CH662421A5 - Piezoelektrischer kontaminationsdetektor. - Google Patents

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CH662421A5
CH662421A5 CH3826/83A CH382683A CH662421A5 CH 662421 A5 CH662421 A5 CH 662421A5 CH 3826/83 A CH3826/83 A CH 3826/83A CH 382683 A CH382683 A CH 382683A CH 662421 A5 CH662421 A5 CH 662421A5
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Description

30 Die vorliegende Erfindung betrifft einen piezoelektrischen Kontaminationsdetektor, bei welchem die Masse oder Schichtdicke der auf einer Oberfläche eines piezoelektrischen Messschwingers adsorbierten oder kondensierten gasförmigen, flüssigen oder festen Stoffe bestimmt wird.
35 An Bord von Raketen, Satelliten und dergleichen Flugkörpern muss die Kontamination kritischer Teile infolge Ausgasung und Verdampfung der verwendeten Konstruktionsmaterialien, deren Überzüge und Schmierstoffe durch eine restriktive Materialauswahl begrenzt und die verbleibende Kontamination der kritischen Teile kontrolliert werden.
Besonders gefährderte Teile sind : optische Elemente, wie Infrarot-Optiken, Sonnenenergie-Kollektoren, oder mechanische Teile wie Ventile, oder Strukturen, die mit Thermalanstrichen- und -schichten für ein bestimmtes thermaloptisches Verhalten (Emissions- und Reflexionsvermögen) versehen sind. Mit zunehmenden Einsatz tieftemperaturgekühlter Optiken und Sensoren und durch den Ersatz metallischer Werkstoffe durch organische Komponenten ist eine Verschärfung der Problematik entstanden und dadurch eine kontinuierliche, an Bord-Kontrolle der Kontamination notwendig geworden.
Eines der meist verwendeten Messverfahren beruht auf der Änderung der Schwingfrequenz eines piezoelektrischen Schwingers durch die zusätzliche Masse adsorbierter oder kondensierter Stoffe auf derjenigen Kristalloberfläche, die der Ausgasungsquelle zugewandt ist.
Bei Detektoren herkömmlicher Art werden zwei Schwingquarze verwendet, ein Messquarz und ein Referenzquarz, «o Diese werden üblicherweise übereinander angeordnet und zwar derart, dass der Messquarz den Referenzquarz zur Verhinderung seiner Kontamination abdeckt. Zur selektiven Bestimmung der Adsorption oder Kondensation verschiedener Stoffe muss die Temperatur des Messkristalls im 65 gewünschten Bereich kontrollierbar variiert werden können. Aus messtechnischen Gründen muss der Referenzquarz die gleiche Temperatur annehmen, da die Schwingfrequenz nicht nur von der Masse sondern auch von der Kristalltempeso
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ratur abhängt, die mit diskreten Temperaturfühlern meist zwischen den beiden Kristallen gemessen wird.
Wie verschiedene Autoren gezeigt haben, können trotz kompakter Bauweise beträchtliche Temperaturunterschiede zwischen beiden Quarzen entstehen, welche zu unkontrollierbaren und entsprechend nicht korrigierbaren Messfehlern führen. Ferner wurde festgestellt, dass mit einem diskreten Temperaturfühler, angebracht zwischen beiden Quarzen, nicht die wahre Temperatur des Messkristalls gemessen wird, sondern ungefähr diejenige der Quarzhalte-rung. Im weiteren kann mit solchen Detektoranordnungen eine Kontamination des Referenzquarzes nicht vollständig ausgeschlossen werden.
Bei solchen Detektorkonzepten dient der Referenzschwingquarz in erster Linie als Temperaturreferenz, da ein idealer Detektor einen Messschwingquarz ohne jeglichen Temperaturkoeffizienten enthalten sollte. Da keine solchen für den vorgesehenen Detektor geeigneten Quarzkristalle existieren, wird daher ein zweiter, idealerweise identischer Schwingquarz als Temperaturreferenz benutzt. Unvermeidliche Fabrikationstoleranzen des Kristall-Schnittwinkels führen aber in der Praxis zu abweichenden Temperaturkoeffizienten zwischen beiden Schwingquarzen, welche den Messwert verfälschen.
Von D.A. Wallace (Journal of Spacecraft, Vol. 17, No 2, 1980) wurde ein Ausgasungs-Detektor vorgeschlagen, bei dem durch die Verwendung eines Dublett-Quarzkristalls («doublet crystal») der Temperaturunterschied zwischen Mess-und Referenzkristall verringert werden kann. Diese Ausführung hat jedoch den Nachteil des Übersprechens zwischen den Resonanzzonen bedingt durch die mögliche Kopplung zwischen den unterschiedlichen Mess- und Referenzschwingungen. Diese Kopplung führt zu Frequenz-Unstabili-täten und Interferenzerscheinungen.
Zur Wiederverdampfung der adsorbierten und kondensierten Stoffe wird generell der Messkristall ausgeheizt. Bei den vorgenannten Detektorkonzepten wird dazu ein zusätzliches, diskretes Heizelement oder in gewissen Ausführungen der vorgenannte, diskrete Temperaturfühler verwendet. Da die Wärmeübertragung hauptsächlich indirekt durch Strahlungsaustausch erfolgt, ist der thermische Wirkungsgrad gering und somit der elektrische Leistungsbedarf bedeutend.
Zweck der vorliegenden Erfindung ist ein Detektorkonzept mit dem Ziel, die vorerwähnten Nachteile der ungenauen Temperaturfassung und -kontrolle bei piezoelektrischen Kontaminationsdetektoren zu vermeiden. Diese Aufgabe wurde so gelöst, dass mindestens der Messschwinger mit mindestens einem integrierten Dünnfilm-Temperaturfühler versehen ist. Durch die genaue Kenntnis der Kristalltemperatur wird eine elektronische oder numerische Korrektur des Temperatureinflusses auf die Schwingfrequenz ermöglicht. Damit besteht grundsätzlich die Möglichkeit, auf den Referenzschwinger zu verzichten; dies erfordert aber eine absolute Frequenzmessung, eine Forderung, die unter Laborbedingungen oft erfüllt werden kann. Falls auf den Referenzschwinger aus Gründen einer vereinfachten, weiteren Signalverarbeitung nicht verzichtet werden kann, ist durch die erfindungsgemässe Temperaturerfassung die Möglichkeit gegeben, den Effekt der Schnittwinkeldifferenz und der Temperaturdifferenz zwischen Mess- und Referenzschwinger zu korrigieren.
Als weiteren Vorteil des erfindungsgemässen Detektors besteht die Möglichkeit, den integrierten Temperaturfühler so auszubilden, dass er auch zur direkten Kristall-Ausheizung verwendbar ist, wodurch der thermische Wirkungsgrad verbessert und die aufzuwendende Heizleistung erniedrigt wird. Dazu sind widerstandsvergrössernde Geometrien, wie
Mäander-ähnliche Dünnfilm-Strukturen vorteilhaft. Es besteht auch die Möglichkeit, mindestens eine der Elektroden als Temperaturfühler und/oder Ausheizelement auszubilden.
Als Mess- und Referenzschwinger können alle geeigneten Materialien und Schnitte verwendet werden, bevorzugt werden aber für diese Anwendung AT- oder BT-Schnitt Quarzresonatoren und zwar wegen ihrer ökonomischen Herstellungsmethoden und weitverbreiteten Verwendung.
Als integrierte Dünnfilm-Temperaturfühler können Widerstandsfühler, Thermoelemente, Halbleitersensoren benutzt werden, bevorzugt werden für diese Anwendung metallische Dünnfilme. Diese Dünnfilme können, ebenso wie die Elektroden, durch physikalische, chemische und elektrochemische Gas-, Flüssigkeits- oder Feststoffreak-tionen aufgebracht werden, bevorzugt werden insbesondere Kathodenzerstäubung, Verdampfen oder elektrochemische Abscheidung.
Der erfindungsgemässe Detektor kann als Einkristall-Detektor, enthaltend als einzigen piezoelektrischen Schwinger den Messschwinger, als Zweikristall-Detektor, enthaltend den Messschwinger und den Referenzschwinger, sowie als Multikristall-Detektor für Spezialzwecke gebaut werden. Zudem sind verschiedene Ausführungsformen möglich.
Die Erfindung wird nachfolgend aufgrund eines Ausführungsbeispiels eines Zweikristall-Detektors erläutert:
Fig. 1 : Schnittbild der Anordnung des Kontaminationsdetektors
Fig. 2 : Aufsicht der Schwingquarz-Sensoren
Fig. 3 : Montage der Schwingquarze
Figur 1 zeigt den Messquarz 1 und den Referenzquarz 2, die auf der Basisplatte 3 der Kühl-/Heizkammer 4 montiert sind; diese ist vom Detektorgehäuse 5 umschlossen. Der Referenzquarz 2 ist vom Messquarz 1 durch eine als Kontaminationsschild wirkende Trennwand 6 und von der Kontaminationsquelle durch ein wärmedurchlässiges optisches Fenster 7 getrennt. Dieses optische Fenster 7 kann auch in der Öffnung des Detektorgehäuses angebracht sein, wenn das Kontaminationsschild zum Kontaminationsschutz des Referenzquarzes genügt. Der Sichtwinkel von Mess- und Referenzquarz wird durch ihre Blendenöffnungen 8 und 9 in der Kühl-/Heizkammer 4 und im Detektorgehäuse 5 definiert. Die Kühl-/Heizkammer 4 wird mit einem thermoelektri-schen Element 10 auf die Arbeitstemperatur gebracht, wobei der Montageflansch 11 als Wärmeabieiter bei Kühlung ausgebildet ist. Die Quarzoszillator-Elektronik 12 ist unmittelbar unter dem Montageflansch 11 in einem thermisch separierbaren Gehäuse 13, nahe bei den beiden Schwingquarzen eingebaut. Über einen Durchgangsstecker 14 werden die elektrischen Signale dem Messystem zugeführt.
Figur 2 zeigt eine mögliche Ausführung der Schwingquarze, bei dem zusätzlich zu den Elektroden 15 ein integrierter, Mäander-förmiger Temperaturfühler 16 aufgebracht ist.
Figur 3 zeigt die Montage der Schwingquarze innerhalb der Kühl-/Heizkammer 4. Beide Quarze sind einzeln über elektrisch isolierte Durchführungen 17 in der Basisplatte 3 montiert, wobei die Quarze selbst über eine elastische Aufhängung 18 an den Durchführungen 17 angelötet sind.
Um die Wärmeverluste, hervorgerufen durch den möglichen Temperaturunterschied zwischen der Kühl-/Heiz-kammer4 und dem Detektorgehäuse 5 klein zu halten, sind die entsprechenden Flächen 19 durch einen Thermalanstrich oder -beschichtung mit geringer thermaloptischer Emission und hoher Reflexion im interessierenden Temperaturbereich
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versehen. Dies gilt ebenfalls für Flächen, die direkten Wärmequellen, wie z.B. der Sonne ausgesetzt sind.
Da hingegen die Wärmeübertragung zwischen der Kühl-/ Heizkammer 4 und den beiden Schwingquarzen 1 und 2 zur Erreichung eines niedrigen Leistungsbedarfs möglichst hoch sein soll, sind die inneren Flächen 20 der Kühl-/Heiz-kammer 4 durch einen Thermalanstrich oder -beschichtung so versehen, dass im interessierenden Temperaturbereich deren thermaloptische Emissions- und Absorptionswerte möglichst nahe an Werte des Schwarzen Körpers kommen.
Abgesehen von den Weltraum-Anwendungen kann der erfindungsgemässe Detektor und seine Einzelteile auch zur Verbesserung von Detektoren für konventionelle Anwen-s düngen verwendet werden, wie Aufwachsraten-Monitore für die Beschichtungstechnologien, Aerosol-Partikel-Analysa-toren für den Umweltschutz und Seismische Detektoren für die Erdbeben-Frühwarnung.
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3 Blatt Zeichnunger

Claims (19)

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    PATENTANSPRÜCHE
    1. Piezoelektrischer Kontaminationsdetektor, bei welchem die Masse oder Schichtdicke der auf einer Oberfläche eines piezoelektrischen Messschwingers adsorbierten oder kondensierten gasförmigen, flüssigen oder festen Stoffe bestimmt wird, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens der piezoelektrische Messschwinger mit mindestens einem integrierten Dünnfilm-Temperaturfühler versehen ist.
  2. 2. Piezoelektrischer Kontaminationsdetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der integrierte Dünnfilm-Temperaturfühler ein Widerstand ist.
  3. 3. Piezoelektrischer Kontaminationsdetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der integrierte Dünnfilm-Temperaturfühler ein Halbleiter ist.
  4. 4. Piezoelektrischer Kontaminationsdetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der integrierte Dünnfilm-Temperaturfühler ein Thermoelement ist.
  5. 5. Piezoelektrischer Kontaminationsdetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Elektrode gleichfalls als Dünnfilm-Wiederstands-Tempera-turfühler ausgebildet ist.
  6. 6. Piezoelektrischer Kontaminationsdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass zur Ausheizung des Messschwingers eine vom Messschwinger getrennte Widerständsheizung eingebaut ist.
  7. 7. Piezoelektrischer Kontaminationsdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass zur Ausheizung des Messschwingers, auf seiner Oberfläche eine vom Dünnfilm-Temperaturfühler getrennte, integrierte Widerstandsheizung angebracht ist.
  8. 8. Piezoelektrischer Kontaminationsdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Dünnfilm-Temperaturfühler gleichfalls als Heizelement zur Ausheizung des Messschwingers ausgebildet ist.
  9. 9. Piezoelektrischer Kontaminationsdetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektroden des Messschwingers gleichfalls als Dünnfilm-Temperaturfühler als auch Heizelement zur Ausheizung des Messkristalls ausgebildet sind.
  10. 10. Piezoelektrischer Kontaminationsdetektor nach Anspruch 2 und einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die integrierten Dünnfilm-Temperatur-fühler und Heizelemente aus einer widerstandsvergrös-sernden Geometrie, insbesondere aus einer mäander- oder mäanderähnlichen Struktur bestehen.
  11. 11. Piezoelektrischer Kontaminationsdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass zusätzlich zum Messschwinger (1) ein zweiter, vom ersten durch ein Kontaminationsschild (6) getrennter, und durch ein optisches Fenster (7) vor Kontamination, nicht aber vor Wärmestrahlung geschützter Referenzschwinger (2) in einer Kühl/Heizkammer (4) eingebaut ist.
  12. 12. Piezoelektrischer Kontaminationsdetektor nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Referenzschwinger (2) mit mindestens einem integrierten Dünnfilm-Temperaturfühler versehen ist.
  13. 13. Piezoelektrischer Kontaminationsdetektor nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Fenster (7) an der Kühl/Heizkammer (4) angebracht ist.
  14. 14. Piezoelektrischer Kontaminationsdetektor nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Fenster (7) am Detektorgehäuse (5) angebracht ist.
  15. 15. Piezoelektrischer Kontaminationsdetektor nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Kühlung/ Heizung der Kühl/Heizkammer (4) mit einem thermoelek-trischen Element erfolgt.
  16. 16. Piezoelektrischer Kontaminationsdetektor nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass zur Verringerung der Wärmeabgabe der Aussenwand der Kühl/Heizkammer (4) an das Detektorgehäuse (5), die Aussenflächen (19) der Kühl/Heizkammer (4) und die Innenflächen (19) des Detektorgehäuses (5) mindestens teilweise mit einem s Thermalanstrich oder -Beschichtung von geringer thermal-optischer Emmission, jedoch hoher Reflexion versehen sind.
  17. 17. Piezoelektrischer Kontaminationsdetektor nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass zur Begünstigung der Wärmeübertragung zwischen der Heiz/Kühl-
    10 kammer (4) und den beiden piezoelektrischen Schwingern (1,2) die Innenflächen (20) der Kühl/Heizkammer (4) mindestens teilweise mit einem Thermalanstrich oder -Beschichtung versehen sind, deren thermaloptische Emissions- und Absorptionswerte möglichst nahe an Werte des schwarzen 15 Körpers kommen.
  18. 18. Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Kontaminationsdetektors nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektroden (15) und die integrierten Dünnfilm-Temperaturfühler und Heizelemente
    20 durch physikalische, chemische und elektrochemische Gas-Flüssigkeits-, oder Feststoffreaktionen aufgebracht werden.
  19. 19. Verwendung des piezoelektrischen Kontaminationsdetektors nach einem der Ansprüche 1 bis 17 zur Bestimmung der Massenablagerung durch Ausgasung von Materialien im
    25 Vakuum.
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DE19843422741 DE3422741A1 (de) 1983-07-13 1984-06-19 Piezoelektrischer kontaminationsdetektor
GB08416481A GB2149109B (en) 1983-07-13 1984-06-28 Piezoelectric contamination detector
US06/625,550 US4561286A (en) 1983-07-13 1984-06-28 Piezoelectric contamination detector
NL8402080A NL191803C (nl) 1983-07-13 1984-06-29 Piëzo-elektrische verontreinigingsdetektor.
JP59140436A JPS6039530A (ja) 1983-07-13 1984-07-06 圧電汚染検出器
FR848411046A FR2549219B1 (fr) 1983-07-13 1984-07-11 Detecteur de contamination piezo-electrique

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Families Citing this family (107)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1227357A (en) * 1985-02-12 1987-09-29 Minister Of National Defence Method and apparatus for detecting presence and concentration of vapours in gaseous fluids
JPS61231419A (ja) * 1985-04-08 1986-10-15 Nok Corp 有機物質の微量測定法
JPH0446202Y2 (de) * 1985-07-12 1992-10-29
US4928513A (en) * 1986-07-29 1990-05-29 Sharp Kabushiki Kaisha Sensor
US4917499A (en) * 1986-10-03 1990-04-17 Hughes Aircraft Company Apparatus for analyzing contamination
DE3644821A1 (de) * 1986-12-31 1988-11-17 Gyulai Maria Dobosne Anordnung und verfahren fuer den einbau und den austausch von sensoren in geraeten aller art
US4801837A (en) * 1987-01-09 1989-01-31 Tello Adams Piezoelectric load measurement apparatus and circuits
US4905701A (en) * 1988-06-15 1990-03-06 National Research Development Corporation Apparatus and method for detecting small changes in attached mass of piezoelectric devices used as sensors
GB8828277D0 (en) * 1988-12-03 1989-01-05 Glasgow College Enterprises Lt Dust monitors & dust monitoring
GB8922601D0 (en) * 1989-10-06 1989-11-22 Rolls Royce Plc Thermal piezoelectric microbalance and method of using the same
FR2656925B1 (fr) * 1990-01-08 1992-05-15 Eg G Capteur d'humidite et installation de mesure comportant une pluralite de tels capteurs.
US5112642A (en) * 1990-03-30 1992-05-12 Leybold Inficon, Inc. Measuring and controlling deposition on a piezoelectric monitor crystal
US5004914A (en) * 1990-04-20 1991-04-02 Hughes Aircraft Company Fiber-optic interferometric chemical sensor
EP0502197A4 (en) * 1990-08-24 1993-03-31 Vsesojuzny Nauchno-Issledovatelsky Institut Prirodnykh Gazov (Vniigaz) Method and device for determining physical state parameters of a medium
US5542298A (en) * 1990-08-24 1996-08-06 Sarvazian; Armen P. Method for determining physical stage parameters of a medium and an apparatus for carrying out same
US5201215A (en) * 1991-10-17 1993-04-13 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method for simultaneous measurement of mass loading and fluid property changes using a quartz crystal microbalance
DE4218926A1 (de) * 1992-06-10 1993-12-16 Asea Brown Boveri Vorrichtung zur Messung einer Gasdichte
AU4657193A (en) * 1992-07-02 1994-01-31 Purafil, Inc. Corrosion profiling and diagnostic system
AT399052B (de) * 1992-07-21 1995-03-27 Avl Verbrennungskraft Messtech Sensoreinrichtung zur bestimmung der masse eines flüssigkeitsfilmes
JP3094190B2 (ja) * 1993-03-17 2000-10-03 セイコーインスツルメンツ株式会社 化学計測装置
WO1994028372A1 (en) * 1993-05-25 1994-12-08 Rosemount Inc. Organic chemical sensor
JP3239542B2 (ja) * 1993-06-21 2001-12-17 株式会社村田製作所 振動ジャイロの調整装置
US5476002A (en) * 1993-07-22 1995-12-19 Femtometrics, Inc. High sensitivity real-time NVR monitor
DE4332944A1 (de) * 1993-09-28 1995-03-30 Bosch Gmbh Robert Sensor mit einer Quarz-Stimmgabel
DE4424422C2 (de) * 1994-07-12 1996-08-01 Lies Hans Dieter Prof Dr Vorrichtung zum Bestimmen der Konzentration einer Flüssigkeitsmischung
DE9416564U1 (de) * 1994-10-14 1996-02-15 Pector GmbH, 82054 Sauerlach Vorrichtung zur Bestimmung der Zusammensetzung von Gasmischungen
SE504199C2 (sv) * 1995-05-04 1996-12-02 Bengt Kasemo Anordning vid mätning av resonansfrekvens och/eller dissipationsfaktor hos en piezoelektrisk kristallmikrovåg
GB9523812D0 (en) * 1995-11-21 1996-01-24 Sun Electric Uk Ltd Method and apparatus for analysis of particulate content of gases
US5852229A (en) * 1996-05-29 1998-12-22 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Piezoelectric resonator chemical sensing device
US5918258A (en) 1996-07-11 1999-06-29 Bowers; William D. High-sensitivity instrument to measure NVR in fluids
US6020047A (en) * 1996-09-04 2000-02-01 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Polymer films having a printed self-assembling monolayer
GB2333509B (en) 1996-11-01 2000-11-15 Bp Oil Int Testing device and method of use
RU2094804C1 (ru) * 1997-01-16 1997-10-27 Виталий Васильевич Баранов Химический сенсор для определения пропанона-2 в воздухе, устройство для определения пропанона-2 в выдыхаемом воздухе и способ диагностики гиперкетонемии
US6180288B1 (en) 1997-03-21 2001-01-30 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Gel sensors and method of use thereof
EP1036315A4 (de) * 1997-12-02 2001-02-07 Allan L Smith Vorrichtung und verfahren zur gleichzeitgen messung von masse-und wärmeveränder-ungen
US6060256A (en) 1997-12-16 2000-05-09 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Optical diffraction biosensor
US6167747B1 (en) 1998-08-14 2001-01-02 Tokheim Corporation Apparatus for detecting hydrocarbon using crystal oscillators within fuel dispensers
US6125687A (en) * 1998-08-20 2000-10-03 International Business Machines Corporation Apparatus for measuring outgassing of volatile materials from an object
US6221579B1 (en) 1998-12-11 2001-04-24 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Patterned binding of functionalized microspheres for optical diffraction-based biosensors
US6579673B2 (en) 1998-12-17 2003-06-17 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Patterned deposition of antibody binding protein for optical diffraction-based biosensors
DE19914109C2 (de) * 1999-03-23 2001-10-11 Atotech Deutschland Gmbh Halterung für einen Schwingquarz
US6250140B1 (en) 1999-06-22 2001-06-26 Nalco Chemical Company Method for measuring the rate of a fouling reaction induced by heat transfer using a piezoelectric microbalance
US6223789B1 (en) * 1999-06-24 2001-05-01 Tokheim Corporation Regulation of vapor pump valve
EP1065735B1 (de) * 1999-06-29 2007-03-07 Siemens Aktiengesellschaft Piezoaktor mit einer elektrisch leitenden Mehrschichtfolie
AU1456801A (en) * 1999-11-01 2001-05-14 Johns Hopkins University, The Self-monitoring controller for quartz crystal microbalance sensors
US7167615B1 (en) 1999-11-05 2007-01-23 Board Of Regents, The University Of Texas System Resonant waveguide-grating filters and sensors and methods for making and using same
US6399295B1 (en) 1999-12-17 2002-06-04 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Use of wicking agent to eliminate wash steps for optical diffraction-based biosensors
AU8397701A (en) * 2000-08-08 2002-02-18 Smithkline Beecham Plc Novel device
US6448697B1 (en) * 2000-12-28 2002-09-10 Cts Corporation Piezoelectric device having increased mechanical compliance
US6668618B2 (en) 2001-04-23 2003-12-30 Agilent Technologies, Inc. Systems and methods of monitoring thin film deposition
US7102752B2 (en) 2001-12-11 2006-09-05 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Systems to view and analyze the results from diffraction-based diagnostics
US7098041B2 (en) 2001-12-11 2006-08-29 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Methods to view and analyze the results from diffraction-based diagnostics
US20030119203A1 (en) 2001-12-24 2003-06-26 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Lateral flow assay devices and methods for conducting assays
US8367013B2 (en) 2001-12-24 2013-02-05 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Reading device, method, and system for conducting lateral flow assays
US7771922B2 (en) 2002-05-03 2010-08-10 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Biomolecule diagnostic device
US7485453B2 (en) 2002-05-03 2009-02-03 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Diffraction-based diagnostic devices
US7223368B2 (en) 2002-05-03 2007-05-29 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Diffraction-based diagnostic devices
US7118855B2 (en) * 2002-05-03 2006-10-10 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Diffraction-based diagnostic devices
US7214530B2 (en) 2002-05-03 2007-05-08 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Biomolecule diagnostic devices and method for producing biomolecule diagnostic devices
US7223534B2 (en) 2002-05-03 2007-05-29 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Diffraction-based diagnostic devices
US7091049B2 (en) 2002-06-26 2006-08-15 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Enhanced diffraction-based biosensor devices
US7432105B2 (en) 2002-08-27 2008-10-07 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Self-calibration system for a magnetic binding assay
US7314763B2 (en) 2002-08-27 2008-01-01 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Fluidics-based assay devices
US7285424B2 (en) 2002-08-27 2007-10-23 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Membrane-based assay devices
US7169550B2 (en) * 2002-09-26 2007-01-30 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Diffraction-based diagnostic devices
US6922118B2 (en) * 2002-11-01 2005-07-26 Hrl Laboratories, Llc Micro electrical mechanical system (MEMS) tuning using focused ion beams
EP1418424A1 (de) * 2002-11-05 2004-05-12 Hok Instrument AB Gasgehaltsmessmikroverfahren
US7781172B2 (en) 2003-11-21 2010-08-24 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Method for extending the dynamic detection range of assay devices
US20040141541A1 (en) * 2002-12-02 2004-07-22 John Williams MEMS-based thermogravimetric analyzer
US7247500B2 (en) 2002-12-19 2007-07-24 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Reduction of the hook effect in membrane-based assay devices
US7030982B1 (en) 2002-12-31 2006-04-18 J.A. Woollam Co., Inc. Combined use of oscillating means and ellipsometry to determine uncorrelated effective thickness and optical constants of accumulated material
US7209234B2 (en) 2002-12-31 2007-04-24 J.A. Woollam Co., Inc. Combined use of oscillating means and ellipsometry to determine uncorrelated effective thickness and optical constants of material deposited from a fluid
US7091427B2 (en) * 2003-01-28 2006-08-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Apparatus using resonance of a cavity to determine mass of a load
US7851209B2 (en) 2003-04-03 2010-12-14 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Reduction of the hook effect in assay devices
US20040197819A1 (en) 2003-04-03 2004-10-07 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Assay devices that utilize hollow particles
US7275436B2 (en) * 2003-04-21 2007-10-02 Tangidyne Corporation Method and apparatus for measuring film thickness and film thickness growth
US6820485B2 (en) * 2003-04-21 2004-11-23 Tangidyne Corporation Method and apparatus for measuring film thickness and film thickness growth
JP4329492B2 (ja) * 2003-10-28 2009-09-09 セイコーエプソン株式会社 圧電振動片と圧電デバイスおよびこれらの製造方法、ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話装置および圧電デバイスを利用した電子機器
US7943395B2 (en) 2003-11-21 2011-05-17 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Extension of the dynamic detection range of assay devices
US20050112703A1 (en) 2003-11-21 2005-05-26 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Membrane-based lateral flow assay devices that utilize phosphorescent detection
US7713748B2 (en) 2003-11-21 2010-05-11 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Method of reducing the sensitivity of assay devices
DE10357611A1 (de) * 2003-12-10 2005-07-07 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Erfassen von Partikeln in einem Abgas
US7943089B2 (en) 2003-12-19 2011-05-17 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Laminated assay devices
US7521226B2 (en) 2004-06-30 2009-04-21 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. One-step enzymatic and amine detection technique
RU2274854C1 (ru) * 2004-08-03 2006-04-20 Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Омский Государственный Технический Университет" Пьезорезонансный газовый датчик
ITVR20040149A1 (it) * 2004-09-22 2004-12-22 Sanitaria Scaligera Spa Sistema di monitoraggio rapido del gruppo sanguigno e per la rivelazione di reazioni immunoematologiche
RU2281485C1 (ru) * 2005-02-28 2006-08-10 Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Омский Государственный Технический Университет" Полупроводниковый газовый датчик
EP1891405A4 (de) * 2005-06-17 2014-01-22 Tangidyne Corp Verfahren und vorrichtung zum messen der schichtdicke und des wachstums der schichtdicke
JP4872576B2 (ja) * 2006-09-28 2012-02-08 凸版印刷株式会社 球状弾性表面波素子及びその駆動方法、温度計測装置
US20080236481A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Intevac Corporation Method of and apparatus for monitoring mass flow rate of lubricant vapor forming lubricant coatings of magnetic disks
US20090047417A1 (en) * 2007-03-30 2009-02-19 Barnes Michael S Method and system for vapor phase application of lubricant in disk media manufacturing process
US8109161B2 (en) * 2008-02-27 2012-02-07 Baker Hughes Incorporated Methods and apparatus for monitoring deposit formation in gas systems
DE102008050266A1 (de) * 2008-10-07 2010-04-08 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Vorrichtung zur Bestimmung und/oder Überwachung einer Prozessgröße eines Mediums
JP5347684B2 (ja) * 2009-04-22 2013-11-20 富士通株式会社 温度補償型水晶発振器、温度補償型水晶発振器を実装したプリント基板、及び温度補償型水晶発振器を搭載した電子機器
JP5624864B2 (ja) * 2010-12-06 2014-11-12 日本電波工業株式会社 温度制御型水晶振動子及び水晶発振器
JP5740274B2 (ja) * 2011-09-30 2015-06-24 京セラクリスタルデバイス株式会社 微少質量測定用センサ素子
WO2014003726A1 (en) * 2012-06-26 2014-01-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Geological seismic sensing apparatus temperature control
CN102818815B (zh) * 2012-08-16 2014-06-18 安徽万瑞冷电科技有限公司 热真空释气试验装置
US9128010B2 (en) * 2013-03-14 2015-09-08 Ecolab Usa Inc. Device and methods of using a piezoelectric microbalance sensor
US8945371B2 (en) 2013-03-14 2015-02-03 Ecolab Usa Inc. Device and methods of using a piezoelectric microbalance sensor
US9971341B2 (en) 2014-01-06 2018-05-15 Globalfoundries Inc. Crystal oscillator and the use thereof in semiconductor fabrication
US10048059B1 (en) 2015-08-21 2018-08-14 J. A. Woollam Co., Inc Combined use of oscillating means and ellipsometry to determine uncorrelated effective thickness and optical constants of material deposited at or etched from a working electrode that preferrably comprises non-normal oriented nanofibers
JP6502528B2 (ja) * 2015-09-22 2019-04-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 発振水晶のための拡散バリア、堆積速度を測定するための測定アセンブリ及びその方法
CN106370570B (zh) * 2016-08-25 2020-07-10 北京小米移动软件有限公司 颗粒物测量值的校准方法及装置
JP6714235B2 (ja) 2016-11-14 2020-06-24 日本電波工業株式会社 物質検出システム及び物質検出方法
IT201900006274A1 (it) * 2019-04-23 2020-10-23 Nuovo Pignone Tecnologie Srl Disposizione con sensore e metodo per misurare sporcamento o erosione o corrosione, nonché macchina che monitorizza sporcamento o erosione o corrosione
FR3142006A1 (fr) * 2022-11-10 2024-05-17 Centre National d'Études Spatiales Appareil pour mesurer un taux d’humidité dans l’air

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1094677A (en) * 1961-05-15 1967-12-13 Exxon Research Engineering Co Integral heater piezoelectric devices
US3329004A (en) * 1963-09-23 1967-07-04 Exxon Research Engineering Co Coated piezoelectric analyzer
GB1062059A (en) * 1964-07-08 1967-03-15 Ultra Electronics Ltd Quartz crystal temperature control
US3478573A (en) * 1965-07-29 1969-11-18 Exxon Research Engineering Co Integral heater piezoelectric devices
DE1548215A1 (de) * 1966-05-04 1969-05-14 Feinpruef Gmbh Verfahren und Schaltungsanordnung zur Messung der relativen Abweichungen von Laengen bezogen auf eine Sollaenge
CH440731A (de) * 1966-11-24 1967-07-31 Balzers Patent Beteilig Ag Verfahren und Anordnung zur Messung der Dicke von Aufdampfschichten
US3879992A (en) * 1970-05-12 1975-04-29 California Inst Of Techn Multiple crystal oscillator measuring apparatus
US3856466A (en) * 1971-01-04 1974-12-24 Exxon Research Engineering Co Fluid impurity analyzer
US3715563A (en) * 1971-04-19 1973-02-06 Frequency Electronics Inc Contact heaters for quartz crystals in evacuated enclosures
US3886785A (en) * 1971-11-15 1975-06-03 Ford Motor Co Gas sensor and method of manufacture
US3818254A (en) * 1973-01-18 1974-06-18 Quality Corp Thermally compensated crystal unit
US3828607A (en) * 1973-01-24 1974-08-13 Du Pont Phase lock detection and control for piezoelectric fluid analyzers
US3953844A (en) * 1973-04-11 1976-04-27 Celesco Industries Inc. Incipient fire detector
HU167641B (de) * 1974-02-07 1975-11-28
FR2298099A1 (fr) * 1975-01-15 1976-08-13 Aquitaine Petrole Dispositif pour la mesure de la masse des particules d'un aerosol par unite de volume
US4091303A (en) * 1975-08-21 1978-05-23 Chiba Tadataka Piezoelectric quartz vibrator with heating electrode means
JPS5360293A (en) * 1976-11-10 1978-05-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Frost detector
JPS55113904A (en) * 1979-02-26 1980-09-02 Hitachi Ltd Method of zero point temperature compensation for strain-electric signal transducer
DE2916427C2 (de) * 1979-04-23 1987-02-12 Hottinger Baldwin Messtechnik Gmbh, 6100 Darmstadt Meßumformer mit einer Feder und einer darauf applizierten Dehnungsmeßstreifenanordnung
US4259606A (en) * 1979-05-25 1981-03-31 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Fast warm-up oven controlled piezoelectric oscillator
EP0022444B1 (de) * 1979-07-04 1983-10-12 Kidde-Graviner Limited Nachweisen von Teilchen in einem Gasmedium
FI60079C (fi) * 1980-02-29 1981-11-10 Vaisala Oy Foerfarande och anordning foer angivande av daggpunkt eller liknande
DE3007747A1 (de) * 1980-02-29 1981-09-24 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Sensor fuer eine physikalische groesse
GB2076151B (en) * 1980-04-18 1984-05-02 Secr Social Service Brit Method and apparatus for detecting the presence of a contaminant in a gaseous carrier
JPS5649299A (en) * 1980-04-24 1981-05-02 Iwasaki Kosei Extrusion type note
CH644722A5 (de) * 1980-07-21 1984-08-15 Balzers Hochvakuum Schwingquarzmesskopf.

Also Published As

Publication number Publication date
NL8402080A (nl) 1985-02-01
US4561286A (en) 1985-12-31
DE3422741C2 (de) 1993-07-29
FR2549219A1 (fr) 1985-01-18
FR2549219B1 (fr) 1989-12-22
GB8416481D0 (en) 1984-08-01
JPS6039530A (ja) 1985-03-01
DE3422741A1 (de) 1985-02-14
GB2149109B (en) 1986-12-17
GB2149109A (en) 1985-06-05
NL191803C (nl) 1996-08-02
NL191803B (nl) 1996-04-01

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