CH652526A5 - Schalterkontaktstueck und verfahren zu seiner herstellung. - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 21
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 14
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 4
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- UPLPHRJJTCUQAY-WIRWPRASSA-N 2,3-thioepoxy madol Chemical compound C([C@@H]1CC2)[C@@H]3S[C@@H]3C[C@]1(C)[C@@H]1[C@@H]2[C@@H]2CC[C@](C)(O)[C@@]2(C)CC1 UPLPHRJJTCUQAY-WIRWPRASSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000010310 metallurgical process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- -1 nitrogen ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GFNGCDBZVSLSFT-UHFFFAOYSA-N titanium vanadium Chemical compound [Ti].[V] GFNGCDBZVSLSFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
- H01H1/0203—Contacts characterised by the material thereof specially adapted for vacuum switches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H11/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of electric switches
- H01H11/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of electric switches of switch contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
- H01H1/0203—Contacts characterised by the material thereof specially adapted for vacuum switches
- H01H2001/0205—Conditioning of the contact material through arcing during manufacturing, e.g. vacuum-depositing of layer on contact surface
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Kontaktstück gemäss dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 und ein Verfahren gemäss dem Oberbegriff des Patentanspruches 2.
An die Kontaktstücke von elektrischen Schaltern, insbesondere von Vakuumschaltern, werden oft einander widersprechende Anforderungen gestellt. Z.B. sollen die Kontaktstücke einerseits völlig wartungsfrei sein und andererseits eine hohe Lebensdauer haben. Die Kontaktstücke eines Schalters müssen oft hohe Schaltfrequenzen und extrem kurze Schaltzeiten aushalten, während andererseits der Abreissstrom oder das Zerhacker-Niveau (Chopping level) möglichst niedrig sein sollen. Vor allem die Kontaktstücke von Vakuumschaltern sollen auch bei der Unterbrechung hoher Ströme möglichst wenig Gas emittieren.
Aus diesen Forderungen ergeben sich bestimmte Eigenschaften der Schalterkontakte und diese Eigenschaften werden ihrerseits durch die verwendeten Metalle, die Struktur und die Herstellungsverfahren bestimmt. Da viele der Forderungen nicht generell erfüllbar sind, bestehen Schalterkontaktstücke im allgemeinen aus mehreren Materialien, wie Cu, W, Mo, Ag, Cr, Be usw.
Bisher wurde die Zusammensetzung aus den erforderlichen Materialien durch Legieren, Sintern, Galvanisieren s oder Plattieren hergestellt. Diese Verfahren haben jedoch eine Reihe von Nachteilen. Z.B. hängen die möglichen Verhältnisse der Bestandteile einer Legierung stark von der betreffenden Legierung ab und man kann nicht jede gewünschte Zusammensetzung herstellen. Grenzen sind hierbei z.B. durch 10 die chemische Löslichkeit der Materialien ineinander bestimmt, die wieder von der Temperatur abhängt und manche Verhältnisse sind durch chemische Reaktionen der Materialien miteinander ausgeschlossen. Beim Sintern und Galvanisieren bzw. Plattieren treten ähnliche Probleme auf und aus-15 serdem ist häufig ein mechanisches Nacharbeiten der Werkstücke erforderlich.
Alle bis heute entwickelten Kontaktwerkstoffe, einschliesslich binärer und ternärer Legierungen auf Kupferbasis oder gesinterter binärer und ternärer Legierungszusammen-20 Setzungen auf Kupferbasis haben ferner den Nachteil, dass ihre elektrische Leitfähigkeit wesentlich niedriger ist als die von reinem Kupfer. Ausserdem haben die meisten Kontaktstücke, die derzeit benutzt werden, eine Konfiguration, die eine Materialdicke von mindestens einigen Millimetern er-25 fordert.
Einer der Hauptgründe dafür, dass trotzdem Legierungen verwendet werden, beruht auf der Forderung, den Einfluss 30 des sogenannten Zerhackens oder «Choppens» des Stromes unter Kontrolle zu bringen. Bei Verwendung von niedrig legierten Kupferlegierungen (1 bis 2 Gewichtsprozent Legierungszusätze) ist der Einfluss der Legierungszusätze auf den Abreissstrom im allgemeinen niedrig. Erst bei höher legierten 35 Kupferlegierungen (mit Legierungszusatz-Anteilen von 10 Gewichtsprozent und darüber) lässt sich ein Einfluss auf den Abreissstrom d.h. das Zerhackungs- oder Chopping-Niveau deutlich erkennen.
Ein Nachteil dieser höher legierten Kupferlegierungen ist 40 jedoch, wie erwähnt, die im Vergleich zu Kupfer wesentlich herabgesetzte elektrische Leitfähigkeit. Beispielsweise ist die elektrische Leitfähigkeit von BeCu mit 0,8 Gewichtsprozent Be um 50% niedriger als die elektrische Leitfähigkeit von Reinkupfer.
45 Eine naheliegende Lösung dieses Problems besteht darin, die hochlegierte Kupferlegierung nur in einer extrem dünnen Schicht, mit einer Dicke von z.B. einigen Zehntel eines Mikrons, z.B. durch Galvanisieren, Aufdampfen und dergleichen aufzubringen. Ein Nachteil dieser Lösung besteht darin, so dass die Haftung einer solchen aufgebrachten Schicht auf Kontaktstücken aus Reinkupfer sehr oft zu wünschen übrig lässt und dass auch die gegenseitige Haftung der Teilchen der aufgebrachten Schicht sehr schlecht sein kann. Es können dann lose Metallteilchen entstehen, die insbesondere in einem ss Vakuumschalter die elektrische Isolation bei geöffneten Kontakten verheerend verschlechtern können.
Zusammenfassend gesagt weisen die bekannten Schalterkontaktstücke und Verfahren zu ihrer Herstellung die folgenden Nachteile auf: Die für Kontaktwerkstoffe am besten ge-60 eigneten Legierungszusammensetzungen lassen sich nicht immer herstellen; Kupferlegierungen haben eine niedrige elektrische Leitfähigkeit; die Haftung von aufgebrachten dünnen Legierungsschichten ist schlecht bis ungenügend und Kupfer ergibt unter bestimmten Bedingungen eine ungenügende Iso-65 lationsfestigkeit und ein hohes Zerhackungs-Niveau.
Der vorliegenden Erfindung liegt dementsprechend die Aufgabe zugrunde, Schalterkontaktstücke anzugeben, die den an sie gestellten Forderungen besser genügen als die bis
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her verfügbaren Schalterkontaktstücke, sowie Verfahren zum Herstellen solcher verbesserter Schalterkontaktstücke.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss durch ein Schalterkontaktstück mit den Merkmalen des kennzeichnenden Teiles des Patentanspruchs 1 gelöst.
Das erfindungsgemässe Verfahren ist durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 2 angeführten Merkmale gekennzeichnet. Die Erfindung ist nachstehend beispielsweise näher erläutert.
Die Schalterkontaktstücke gemäss der Erfindung enthalten also zumindest in einem Oberflächenbereich, an dem bei ' einem Schaltvorgang eine Entladung auftreten kann, mindestens ein ionenimplantiertes Material, z.B. eines der oben erwähnten Legierungsmaterialien, zur Verbesserung der Kontakteigenschaften.
Durch das Verfahren gemäss der Erfindung lässt sich eine extrem dünne Schicht herstellen, die insbesondere bei Verwendung im Vakuum besonders vorteilhafte Kontakt- und Schalteigenschaften ergibt. Vermutlich können bei dem erfin-dungsgemässen Verfahren infolge der hohen Stossenergien lokal derart hohe Temperaturen erreicht werden, dass eine Art von oberflächlicher Legierung stattfindet, bei der Atome des ursprünglichen Kontaktwerkstoffes durch die implantierten Ionen ersetzt werden. Hierdurch können Eigenschaften erreicht werden, die sich mit den klassischen metallurgischen Verfahren nicht erzielen lassen. Die aufgebrachten bzw. durch die Implantierung erzeugten Schichten sind extrem dünn, so dass die elektrische Leitfähigkeit des Basiswerkstoffes praktisch nicht beeinflusst wird; die dünne Schicht kann jedoch das Verhalten über eine wesentlich grössere Tiefe beeinflussen als die resultierende Eindringtiefe. Auch hinsichtlich der Wahl der Verhältnisse der Legierungsbestandteile bestehen praktisch keine Grenzen. Gasförmige Verunreinigungen können extrem genau dotiert werden. Es lassen sich binäre, ter-näre und sogar auch noch komplexere Oberflächenlegierungen herstellen. Eine mechanische Nachbearbeitung der Schalterkontaktstücke kann im allgemeinen vollständig entfallen.
Die Ionenimplantation ist ein Verfahren, das schon seit einigen Jahren bekannt ist und u.a. eine quantitatv genau steuerbare Dotierung von Halbleitern mit extrem niedrigen Dotierungsstoffkonzentrationen ermöglicht. Es ist auch schon bekannt, die mechanischen Eigenschaften durch Ionenimplantation zu verbessern, z.B. von Bohrern, Ziehdüsen und Zahnrädern durch Implantierung von Stickstoffionen, wodurch sich eine höhere Abrieb-, Verschleiss- und Korrosionsfestigkeit ergibt.
An Schalterkontaktstücke, insbesondere solche von Vakuumschaltern, werden jedoch andere Anforderungen gestellt, während die Reibungsfestigkeit keine Rolle spielt. Eine Reibung zwischen Kontaktstücken muss im allgemeinen völlig vermieden werden, insbesondere bei Vakuumschaltern, wo es völlig unmöglich ist, ein Material mit Schmiermitteleigenschaften zu verwenden. An Schalterkontakten treten beim Schalten im allgemeinen Entladungen auf, insbesondere bei Leistungsschaltern, und es hat sich überraschenderweise gezeigt, dass die äusserst dünnen Implantationsschichten eine ausgezeichnete Lösung für die verschiedensten Probleme darstellen.
Entladungen im Vakuum lassen sich in zwei Typen unterteilen, nämlich diffuse Entladungen und konzentrierte Entladungen.
Eine diffuse Entladung besteht aus einer Anzahl von konisch geformten Plasmasäulen, die sich über den Kathoden-brennflecken befinden, wo Elektronen, Neutralteilchen und Ionen emittiert werden. Im Falle von Kupfer gilt, dass bis zu einer Stromstärke von etwa 100 Ampere ein Brennfleck entsteht. Beim Übersteigen dieses Stromwertes teilt sich der
Brennfleck auf, so dass bei einem nominalen Stromwert von beispielsweise 5000 Ampere im Mittel etwa 50 Kathoden-brennflecke auftreten. Die Erhöhung der Anzahl der Katho-denbrennflecke in Abhängigkeit vom Wert des Stromes ist je-5 doch nicht unbegrenzt. Je nach dem Kontaktstückdurchmesser, dem Kontaktabstand und dem Kontaktmaterial tritt bei etwa 10 kA eine konzentrierte Entladung auf, bei der sich eine grosse Anzahl von Kathodenbrennflecken in einer Lichtbogensäule vereinigen. Eine solche Lichtbogensäule hat eine we-10 sentlich höhere Lichtintensität und Energiedichte als eine diffuse Entladung und die Lichtbogenspannung, die im Falle der diffusen Entladung etwa 20 Volt beträgt, kann bis etwa 180 Volt ansteigen. Eine solche konzentrierte Entladung kann eine starke örtliche Kontakterosion verursachen.
15 Durch geeignete Massnahmen, z.B. die Erzeugung eines axialen Magnetfeldes geeigneter Grösse, lässt sich die diffuse Entladung in einem wesentlich grösseren Strombereich aufrechterhalten, z.B. bis etwa 30 kA, und man kann gleichzeitig durch Verwendung geeigneter Schalterkontaktstücke, die 20 nach den oben erläuterten bekannten Verfahren hergestellt sind, eine niedrige Lichtbogenspannung und Kontakterosion aufrecht erhalten.
Durch Verwendung der nach dem Verfahren gemäss der Erfindung hergestellten Schalterkontaktstücke lässt sich nun 25 nicht nur die Kontakterosion weiter herabsetzen, sondern auch die anderen oben erwähnten Eigenschaften erheblich verbessern. Dies ergibt eine wesentlich höhere Lebensdauer von Vakuumschaltern, die für höhere Nennströme und/oder höheres Schaltvermögen ausgelegt werden können, gleichzei-30 tig lässt sich eine höhere Spannungsfestigkeit und ein niedrigerer Abreissstrom, d.h. ein niedrigeres Zerhackungs- oder Chopping-Niveau erreichen.
Die Ionenimplantation wird vorteilhafterweise in einem Hochvakuum von 10~4 bis 10-7 mbar durchgeführt, indem Ionen einer bestimmten Atomart erzeugt und dann je nach dem speziellen Verwendungszweck auf Energie zwischen etwa 20 und 600 keV beschleunigt werden. Bei diesen Energien werden die Ionen in die Kontaktstückoberfläche hineingeschossen. Die Eindringtiefe hängt von der Ionensorte, der Ionenenergie und dem Target- oder Basismaterial, d.h. dem reinen ursprünglichen Kontaktmaterial, ab und kann vorteilhafterweise zwischen 0,1 und 1,0 Mikrometer hegen.
Als Basismaterial für die Schalterkontaktstücke wird vorteilhafterweise reines Kupfer verwendet. Für die Ionenimplantation gemäss dem vorliegenden Verfahren werden vorteilhafterweise bekannte Kontaktlegierungsmaterialien verwendet, wie Chrom, Eisen, Zirkonium, Titan Vanadium, Beryllium, Kobalt, Silicium, Nickel, Tantal, Wolfram, Molybdän und gegebenenfalls Kombinationen dieser Elemente. Das Verfahren gemäss der Erfindung ist jedoch nicht auf diese üblichen Legierungsmaterialien beschränkt.
Das Verfahren gemäss der Erfindung wird im folgenden anhand eines speziellen Ausführungsbeispieles näher erläu-55 tert, bei dem Cr52 in Cu implantiert wird.
Für die Implantation werden eine Beschleunigungskammer mit einem Beschleuniger des Types HVEE und eine Beschleunigungsspannung von 300 kV verwendet. Es wurde ferner ein Massenseparator mit einem Auflösungsvermögen 60 M/AM = 500 verwendet. Als Ionenquelle diente ein abgewandelter Typ HVEE 911A. Das verdampfte Material bestand aus gesintertem Chromnitrid (CrN).
Die Implantation wurde in einer Vakuumkammer mit einer flüssigen Stickstoff enthaltenden Kühlfalle durchgeführt 65 und im System wurde ein Arbeitsdruck gleich oder kleiner als 3 x 10~6 mbar aufrechterhalten.
Bei der Bearbeitung eines scheibenförmigen Schalterkontaktstück-Rohlings, dessen Radius 30 mm betrug, wurde der
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Ionenstrahl durch eine magnetische Ablenkvorrichtung rasterartig über eine Fläche von 70 x 70 m2 abgelenkt.
Die Anzahl der Teilchen wurde mittels eines Stromintegrators und einer Target-Spannung von +120 V gemessen. Die Teilchen (Ionen) erreichten eine Energie von 340 keV.
Bei einer Eindringtiefe von 0,3 |im betrug das Gesamtvolumen, in dem Teilchen von Cr52 implantiert wurden, 3 x 10-4 • 2827 mm3 = 0,848 mm3.
Das Verfahren wurde solange durchgeführt, bis die Konzentration der implantierten Teilchen mindestens 10 Gewichtsprozent betrug.
Selbstverständlich ist die Erfindung nicht auf die bei dem obigen Beispiel verwendeten Werte und Einrichtungen beschränkt. Auch das Basismaterial braucht nicht reines Kupfe zu sein. Man kann insbesondere mit anderen, vor allem höheren Konzentrationen an implantierten Ionen bzw. Fremdstoffen arbeiten. Der Implantationsprozess kann fortgesetzt werden, bis eine Dosis von mindestens 1 x 1017 Ionen/cm2 erreicht ist.
Mit dem Verfahren gemäss der Erfindung lassen sich aus-sergewöhnlich gute Ergebnisse erzielen, da die günstigen Eigenschaften von Legierungen erreicht werden, während die 10 ungünstigen Eigenschaften von Legierungen, wie niedrige Leitfähigkeit und niedrige Spannungsfestigkeit vermieden werden und in dieser Hinsicht die günstigen Eigenschaften vom Basismaterial, insbesondere reinem Kupfer, erhalten bleiben.
C
Claims (10)
1. Schalterkontaktstück mit einem Oberflächenbereich, an dem bei einem Schaltvorgang eine elektrische Entladung auftreten kann, dadurch gekennzeichnet, dass das den Oberflächenbereich bildende Material durch Ionenimplantation dotiert ist.
2. Verfahren zum Herstellen eines Schalterkontaktstücks nach Anspruch 1, insbesondere für einen Vakuumschalter, dadurch gekennzeichnet, dass Ionen eines Materials, das die Spannungsfestigkeit erhöht und/oder das Zerhackungs-Ni-veau herabsetzt und/oder die elektrische Leitfähigkeit erhöht, zumindest in einen Oberflächenbereich des Kontaktstückes implantiert werden, an dem bei einem Schaltvorgang eine Entladung auftreten kann.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Material aus einer Legierung oder einer Kombination von Werkstoffen besteht.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Material eines oder mehrere der Elemente Titan, Vanadium, Beryllium, Silicium, Nickel oder Tantal enthält.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Implantation mittels eines durch einen Beschleuniger auf eine Energie zwischen etwa 20 und 600 keV beschleunigten Ionenstrahls in einer Vakuumkammer erfolgt, in der ein Druck zwischen 10"4 und 10~7 mbar herrscht.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Ionen bis zu einer Tiefe von 0,1 bis 1,0 Mikrometer implantiert werden.
7.Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Implantation bis zu einer Fremdionenkonzentration von mindestens 10 Gewichtsprozent durchgeführt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Implantation bis zum Erreichen einer Dosis von mindestens 1 x 1017 Ionen/cm2 durchgeführt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das implantierte Material aus Cr52 besteht und mittels eines 340-keV-Ionenstrahls bei einem Druck von 3 x 10~6 mbar implantiert wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass der zur Implantation verwendete Ionenstrahl bezüglich der bestrahlten Oberfläche abgelenkt wird.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7905720A NL7905720A (nl) | 1979-07-24 | 1979-07-24 | Werkwijze voor het verbeteren van schakelkontakten, in het bijzonder voor vakuumschakelaars. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH652526A5 true CH652526A5 (de) | 1985-11-15 |
Family
ID=19833585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH5674/80A CH652526A5 (de) | 1979-07-24 | 1980-07-24 | Schalterkontaktstueck und verfahren zu seiner herstellung. |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4323590A (de) |
| JP (1) | JPS5618326A (de) |
| CH (1) | CH652526A5 (de) |
| DE (1) | DE3028115C2 (de) |
| FR (1) | FR2462011A1 (de) |
| GB (1) | GB2056177B (de) |
| IT (1) | IT1128960B (de) |
| NL (1) | NL7905720A (de) |
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| JPS59163726A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-14 | 株式会社日立製作所 | 真空しや断器 |
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- 1980-07-21 US US06/170,925 patent/US4323590A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-07-23 IT IT68176/80A patent/IT1128960B/it active
- 1980-07-23 FR FR8016192A patent/FR2462011A1/fr active Granted
- 1980-07-23 GB GB8024075A patent/GB2056177B/en not_active Expired
- 1980-07-24 CH CH5674/80A patent/CH652526A5/de not_active IP Right Cessation
- 1980-07-24 DE DE3028115A patent/DE3028115C2/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4323590A (en) | 1982-04-06 |
| IT1128960B (it) | 1986-06-04 |
| JPS5618326A (en) | 1981-02-21 |
| DE3028115C2 (de) | 1986-07-03 |
| NL7905720A (nl) | 1981-01-27 |
| GB2056177A (en) | 1981-03-11 |
| FR2462011A1 (fr) | 1981-02-06 |
| DE3028115A1 (de) | 1981-02-12 |
| IT8068176A0 (it) | 1980-07-23 |
| GB2056177B (en) | 1983-09-14 |
| FR2462011B1 (de) | 1984-02-17 |
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|---|---|---|---|
| PL | Patent ceased | ||
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