CN101771108A - 半导体发光元件及其制法 - Google Patents
半导体发光元件及其制法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101771108A CN101771108A CN200810187393A CN200810187393A CN101771108A CN 101771108 A CN101771108 A CN 101771108A CN 200810187393 A CN200810187393 A CN 200810187393A CN 200810187393 A CN200810187393 A CN 200810187393A CN 101771108 A CN101771108 A CN 101771108A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- excited
- layer
- semiconductor
- emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 116
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 33
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 93
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 38
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 24
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- IHCCLXNEEPMSIO-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 IHCCLXNEEPMSIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000002262 irrigation Effects 0.000 description 1
- 238000003973 irrigation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一种半导体发光元件，包含：一半导体晶片及一受激发光层。受激发光层覆盖于半导体晶片上，受激发光层对应半导体晶片的发光强度较强区域的厚度较厚，对应发光强度较弱区域厚度较薄，受激发光层对应于发光强度较强区域的厚度与对应于发光强度较弱区域的厚度比大于1而小于5。其制法，包含：a)提供一半导体晶片，并量测其出光强度分布；b)依据该半导体晶片的出光强度分布决定一受激发光层的形状，使受激发光层对应半导体晶片的发光强度较强区域的厚度较厚，对应发光强度较弱区域厚度较薄，以使各出光角度色温均匀，并制作一具有预定形状的治具；c)借由治具于半导体晶片上形成一受激发光层。目的在于借由受激发光层的形状补偿晶片发光强度不均的缺点，达到色度均匀。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体发光元件，特别是涉及一种色度分布均匀的半导体发光元件及其制法。
背景技术
一般借由萤光粉混光的半导体发光元件，其设置萤光粉的方式通常是将萤光粉混在胶体中，再将混有萤光粉的萤光胶体灌入已设有半导体发光晶片的支架碗杯中，待其固化后，外层再包覆透明胶层保护。如图1所示，为胶体固化成形后的晶片91、萤光胶体92与透明胶层93相对关系的示意图。由于一般晶片91的中心发光强度较强，而且由图1可知，萤光胶体92在碗杯(图未示)中成形，所以呈碗杯状，使得晶片91在各角度射出的光线激发萤光粉(包含在萤光胶体92中)的路径不一致，导至各立体角所发出的色度分布非常不均匀。
另一种萤光粉的设置方式，如图2所示，是将萤光粉94直接均匀涂布在晶片95上。此种封装方式可使晶片95各角度射出的光线激发萤光粉94的路径较一致，而能改善整体出光均匀度。然而，一般常用的萤光粉94多为黄色，而黄色萤光粉94会因为一般半导体晶片95的正向光场较侧向光场强，导致中心色温会较其他出光角度偏高。
由此可见，上述现有的萤光粉混光的半导体发光元件在产品结构、制造方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品及方法又没有适切的结构及方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的(名称)，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种依据半导体发光晶片的光强度分布而调整受激发光层(例如萤光胶体、萤光粉)的形状的半导体发光元件，借由受激发光层的形状补偿晶片发光强度不均的缺点，达到使色度均匀的目的。
本发明的另一目的在于，提供一种在受激发光层与半导体晶片之间设一可透光间隔层的半导体发光元件，使其在达到色度均匀的目的外，还可借由可透光间隔层隔离受激发光层与半导体晶片，以达到降低受激发光体(例如萤光粉)因处于长时间高温所产生效率下降与结构不稳定的问题的功效。
本发明的再一目的在于，提供一种进一步在受激发光层外设有可控制光型的可透光层(例如透镜或胶体)的半导体发光件，除可达到使色度均匀的目的之外，还可达到控制光型的功效。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种半导体发光元件，包含：一半导体晶片及一受激发光层；该受激发光层覆盖于该半导体晶片上；其中该受激发光层对应该半导体晶片的发光强度较强区域的厚度较厚，对应发光强度较弱区域厚度较薄，该受激发光层对应于发光强度较强区域的厚度与对应于发光强度较弱区域的厚度比大于1而小于5。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的半导体发光元件，其中还包含一设于该半导体晶片与该受激发光层之间的可透光间隔层。
前述的半导体发光元件，其中还包含一覆盖于该受激发光层上的可透光层，用以调整光型。
前述的半导体发光元件，其中该受激发光层包括可受激发出不同颜色光的多数层受激发次层。
前述的半导体发光元件，其中该受激发光层包括可受激发出不同颜色光的多数层受激发次层。
前述的半导体发光元件，其中该可透光层为一胶体或透镜。
前述的半导体发光元件，其中该受激发光层为受激发光体混于胶体中固化形成或由受激发光体直接涂布形成。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种半导体发光元件的制法，其中步骤包含：a)提供一半导体晶片，并量测其出光强度分布；b)依据该半导体晶片的出光强度分布决定一受激发光层的形状，使该受激发光层对应该半导体晶片的发光强度较强区域的厚度较厚，对应发光强度较弱区域厚度较薄，以使各出光角度色温均匀，并制作一具有该预定形状的治具；及c)借由该治具于该半导体晶片上形成一受激发光层。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的半导体发光元件的制法，其中该受激发光层对应于发光强度较强区域的厚度与对应于发光强度较弱区域的厚度比大于1而小于5。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上可知，为达到上述目的，本发明提供了一种半导体发光元件，包含：一半导体晶片及一受激发光层。该受激发光层覆盖于该半导体晶片上，该受激发光层对应该半导体晶片的发光强度较强区域的厚度较厚，对应发光强度较弱区域厚度较薄，该受激发光层对应于发光强度较强区域的厚度与对应于发光强度较弱区域的厚度比大于1而小于5(1＜厚度比＜5)。该受激发光层的厚度分布是依据该半导体晶片的出光强度分布而调整。借此可使色度分布更加均匀。此外，该受激发光层可由可受激发光体，例如萤光粉或磷光粉，均匀混在胶体中，借由治具成形固化而成，或由受激发光体直接成形。而且，该受激发光层可包括可受激发出不同颜色光的多数层受激发次层，例如该受激发光层可包括两层受激发次层，可分别为黄色萤光胶体层及红色萤光胶体层，以增加该半导体发光元件的演色性。进一步地，本发明半导体发光元件还可包含一设于该半导体晶片与该受激发光层之间的可透光间隔层。该可透光间隔层可用透明胶体制成，用以隔离该受激发光层，以降低受激发光体因处于长时间高温所产生效率下降与结构不稳定的问题。此外，本发明半导体发光元件也可再包含一覆盖于该受激发光层上的可透光层，例如透镜或可透光胶体，用以调整光型，使该半导体发光元件的光型可以符合所要运用的产品或系统。本发明另提供一种半导体发光元件的制法，步骤包含：a)提供一半导体晶片，并量测其出光强度分布；b)依据该半导体晶片的出光强度分布决定一受激发光层的形状，使该受激发光层对应该半导体晶片的发光强度较强区域的厚度较厚，对应发光强度较弱区域厚度较薄，以使各出光角度色温均匀，并制作一具有该预定形状的治具；及c)借由该治具于该半导体晶片上形成一受激发光层。较佳地，该受激发光层对应于发光强度较强区域的厚度与对应于发光强度较弱区域的厚度比大于1而小于5。
借由上述技术方案，本发明(名称)至少具有下列优点及有益效果：
本发明半导体发光元件借由受激发光层厚度分布的调整，来补偿半导体晶片出光强度不均匀的缺陷，以增加半导体发光元件色度的均匀性。此外，还可进一步借由可透光间隔层，降低受激发光体因处于长时间高温所产生效率下降与结构不稳定的问题。而且，也可借由覆盖于该受激发光层上的可透光层调整光型，使该半导体发光元件的光型可以符合所要运用的产品或系统。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是一示意图，说明一现有的半导体发光元件的萤光粉封装结构。
图2是一示意图，说明另一现有的半导体发光元件的萤光粉封装结构。
图3至图6是说明本发明半导体发光元件的第一较佳实施例及其实施步骤流程的示意图。
图7是一说明本发明半导体发光元件的第二较佳实施例的示意图。
图8与图9是说明本发明半导体发光元件的第三较佳实施例及其实施步骤流程的示意图。
图10与图11是说明本发明半导体发光元件的第四较佳实施例及其实施步骤流程的示意图。
图12至图14是说明本发明半导体发光元件的第五较佳实施例及其实施步骤流程的示意图。
图15是一以角度仪测得的基板为蓝宝石的蓝光半导体晶片的出光强度分布图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的半导体发光元件及其制法，其具体实施方式、结构、方法、特征及其功效，详细说明如后。
请参阅图3至图6所示，本发明半导体发光元件的第一较佳实施例的实施步骤介绍如下：
i)取一半导体晶片11测试其出光强度分布，以决定预备成形的受激发光层12的形状。
ii)如图3至图6所示为使受激发光层12成形的步骤。图3所示是先将半导体晶片11固定在一基板13上。图4所示是将用以使受激发光层12形成预定形状的一治具14放置于基板13上的预设位置，治具14具有一进胶口141及一出气口142，以供灌胶时使用。图5所示是将受激发光体(图未标号)混在胶体(图未标号)中，将胶体盛装于针筒(图未示)，利用针筒将胶体由治具14的进胶口141注入治具14中，治具14中的空气可由出气口142排出，待胶体充满治具14后，借由烘烤使胶体固化成形，而形成受激发光层12。图6所示，待胶体固化后，取下治具14，即为本实施例半导体发光元件1的完成品。在本实施例中，所使用的受激发光体为黄色萤光粉，所使用胶体为一般可混合萤光粉的胶体，混合萤光粉与胶体的方法已为本发明所属技术领域者所周知，所以不再详述。
请参阅图7所示，本发明半导体发光元件的第二较佳实施例，本实施例的实施步骤与第一较佳实施例大致相同，惟，本实施例的半导体发光元件2还包含一用以控制半导体晶片21光型的可透光层23。可透光层23为一预先成形的透镜，是在受激发光层22固化成形后，再套设于受激发光层22上，而将受激发光层22包覆。借由可透光层23调整光型，可使半导体发光元件2的光型可以符合所要运用的产品或系统。
请参阅图8与图9所示，本发明半导体发光元件的第三较佳实施例，本实施例的实施步骤与第一较佳实施例大致相同，惟，第一较佳实施例中所使用的治具14由可透光层33取代，换句话说，在本实施例中，可透光层33本身为透镜，并可具有治具的功能，具有进胶口331及出气口332。如图8所示，将兼具有控制光型及治具功能的可透光层33放置于基板34上的预定位置，再利用针筒(图未示)将混有萤光粉的胶体(图未示)注入可透光层33内，使其充满可透光层33并包覆半导体晶片31，如图9所示，再经由烘烤使胶体固化，形成受激发光层32，即完成本实施例半导体发光元件3的成品。
请参阅图10与图11所示，本发明半导体发光元件的第四较佳实施例，本实施例的半导体发光元件4具有两种不同颜色的萤光粉，使受激发光层42具有两层受激发光次层421、422，其中内层的受激发光次层421含有黄色萤光粉，外层的受激发光次层422含有红色萤光粉，借此可增加半导体发光元件4的演色性，而本实施例也具有可控制光型的可透光层43。
本实施例的实施步骤可结合第一较佳实施例及第三较佳实施例的实施步骤，如图10所示，利用与第一较佳实施例相同的实施步骤先在基板44与半导体晶片41上形成内层的受激发光次层421，再利用与第三较佳实施例相同的实施步骤，以预先成形的可透光层43为治具，如图11所示，再将混有红色萤光粉的胶体充满含有黄色萤光粉的受激发光次层421与可透光层43之间的空间，经烘烤固化后，形成另一受激发光次层422，同时完成本实施例半导体发光元件4的成品。
本实施例的实施步骤，也可适用于在受激发光层与半导体晶片之间形成可透光间隔层(图未示)，例如在制作内层的受激发光次层421的步骤时，以可透光胶体取代混有萤光粉的胶体，待可透光胶体固化后即可形成可透光间隔层，外层的受激发光次层422即可为受激发光层。借此可降低萤光粉因处于长时间高温所产生效率下降与结构不稳定的问题。
参阅图12、图13与图14，本发明半导体发光元件的第五较佳实施例，本实施例的实施步骤与第一较佳实施例大致相同，惟，本实施例是利用网板使受激发光层52成形固化。同第一较佳实施例的步骤a)，先测知半导体晶片51的出光强度分布后，预制适当的网板53，以能成形具有预设形状的受激发光层52。如图12所示，将半导体晶片51固定于基板54后，再将预制的网板53放置于基板54上的预定位置。如图13所示，将混有萤光粉的胶体(图未标号)充满网板53与基板54所界定的空间，并利用刮刀(图未示)修饰，使裸露的胶体表面平整，经烘烤使胶体固化后，形成受激发光层52。如图14所示，移除网板53而形成本实施例半导体发光元件5的成品。
前述各实施例的半导体发光元件1、2、3、4、5，其中的半导体晶片11、21、31、41、51皆可借由连接一外部电路(图未示)控制发光，由于电路封装非本发明的重点，本发明所属技术领域具有通常知识者，可以应用现有封装技术或自行调整其电路与半导体晶片11、21、31、41、51的连接方式。
归纳上述，本发明半导体发光元件1、2、3、4、5，借由受激发光层12、22、32、42、52的厚度分布，来补偿半导体晶片11、21、31、41、51正向出光亮度与侧向出光亮度不均匀的缺陷，以增加半导体发光元件1、2、3、4、5色度的均匀性。此外，还可进一步借由可透光间隔层，降低受激发光体(例如萤光粉)因处于长时间高温所产生效率下降与结构不稳定的问题。而且，也可借由覆盖于受激发光层12、22、32、42、52上的可透光层23、33、43调整光型，使半导体发光元件1、2、3、4、5的光型可以符合所要运用的产品或系统。
实验例与比较例
实验例1
取基板为蓝宝石的蓝光半导体晶片，以角度仪测得其出光强度分布如图15所示，测量范围为±90度θ角。于该半导体晶片11上设置含有黄色萤光粉的受激发光层12(参阅图6)，在本实验例中，半导体晶片11的正向出光强度大于侧向出光强度，所以使受激发光层12的正向厚度121大于侧向厚度122，并使其比例为1.5，再利用角度仪测量各角度的色温(CCT)，将所测得的色温的最大值与最小值相减即得色温范围(CCT Range)为613K。
实验例2
实验例2与实验例1大致相同，惟，使受激发光层12的正向厚度121与侧向厚度122的比为1.8，测得的色温范围为253K。
实验例3
实验例3与实验例1大致相同，惟，使受激发光层的12正向厚度121与侧向厚度122的比为2.3，测得的色温范围为399K。
实验例4
实验例4与实验例1大致相同，惟，使受激发光层的12正向厚度121与侧向厚度122的比为3，测得的色温范围为863K。
比较例
比较例与实验例1大致相同，惟，受激发光层的形状为一般半导体发光元件的萤光胶体的形状，其测得的色温范围为919K。
将前述各实验例的受激发光层的正向厚度与侧向厚度比值与色温范围的量测值及比较例色温范围的量测值整理如表1所示：
表1
| 正向厚度/侧向厚度的比值 | 色温范围(K) | |
| 实验例1 | 1.5 | 613 |
| 实验例2 | 1.8 | 253 |
| 实验例3 | 2.3 | 399 |
| 实验例4 | 3 | 863 |
| 比较例 | - | 919 |
由表1可知，实验例1-4的色温范围值都小于比较例，显示借由调整受激发光层对应半导体晶片出光强度的厚度分布，使对应较强出光区域与较弱出光区域的厚度比在1.5-3的范围内，均可缩小色温范围，使色度分布较为均匀，尤其实验例2及实验例3，所达到的效果更佳。
常见的半导体晶片有两种类型，一种为实验例1-4所使用的蓝宝石基板(sapphire base)类型，另一种为垂直基板(vertical base)类型，由于蓝宝石基板类型的半导体晶片出光角度分布较广，而垂直基板类型的半导体晶片的出光角度较集中(更集中于正向)，由实验例1-4的实验结果可推测，若半导体晶片采用垂直基板类型时，受激发光层的对应较强出光区域与较弱出光区域的厚度比值可以再提高至小于5的范围内，均具有缩小色温范围，使色度均匀的效果。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (9)
1.一种半导体发光元件，包含：一半导体晶片及一受激发光层；该受激发光层覆盖于该半导体晶片上；其特征在于：该受激发光层对应该半导体晶片的发光强度较强区域的厚度较厚，对应发光强度较弱区域厚度较薄，该受激发光层对应于发光强度较强区域的厚度与对应于发光强度较弱区域的厚度比大于1而小于5。
2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：还包含一设于该半导体晶片与该受激发光层之间的可透光间隔层。
3.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于：还包含一覆盖于该受激发光层上的可透光层，用以调整光型。
4.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于：该受激发光层包括可受激发出不同颜色光的多数层受激发次层。
5.如权利要求3所述的半导体发光元件，其特征在于：该受激发光层包括可受激发出不同颜色光的多数层受激发次层。
6.如权利要求3所述的半导体发光元件，其特征在于：该可透光层为一胶体或透镜。
7.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：该受激发光层为受激发光体混于胶体中固化形成或由受激发光体直接涂布形成。
8.一种半导体发光元件的制法，其特征在于：步骤包含：a)提供一半导体晶片，并量测其出光强度分布；b)依据该半导体晶片的出光强度分布决定一受激发光层的形状，使该受激发光层对应该半导体晶片的发光强度较强区域的厚度较厚，对应发光强度较弱区域厚度较薄，以使各出光角度色温均匀，并制作一具有该预定形状的治具；及c)借由该治具于该半导体晶片上形成一受激发光层。
9.如权利要求8所述的半导体发光元件的制法，其特征在于：该受激发光层对应于发光强度较强区域的厚度与对应于发光强度较弱区域的厚度比大于1而小于5。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008101873936A CN101771108B (zh) | 2008-12-31 | 2008-12-31 | 半导体发光元件及其制法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008101873936A CN101771108B (zh) | 2008-12-31 | 2008-12-31 | 半导体发光元件及其制法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101771108A true CN101771108A (zh) | 2010-07-07 |
| CN101771108B CN101771108B (zh) | 2012-07-25 |
Family
ID=42503826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008101873936A Active CN101771108B (zh) | 2008-12-31 | 2008-12-31 | 半导体发光元件及其制法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101771108B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105810806A (zh) * | 2016-04-22 | 2016-07-27 | 江门市迪司利光电股份有限公司 | 一种色温均匀散热性良好的led封装结构 |
| CN105870310A (zh) * | 2016-04-22 | 2016-08-17 | 江门市迪司利光电股份有限公司 | 一种照明范围大色温均匀的led封装结构 |
| WO2019075935A1 (zh) * | 2017-10-18 | 2019-04-25 | 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 | 光源系统及照明设备 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200414572A (en) * | 2002-11-07 | 2004-08-01 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | LED lamp |
| CN2708509Y (zh) * | 2004-06-21 | 2005-07-06 | 李洲科技股份有限公司 | 发光二极体的晶片覆层构造 |
| JP2007324417A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Sharp Corp | 半導体発光装置とその製造方法 |
-
2008
- 2008-12-31 CN CN2008101873936A patent/CN101771108B/zh active Active
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105810806A (zh) * | 2016-04-22 | 2016-07-27 | 江门市迪司利光电股份有限公司 | 一种色温均匀散热性良好的led封装结构 |
| CN105870310A (zh) * | 2016-04-22 | 2016-08-17 | 江门市迪司利光电股份有限公司 | 一种照明范围大色温均匀的led封装结构 |
| WO2019075935A1 (zh) * | 2017-10-18 | 2019-04-25 | 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 | 光源系统及照明设备 |
| US11248773B2 (en) | 2017-10-18 | 2022-02-15 | Ylx Incorporated | Light source system and lighting apparatus |
| US11592159B2 (en) | 2017-10-18 | 2023-02-28 | Ylx Incorporated | Light source system and lighting apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101771108B (zh) | 2012-07-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5785499B2 (ja) | ウエハレベルの白色ｌｅｄの色補正 | |
| JP5076121B2 (ja) | 発光ダイオード装置及びその製作方法 | |
| US8969899B2 (en) | Method for forming a light conversion material | |
| WO2019109867A1 (zh) | 白光led器件及其制备方法、led灯 | |
| JP6923941B2 (ja) | 固体蛍光体集積光源のデュアルチャンネル伝熱パッケージング構造及びパッケージング方法 | |
| JPWO2012144030A1 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| CN106356439A (zh) | 一种可调色温的led封装结构 | |
| CN103178194A (zh) | 一种大功率白光led封装结构及其制备方法 | |
| TWI449221B (zh) | 發光二極體封裝結構及其製造方法 | |
| CN101771108B (zh) | 半导体发光元件及其制法 | |
| CN110047824A (zh) | 双色温cob光源及其制造方法 | |
| CN103474558A (zh) | 一种led封装点胶工艺及其led芯片封装结构 | |
| CN118888668A (zh) | 一种发光二极管封装结构及其制备方法 | |
| CN105702833A (zh) | Led封装结构和led发光装置 | |
| TW200903851A (en) | Phosphor package of light emitting diodes | |
| JP2015099911A (ja) | 蛍光体分離構造を備えた蛍光体含有フィルムおよびその製造方法 | |
| CN113823726B (zh) | 一种csp光源及其制备方法 | |
| WO2019120309A1 (zh) | 一种晶圆级芯片级csp封装结构及其制备方法 | |
| CN116053265A (zh) | 双色led及其封装工艺 | |
| TW201025665A (en) | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same | |
| CN113964255A (zh) | 一种基于量子点荧光膜的led灯珠的封装方法 | |
| CN114937729A (zh) | 一种新型led芯片封装结构及其制备方法 | |
| CN106684228B (zh) | 一种在同一衬底上实现蓝绿光加红光荧光粉的发光led | |
| CN108767096A (zh) | 一种led灯荧光粉层的制备方法 | |
| CN203367359U (zh) | 发光二极管装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |