CH71469A - Projectile d'artillerie - Google Patents

Projectile d'artillerie

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CH71469A
CH71469A CH71469A CH71469DA CH71469A CH 71469 A CH71469 A CH 71469A CH 71469 A CH71469 A CH 71469A CH 71469D A CH71469D A CH 71469DA CH 71469 A CH71469 A CH 71469A
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CH
Switzerland
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switching transistor
voltage
circuit arrangement
semiconductor components
stabilizer
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CH71469A
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English (en)
French (fr)
Inventor
Cie Des Forges Et Ac Homecourt
Original Assignee
Cie Forges Et Acieries Marine
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    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F42AMMUNITION; BLASTING
    • F42BEXPLOSIVE CHARGES, e.g. FOR BLASTING, FIREWORKS, AMMUNITION
    • F42B12/00Projectiles, missiles or mines characterised by the warhead, the intended effect, or the material
    • F42B12/02Projectiles, missiles or mines characterised by the warhead, the intended effect, or the material characterised by the warhead or the intended effect
    • F42B12/20Projectiles, missiles or mines characterised by the warhead, the intended effect, or the material characterised by the warhead or the intended effect of high-explosive type
    • F42B12/22Projectiles, missiles or mines characterised by the warhead, the intended effect, or the material characterised by the warhead or the intended effect of high-explosive type with fragmentation-hull construction
    • F42B12/28Projectiles, missiles or mines characterised by the warhead, the intended effect, or the material characterised by the warhead or the intended effect of high-explosive type with fragmentation-hull construction the projectile wall being built from annular elements

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Description


  
 



  Spannungs- und temperaturkompensierte Schaltungsanordnung für elektronische Uhren
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine spannungs- und temperaturkompensierte Schaltungsanordnung für elektronische Uhren mit Schalttransistor, Gleichspannungsquelle und wenigstens je einer Erregerund Antriebsspule, wobei zur Stabilisierung der Erreger- und/oder Antriebsspannung wenigstens je   zwei    in Serie liegende Halbleiterbauelemente vorgesehen sind.



   In einer   derarügen    bekannten Schaltungsanordnung gemäss der   Schweizer    Patentschrift Nr.   497 733    bestehen die Halbleiterbauelemente aus Halbleiterdioden, die parallel zur Antriebsspule oder zur Erregerspule in der gleichen Flussrichtung wie die wirksamen Ströme in den Spulen geschaltet sind, wobei die   Sehleusenspannung    einer einzelnen Diode unter 1 Volt liegt, die Summe der Schleusenspannungen der in Serie liegenden Dioden der zulässigen wirksamen Spannung an der betreffenden Spule entspricht und der fliessende   Strom    durch die   Diodenkombination    nach Erreichten der Schleusenspannung in der gleichen Richtung wie der Strom durch die betreffende Spule fliesst.



   Bei Versuchen, solche Schaltungsanordnungen unter Verwendung integrierter Schaltelemente, die sich immer mehr durchsetzen, aufzubauen, ergaben sich in der Praxis insofern erhebliche   Schwierigkeiten,    als sich die Halbleiterdioden nicht ohne weiteres integrieren lassen.



   Dagegen ist es   möglich,    aktive   Halbleiterbauele-    mente zu integrieren. Von dieser Möglichkeit ist insbesondere in der Verstärkertechnik Gebrauch gemacht worden; solche Verstärkerschaltungen sind z. B. beschrieben in dem Artikel von H. L. Morgan:   eTran-    sistor serves as a dc coupler, simplifies amplifier design, erschienen in der USA-Zeitschrift    Electronic    Design > , Band 16, Nr. 6 vom 14. 3. 1968 auf Seite 220, und in dem Artikel von R. Seymour:  A Monolithic RF/IF Amplifier and its   Applicationss,    erschienen in der USA-Zeitschrift    Wescon      Technicai      Paperss,Band    11, Teil 2, 1967 Nr. 1/1 Seite 1 bis 10.



   Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin, die Integration für die Spannungs- und Temperaturkompensation in elektronischen Uhren in der Weise nutzbar zu machen, dass die den bisherigen Kompensationsschaltungen noch anhaftenden Nachteile möglichst   vollkommen    beseitigt werden.



   Diese Aufgabe wird in einer   Schal tu ngsianordnung    der eingangs genannten Art erfindungsgemäss dadurch gelöst, dass zwischen der Basis des Schalttransistors und dem komplementären Pol der Gleichspannungsquelle ein vom Emitter des Schalttransistors über eine galvanische oder Widerstandsverbindung gesteuerter Stabilisator angeordnet ist, der aus aktiven, hintereinandergeschalteten und integrierten Halbleiterbauelementen gleicher Leitfähigkeit besteht.



   Der durch diese Schaltungsanordnung erzielbare technische und überraschende Fortschritt liegt darin, dass mit zunehmendem Emitterstrom (z. B. infolge Temperaturänderung) auch der im Nebenschluss über den Stabilisator fliessende Strom zunimmt, so dass die   da-    durch reduzierte   Basisspannung    des Schalttransistors ebenfalls eine Reduzierung des Emitterstromes und somit eine der Störgrösse genau proportionale Stabilisation bewirkt.



   Ein   Ausführungsbeispiel    des Erfindungsgegenstandes ist nachstehend anhand der Zeichnung erläutert.



   Die Zeichnung zeigt eine Schaltungsanordnung mit Stabilisator.



   In dem dargestellten Ausführungsbeispiel der spannungs- und   tem pera turkompensierten      schaltungsanord-    nung sind im Emitter-Kollektorkreis des npn-Schalttransistors 1 die Antriebsspule 2 und die Gleichspannungsquelle 3 in Serie geschaltet. Ebenfalls in Serie geschaltet sind im Emitter-Basiskreis des Schalttransistors 1 die Erregerspule 4 und der Kondensator 6,  während in den   Koliektor-Basiskreis    der Widerstand 5 eingeschaltet ist. Erfindungsgemäss ist zwischen der Basis des Schalttransistors 1 und dem komplementären (im vorliegenden Falle also dem negativen) Pol der Gleichspannungsquelle 3 ein aus aktiven, d. h. verstärkenden Halbleiterbauelementen und ihren zugehörigen Widerständen bestehender Stabilisator 7 angeordnet.



   Die aktiven Halbleiterbauelemente des Stabilisators 7 bestehen aus drei npn-Silizium-Transistoren 7al,   7a-,      7as    und den zugehörigen Widerständen   7bl,      7b2,      7bug,    wobei die letzteren zum Ausgleich der durch die Temperaturerhöhung oder   erniedrigung    bedingten   Ande-    rung der Schleusenspannung des Stabilisators 7 und damit gleichzeitig des Schalttransistors 1 dienen.



   Die Schaltungsanordnung als solche und die Wirkungsweise des Stabilisators 7 sind im Prinzip bekannt, so dass sich ihre Beschreibung im einzelnen erübrigt.



   Wie in der Zeichnung angedeutet, können der Stabilisator 7 und der Schalttransistor 1 zu einem integrierten Schaltelement IC vereinigt werden.



   Die Erfindung ermöglicht somit die Herstellung integrierter Schaltungen für die Spannungs- und Temperaturkompensation elektronischer Uhren im industriellen Massstab mit einfachsten Mitteln, weil sich durch Verwendung niederohmiger Widerstände im integrierten Schaltelement Transistoren leicht integrieren lassen.



   Die Verwendung von Transistoren ergibt einen weiteren, überraschenden Vorteil gegenüber der Verwendung von Dioden:
Mittels Dioden kann man nur auf genau festgelegte Spannungen stabilisieren, z. B. auf 1,3 Volt bei 2 Si Dioden 0,65 Volt; berücksichtigt man dabei, dass hiervon 0,1 Volt für den Transistor in Abzug zu bringen ist, so ergibt sich am Emitter eine Spannung von 1,2 Volt. Demgegenüber kann man bei Verwendung von Transistoren durch entsprechende   Dimensib    nierung der Widerstände jede beliebige Spannung stabilisieren, d. h. bis herunter auf 1,1 oder 1,05 Volt; dies bedeutet eine wesentliche Verlängerung der Lebensdauer der Batterie, weil die letztere bis zu dieser niedrigen Spannung herunter ausgenutzt werden kann.



   Selbstverständlich sind bezüglich der Schaltung und Ausbildung der einzelnen Elemente der beschriebenen   Schaltungsanordnung    im Rahmen des   Erfinciungsgedfan-    kens liegende   Abwandlungen    möglich, insbesondere hinsichtlich der Zahl der aktiven Halbleiterbauelemente. 

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH
    Spannungs- und temperaturkompensierte Schaltungsanordnung für elektronische Uhren mit Schalttransistor, GleichspannungsqueLle und wenigstens je einer Erreger- und Antfiebsspule, wobei zur Stabilisierung der Erreger- und/oder Antriebsspannung wenigstens je zwei in Serie liegende Halbleiterbauelemente vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Basis des Schalttransistors (1) und dem komplementären Pol der Gleichspannungsquelle (3) ein vom Emitter des Schalttransistors (1) über eine galvanische oder Widerstandsverbindung gesteuerter Stabilisator (7) angeordnet ist, der aus aktiven, hintereinandergeschalteten und integrierten Halbleiterbauelementen (7al, 7a, 7a:Ü gleicher Leitfähigkeit besteht.
    UNTERANSPRÜCHE 1. Schaltungsanordnung nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die aktiven Halbleiterbau- elemente (7al, 7a., 7a:) aus Silizium-Transistoren bestehen.
    2. Schaltungsanordnung nach Patentanspruch oder Unteranspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Stabilisator (7) und der Schalttransistor (1) zu einer integrierten Halbleiterschaltung (IC) vereinigt sind.
    Entgegengehaltene Schrift- und Bildwerke Schweizerische Auslegeschrift Nr. 4574/64 Electronic Design , Bd. 16, Nr. 6, Seite 220 zWescon Technical Papers , Bd. II, Teil 2 (1967), Nr. 1/1, Seiten I bis 10
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FR2626358A1 (fr) * 1974-04-25 1989-07-28 France Etat Perfectionnements aux engins, notamment aux obus explosifs, a charge explosive composite
BE889289A (fr) * 1981-06-18 1981-12-18 Prb N V Prb Sa Tete creuse a fragmentation controlee pour engin explosif
BE900173A (fr) * 1984-07-17 1985-01-17 Herstal Sa Perfectionnements aux obus prefragmentes.

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