CH651957A5 - Feinstdraht zum kontaktieren von halbleiter-bauelementen. - Google Patents

Feinstdraht zum kontaktieren von halbleiter-bauelementen. Download PDF

Info

Publication number
CH651957A5
CH651957A5 CH3686/81A CH368681A CH651957A5 CH 651957 A5 CH651957 A5 CH 651957A5 CH 3686/81 A CH3686/81 A CH 3686/81A CH 368681 A CH368681 A CH 368681A CH 651957 A5 CH651957 A5 CH 651957A5
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
aluminum
weight
copper
alloy
core
Prior art date
Application number
CH3686/81A
Other languages
English (en)
Inventor
Albrecht Dr Bischoff
Fritz Dr Aldinger
Original Assignee
Heraeus Gmbh W C
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus Gmbh W C filed Critical Heraeus Gmbh W C
Publication of CH651957A5 publication Critical patent/CH651957A5/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H01B1/026—Alloys based on copper
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07531—Techniques
    • H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07531—Techniques
    • H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
    • H10W72/07533—Ultrasonic bonding, e.g. thermosonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/521—Structures or relative sizes of bond wires
    • H10W72/522—Multilayered bond wires, e.g. having a coating concentric around a core
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5525—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/555—Materials of bond wires of outermost layers of multilayered bond wires, e.g. material of a coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/951—Materials of bond pads
    • H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
    • Y10S428/923—Physical dimension
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12431—Foil or filament smaller than 6 mils
    • Y10T428/12438—Composite
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12528—Semiconductor component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12736—Al-base component
    • Y10T428/1275—Next to Group VIII or IB metal-base component

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Description

651957

Claims (9)

PATENTANSPRÜCHE
1. Aluminium enthaltender Feinstdraht mit einem Durchmesser von 0,01 bis 0,06 mm zum Kontaktieren von Halblei-ter-Bauelementen, gekennzeichnet durch einen Kern aus Kupfer oder einer Kupfer-Legierung mit mindestens 60 Ge-wichts-% Kupfer und einen Mantel aus Aluminium oder einer Aluminium-Legierung mit mindestens 95 Gewichts-% Aluminium.
2.Feinstdraht nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Kern aus der Legierung aus 94 Gewichts-% Kupfer und 6 Gewichts-% Zinn.
3. Feinstdraht nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Mantel aus der Legierung aus 99 Gewichts-% Aluminium und 1 Gewichts-% Silizium.
4. Feinstdraht nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Mantel aus der Legierung aus 96 Gewichts-% Aluminium und 4 Gewichts-% Kupfer.
5. Feinstdraht nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Mantel aus der Legierung aus 99 Gewichts-% Aluminium und 1 Gewichts-% Magnesium.
6. Feinstdraht nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Kern aus Kupfer und einen Mantel aus Aluminium.
7. Feinstdraht nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Kern aus Kupfer und einen Mantel aus der Legierung aus 99 Gewichts-% Aluminium und 1 Gewichts-% Silizium, aus 96 Gewichts-% Aluminium und 4 Gewichts-% Kupfer oder aus 99 Gewichts-% Aluminium und 1 Gewichts-% Magnesium.
8. Feinstdraht nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Kern aus der Legierung aus 94 Gewichts-% Kupfer und 6 Gewichts-% Zinn und einen Mantel aus Aluminium oder aus der Legierung aus 99 Gewichts-% Aluminium und 1 Ge-wichts-% Silizium.
9. Verwendung des Feinstdrahtes nach einem der Ansprüche 1 bis 8 zum Kontaktieren von mit Aluminium-Schichten versehenen Silizium-Halbleitern.
Die Erfindung betrifft Aluminium enthaltende Feinst-drähte mit einem Durchmesser von 0,01 bis etwa 0,06 mm zum Kontaktieren von Halbleiter-Bauelementen.
Zur Herstellung der Aussenanschlüsse werden Halbleiter-Bauelemente mit Feinstdrähten aus Gold, Aluminium oder Aluminium-Legierungen, wie z.B. AlSil, AlCu4 oder AlMgl, kontaktiert.
Das Verbinden (Bonden) der Halbleiter mit dem Feinstdraht erfolgt durch Ultraschall- oder Thermo-Kompressions-Schweissen oder durch eine Kombination beider Schweissver-fahren, das Thermosonic-Schweissen.
Die bekannten Aluminium- und Aluminium-Legierungs-Feinstdrähte sind aufgrund ihres Ermüdungsverhaltens, das zu Rissbildungen in dem Bereich zwischen der eigentlichen Verbindungsstelle (Bondstelle) und dem Draht führt, für das Ultraschall-Schweissen nach dem sogenannten «wedge-wedge»-Verfahren weniger gut geeignet.
Auch für das Thermo-Kompressions- bzw. Thermosonic-Schweissen nach dem Verfahren der Nagelkopf-Kontaktie-rung können die bekannten Aluminium- und Aluminium-Le-gierungs-Feinstdrähte nur bedingt eingesetzt werden, da sie -anders als die Gold-Feinstdrähte - in dem der Verbindungsstelle benachbarten Bereich bei der sogenannten 100p-Bil-dung zum Abknicken neigen.
Es ist die Aufgabe der Erfindung, edelmetallfreie, zum Kontaktieren von Halbleiter-Bauelementen geeignete Feinstdrähte zu schaffen, die eine hohe Ermüdungsfestigkeit besitzen und auch ein für das Schweissen nach dem Verfahren der Nagelkopf-Kontaktierung günstiges Verhalten aufweisen.
Die Aufgabe wird erfmdungsgemäss durch einen Feinstdraht aus einem Kern aus Kupfer oder einer Kupfer-Legie-rung mit mindestens 60 Gewichts-% Kupfer und einem Mantel aus Aluminium oder einer Aluminium-Legierung mit min-5 destens 95 Gewichts-% Aluminium gelöst.
Weitere vorteilhafte Merkmale des erfindungsgemässen Feinstdrahtes ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
Die Kupfer-Legierungen des Kerns können z.B. Messing, Bronze oder Neusilber sein, soweit diese mindestens 60 Ge-io wichts-% Kupfer enthalten. Besonders bewährt hat sich die Legierung aus 94 Gewichts-% Kupfer und 6 Gewichts-% Zinn.
Für den Mantel besonders geeignete Aluminium-Legierungen sind die aus 15 99 Gewichts-% Aluminium und 1 Gewichts-% Silizium,
96 Gewichts-% Aluminium und 4 Gewichts-% Kupfer und
99 Gewichts-% Aluminium und 1 Gewichts-% Magnesium.
20 Bevorzugte Feinstdrähte sind solche aus
Kupfer-Kern und Aluminium-Mantel,
Kupfer-Kern und Mantel aus der Legierung aus 99 Ge-wichts-% Aluminium und 1 Gewichts-% Silizium,
Kupfer-Kern und Mantel aus der Legierung aus 96 Ge-25 wichts-% Aluminium und 4 Gewichts-% Kupfer,
Kupfer-Kern und Mantel aus der Legierung aus 99 Gewichts-% Aluminium und 1 Gewichts-% Magnesium.
Kern aus der Legierung aus 94 Gewichts-% Kupfer und 6 Gewichts-% Zinn und Aluminium-Mantel und 30 Kern aus der Legierung aus 94 Gewichts-% Kupfer und 6 Gewichts-% Zinn und Mantel aus der Legierung aus 99 Ge-wichts-% Aluminium und 1 Gewichts-% Silizium.
Die erfindungsgemässen Feinstdrähte weisen, wie die Wöhler-Kurven in der Abbildung zeigen, eine hohe Ermü-35 dungsfestigkeit auf.
Als Mass für die Ermüdungsfestigkeit ist hier die Bruchlastspielzahl eines Feinstdrahtes aus Cu-Kern und AlSil-Mantel (Durchmesser 50 p.m) und - zum Vergleich dazu - die von bekannten Feinstdrähten aus AlSil bzw. AlCu4 (Durch-40 messer jeweils 50 (im) in Abhängigkeit von dem Biegewinkel dargestellt. Der Cu-AlSil-Feinstdraht besitzt gegenüber dem aus AlCu4 eine um das Zehnfache und gegenüber dem aus AlSil um das Hundertfache höhere Bruchlastspielzahl.
Durch die erhöhte Ermüdungsfestigkeit der erfindungsge-45 mässen Feinstdrähte ist die Gefahr der Rissbildung in dem Bereich zwischen der Verbindungsstelle (Blondstelle) und dem Draht erheblich verringert.
Die Feinstdrähte besitzen vorzugsweise einen Durchmesser von etwa 25 um, der Kern vorzugsweise einen solchen von so etwa 10 bis 15 (im.
Mit den erfindungsgemässen Feinstdrähten können die Halbleiter-Bauelemente sowohl durch Ultraschall-Schweissen nach dem «wedge-wedge»-Verfahren als auch nach dem Verfahren der Nagelkopf-Kontaktierung kontaktiert werden.
55
Ein besonderes Anwendungsgebiet der erfindungsgemässen Feinstdrähte ist das Kontaktieren von mit Aluminium-Schichten versehenen Silizium-Halbleitern nach dem Verfah-60 ren der Nagelkopf-Kontaktierung, da sich mit Aluminium metallisiertes Silizium mit den bekannten Aluminium- und Aluminium-Legierungs-Feinstdrähten nur bedingt nach diesem Verfahren in Schweissautomaten kontaktieren lässt und Gold-Feinstdrähte zwar ein automatisches Kontaktieren zu-65 lassen, aber beim Schweissen durch Thermo-Kompression eine spröde intermetallische Gold-Aluminium-Verbindung (AuA12) bilden.
C
1 Blatt Zeichnungen
CH3686/81A 1980-06-24 1981-06-04 Feinstdraht zum kontaktieren von halbleiter-bauelementen. CH651957A5 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3023528A DE3023528C2 (de) 1980-06-24 1980-06-24 Aluminium enthaltender Feinstdraht

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH651957A5 true CH651957A5 (de) 1985-10-15

Family

ID=6105299

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH3686/81A CH651957A5 (de) 1980-06-24 1981-06-04 Feinstdraht zum kontaktieren von halbleiter-bauelementen.

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4355082A (de)
JP (1) JPS5730206A (de)
CH (1) CH651957A5 (de)
DE (1) DE3023528C2 (de)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2929623C2 (de) * 1979-07-21 1981-11-26 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Feinstdraht aus einer Aluminiumlegierung
DE3104960A1 (de) 1981-02-12 1982-08-26 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau "feinstdraht"
DE3153395C2 (en) * 1981-02-12 1987-11-19 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau, De Use of a very fine wire made of a copper/tin alloy
JPS59169165A (ja) * 1983-03-16 1984-09-25 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS59208770A (ja) * 1983-05-12 1984-11-27 Hitachi Ltd ボ−ルボンデイング用アルミ合金極細線
US4534105A (en) * 1983-08-10 1985-08-13 Rca Corporation Method for grounding a pellet support pad in an integrated circuit device
FR2555813B1 (fr) * 1983-09-28 1986-06-20 Hitachi Ltd Dispositif a semi-conducteurs et procede de fabrication d'un tel dispositif
US4845543A (en) * 1983-09-28 1989-07-04 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
IT1183375B (it) * 1984-02-24 1987-10-22 Hitachi Ltd Dispositivo a semiconduttori comprendente una pallina, fili conduttori e porzioni conduttrici esterneche sono collegate alla pallina mediante tali fili conduttori
JPS61191914A (ja) * 1985-02-20 1986-08-26 Omron Tateisi Electronics Co 傾斜センサ
US4705204A (en) * 1985-03-01 1987-11-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of ball forming for wire bonding
JPS62265729A (ja) * 1986-05-14 1987-11-18 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS6383256A (ja) * 1986-09-26 1988-04-13 Futaba Corp アルミニウム蒸着膜付銅部材
DE3704200A1 (de) * 1987-02-11 1988-08-25 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zur herstellung einer verbindung zwischen einem bonddraht und einer kontaktflaeche bei hybriden dickschicht-schaltkreisen
US4922366A (en) * 1988-05-12 1990-05-01 Transnational Energy Systems, Inc., Dba Tesco Meltable conductor to be used in series with voltage suppressors
US4987779A (en) * 1989-02-28 1991-01-29 United Technologies Corporation Pulse-driven accelerometer arrangement
US5139883A (en) * 1989-05-09 1992-08-18 Grigory Raykhtsaum Intermetallic time-temperature integration fuse
DE4232745C2 (de) * 1992-09-30 2002-07-18 Univ Dresden Tech Bonddraht zum Ultraschallbonden
US6840777B2 (en) * 2000-11-30 2005-01-11 Intel Corporation Solderless electronics packaging
DE102006023167B3 (de) * 2006-05-17 2007-12-13 Infineon Technologies Ag Bonddraht, Herstellungsverfahren für einen Bonddraht und Wedge-Wedge-Drahtbondverfahren
DE102006041355B4 (de) * 2006-09-01 2011-07-21 W.C. Heraeus GmbH, 63450 Aluminium-Bonddrähte mit eingebetteten Kupferfasern
DE102013200308A1 (de) * 2013-01-11 2014-07-17 Infineon Technologies Ag Bonddraht und Verfahren zur Herstellung einer Bondverbindung
EP2808873A1 (de) * 2013-05-28 2014-12-03 Nexans Elektrisch leitfähiger Draht und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102016107287A1 (de) 2016-04-20 2017-11-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitereinrichtung und Verfahren zum Betrieb einer Leistungshalbleitereinrichtung
IT201700067156A1 (it) * 2017-06-16 2018-12-16 Antonio Sambusseti Rivestimento conduttivo
DE102018206482B4 (de) 2018-04-26 2024-01-25 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit einem Verbundwerkstoffclip aus Verbundmaterial

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3306716A (en) * 1963-02-14 1967-02-28 Nat Standard Co Aluminum clad electric conductor wire
US3716469A (en) * 1970-12-17 1973-02-13 Cogar Corp Fabrication method for making an aluminum alloy having a high resistance to electromigration
US3967013A (en) * 1973-10-23 1976-06-29 Eaton Corporation Method of making a composite article for rapid heating
US4004892A (en) * 1973-12-10 1976-01-25 Clad Metals Inc Cookware fabricated from composites of copper,aluminum and stainless steel
JPS51142988A (en) * 1975-06-04 1976-12-08 Hitachi Ltd Semiconductor devices
DE2649773A1 (de) * 1976-10-29 1978-05-11 Bosch Gmbh Robert Halbleiteranordnung
DE2929623C2 (de) * 1979-07-21 1981-11-26 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Feinstdraht aus einer Aluminiumlegierung
DE3011661C2 (de) * 1980-03-26 1982-08-26 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Halbleiteranordnung mit Kontaktierungsdrähten

Also Published As

Publication number Publication date
US4355082A (en) 1982-10-19
DE3023528C2 (de) 1984-11-29
JPS639746B2 (de) 1988-03-01
DE3023528A1 (de) 1982-01-21
JPS5730206A (en) 1982-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH651957A5 (de) Feinstdraht zum kontaktieren von halbleiter-bauelementen.
DE69032879T2 (de) Verbindungsverfahren für Halbleiterpackung und Verbindungsdrähte für Halbleiterpackung
DE3645066C2 (de)
DE3104960C2 (de)
DE2111572A1 (de) Verfahren zum Verbinden von Metallen
DE102010031993B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Bonddrahtes, Bonddraht und Baugruppe, die einen solchen Bonddraht aufweist.
WO2006094654A1 (de) Kupferbond- oder feinstdraht mit verbesserten bond- und korrosionseigenschaften
DE4232745C2 (de) Bonddraht zum Ultraschallbonden
JP2520878B2 (ja) 可動ケ−ブル用撚線導体の製造方法
DE2929623C2 (de) Feinstdraht aus einer Aluminiumlegierung
DE3514253A1 (de) Halbleitereinrichtung
EP0163067A2 (de) Verfahren zum Aufbürsten von Metall auf die Oberfläche eines Metallkörpers
DE202010000637U1 (de) Bondmaschine mit Spule
DE1789062A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Metallkontakten fuer den Einbau von Halbleiterbauelementen in Gehaeuse
DE3230376C2 (de) Draht aus Gold oder Goldlegierung
DE112018000061B4 (de) Bonddraht für Halbleiterbauelement
WO2008025547A1 (de) Aluminium aufweisende bonddrähte mit eingebetteten kupferfasern
AT390031B (de) Mehrschichtmaterial
DE3153395C2 (en) Use of a very fine wire made of a copper/tin alloy
CH620543A5 (de)
DE3335274C2 (de)
JP4655426B2 (ja) 半導体素子接続用Ａｕボンディングワイヤおよびその製造方法
DE254865C (de)
DE158214C (de)
DE3311256C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased
PL Patent ceased