CH694192A5 - Einphasig gekapseltes Schaltfeld fuer eine Hochspannungsschaltanlage. - Google Patents

Description

  



   Die Erfindung liegt auf dem Gebiet der Energieverteilung und ist  bei der räumlichen Ausgestaltung von einphasig gekapselten Schaltfeldern  einer dreiphasigen, gasisolierten Hochspannungsschaltanlage anzuwenden,  deren Leistungsschalter parallel nebeneinander liegend und deren  weitere Bausteine oberhalb des jeweiligen Leistungsschalters angeordnet  sind. 



   Bei Hochspannungsschaltanlagen der genannten Art wird der Polabstand  der einzelnen Phasen und damit die Breite des dreiphasigen Schaltfeldes  durch die Abmessungen, insbesondere den Durchmesser, der Kapselungsgehäuse  der Leistungsschalter bestimmt. Die Leistungsschalter sind dabei  in etwa mittig in ihrem jeweiligen Kapselungsgehäuse und zueinander  mit einem bestimmten Mittenabstand angeordnet. Die weiteren den Phasen  eines Schaltfeldes zugeordneten Bausteine sind im Übrigen oberhalb  oder unterhalb des jeweils zugehörigen Leistungsschalters mittig  zu einer vertikalen Ebene angeordnet.

   Hierzu sind die Kapselungsgehäuse  der Leistungsschalter derart mit vertikal ausgerichteten Anschlüssen  versehen, dass alle Bausteine des Schaltfeldes in die durch die Leistungsschalter  vorgegebene Polteilung eingefügt sind und auch die Aussenphasen benachbarter  Schaltfelder etwa denselben Polabstand haben (Zeitschrift Brown Boveri  Mitt. 4-73, Seiten 146/147). 



   Um die Polteilung eines einphasig gekapselten Schaltfeldes möglichst  klein zu machen, ist es bereits bekannt, die Kapselungsgehäuse der  drei Leistungsschalter einstückig in Form eines Gussgehäuses auszubilden  (DE 8 907 711 U, DE 8 907 710 U). 



   Ausgehend von einem einphasig gekapselten Schaltfeld mit den Merkmalen  des Oberbegriffes des Patentanspruches 1 liegt der    Erfindung die  Aufgabe zu Grunde, die für Servicezwecke erforderliche Zugänglichkeit  zu einzelnen Schaltfeldern einer Hochspannungsschaltanlage durch  eine veränderte räumliche Zuordnung der Bausteine eines Schaltfeldes  zu verbessern. 



   Bei der Lösung dieser Aufgabe geht die Erfindung von dem Grundgedanken  aus, dass bei einphasig gekapselten Hochspannungsschaltanlagen der  Pol-abstand der drei Phasen eines Schaltfeldes an sich durch die  Abmessungen der Kapselungsgehäuse der Leistungsschalter bestimmt  ist, dass aber die übrigen Bausteine des Schaltfeldes durch gezielte  hochspannungstechnische Massnahmen wie Erhöhung des Gasdruckes und  Optimierung des Feldverlaufes (durch entsprechende Formgebung der  spannungsführenden Teile) bezüglich des Durchmessers ihres Kapselungsgehäuses  kleiner bauend als das Kapselungsgehäuse der Leistungsschalter ausgestaltet  werden können.

   Dies wird im Rahmen der Erfindung gezielt ausgenutzt,  indem der Mittenabstand der den beiden äusseren Leistungsschaltern  zugeordneten vertikalen Ebenen von der dem mittleren Leistungsschalter  zugeordneten vertikalen Ebene kleiner ist als der Mittenabstand der  beiden äusseren Leistungsschalter vom mittleren Leistungsschalter.  Auf diese Weise sind die Bausteine der drei Phasen eines Schaltfeldes  einander eng benachbart, während sich zwischen den beiden nebeneinander  angeordneten äusseren Phasen zweier benachbarter Schaltfelder ein  grösserer Abstand ergibt. Dadurch wird die Zugänglichkeit zwischen  benachbarten Schaltfeldern wesentlich verbessert. 



   Konstruktiv wird die Erfindung zweckmässig -dadurch realisiert, dass  die Mittelachsen der Anschlüsse der beiden Kapselungsgehäuse der  aussen liegenden Leistungsschalter zur Mittelachse des jeweiligen  Leistungsschalters horizontal versetzt angeordnet sind. In diese  Ausgestaltung können auch stirnseitig an den Kapselungsgehäusen der  Leistungsschalter vorgesehene Anschlussflansche für Bausteine des  Schaltfeldes, beispielsweise Erdungsschalter, einbezogen werden und  demzufolge den gleichen kleineren Mittenabstand aufweisen. 



     Bei dieser Ausgestaltung eines Schaltfeldes weisen also die Leistungsschalter  eine grössere Polteilung als die weiteren Bausteine des Schaltfeldes  auf. 



   Ein Ausführungsbeispiel für die neuartige Ausgestaltung des Schaltfeldes  ist in den Fig. 1 bis 3 dargestellt. Dabei zeigt      Fig. 1  eine Draufsicht auf die drei nebeneinander angeordneten Kapselungsgehäuse  der Leistungsschalter,     Fig. 2 einen vertikalen Schnitt durch  ein Schaltfeld und     Fig. 3 eine Draufsicht auf zwei nebeneinander  angeordnete Schaltfelder.  



   Fig. 1 zeigt ein so genanntes Blockgehäuse 1, das zur Aufnahme der  drei Leistungsschalter eines einphasig gekapselten Schaltfeldes dient  und gemäss der DE 8 907 711 U ausgebildet ist. Das Blockgehäuse ist  mit drei Gehäuseteilen 11, 12 und 13 für die einzelnen Leistungsschalter  versehen. Jedem Gehäuseteil ist ein erster Anschlussflansch 14 und  ein zweiter Anschlussflansch 15 zugeordnet, durch die hindurch Zugang  zu den Stromanschlüssen 18 und 19 der einzelnen Leistunsschalter  gegeben ist. Jedes Gehäuseteil ist weiterhin an dem einen Ende mit  einem stirnseitigen Anschlussflansch 16 und am anderen Ende mit einem  stirnseitigen Anschlussflansch 17 versehen. Über die Anschlussflansche  17 werden die Antriebe für die Leistungsschalter angekoppelt. 



   Die Figur zeigt weiterhin einen Abstand f, der den Mittenabstand  der beiden äusseren Leistungsschalterpole vom mittleren Leistungsschalterpol  bezeichnet. Weiterhin ist ein Abstand a definiert. Dieser Abstand  bezeichnet den Mittenabstand der Anschlussflansche 14, 15 und 16  der beiden äusseren Gehäuseteile 11 und 13 von der Mittelachse der  Gehäuseflansche 14, 15 und 16 des mittleren Gehäuseteiles 12, wobei  diese Mittelachse mit der Mittelachse des mittleren Leistungsschalters  übereinstimmt. Der Abstand a ist kleiner gewählt als der Abstand    f, d.h. dass die Anschlussflansche 14, 15 und 16 der beiden äusseren  Gehäuseteile 11 und 13 nicht mittig, sondern nach innen seitlich  versetzt zu den jeweiligen Gehäuseteilen angeordnet sind.

   Dadurch  wird erreicht, dass die auf die Anschlussflansche 14 und 15 aufgesetzten  weiteren Bausteine des Schaltfeldes eine kleinere Polteilung als  die in dem Blockgehäuse 1 angeordneten Leistungsschalter aufweisen.                                                            



   Gemäss Fig. 2, die einen Blick auf die sammelschienenseitigen Bausteine  eines einphasig gekapselten Schaltfeldes zeigt, sind an die Anschlussflansche  15 des Blockgehäuses 1 jeweils zunächst ein Schottisolator 2, sodann  ein Sammelschienentrenner 3, sodann ein Zwischenstück 4 und ein weiterer  Sammelschienentrenner 5 aufgesetzt. Hier ist auch die seitlich versetzte  Anordnung der Anschlussflansche 15 bezüglich der vertikalen Mittelebene  der Gehäuseteile 11 und 13 des Blockgehäuses 1 zu erkennen, wobei  die Polteilung a der Bausteine 2 bis 5 kleiner ist als die Polteilung  f der die Leistungsschalter aufnehmenden Gehäuseteile 11, 12 und  13. 



   Fig. 3 zeigt zwei nebeneinander angeordnete Schaltfelder 10 und 20,  die jeweils die Feldbreite b aufweisen. Zusätzlich zu den Bausteinen  gemäss Fig. 2 sind hier eine dreiphasig gekapselte Sammelschiene  6 mit den Trennschalterantrieben 61, ferner die Leistungsschalterantriebe  7 sowie weitere Kapselungsbausteine 8 schematisch dargestellt. 



   In die Figur ist weiterhin die Polteilung a der über jedem Blockgehäuse  angeordneten weiteren Bausteine des Schaltfeldes eingezeichnet sowie  ein Abstand d, der grösser als die Polteilung a, aber auch grösser  als die in Fig. 1 und 2 gezeigte Polteilung f der Leistungsschalter  ist. Der Abstand d symbolisiert den Mittenabstand der beiden benachbarten  Aussenphasen der beiden nebeneinander liegenden Schaltfelder. - Weiterhin  ist ein Abstand e eingezeichnet, der den Zugangsfreiraum zwischen  den beiden benachbarten Schaltfeldern 10 und 20 symbolisiert.

Claims (3)

1. Einphasig gekapseltes Schaltfeld für eine dreiphasige, gasisolierte Hochspannungsschaltanlage, bei dem die drei Leistungsschalter in ihrem jeweiligen Kapselungsgehäuse parallel nebeneinander mit einem vorgegebenen Mittenabstand angeordnet sind, bei dem die Kapselungsgehäuse der drei Leistungsschalter zum Anschluss weiterer Bausteine des Schaltfeldes mit vertikal ausgerichteten Anschlüssen versehen sind und bei dem die weiteren einer Phase zugeordneten Bausteine des Schaltfeldes jeweils oberhalb des zugehörigen Leistungsschalters mittig zu einer vertikalen Ebene angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass der Mittenabstand (a) der den beiden äusseren Leistungsschaltern (11, 13) zugeordneten vertikalen Ebenen von der dem mittleren Leistungsschalter (12) zugeordneten vertikalen Ebene kleiner ist als der Mittenabstand (f)

der beiden äusseren Leistungsschalter (11, 13) vom mittleren Leistungsschalter (12).

2. Schaltfeld nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Mittelachsen der Anschlüsse (14, 15) der beiden Kapselungsgehäuse (11, 13) der aussen liegenden Leistungsschalter zur Mittelachse des jeweiligen Kapselungsgehäuses horizontal versetzt angeordnet sind.

3. Schaltfeld nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Kapselungsgehäuse (11, 12, 13) der Leistungsschalter auch stirnseitig mit einem Anschlussflansch (16) für einen weiteren Baustein versehen sind, dadurch gekennzeichnet, dass auch die stirnseitig angeordneten Anschlussflansche (16) den kleineren Mittenabstand (a) aufweisen.