CN103235437B - 一种液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种液晶显示装置及其制造方法,包括相对的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶层,所述第一基板和第二基板在液晶显示装置的周边区域第一基板和第二基板之间还夹设有金球,所述第一基板和第二基板上设有无机绝缘膜。本发明通过在像素电极/透明导电层与配向膜之间增加一层无机绝缘膜,从而提高阵列基板和彩膜基板之间的厚度;并在液晶显示装置的周边区域通过含金球Seal实现阵列基板和彩膜基板导通,从而提高显示品质与合格率。

Description

一种液晶显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种高透光率液晶显示装置及其制造方法。
背景技术
液晶显示装置的发光亮度是背光源亮度和像素透过率的乘积,在液晶显示装置的发光亮度一定的前提下,提高像素透过率可以降低背光源的亮度,从而实现节能降耗。提高像素开口率、液晶透过效率、偏光板透过率、彩色滤光片透过率可以提高像素透过率。其中,提高像素开口率是最常见,也是最有效的方法。
如图1和图2所示为现有常见液晶显示装置的平面示意图,其中图1为CsonGate像素结构的示意图,图2为CsonCOM像素结构的示意图,现有液晶显示装置包括阵列基板、彩膜基板、以及夹设在阵列基板和彩膜基板之间的液晶(图未示),阵列基板的每个阵列单元包括:数据线12、扫描线13、晶体管15、以及像素电极16。对于图2所示的CsonCOM结构,像素中还包括存储电容线14(简称Cs线)。在图1中,扫描线13兼作存储电容线,即用上一行阵列单元的扫描线13和下一行阵列单元的像素电极16重叠形成存储电容,其能够用来透光的开口区域的上下距离为Lg。在图2中,使用专用的Cs线14与像素电极16重叠形成存储电容,由于Cs线14的存在,明显减少了像素电极16的有效透光区域,像素电极16能够用来透光的开口区域的上下距离为Lc较小。
在阵列单元中,提高能够用来透光的开口区域的上下距离是提升像素开口率的一个重要课题,这个课题的一个重要对策是省略Cs线。如图3和图4所示,专利CN201210584816.4提出了一种无需专用Cs线,把存储电容Cs做在彩膜基板20上。如图4所示,存储电容Cs的一个电极为彩膜基板20上的透明导电层24;如图5所示,另一个电极为阵列基板10上的像素电极14,中间的绝缘介质为彩膜基板20上的配向膜52以及阵列基板10上的配向膜51。
图4和图5的结构存在如下几个问题:
1、配向膜的厚度一般在800埃左右,阵列基板和彩膜基板两层配向膜的总厚度只有1600埃左右。由于配向膜属于有机树脂,形成图4和图5所示的CsonCF结构时,被支撑柱顶住的的配向膜容易破坏,影响显示效果。
2、用作存储电容绝缘层的配向膜的总厚度只有1600埃,膜厚的不均匀性容易影响存储电容的大小均匀性,最终影响显示效果。
发明内容
本发明揭示一种提高显示品质与合格率的液晶显示装置及其制造方法。
本发明提供一种液晶显示装置,包括相对的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶层,在液晶显示装置的周边区域第一基板和第二基板之间还夹设有金球,其中,所述第一基板包括:像素电极、位于像素电极上的第一无机绝缘膜、以及位于第一无机绝缘膜上的第一配向膜,该第一配向膜位于与第二基板相对的一侧,所述第一无机绝缘膜在第一基板的周边区域内设有开口;所述第二基板包括:至少一支撑柱、包覆支撑柱的透明导电层、位于透明导电层上的第二无机绝缘膜、以及位于第二无机绝缘膜上的第二配向膜,该第二配向膜位于与第一基板相对的一侧,所述第一配向膜与第二配向膜在支撑柱的位置处呈贴合状态,所述第二无机绝缘膜在第二基板的周边区域也设有开口,第二无机绝缘膜的开口与所述第一无机绝缘膜的开口呈对称状;其中,在液晶显示装置的周边区域第一基板和第二基板之间还夹设有金球,所述金球夹设在第一无机绝缘膜的开口与第二无机绝缘膜的开口之间。
本发明又提供一种液晶显示装置,包括相对的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶层,所述第一基板包括:至少一支撑柱、包覆支撑柱的像素电极、位于像素电极上的第一无机绝缘膜、以及位于第一无机绝缘膜上的第一配向膜,该第一配向膜位于与第二基板相对的一侧,所述第一无机绝缘膜在第一基板的周边区域内设有开口;所述第二基板包括:透明导电层、位于透明导电层上的第二无机绝缘膜、以及位于第二无机绝缘膜上的第二配向膜,该第二配向膜位于与第一基板相对的一侧,所述第一配向膜与第二配向膜在支撑柱的位置处呈贴合状态,所述第二无机绝缘膜在第二基板的周边区域也设有开口,第二无机绝缘膜的开口与所述第一无机绝缘膜的开口呈对称状;其中,在液晶显示装置的周边区域第一基板和第二基板之间还夹设有金球,所述金球夹设在第一无机绝缘膜的开口与第二无机绝缘膜的开口之间。
本发明又提供一种液晶显示装置,包括相对的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶层,所述第一基板包括:像素电极、位于像素电极上的第一无机绝缘膜、以及位于第一无机绝缘膜上的第一配向膜,该第一配向膜位于与第二基板相对的一侧,所述第一无机绝缘膜在第一基板的周边区域内设有开口;所述第二基板包括:至少一支撑柱、包覆支撑柱的透明导电层、位于透明导电层上的第二配向膜,该第二配向膜位于与第一基板相对的一侧,所述第一配向膜与第二配向膜在支撑柱的位置处呈贴合状态;其中,在液晶显示装置的周边区域第一基板和第二基板之间还夹设有金球,所述金球夹设在第一无机绝缘膜的开口区域内和第二基板之间。
本发明又提供一种液晶显示装置,包括相对的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶层,所述第一基板包括:像素电极、位于像素电极上的第一无机绝缘膜、以及位于第一无机绝缘膜上的第一配向膜,该第一配向膜位于与第二基板相对的一侧;所述第二基板包括:至少一支撑柱、包覆支撑柱的透明导电层、位于透明导电层上的第二无机绝缘膜、以及位于第二无机绝缘膜上的第二配向膜,该第二配向膜位于与第一基板相对的一侧,所述第一配向膜与第二配向膜在支撑柱的位置处呈贴合状态,所述第二无机绝缘膜在第二基板的周边区域设有开口;其中,在液晶显示装置的周边区域第一基板和第二基板之间还夹设有金球,所述金球夹设在第二无机绝缘膜的开口区域内和第一基板之间。
本发明又提供一种液晶显示装置,包括相对的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶层,所述第一基板包括:至少一支撑柱、包覆支撑柱的像素电极、位于像素电极上的第一无机绝缘膜、以及位于第一无机绝缘膜上的第一配向膜,该第一配向膜位于与第二基板相对的一侧,所述第一无机绝缘膜在第一基板的周边区域内设有开口;所述第二基板包括:透明导电层、位于透明导电层上的第二配向膜,该第二配向膜位于与第一基板相对的一侧,所述第一配向膜与第二配向膜在支撑柱的位置处呈贴合状态;其中,在液晶显示装置的周边区域第一基板和第二基板之间还夹设有金球,所述金球夹设在第一无机绝缘膜的开口区域内和第二基板之间。
本发明又提供一种液晶显示装置,包括相对的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶层,所述第一基板包括:至少一支撑柱、包覆支撑柱的像素电极、位于像素电极上的第一配向膜,该第一配向膜位于与第二基板相对的一侧;所述第二基板包括:透明导电层、位于透明导电层上的第二无机绝缘膜、以及位于第二无机绝缘膜上的第二配向膜,该第二配向膜位于与第一基板相对的一侧,所述第一配向膜与第二配向膜在支撑柱的位置处呈贴合状态,所述第二无机绝缘膜在第二基板的周边区域设有开口;其中,在液晶显示装置的周边区域第一基板和第二基板之间还夹设有金球,所述金球夹设在第二无机绝缘膜的开口区域内和第一基板之间。
本发明又提供一种液晶显示装置的制造方法,包括相对的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶层,其特征在于:所述第一基板和第二基板在液晶显示装置的周边区域第一基板和第二基板之间还夹设有金球,所述第一基板和/或第二基板上设有无机绝缘膜,所述无机绝缘膜的制造方法如下:第一步:在基板用成膜工艺形成一层第一无机绝缘膜;第二步:在形成上述第一步的基础上涂布一层光刻胶;第三步:在形成上述第二步的基础上,用UV遮光板作为掩膜基板对基板进行曝光处理,UV遮光板在预定涂布金球的区域层开口状,在其他区域呈遮光状,曝光处理的结果是需要进行金球涂布的区域UV遮光板被UV光照射,形成开口;而显示区域没有被UV光照射;第四步:在形成上述第三步的基础上,通过显影工艺去除光刻胶;接着对无机绝缘膜上的进行刻蚀处理,除去金球涂布区域的无机绝缘膜。
本发明又提供一种液晶显示装置的制造方法,包括相对的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶层,所述第一基板和第二基板在液晶显示装置的周边区域第一基板和第二基板之间还夹设有金球,所述第一基板和/或第二基板上设有无机绝缘膜,所述无机绝缘膜的制造方法如下:在第一基板和第二基板涂覆配向膜前,用溶胶凝胶法在显示区内各自形成一层无机绝缘膜。
本发明通过在像素电极/透明导电层与配向膜之间增加一层无机绝缘膜,从而提高阵列基板和彩膜基板之间的厚度;并在液晶显示装置的周边区域通过含金球Seal实现阵列基板和彩膜基板导通,从而提高显示品质与合格率。
附图说明
图1为现有液晶显示装置的CsonGate像素结构的示意图;
图2为现有液晶显示装置的CsonCOM像素结构的示意图;
图3为现有液晶显示装置的CsonCF像素结构的示意图;
图4为图3所示的Cs的一个电极为彩膜基板上的透明导电层的示意图;
图5为图3所示的Cs的一个电极为阵列基板上的像素电极的示意图;
图6为本发明液晶显示装置第一实施例的像素结构断面的示意图;
图7为本发明液晶显示装置的无机绝缘膜形成过程的第一实施例的示意图;
图8为本发明液晶显示装置的无机绝缘膜形成过程的第二实施例的示意图;
图9为本发明液晶显示装置第二实施例的像素结构断面示意图;
图10为本发明液晶显示装置的第二实施例的结构示意图;
图11为本发明液晶显示装置的第二实施例的另一结构示意图;
图12为两基板上的电极之间的电容与电阻的电路示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例,进一步阐明本发明,应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围,在阅读了本发明之后,本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
图6所示是本发明液晶显示装置第一实施例的像素结构断面的示意图,图6中的虚线AA`-BB`及CC`-DD`为省略处,如图6所示,液晶显示装置包括相对的第一基板10、第二基板20、夹设在第一基板10和第二基板20之间的液晶层(图未示)、以及支撑在第一基板10或第二基板20上的若干支撑柱40,所述第一基板10与第二基板20相对的表面均设有配向膜,并定义设于第一基板10上的配向膜称为第一配向膜51,设于第二基板20上的配向膜称为第二配向膜52,该第一配向膜51与第二配向膜52在支撑柱40位置处呈紧密贴合状态。支撑柱40用于支撑第一基板10或第二基板20,使得液晶层能够在第一基板10与第二基板20之间均匀分布。
在本实施例中,图6所示的支撑柱40位于第二基板20上。
如图6所示,所述第一基板10为阵列基板(TFT基板),其位于第一玻璃基板11上,其包括:纵横交错的若干扫描线13和数据线(图未示)、薄膜晶体管(图未示)、像素电极16、位于像素电极16上的第一配向膜51、以及与像素电极16同层并位于周边区域的公共电极19,薄膜晶体管15包括与扫描线13连接的栅极(图未示)、与数据线连接的源极(图未示)、以及与像素电极16连接的漏极(图未示),漏极和像素电极16之间的电学连接通过接触孔(图未示),在本实施例中,像素电极16与数据线之间在空间上没有重叠区域。其中,扫描线13与数据线之间隔着栅极绝缘17,数据线与像素电极16之间隔着保护绝缘层18,在周边区域,数据线与公共电极19之间也隔着保护绝缘层18。
在本实施例中,第一基板10的像素电极16覆盖有第一无机绝缘膜61,再在第一无机绝缘膜61上覆盖所述的第一配向膜51。
在液晶显示装置的周边区域,所述第一无机绝缘膜61具有第一开口611,在第一开口611的下方具有公共电极19。
如图6所示,第二基板20为彩膜基板(CF基板),第二基板20上分为显示区和遮光区,所述支撑柱40位于第二基板20的遮光区内。在本实施例中,第二基板20位于第二玻璃基板21上,其包括:色阻层22、呈不连续状的黑色矩阵23、位于色阻层22下方的支撑柱40、包覆在支撑柱40外围的透明导电层24、以及所述的第二配向膜52。
在本实施例中,透明导电层24与第二配向膜52之间设有第二无机绝缘膜62,该第二无机绝缘膜62与位于第一基板10上的第一无机绝缘膜61组成成分与形状都相同,并与第一无机绝缘膜61呈对称状,第二无机绝缘膜62也呈不连续状。
第一无机绝缘膜61与第二无机绝缘膜62均由SiO2制成形成。
在液晶显示装置的周边区域,第二无机绝缘膜62也具有第二开口621,在第二开口621的下方具有透明导电层24。
在液晶显示装置的周边区域,第一基板10和第二基板20之间还夹设有金球Seal70,所述金球Seal70夹设在第一无机绝缘膜61的第一开口611与第二无机绝缘膜62的第二开口621之间,金球Seal70的一端贴合公共电极19,金球Seal70的另一端贴合透明导电层24,,通过金球Seal70将第一基板10公共电位传输至第二基板20上。
由于第一基板10的第一无机绝缘膜61与第二基板20的第二无机绝缘膜62在周边区域均具有开口,故通过含金球Seal70实现第一基板10与第二基板20导通。
在液晶显示装置的显示区,从第二基板20至第一基板10依序为:支撑柱40、透明导电层24、第二无机绝缘膜62、第二配向膜52、第一配向膜51、第一无机绝缘膜61、以及像素电极16。第一基板10的像素电极16和第二基板20的透明导电层24在支撑柱24所在位置的区域形成存储电容,所述像素电极16和透明导电层24作为存储电容的平行板电极,存储电容是支撑柱40底部的透明导电层24与像素电极16重叠的面积。
在其他实施例中,当支撑柱40位于第一基板20上时,第一基板包括:至少一支撑柱、包覆支撑柱的像素电极、位于像素电极上的第一无机绝缘膜、以及位于第一无机绝缘膜上的第一配向膜,该第一配向膜位于与第二基板相对的一侧,所述第一无机绝缘膜在第一基板的周边区域内设有开口;所述第二基板包括:透明导电层、位于透明导电层上的第二无机绝缘膜、以及位于第二无机绝缘膜上的第二配向膜,该第二配向膜位于与第一基板相对的一侧,所述第一配向膜与第二配向膜在支撑柱的位置处呈贴合状态。
图7为无机绝缘膜形成过程的第一实施例的示意图,由于第一无机绝缘膜61与第二无机绝缘膜62呈对称状,其结构和材料都相同,故图7仅示意第一基板10的第一无机绝缘膜61的形成过程,第二基板20的第二无机绝缘膜62形成方式与第一无机绝缘膜61相同,故不重复叙述。
在第一基板10上形成第一无机绝缘膜61的步骤如下:
第一步:在第一基板10的像素电极16上用CVD成膜工艺形成一层第一无机绝缘膜61。
第二步:在形成上述第一步的基础上涂布一层光刻胶200。
第三步:如图7A所示,在形成上述第二步的基础上,用UV遮光板100作为掩膜基板对第一基板10进行曝光处理,UV遮光板100在预定涂布金球Seal70的区域层开口状,在其他区域呈遮光状。曝光处理的结果是需要进行金球Seal70涂布的区域,UV遮光板100被UV光照射,形成第二开口611(如图7B所示);而被金球Seal70包围的显示区域没有被UV光照射。
第四步:在形成上述第三步的基础上,通过显影工艺去除光刻胶200;接着对第一无机绝缘膜61上的进行刻蚀处理,以此除去金球Seal70涂布区域的无机绝缘膜。
由于第一无机绝缘膜61与第二无机绝缘膜62呈对称状,其结构和材料都相同,故图7仅示意第一基板10的第一无机绝缘膜61的形成过程,第二基板20的第二无机绝缘膜62形成方式与第一无机绝缘膜61相同,故第二基板20可以共用第一基板10的UV遮光板100,在此不重复叙述。
图8为无机绝缘膜形成过程的第二实施例的示意图,图8所示为喷墨打印技术形成无机绝缘膜,由于第一基板和第二基板之间的存储电容只形成于显示区,所以只需要在显示区涂布无机绝缘膜。显示区大面积成膜,图形的精度要求不高,所以可以采用喷墨打印技术,只在覆盖显示区的大面积区域进行无机绝缘膜的涂布。涂布区域不能覆盖金球Seal涂布区域。无机绝缘膜的具体形成工艺可以是在第一基板和第二基板涂覆配向膜前,用溶胶凝胶法在显示区内各自形成一层SOG、TEOS等无机绝缘膜。
图8仅显示用溶胶凝胶法在第一基板10的显示区内形成第一无机绝缘膜61的示意图。
图9是图6所示的本发明液晶显示装置第二实施例的像素结构断面示意图,由于本发明增加无机绝缘膜的目的是增加存储电容的介质层厚度,提高存储电容的可靠性,保证显示效果。
故除了在第一基板和第二基板都形成无机绝缘膜外,还可以采用图9所示的第二实施例,只在第一基板或第二基板一侧进行无机绝缘膜成膜。图9所示的在第一基板一侧进行无机绝缘膜成膜,金球Seal70涂布第二基板20和第一基板10的第一开口611之间,金球Seal70的一端贴合透明导电层24、另一端贴合公共电极19,通过含金球Seal70实现第一基板10与第二基板20导通。
当第二基板一侧进行设有无机绝缘膜成膜时,金球Seal涂布第一基板和第二基板的第二开口621之间,金球Seal70的一端贴合透明导电层24、另一端贴合公共电极19,通过含金球Seal70实现第一基板10与第二基板20导通。
图10和图11所示为本发明的第二实施例的结构示意图,由于第一基板10和第二基板20贴合时存在一定的对位偏差σ(单位为um),为了保证液晶显示装置中所有像素的存储电容电容值不受对位偏差σ的影响,可以对存储电容进行如图9或者图10所示的电容补偿设计。在图9中,支撑柱40上底周边的边缘与像素电极14的边缘距离a、b、c、d必须满足:a>σ,b>σ,c>σ,d>σ,即:即:存储电容的支撑柱40上底周边与像素电极14边缘之间的距离大于第一基板和第二基板的贴合精度值;对于图10所示的方案,像素电极的边缘与支撑柱40上底周边的边缘距离a’、b’、c’、d’必须满足:a’>σ;b’>σ;c’>σ;d’>σ,即:像素电极14边缘与存储电容的支撑柱40上底周边之间的距离大于第一基板和第二基板的贴合精度值。
在本发明中,配向膜膜厚与无机绝缘膜膜厚的选择不能影响液晶的显示效果。在图12中,配向膜电容CPI(第二基板一侧的记为CPI1,第一基板一侧的记为CPI2),或者CPI与无机绝缘膜电容CPA(第二基板一侧的记为CPA1,第一基板一侧的记为CPA2)的串联电容要比液晶电容CLC高出2个数量级。以确保交流状态下加在液晶上的电压VLC基本等于VAC,参考公式1:
V LC = 1 / jω C LC 1 / jω C PA 1 + 1 / jω C PI 1 + 1 / jω C LC + 1 / jω C PI 2 + 1 / jω C PA 2 × V AC ≈ V AC (公式1)。
本发明通过在像素电极/透明导电层与配向膜之间增加一层无机绝缘膜,从而提高阵列基板和彩膜基板之间的厚度;并在液晶显示装置的周边区域通过含金球Seal实现阵列基板和彩膜基板导通,从而提高显示品质与合格率。

Claims (9)

1.一种液晶显示装置,包括相对的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶层,其特征在于:在液晶显示装置的周边区域第一基板和第二基板之间还夹设有金球,其中,
所述第一基板包括:像素电极、位于像素电极上的第一无机绝缘膜、与像素电极同层并位于周边区域的公共电极、以及位于第一无机绝缘膜上的第一配向膜,该第一配向膜位于与第二基板相对的一侧,所述第一无机绝缘膜在第一基板的周边区域内设有开口;
所述第二基板包括:至少一支撑柱、包覆支撑柱的透明导电层、位于透明导电层上的第二无机绝缘膜、以及位于第二无机绝缘膜上的第二配向膜,该第二配向膜位于与第一基板相对的一侧,所述第一配向膜与第二配向膜在支撑柱的位置处呈贴合状态,所述第二无机绝缘膜在第二基板的周边区域也设有开口,第二无机绝缘膜的开口与所述第一无机绝缘膜的开口呈对称状;其中,所述金球夹设在第一无机绝缘膜的开口与第二无机绝缘膜的开口之间,金球的一端贴合公共电极,金球的另一端贴合透明导电层,通过金球将第一基板公共电位传输至第二基板上。
2.一种液晶显示装置,包括相对的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶层,其特征在于:
所述第一基板包括:至少一支撑柱、包覆支撑柱的像素电极、位于像素电极上的第一无机绝缘膜、与像素电极同层并位于周边区域的公共电极、以及位于第一无机绝缘膜上的第一配向膜,该第一配向膜位于与第二基板相对的一侧,所述第一无机绝缘膜在第一基板的周边区域内设有开口;
所述第二基板包括:透明导电层、位于透明导电层上的第二无机绝缘膜、以及位于第二无机绝缘膜上的第二配向膜,该第二配向膜位于与第一基板相对的一侧,所述第一配向膜与第二配向膜在支撑柱的位置处呈贴合状态,所述第二无机绝缘膜在第二基板的周边区域也设有开口,第二无机绝缘膜的开口与所述第一无机绝缘膜的开口呈对称状;其中,在液晶显示装置的周边区域第一基板和第二基板之间还夹设有金球,所述金球夹设在第一无机绝缘膜的开口与第二无机绝缘膜的开口之间,金球的一端贴合公共电极,金球的另一端贴合透明导电层,通过金球将第一基板公共电位传输至第二基板上。
3.根据权利要求1或2所述的液晶显示装置,其特征在于:所述第一无机绝缘膜与第二无机绝缘膜均由SiO2制成的。
4.一种液晶显示装置,包括相对的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶层,其特征在于:
所述第一基板包括:像素电极、位于像素电极上的第一无机绝缘膜、与像素电极同层并位于周边区域的公共电极、以及位于第一无机绝缘膜上的第一配向膜,该第一配向膜位于与第二基板相对的一侧,所述第一无机绝缘膜在第一基板的周边区域内设有开口;
所述第二基板包括:至少一支撑柱、包覆支撑柱的透明导电层、位于透明导电层上的第二配向膜,该第二配向膜位于与第一基板相对的一侧,所述第一配向膜与第二配向膜在支撑柱的位置处呈贴合状态;其中,在液晶显示装置的周边区域第一基板和第二基板之间还夹设有金球,所述金球夹设在第一无机绝缘膜的开口区域内和第二基板之间,金球的一端贴合公共电极,金球的另一端贴合透明导电层,通过金球将第一基板公共电位传输至第二基板上。
5.一种液晶显示装置,包括相对的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶层,其特征在于:
所述第一基板包括:像素电极、位于像素电极上的第一无机绝缘膜、与像素电极同层并位于周边区域的公共电极、以及位于第一无机绝缘膜上的第一配向膜,该第一配向膜位于与第二基板相对的一侧;
所述第二基板包括:至少一支撑柱、包覆支撑柱的透明导电层、位于透明导电层上的第二无机绝缘膜、以及位于第二无机绝缘膜上的第二配向膜,该第二配向膜位于与第一基板相对的一侧,所述第一配向膜与第二配向膜在支撑柱的位置处呈贴合状态,所述第二无机绝缘膜在第二基板的周边区域设有开口;其中,在液晶显示装置的周边区域第一基板和第二基板之间还夹设有金球,所述金球夹设在第二无机绝缘膜的开口区域内和第一基板之间,金球的一端贴合公共电极,金球的另一端贴合透明导电层,通过金球将第一基板公共电位传输至第二基板上。
6.一种液晶显示装置,包括相对的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶层,其特征在于:
所述第一基板包括:至少一支撑柱、包覆支撑柱的像素电极、位于像素电极上的第一无机绝缘膜、与像素电极同层并位于周边区域的公共电极、以及位于第一无机绝缘膜上的第一配向膜,该第一配向膜位于与第二基板相对的一侧,所述第一无机绝缘膜在第一基板的周边区域内设有开口;
所述第二基板包括:透明导电层、位于透明导电层上的第二配向膜,该第二配向膜位于与第一基板相对的一侧,所述第一配向膜与第二配向膜在支撑柱的位置处呈贴合状态;其中,在液晶显示装置的周边区域第一基板和第二基板之间还夹设有金球,所述金球夹设在第一无机绝缘膜的开口区域内和第二基板之间,金球的一端贴合公共电极,金球的另一端贴合透明导电层,通过金球将第一基板公共电位传输至第二基板上。
7.一种液晶显示装置,包括相对的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶层,其特征在于:
所述第一基板包括:至少一支撑柱、包覆支撑柱的像素电极、与像素电极同层并位于周边区域的公共电极、位于像素电极上的第一配向膜,该第一配向膜位于与第二基板相对的一侧;
所述第二基板包括:透明导电层、位于透明导电层上的第二无机绝缘膜、以及位于第二无机绝缘膜上的第二配向膜,该第二配向膜位于与第一基板相对的一侧,所述第一配向膜与第二配向膜在支撑柱的位置处呈贴合状态,所述第二无机绝缘膜在第二基板的周边区域设有开口;其中,在液晶显示装置的周边区域第一基板和第二基板之间还夹设有金球,所述金球夹设在第二无机绝缘膜的开口区域内和第一基板之间,金球的一端贴合公共电极,金球的另一端贴合透明导电层,通过金球将第一基板公共电位传输至第二基板上。
8.一种液晶显示装置的制造方法,包括相对的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶层,其特征在于:所述第一基板和第二基板在液晶显示装置的周边区域第一基板和第二基板之间还夹设有金球,通过金球将第一基板公共电位传输至第二基板上,所述第一基板和/或第二基板上设有无机绝缘膜,所述无机绝缘膜的制造方法如下:
第一步:在基板用成膜工艺形成一层第一无机绝缘膜;
第二步:在形成上述第一步的基础上涂布一层光刻胶;
第三步:在形成上述第二步的基础上,用UV遮光板作为掩膜基板对基板进行曝光处理,UV遮光板在预定涂布金球的区域层开口状,在其他区域呈遮光状,曝光处理的结果是需要进行金球涂布的区域UV遮光板被UV光照射,形成开口;而显示区域没有被UV光照射;
第四步:在形成上述第三步的基础上,通过显影工艺去除光刻胶;接着对无机绝缘膜上的进行刻蚀处理,除去金球涂布区域的无机绝缘膜。
9.一种液晶显示装置的制造方法,包括相对的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶层,其特征在于:所述第一基板和第二基板在液晶显示装置的周边区域第一基板和第二基板之间还夹设有金球,通过金球将第一基板公共电位传输至第二基板上,所述第一基板和/或第二基板上设有无机绝缘膜,所述无机绝缘膜的制造方法如下:在第一基板和第二基板涂覆配向膜前,用溶胶凝胶法在显示区内各自形成一层无机绝缘膜。
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