CH691007A5 - Dispositif de miroir déformable et procédé pour sa fabrication. - Google Patents

Dispositif de miroir déformable et procédé pour sa fabrication. Download PDF

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CH691007A5 CH00981/96A CH98196A CH691007A5 CH 691007 A5 CH691007 A5 CH 691007A5 CH 00981/96 A CH00981/96 A CH 00981/96A CH 98196 A CH98196 A CH 98196A CH 691007 A5 CH691007 A5 CH 691007A5
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Description


  
 



  La présente invention concerne un dispositif de miroir déformable, appelée ci-après "DMD" ainsi qu'un procédé pour sa fabrication et, plus particulièrement, un DMD et un procédé pour sa fabrication qui augmente l'efficacité de la réflexion de la lumière et qui diminue les éventuelles détériorations occasionnées à une plaquette de circuit de commande de ce dispositif. 



  Un DMD qui est actionné de façon à tourner sous l'effet de forces électrostatiques pour réfléchir des faisceaux de lumière, est généralement appliqué à un écran de télévision à haute résolution. Un tel DMD est constitué de plusieurs miroirs réfléchissants 1 qui sont reliés, l'un à l'autre, par des articulations 3 de façon à pouvoir tourner par rapport à des montants 2, comme représenté à la fig. 1. Ce DMD utilise toutefois plusieurs montants 2, ce qui diminue son pouvoir de réfléchir la lumière. 



  Un procédé pour fabriquer le DMD qui est publié dans le brevet US N DEG  5 083 857, est décrit ci-après avec référence aux fig. 2A à 2D. 



  Comme représenté à la fig. 2A, une mémoire statique à accès aléatoire (SRAM) 502 et un film de protection en oxyde 501 sont formés, successivement, sur la surface d'un substrat 503 comprenant un circuit de balayage d'adresses. Ensuite, une première couche d'espacement 701 est formée sur le film de protection en oxyde 501 selon une structure prédéterminée 702. 



  Puis, comme représenté à la fig. 2B, une articulation 401 est formée par pulvérisation sur la surface de la première couche d'espacement 701 suivant la  structure prédéterminée 702. Une électrode 704 ayant un montant de support d'articulation 406 est formée sur la surface de l'articulation 401. 



  Comme représenté à la fig. 2C, une seconde couche d'espacement 705 est formée sur l'électrode 704 selon une structure prédéterminée. Ensuite, un miroir réfléchissant 200 ayant un montant 201 supportant ce miroir réfléchissant est formé sur la seconde couche d'espacement 705. Finalement, les première et seconde couches d'espacement 701 et 705 sont enlevées comme représenté à la fig. 2D. 



  Ici, le miroir réfléchissant 200 a généralement une surface réfléchissante formée par pulvérisation. 



  Toutefois, le DMD fabriqué par le procédé décrit ci-dessus, présente les inconvénients suivants. D'abord, étant donné que la mémoire SRAM 502, le film de protection en oxyde 501, la première couche d'espacement 701, I'articulation 401, le montant de support d'articulation 406, le miroir réfléchissant 200 et le montant de support 201 du miroir réfléchissant, sont déposés successivement sur la surface de substrat 503, une défaillance éventuelle dans la fabrication de l'articulation 401 et du miroir réfléchissant 200 peut provoquer une détérioration de la mémoire SRAM 502. 



  En outre, une portion convexe est produite dans la surface du miroir 200, puisque le montant de support 201 du miroir réfléchissant et le miroir réfléchissant 200 sont formés d'une pièce par pulvérisation, ce qui réduit l'efficacité de la réflexion de la lumière. 



  La présente invention vise à surmonter les problèmes mentionnés ci-dessus. Un but de la présente invention est de fournir un dispositif de miroir déformable et un procédé de fabrication de celui-ci, qui augmente l'efficacité de la réflexion de la lumière et diminue les éventuelles détériorations occasionnées à une plaquette de circuit de commande. 



  Pour atteindre ce but, le dispositif de miroir déformable selon l'invention comprend un substrat avec un circuit de balayage d'adresses, plusieurs électrodes formées sur la surface du substrat, un premier miroir mobile  disposé, de façon à pouvoir tourner, au-dessus des électrodes, un premier montant disposé entre les électrodes et le premier miroir mobile pour supporter le premier miroir mobile, un second montant formé sur la surface du premier miroir mobile, et un second miroir mobile supporté par le second montant de façon à pouvoir tourner et, dans ce dispositif, ledit second montant est formé verticalement entre le premier miroir mobile et le second miroir mobile. 



  Selon une forme d'exécution de la présente invention, les premier et second miroirs mobiles sont réalisés en aluminium. 



  Selon la présente invention, le procédé de fabrication d'un dispositif de miroir déformable comprenant un substrat avec un circuit de balayage d'adresses, plusieurs électrodes formées sur la surface du substrat, un premier miroir mobile disposé, de façon à pouvoir tourner, au-dessus des électrodes, un premier montant disposé entre les électrodes et le premier miroir mobile pour supporter le premier miroir mobile, un second montant formé sur la surface du premier miroir mobile et un second miroir mobile supporté par le second montant de façon à pouvoir tourner, comprend les étapes consistant à:
 former le second miroir mobile sur une base selon une structure prédéterminée;
 former le second montant sur le second miroir mobile;
 former le premier miroir mobile sur le second montant;
 former le premier montant sur le premier miroir mobile;
 former les électrodes sur le premier montant;

   et combiner le substrat avec un assemblage des premier et second miroirs mobiles des premier et second montants et les électrodes. 



  Les particularités, les avantages et le but de la présente invention apparaîtront plus clairement à la lumière de la description d'une forme d'exécution préférée donnée ci-dessous avec référence au dessin annexé dans lequel: 
 
   la fig. 1 est une vue en plan, schématique, d'un DMD usuel, 
   les fig. 2A à 2D illustrent les étapes du procédé de fabrication du DMD usuel; 
   les fig. 3A à 3N illustrent les étapes du procédé de fabrication d'un DMD selon la présente invention; et 
   la fig. 4 montre schématiquement un DMD selon la présente invention. 
 



  Comme le montre la fig. 4, dans le DMD selon l'invention, un film d'oxyde thermique 20 et une électrode selon une structure prédéterminée, sont formés sur la surface d'un substrat 10 comprenant un circuit de balayage d'adresses (non représenté). Un premier montant 40 est formé sur une électrode 30. Un premier miroir mobile 50 est supporté par le premier montant 40 de façon à pouvoir tourner. Un second montant 60 est formé sur le premier miroir mobile 50 et un second miroir mobile 70 est formé en étant supporté par le second montant 60 de façon à pouvoir tourner. 



  Selon une particularité de la présente invention, le second montant 60 est formé verticalement entre le premier miroir mobile 50 et le second miroir mobile 70. Le second montant 60 peut être formé par pulvérisation sur la surface inférieure du second miroir mobile 70. Par conséquent, aucune portion concave n'est produite à la limite du second montant 60 et du second miroir mobile 70, contrairement à l'art antérieur. Dans le présent exemple, le premier et le second miroir mobile 50 et 70 sont réalisés en aluminium. 



  Dans le DMD constitué comme décrit ci-dessus, lorsqu'un potentiel prédéterminé est appliqué au premier montant 40 par le circuit de balayage d'adresses du substrat 20, le premier miroir mobile 50 tourne conformément à la différence de potentiel. Ainsi, le second montant 60 et le second miroir mobile 70 supporté par le premier miroir mobile 50 tournent également. 



  Dans cette forme d'exécution, aucune portion concave n'est produite à la limite du second montant 60 avec le second miroir mobile 70 et l'efficacité de la  réflexion de lumière du second miroir mobile 70 est augmentée par rapport à celle des dispositifs de l'art antérieur. 



  Un procédé pour fabriquer un DMD selon la présente invention est décrit ci-après. 



  Comme représenté à la fig. 3A, le second miroir mobile 70 est réalisé de façon à avoir une forme prédéterminée sur une base 100 en silicium ou en verre. Ici, le second miroir mobile 70 est réalisé en aluminium par évaporation ou par pulvérisation. Comme représenté aux fig. 3B et 3C, une couche photorésistante 71 est formée sur la base 100, ainsi qu'un second miroir mobile 70 selon une structure prédéterminée. Comme le montre la fig. 3D, le second montant 60 est formé dans la structure de la première couche photorésistante 71. Ici, le second montant 60 est formé par pulvérisation de façon à s'étendre à partir du second miroir mobile 70. 



  Comme représenté aux fig. 3E et 3F, une seconde couche photorésistante 61 est formé sur le second montant 60 et la première couche photorésistante 71 selon une structure prédéterminée. Comme représenté à la fig. 3G, le premier miroir mobile 50 est formé selon la structure de la couche photorésistante 61. Ici, le premier miroir mobile 50 est réalisé en aluminium par évaporation ou par pulvérisation. Le second montant 60 est formé verticalement entre le premier miroir mobile et le second miroir mobile 70. 



  Ensuite, comme représenté aux fig. 3H et 3I, une troisième couche photorésistante 51 est forme sur le premier miroir mobile 50 et la seconde couche photorésistante 61 selon une structure prédéterminée. Comme représenté sur la fig. 3J, le premier montant 40 est formé dans la structure de la troisième couche photorésistante 51. 



  Ici, les premier et second montants 40 et 60 sont réalisés en un matériau conducteur. 



  Ensuite, comme représenté à la fig. 3K, une quatrième couche photorésistante 41 est formée sur le premier montant 40 et la troisième couche photorésistante 51 selon une structure prédéterminée. Comme représenté à la fig. 3L,  l'électrode 30 est formée dans la structure de la quatrième couche photorésistante 41. 



  Comme représenté aux fig. 3M et 3N, les premier et second miroirs mobiles 50 et 70, les premier et second montants 40 et 60 et l'électrode 30 qui sont formés au cours des étapes mentionnées ci-dessus, sont combinés sur le substrat 10 sur lequel sont formés le circuit de balayage d'adresses, l'électrode 11 et le film d'oxyde thermique 20. 



  Finalement, les couches photorésistantes sont enlevées et la base 100 est séparée pour obtenir un DMD complet, comme représenté à la fig. 4. 



  Le procédé décrit ci-dessus pour fabriquer le DMD selon la présente invention, a les avantages suivants: 



  D'abord, il permet d'éviter une détérioration du substrat 10 du fait d'une éventuelle défaillance dans la fabrication des premier et second miroirs mobiles 50 et 70, des premier et second montants 40 et 60 et de l'électrode 30, puisque le substrat 10 est fabriqué indépendamment des premier et second miroirs 50 et 70 des premier et second montants 40 et 60 et de l'électrode 30. 



  D'autre part, étant donné qu'aucune portion concave n'est produite à la limite du second montant 60 et du second miroir mobile 70, l'efficacité de la réflexion de la lumière peut être augmentée par rapport à celle obtenue par le procédé usuel.

Claims (8)

1. Dispositif de miroir déformable comprenant un substrat (10) avec un circuit de balayage d'adresses, plusieurs électrodes (30) formées sur la surface dudit substrat, un premier miroir mobile (50) disposé, de façon à pouvoir tourner, au-dessus desdites électrodes, un premier montant (40) disposé entre lesdites électrodes et ledit premier miroir mobile pour supporter ledit premier miroir mobile, un second montant (60) formé sur la surface dudit premier miroir mobile, et un second miroir mobile (70) supporté par ledit second montant de façon à pouvoir tourner, dispositif dans lequel ledit second montant est formé verticalement entre ledit premier miroir mobile et ledit second miroir mobile.
2. Dispositif de miroir déformable selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits premier et second miroirs sont réalisés en aluminium.
3.
Dispositif de miroir déformable selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits premier et second montants sont réalisés en un métal conducteur.
4. Procédé pour fabriquer un dispositif de miroir déformable comprenant un substrat (10) avec un circuit de balayage d'adresses, plusieurs électrodes (30) formées sur la surface dudit substrat, un premier miroir mobile (50) disposé de façon à pouvoir tourner au-dessus desdites électrodes, un premier montant (40) disposé entre lesdites électrodes et ledit premier miroir mobile pour supporter ledit premier miroir mobile, un second montant (60) formé sur la surface dudit premier miroir mobile et un second miroir mobile (70) supporté par ledit second montant de façon à pouvoir tourner, comprenant les étapes consistant à: former ledit second miroir mobile (70) sur une base (100) selon une structure prédéterminée;
former ledit second montant (60) sur ledit second miroir mobile (70); former ledit premier miroir mobile (50) sur ledit second montant (60); former ledit premier montant (40) sur ledit premier miroir mobile(50); former lesdites électrodes (30) sur ledit premier montant (40); et combiner ledit substrat avec un assemblage desdits premier et second miroirs, lesdits premier et second montants et lesdites électrodes.
5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que lesdits premier et second miroirs mobiles sont réalisés par pulvérisation d'aluminium.
6. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit premier et second miroirs mobiles sont réalisés par évaporation d'aluminium.
7. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que lesdits premier et second montants sont réalisés en un métal conducteur.
8.
Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit second montant est formé par pulvérisation de façon à s'étendre verticalement à partir du second miroir.
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Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6674562B1 (en) * 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7460291B2 (en) 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US7852545B2 (en) * 1994-05-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7929197B2 (en) * 1996-11-05 2011-04-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US7830588B2 (en) * 1996-12-19 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making a light modulating display device and associated transistor circuitry and structures thereof
DE19710559A1 (de) * 1997-03-14 1998-09-17 Bosch Gmbh Robert Sensor mit einem Dünnfilmelement
WO1999052006A2 (fr) 1998-04-08 1999-10-14 Etalon, Inc. Modulation interferometrique de rayonnement
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
KR100313851B1 (ko) * 1998-04-10 2001-12-12 윤종용 화상표시장치용마이크로미러디바이스
US6206528B1 (en) * 1998-09-30 2001-03-27 Euv Llc Surface figure control for coated optics
WO2003007049A1 (fr) * 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Mems et structures photoniques
KR100389865B1 (ko) 2001-03-02 2003-07-04 삼성전자주식회사 마이크로미러 디바이스 및 이를 채용한 프로젝터
JP2003022414A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Sony Corp バーコードリーダ
US6587613B2 (en) * 2001-07-24 2003-07-01 Innovative Technology Licensing, Llc Hybrid MEMS fabrication method and new optical MEMS device
US20030025981A1 (en) * 2001-07-31 2003-02-06 Ball Semiconductor, Inc. Micromachined optical phase shift device
US7183618B2 (en) * 2004-08-14 2007-02-27 Fusao Ishii Hinge for micro-mirror devices
CN100434962C (zh) * 2004-03-24 2008-11-19 德克萨斯仪器股份有限公司 具有中心脊部和周界棘状突起以减少挠曲的扭转铰接镜组件
US7944599B2 (en) 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7372613B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US8008736B2 (en) 2004-09-27 2011-08-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device
US7304784B2 (en) 2004-09-27 2007-12-04 Idc, Llc Reflective display device having viewable display on both sides
US7583429B2 (en) 2004-09-27 2009-09-01 Idc, Llc Ornamental display device
US7420725B2 (en) 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US7289259B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US7417783B2 (en) 2004-09-27 2008-08-26 Idc, Llc Mirror and mirror layer for optical modulator and method
US7564612B2 (en) 2004-09-27 2009-07-21 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US7630119B2 (en) 2004-09-27 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator
US7527995B2 (en) * 2004-09-27 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making prestructure for MEMS systems
US7936497B2 (en) 2004-09-27 2011-05-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence
US7884989B2 (en) 2005-05-27 2011-02-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. White interferometric modulators and methods for forming the same
US7916980B2 (en) 2006-01-13 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US7382515B2 (en) 2006-01-18 2008-06-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture
EP1835675A1 (fr) * 2006-03-14 2007-09-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Un procédé pour le couplage d'un réseau à commutation de circuit à un réseau à commutation basé sur le protocole internet
US7649671B2 (en) 2006-06-01 2010-01-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release
US7835061B2 (en) 2006-06-28 2010-11-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structures for free-standing electromechanical devices
US7527998B2 (en) 2006-06-30 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
US8115987B2 (en) 2007-02-01 2012-02-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Modulating the intensity of light from an interferometric reflector
US7643202B2 (en) 2007-05-09 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror
US7630121B2 (en) 2007-07-02 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US8068268B2 (en) 2007-07-03 2011-11-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices having improved uniformity and methods for making them
US7813029B2 (en) 2007-07-31 2010-10-12 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Devices and methods for enhancing color shift of interferometric modulators
US7847999B2 (en) 2007-09-14 2010-12-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator display devices
KR20100090257A (ko) 2007-10-19 2010-08-13 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. 광기전력 소자가 통합된 디스플레이
US8058549B2 (en) 2007-10-19 2011-11-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks
CN101836137A (zh) 2007-10-23 2010-09-15 高通Mems科技公司 基于微机电系统的可调整透射装置
US8941631B2 (en) 2007-11-16 2015-01-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Simultaneous light collection and illumination on an active display
US7863079B2 (en) * 2008-02-05 2011-01-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods of reducing CD loss in a microelectromechanical device
US8164821B2 (en) 2008-02-22 2012-04-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with thermal expansion balancing layer or stiffening layer
US7944604B2 (en) 2008-03-07 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator in transmission mode
US7612933B2 (en) 2008-03-27 2009-11-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with spacing layer
US7898723B2 (en) 2008-04-02 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical systems display element with photovoltaic structure
US7969638B2 (en) 2008-04-10 2011-06-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having thin black mask and method of fabricating the same
US8023167B2 (en) 2008-06-25 2011-09-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
US7859740B2 (en) 2008-07-11 2010-12-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Stiction mitigation with integrated mech micro-cantilevers through vertical stress gradient control
US7855826B2 (en) * 2008-08-12 2010-12-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus to reduce or eliminate stiction and image retention in interferometric modulator devices
US8358266B2 (en) 2008-09-02 2013-01-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light turning device with prismatic light turning features
US8270056B2 (en) 2009-03-23 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with openings between sub-pixels and method of making same
WO2010138761A1 (fr) 2009-05-29 2010-12-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dispositifs d'éclairage et leurs procédés de fabrication
US8270062B2 (en) 2009-09-17 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with at least one movable stop element
US8488228B2 (en) 2009-09-28 2013-07-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric display with interferometric reflector
KR20130100232A (ko) 2010-04-09 2013-09-10 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 전기 기계 디바이스의 기계층 및 그 형성 방법
CN103109315A (zh) 2010-08-17 2013-05-15 高通Mems科技公司 对干涉式显示装置中的电荷中性电极的激活和校准
US9057872B2 (en) 2010-08-31 2015-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dielectric enhanced mirror for IMOD display
US9134527B2 (en) 2011-04-04 2015-09-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8963159B2 (en) 2011-04-04 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same
US8736939B2 (en) 2011-11-04 2014-05-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Matching layer thin-films for an electromechanical systems reflective display device
CN109343213A (zh) * 2018-12-13 2019-02-15 中国科学院光电技术研究所 一种基于纳米多层膜的变形反射镜系统
CN113820850B (zh) * 2021-08-23 2023-08-11 中国科学院光电技术研究所 一种集成球面反射镜的mems微快门阵列器件

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5083857A (en) * 1990-06-29 1992-01-28 Texas Instruments Incorporated Multi-level deformable mirror device
US5083875A (en) * 1990-10-15 1992-01-28 W. L. Gore & Associates, Inc. Terminated high-strength fiber optic cables and method for termination thereof
US5212582A (en) * 1992-03-04 1993-05-18 Texas Instruments Incorporated Electrostatically controlled beam steering device and method
US5312513A (en) * 1992-04-03 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Methods of forming multiple phase light modulators
US5583688A (en) * 1993-12-21 1996-12-10 Texas Instruments Incorporated Multi-level digital micromirror device
US5485304A (en) * 1994-07-29 1996-01-16 Texas Instruments, Inc. Support posts for micro-mechanical devices

Also Published As

Publication number Publication date
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