CH633873A5 - Gehaeuseabstuetzung an einer turbomaschine. - Google Patents

Description

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Die vorliegende Erfindung betrifft eine integrierte Halbleiterfestkörperschaltung für einen Transistor-Schaltverstärker, für sich selbst steuernde Uhrenantriebe, mit einer im Arbeitskreis eines Verstärkertransistors angeordneten, nichtkonstanten Gleichspannungsquelle als Energiequelle, mit einer 5 zwischen Basis und Emitter angeordneten Steuerwicklung und einer zwischen Emitter und Bezugspotential angeordneten, keine Anzapfung aufweisenden Arbeitswicklung, wobei ein mechanisch schwingendes oder rotierendes System periodisch in der Steuerwicklung Schaltimpulse hervorruft, die 10 über den Verstärkertransistor und die Arbeitswicklung dem mechanischen System verstärkt wieder zugeführt werden, und mit einem stabilisierenden Transistor, dessen Kollektor an die Basis des Verstärkertransistors, dessen Emitter am Bezugspotential und dessen Basis am Abgriff eines ohmschen 15 Spannungsteilers angeschlossen ist, wobei die Widerstände des Spannungsteilers auf dem Halbleiterkörper der Halbleiterfestkörperschaltung als Widerstandsbahnen aufgebracht sind oder aus Zonen des Halbleiterkörpers selbst bestehen.

Eine derartige Schaltung ist aus dem Hauptpatent Nr. 20 514 880 bekannt. Fig. 1 der beigefügten Zeichnung zeigt die Schaltungsanordnung nach dem Hauptpatent, wobei ausser den beiden Wicklungen, der Arbeitswicklung Li und der Steuerwicklung L2, sämtliche weiteren Schaltungselemente zur integrierten Halbleiterfestkörperschaltung zusammen- 25 gefasst sein können. Diese Halbleiterfestkörperschaltung ist so aufgebaut, dass der Verstärkertransistor Tt mit seinem Kollektor direkt am Pluspol der Gleichspannungsquelle U0 angeschlossen ist, während von dessen Emitter die Arbeitswicklung Lj zum Bezugspotential und die Steuerwicklung L2 30 zu dessen Basis führt, wobei der Arbeitswicklung L, der aus den Widerständen R1; R2 bestehende Spannungsteiler parallel geschaltet ist. Der stabilisierende Transistor T2 liegt mit seinem Emitter an Bezugspotential, mit seiner Basis am Abgriff des Spannungsteilers und mit seinem Kollektor über eine 35 unerwünschte Rückflüsse vom stabilisierenden Transistor T2 in die Steuerwicklung L2 verhindernde Diode D an der Basis des Verstärkertransistors Tj.

Die Bedingung, dass das nicht am Bezugspotential liegende Ende des Spannungsteilers Rj, R2 dauernd auf demselben Potential wie das mit dem Emitter des Verstärker-Transistors Tj verbundene Ende der Arbeitswicklung L,

liegt, ist also beim Hauptpatent dadurch erfüllt, dass der Widerstand R! des Spannungsteilers direkt mit der Arbeitswicklung Lj und dem Emitter des Verstärker-Transistors T, 45 verbunden ist.

Diese Halbleiterfestkörperschaltung nach dem Hauptpatent hat sich für die Verwendung in Grossuhren, d. h. in Wand- und Weckeruhren, bewährt und auf dem Markt durchgesetzt. Der Verwendung für kleinere Uhren, die somit ein kleineres Volumen und damit einen kleineren Energieinhalt der Trockenbatterie oder des Akkumulators bedingen, steht jedoch der Nachteil entgegen, dass dem elektromagnetischen Unruhsystem durch den der Arbeitswicklung L, direkt parallel geschalteten Spannungsteiler während der Dauer der in der Wicklung induzierten Spannung Energie entzogen wird, d. h. der Spannungsteiler bedämpft die Arbeitswicklung.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, die bekannte Halbleiterfestkörperschaltung nach dem Haupt-patent derart abzuwandeln und zu verbessern, dass dieser Nachteil nicht mehr auftritt, d. h. dass das gesamte Antriebssystem weniger Strom verbraucht. Dies wird erfindungsgemäss dadurch erreicht, dass der Verstärkertransistor als Doppelemittertransistor ausgebildet ist, dessen zweiter Emitter am ÄJ anderen Ende des Spannungsteilers angeschlossen ist, so dass dieser die Arbeitswicklung nicht belastet.

Einzelheiten der Erfindung werden nun anhand der in der Zeichnung dargestellten weiteren Fig. 2 und 3 erläutert.

Fig. 2 zeigt ein erläuterndes elektrisches Ersatzschaltbild der integrierten Halbleiterfestkörperschaltung nach der Erfindung und

Fig. 3 das Schaltbild der erfindungsgemässen Ausbildung der integrierten Halbleiterfestkörperschaltung.

Das in Fig. 2 gezeigte erläuternde Ersatzschaltbild der integrierten Halbleiterfestkörperschaltung besteht mit Ausnahme eines Zusatztransistors T3 aus denselben Bauelementen wie die Anordnung nach Fig. 1. Der nach Fig. 1 mit dem Emitter des Verstärkertransistors T\ verbundene Anschluss des Spannungsteilerwiderstandes Rt ist mit dem Emitter des Zusatztransistors T3 verbunden, dessen Basis an der Basis des Verstärkertransistors T, liegt und dessen Kollektor am positiven Pol der Gleichspannungsquelle U0 angeschlossen ist. Dadurch wird erreicht, dass die Arbeitswicklung Lj nicht mehr mit dem Spannungsteiler belastet ist, dass jedoch am mit dem Emitter des Zusatztransistors T3 verbundenen Anschluss des Spannungsteilerwiderstandes Rj dasselbe Potential liegt wie bei der Anordnung nach Fig. 1, weil nämlich sowohl der Arbeitswicklung Lj als auch dem Spannungsteiler Rj bezüglich der Basis des Verstärkertransistors Tv jeweils die Basis-Emitter-Strecke eines Transistors mit ihrer konstanten Schwellspannung vorgeschaltet ist. Die Wirkungsweise ist somit mit der im Hauptpatent geschilderten Wirkungsweise identisch.

Fig. 3 zeigt das Schaltbild der erfindungsgemässen Ausbildung, welche der Technologie integrierter Schaltungen dadurch Rechnung trägt, dass der im Ersatzschaltbild (s. Fig. 2) vorhandene Zusatztransistor T3 eliminiert und anstatt des Verstärkertransistors Tj ein Doppelemittertransistor T13 vorgesehen ist, welcher die Funktion beider Transistoren übernimmt.

Wenn die Steuerspule so dimensioniert wird, dass die Amplitude der in ihr induzierten Spannung 0,5 V nicht überschreitet, kann die in der bekannten Schaltung nach dem Hauptpatent vorhandene, unerwünschte Rückflüsse verhindernde Diode D, Fig. 1, durch eine leitende Verbindung ersetzt werden, wobei dann gleichzeitig der Halbleiterkörper nicht wie üblich aii Bezugspotential, sondern an der Basis des Verstärker- bzw. Doppelemittertransistors anzuschliessen ist. Dies ist in den Fig. 2 und 3 durch die gestrichelt gezeichnete Diode D angedeutet.