermisch und chemisch stabil sein, möglichst viel Licht durchlassen und nicht zuletzt auch ohne grossen Fertigungsaufwand hergestellt werden können. Ideal wäre eine Schicht, die zugleich homöotrop orientiert und elektrisch isoliert.
Isolationsschichten aus Si02 haben sich bisher am besten bewährt. Si02 orientiert jedoch, wenn überhaupt, dann nur plattenparallel («homogen»). Benötigt man eine homöotrope Molekülausrichtung und wollte man auf das ansonsten so günstige Si02 nicht verzichten, so müsste man die Si02-0berfläche silanisieren und/oder die Flüssigkristallschicht mit Orientierungsmitteln versetzen. Ein solches Vorgehen ist recht umständlich und der Qualität des Flüssigkristalls sicherlich nicht zuträglich. Hinzu kommt eine weitere Schwierigkeit: Störende Reflexionen an der aus Si02 und Silanolgruppen bestehenden Doppelschicht lassen sich nur durch sorgfältige Dickenabstimmung vermeiden.
In der DT-AS 23 13 730 wird eine Si02- oderTi02-Schicht beschrieben, die zwischen der Elektrode und der Trägerplatte liegt und durch eine spezifische Oberflächenbehandlung (Wegätzen der darüberligenden Leitschicht) eine homöotrope Orientierung erhält. Abgesehen davon, dass ein Ätzprozess einen zusätzlichen Arbeitsschritt darstellt, lassen sich die damit hervorgerufenen Orientierungseffekte auch nicht ohne weiteres reproduzieren.
Zweck der vorliegenden Erfindung ist die Schaffung eines Verfahrens, mit dem sich auf besonders einfache Weise eine langzeitstabile homöotrop orientierende Schicht herstellen lässt, die zudem im Bedarfsfall hochisolierend wirkt und ansonsten vergleichbar gute Eigenschaften wie eine Si02-Schicht hat. Zur Lösung dieser Aufgabe ist bei einem Verfahren der eingangs genannten Art erfindungsgemäss vorgesehen, dass zur Erzeugung einer Orientierungsschicht, die im wesentlichen aus (Me203)1.x(Si0y)x mit Me = Al oder Cr und 0 x < 1 und 1.9
y 2 besteht, zunächst eine organische Lösung, die die Elemente Me und Si in einem bestimmten Verhältnis zueinander enthält, auf das Substrat gebracht wird und dass anschliessend diese Lösung durch thermische Zersetzung in die Orientierungsschicht überführt wird. Gute Resultate liefern Misch-Schichten, bei denen also gilt 0 < x < 1. Dabei empfiehlt es sich in vielen Fällen, den Mischbereich zu begrenzen, und zwar auf 0 < x sS 0.8, insbesondere 0 < x 0.5, oder auf 0.9 x < 1. Das Siliciumoxid wird im allgemeinen als Si02 vorliegen, es sind aber auch y-Werte etwas unter 2 und in einzelnen Fällen sogar auch etwas grösser als 2 denkbar. Neben den Oxiden Me203 und SiOy wird die Schicht häufig noch einen gewissen Anteil an Hydraten haben und zwar vor allem dann, wenn aus dem Siliciumoxid das ursprünglich enthaltene Wasser nicht vollständig abgespalten worden ist.
Die Lösung lässt sich besonders rationell durch Eintauchen des Substrats oder durch Aufsprühen aufbringen. Der Umstand, dass beim Tauchverfahren der Träger beidseitig beschichtet
3
627 558
wird, wirkt sich insofern günstig aus als das Substrat bei der zenden Glaslot, die leitfähige Beläge aus antimondotiertem anschliessenden Wärmebehandlung formstabil bleibt. Zinnoxid und die Isolationsschichten aus Siliciumdioxid mit ca.
In der bereits zitierten Auslegeschrift wird die dortige Zwi- 7 Gew.- % Aluminiumoxidzusatz. Die Schichten können allge-
schenschicht ebenfalls durch Eintauchen des Substrats in eine mein zwischen 300Â und 3000Â dick sein. Besonders günstig ist
Lösung, in der eine Metallverbindung in einem organischen Lö- 5 ein Dickenbereich zwischen 1500Â und 2000Â.
sungsmittel gelöst ist, und durch anschliessendes Tempern er- Die Isolationsschichten sind folgendermassen hergestellt zeugt. Dabei handelt es sich allerdings ausschliesslich um eine worden: Die bereits mit den fertigen Elektroden versehenen
Si- bzw. Ti-Verbindung ; ausserdem führt die Aufbringtechnik Trägerplatten wurden in eine Lösung mit einem Ester aus einer dort noch nicht zu dem gewünschten Orientierungseffekt. organischen Säure mit einem Alkohol als Lösungsmittel und
Die auf die vorgeschlagene Weise erzeugten Orientierungs- 10 einer darin gelösten Si/Al-organischen Verbindung eingetaucht schichten sind sehr stabil und orientieren, wie durch Langzeit- und mit einer konstanten Geschwindigkeit wieder herausgezo-tests bestätigt werden konnte, ohne zusätzliche Vorkehrungen gen (die Ziehgeschwindigkeit und die Konzentration im Ester dauerhaft homöotrop. Dies gilt überraschenderweise auch für bestimmen die Dicke der fertigen Schicht). Die so beschichteten Me203-Si0y-Schichten mit einem nur geringen Me203-Anteil, Trägerplatten wurden dann bei Temperaturen von 180 °C 10 beispielsweise wenigen Gew.-% A1203, bei denen man allenfalls 15 Minuten getrocknet und hiernach 30 Minuten lang einer Temerne schichtenparallele Molekülausrichtung erwartet hätte. Die- peratur von etwa 500 °C ausgesetzt. Während des Einbrennens se Festkörperschichten sind ausserdem parktisch frei von stö- wurden zugleich die beiden Trägerplatten durch Endverglasung renden pin-holes und schützen somit die Flüssigkristallschicht des Rahmens miteinander verfestigt.
besonders wirkungsvoll vor einer chemischen oder elektrolyti- Die erforderliche Pyrolyse lässt sich in einem relativ breiten sehen Zersetzung. Hinzu kommt ein weiterer, nicht zu unter- 20 Temperaturbereich (zwischen ca. 100 °C und 550 °C) herbeischätzender Vorteil: Die Schichten lassen sich auch auf grossflä- führen. Die günstigsten Brenntemperaturen liegen allerdings chige Unterlagen bequem und einwandfrei aufbringen und kön- bei 400 °C bis 500 °C, da mit wachsenden Prozesstemperaturen nen - anders als etwa reine SiOz-Überzüge - durch geeignete das Schichtengefüge noch fester wird und auch auf rauhen, mit Zusammensetzung der Lösung in relativ weiten Grenzen an ihre Fehlern versehenen Unterlagen einen einwandfreien Überzug Partner thermisch und optisch angepasst werden. 25 bildet.
Besonders geeignete Ausgangslösungen für das vorgeschla- Die Erfindung beschränkt sich nicht auf das dargestellte gene Verfahren sind in den Patentansprüchen 4-8 angegeben. Ausführungsbeispiel. So bleibt es dem Fachmann im Rahmen Die Erfindung soll nun an Hand eines besonders bevorzug- der vorliegenden Erfindung überlassen, aus den vorgeschlage-ten Ausführungsbeispiels unter Bezugnahme auf die Zeichnung nen Schichtenbestandteilen diejenige Zusammensetzung zu ernäher erläutert werden. 30 mittein, die bei den jeweiligen Bedingungen des Einzelfalles am
Die einzige Figur der Zeichnung zeigt in einem schemati- geeignetsten ist. Dabei ist es bei einer Flüssigkristallanzeige sierten Seitenschnitt eine Ziffernanzeige vom dynamisch streu- nicht immer erforderlich, die Innenflächen beider Trägerplatten enden Typ. Die Anzeige besteht im Einzelnen aus zwei Träger- mit einer Orientierungsschicht zu bedecken, da die Flüssigkri-
platten 1,2, die durch einen umlaufenden Rahmen 3 in einem stallsubstanz auch schon dann vor einem Gleichstromdurchfluss vorgegebenen Abstand voneinander gehalten werden. Die vom 35 geschützt ist, wenn nur die eine Elektrode mit der Isolations-
Rahmen und den beiden Trägerplatten begrenzte Kammer ist Schicht überzogen ist. In diesem Fall müsste dann auf andere mit einer Flüssigkristallsubstanz 4 gefüllt. Beide Trägerplatten Weise für die Molekülorientierung an der orientierungsschicht-
sind auf ihren einander zugewandten Flächen mit leitfähigen freien Grenzfläche gesorgt werden. Schliesslich ist es auch denk-
Belägen versehen (durchgehende Rückelektrode 6, segmentier- bar, die Orientierungsschicht auf ein elektrodenfreies Substrat te Vorderelektrode 7) und zusätzlich mit einer Isolationsschicht to aufzubringen, beispielsweise bei Flüssigkristalldisplays, bei de-
8,9 überzogen. Im vorliegenden Fall bestehen die beiden Trä- nen der Darstellungskontrast durch thermische Ansteuerung er-
gerplatten aus Weichglas, der Rahmen aus einem niederschmel- zeugt wird.
1 Blatt Zeichnungen
Claims (10)
- 627 5582PATENTANSPRÜCHE1. Verfahren zur Herstellung einer eine Flüssigkristallschicht homöotrop orientierenden Schicht auf einem mit einem leitfähigen Belag versehenen Substrat, dadurch gekennzeichnet, dass zur Erzeugung einer orientierenden Schicht, die im wesent- 5 liehen aus (Me203)1.x(Si0y)x mit Me = AI oder Cr und Oëx<1 und 1.9 ë y ë 2 besteht, zunächst eine organische Lösung, die die Elemente Me und Si in einem bestimmten Verhältnis zueinander enthält, auf das Substrat gebracht wird und dass anschliessend diese Lösung durch thermische Zersetzung in die Orientie- 10 rungsschicht überführt wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass das Aufbringen der organischen Lösung durch Eintauchen des Substrats in diese Lösung erfolgt.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, 15 dass das Aufbringen der organischen Lösung durch Aufsprühen erfolgt.
- 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Lösungs als Lösungsmittel Ester niederer Alkohole mit niederen Carbonsäuren und/oder niedere 20 Alkohole enthält.
- 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Lösung die Elemente Me und Si als reine Verbindungen mit einer niederen Mono- und/oder Dicar-bonsäure enthält. 25
- 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Lösung die Elemente Me und Si als Metallhalogenide enthält, deren Anionen teilweise durch die Säurereste von niederen Mono- und/oder Dicarbonsäuren substituiert sind. 30
- 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Lösung die Elemente Me und Si als Metallhalogenide enthält, von niederen Mono- und/oder Dicarbonsäuren und durch Hydroxyl- und/oder Alkoholatreste niederer Alkohole substituiert sind. 35
- 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Moleküle der niederen Carbonsäuren bzw. niederen Alkohole höchstens viergliedrige Kohlenstoffketten enthalten.
- 9. Verwendung der nach dem Verfahren gemäss Anspruch 140 hergestellten orientierenden Schicht in einer Flüssigkristallanzeige.
- 10. Verwendung nach Anspruch 9, wobei die Flüssigkristallanzeige mit einer Flüssigkristallschicht zwischen zwei Trägerplatten, die auf ihren einander zugewandten Flächen jeweils 45 einen leitfähigen Belag tragen, versehen ist und der leitende Belag beider Trägerplatten segmentiert ist, dadurch gekennzeichnet, dass beide Trägerplatten (1,2) auf ihren Innenflächen mit einer orientierenden Schicht (8,9) versehen sind.50
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2722900A DE2722900C3 (de) | 1977-05-20 | 1977-05-20 | Verfahren zur Herstellung einer eine Flüssigkristallschicht homöotrop orientierenden, Siliciumoxid enthaltenden Schicht |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH627558A5 true CH627558A5 (de) | 1982-01-15 |
Family
ID=6009509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH401978A CH627558A5 (de) | 1977-05-20 | 1978-04-14 | Verfahren zur herstellung einer eine fluessigkristallschicht homoeotrop orientierenden schicht. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4256377A (de) |
| JP (1) | JPS53144768A (de) |
| AT (1) | AT368296B (de) |
| CH (1) | CH627558A5 (de) |
| DE (1) | DE2722900C3 (de) |
| GB (1) | GB1597749A (de) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5758640A (en) * | 1980-09-26 | 1982-04-08 | Sumitomo Chem Co Ltd | Hydroxycyclopentenone and its preparation |
| JPS5730816A (en) * | 1980-07-31 | 1982-02-19 | Alps Electric Co Ltd | Liquid crystal electrode substrate |
| GB2082341A (en) * | 1980-08-18 | 1982-03-03 | Standard Telephones Cables Ltd | Aligning liquid crystal layers |
| JPS5762027A (en) * | 1980-10-02 | 1982-04-14 | Alps Electric Co Ltd | Transparent insulating film and paste for forming transparent insulating film |
| JPS5763511A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-17 | Alps Electric Co Ltd | Insulated film and paste for production of sand film |
| JPS5763510A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-17 | Alps Electric Co Ltd | Insulated film and paste for production of sand film |
| JPS5764212A (en) * | 1980-10-07 | 1982-04-19 | Alps Electric Co Ltd | Insulating film and paste for forming insulating film |
| JPS5768821A (en) * | 1980-10-16 | 1982-04-27 | Alps Electric Co Ltd | Insulating film and paste forming said film |
| JPS5768822A (en) * | 1980-10-16 | 1982-04-27 | Alps Electric Co Ltd | Insulating film and paste for forming said film |
| DE3138373A1 (de) * | 1981-09-26 | 1983-04-07 | Vdo Adolf Schindling Ag, 6000 Frankfurt | Elektrooptisches anzeigeelement sowie verfahren zum herstellen elektrooptischer anzeigeelemente |
| US4802740A (en) * | 1985-02-13 | 1989-02-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal alignment layer containing polyvinyl-alcohol and titanium-alkoxide |
| US5011267A (en) * | 1986-10-14 | 1991-04-30 | Hughes Aircraft Company | Method for tilted alignment of liquid crystals with improved photostability |
| US4917472A (en) * | 1988-03-14 | 1990-04-17 | Hughes Aircraft Company | Light valves with positive dielectric anisotropy liquid crystal and highly tilted off-perpendicular surface alignment, and associated operating method |
| JP3127542B2 (ja) * | 1992-01-14 | 2001-01-29 | 日産化学工業株式会社 | 液晶表示素子絶縁被膜形成用塗布液 |
| US5438421A (en) * | 1991-04-24 | 1995-08-01 | Alps Electric Co., Ltd. | Orientation film of liquid crystal having bilaterally asymmetric ridges separated by grooves |
| JPH06337416A (ja) * | 1993-04-02 | 1994-12-06 | Alps Electric Co Ltd | 液晶素子の配向膜及びその製造方法 |
| JP3195172B2 (ja) * | 1994-09-21 | 2001-08-06 | アルプス電気株式会社 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
| US6519018B1 (en) | 1998-11-03 | 2003-02-11 | International Business Machines Corporation | Vertically aligned liquid crystal displays and methods for their production |
| WO2003093898A1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-11-13 | University Of Central Florida | Transflective liquid crystal display with partial switching |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3938242A (en) * | 1973-09-27 | 1976-02-17 | Rca Corporation | Fabrication of liquid crystal devices |
| CH604198A5 (de) * | 1975-09-02 | 1978-08-31 | Siemens Ag | |
| GB1557199A (en) * | 1976-01-06 | 1979-12-05 | Standard Telephones Cables Ltd | Liquid crystal display cells |
-
1977
- 1977-05-20 DE DE2722900A patent/DE2722900C3/de not_active Expired
-
1978
- 1978-04-14 CH CH401978A patent/CH627558A5/de not_active IP Right Cessation
- 1978-05-18 AT AT0361978A patent/AT368296B/de not_active IP Right Cessation
- 1978-05-18 US US05/907,003 patent/US4256377A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-05-19 JP JP5983978A patent/JPS53144768A/ja active Pending
- 1978-05-19 GB GB20624/78A patent/GB1597749A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2722900C3 (de) | 1979-11-08 |
| AT368296B (de) | 1982-09-27 |
| DE2722900A1 (de) | 1978-11-23 |
| ATA361978A (de) | 1982-01-15 |
| JPS53144768A (en) | 1978-12-16 |
| US4256377A (en) | 1981-03-17 |
| DE2722900B2 (de) | 1979-03-15 |
| GB1597749A (en) | 1981-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2722900C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer eine Flüssigkristallschicht homöotrop orientierenden, Siliciumoxid enthaltenden Schicht | |
| DE2349839A1 (de) | Verfahren zur schaffung einer ionenverarmungszone im glaskoerper | |
| DE2755935A1 (de) | Dielektrische zusammensetzung, siebdruckpaste mit einer derartigen zusammensetzung und durch diese erhaltene erzeugnisse | |
| DE2823904A1 (de) | Dichtungsglas | |
| DE69904889T2 (de) | Elektrisch leitende Paste und Glassubstrat mit aufgetragenem elektrischen Schaltkreis | |
| DE2855135A1 (de) | Dielektrische paste | |
| DE1923729C3 (de) | Lötglas des Systems ZnO-B2 O3 -V2 O5 mit Fasererweichungstemperaturen zwischen 525 und 575 Grad C und Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen 44 und 48 χ 10-7/CnKl C (O-300 Grad C) | |
| DE2401974B2 (de) | Fluessigkristallanzeigeelement | |
| DE2723380A1 (de) | Glasierter gegenstand | |
| DE2538331C3 (de) | Flüssigkristallanzeigeelement | |
| DE2613924B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer FeIdeffekt-Flüssigkristallanzeigezelle | |
| DE2720639C2 (de) | Glas, verwendbar zur Passivierung von Halbleitervorrichtungen und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE2900867A1 (de) | Fluessigkristall-anzeigezelle | |
| DE2642161C2 (de) | Stromleitender Film für elektrische Heizgeräte | |
| DE3026374A1 (de) | Widerstandsglasabdichtungs-zuendkerzen | |
| DE69515368T2 (de) | Ionenleitender Polymerelektrolyt und seine Anwendung in einem Elektrolytkondensator | |
| DE2326920B2 (de) | Elektrolytisches Verfahren zum Verändern der Oberflächeneigenschaften von bewegtem Glas bei erhöhter Temperatur, insbesondere zur Erhöhung seiner Reflexion und Absorption für Sonnenstrahlung, durch Ioneneinwanderung unter Verwendung zweier getrennter Elektrodenpaare und Anwendung des Verfahrens | |
| DE2059896B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Emailschicht | |
| DE2636954C3 (de) | Spannungsabhängiger Widerstand (Varistor) und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE874047C (de) | Verfahren zur Herstellung einer mit einer Oxydschicht bedeckten Elektrode fuer Elektrolyt- oder Metalloxydkondensatoren | |
| EP0075706A2 (de) | Elektrooptisches Anzeigeelement sowie Verfahren zum Herstellen elektrooptischer Anzeigeelemente | |
| DE3634987A1 (de) | Kondensator mit festem elektrolyt | |
| DE1007689B (de) | Verglasbares Flussmittel sowie keramischer Gegenstand | |
| DE2130274C3 (de) | Einen Isolierüberzug enthaltende Stahlbleche oder -streifen für elektromagnetische Anwendungen und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE2604103C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Kontaktschichten auf keramischen Halbleiterkörpern u. Beschichtungsmaterial dafür |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PL | Patent ceased | ||
| PL | Patent ceased |