CN104229727A - 用于磁体半导体组件组的预模制及其生产方法 - Google Patents

Abstract

提供一种用于磁体半导体组件组的预模制及其生产方法。一种制造用于磁体半导体组件组的预模制的方法，其中该方法包括通过在载体结构上涂敷可永磁化材料在载体结构的无传感器区域中在载体结构上形成多个可永磁化元件。

Description

用于磁体半导体组件组的预模制及其生产方法

技术领域

本发明涉及一种用于磁体半导体组件组的预模制和制造这样的预模制的方法。

背景技术

在现有技术中，已知多个半导体设备及其壳。这样的半导体设备中的一些半导体设备包括限定腔的壳、在腔中设置的磁传感器芯片和覆盖磁传感器芯片并且基本上填充腔的模制材料。这样的半导体设备包括汽车技术的马达、扬声器、麦克风和磁传感器。所有这些设备包括通过粘合剂或者通过螺丝连接技术连接到载体衬底的永磁体。例如这些设备的传感器、比如所谓反偏置磁体传感器被胶合到载体结构的背面。

然而仍然有用于改进包括磁结构或者可磁化元件的半导体设备的制造的潜在空间。

发明内容

可能需要提供用于磁体半导体组件组的预模制和制造这样的预模制的方法，这样的方法易于执行并且允许磁体半导体组件组的高产量。

根据一个示例方面，提供一种制造用于磁体半导体组件组的预模制的方法，其中该方法包括通过在载体结构上施加可永磁化制模材料在所述载体结构的无传感器区域中在所述载体结构上形成多个可永磁化元件。

根据另一示例方面，提供一种用于磁体半导体组件组的预模制阵列，其中预模制包括载体结构和通过无粘合剂过程向载体结构上形成的可永磁化材料的多个可永磁化元件，其中可永磁化材料的多个可永磁化元件被形成于载体结构的无传感器区域中。

根据一个示例性方面，提供一种制造磁体半导体组件组的方法，该方法包括在载体结构上形成可永磁化材料的多个可永磁化元件、在可永磁化材料的多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件放置半导体。

一种制造用于磁体半导体组件组的预模制的方法的使用可以允许一种用于制造预模制的简单和高效方法。具体而言，可以有可能在通过沉积可永磁化材料来形成可永磁化元件期间，可以减少关于处理或者形成条件的限制，因为在向载体结构上布置或者放置半导体芯片或者传感器之前形成可永磁化元件。另外，提供已经包括可永磁化材料的可永磁化元件的一个预模制或者多个预模制可以允许简化预模制的进一步处理或者磁体半导体组件组的制造，因为相应半导体或者传感器可以随后易于组装。另外，可以增加磁体半导体组件组的产量，因为可以光学检查制造的预模制并且仅良好或者无缺陷可永磁化元件可以与半导体仅组装，从而可以节省半导体。

附图说明

被包括用来提供本发明的示例实施例的进一步理解并且构成说明书的部分的附图图示发明的示例实施例。

在附图中：

图1A-图1I示意地示出用于磁体半导体组件组的生产方法。

图2A-图2C示出根据示例性实施例的预模制的形状的示例的示意图。

图3A-图3D示出可以在磁体半导体组件组中使用的载体结构和半导体的示例的示意图。

具体实施方式

在下文中，将说明方法以及预模制阵列和磁体半导体组件组的进一步示例实施例。应当指出在方法的上下文中描述的实施例也可以与预模制阵列的实施例和与磁体半导体组件组的实施例组合并且反之亦然。

根据另一示例性方面，提供一种预模制阵列，其中根据一个示例性方面的方法生产预模制阵列。

具体而言，涂敷可永磁化模制材料可以是直接涂敷、即如下涂敷，在该涂敷中，模制材料在液体、流体或者至少塑料状态中被涂敷到载体衬底而未在固化状态中。例如载体结构可以是引线框、电路板、印刷电路板或者柔性印刷材料。例如载体结构可以是电传导载体结构、例如电传导引线框。

形成过程可以是任何过程，在该过程中，在形成过程期间创建或者产生元件的形式或者形状、例如可永磁化元件的形状。用于形成过程的示例可以是适合用于实现可永磁化材料的可永磁化元件的模制过程、例如使用形式的形成或者模制过程或者通过仅向载体衬底上挤压模制材料而未使用任何具体形式而执行的形成或者模制过程。例如可以使用注模过程、比如热塑或者热固注模过程。具体而言，形成多个可永磁化元件可以是向载体上直接形成、例如可永磁化元件可以被形成于载体衬底上而无任何粘合剂。因此，直接形成可能必须被区别于向载体上间接布置或者放置已经模制的可永磁化元件，这些可永磁化元件然后例如通过粘合剂被随后固定到载体。

应当指出可永磁化元件可以具有任何希望的形状或者形式、例如形状可以对应于立方体、立方、截棱锥，该截棱锥可以是大块或者包括至少一个几何特征、比如孔、凹陷、凹口、缺口等。具体而言，可永磁化材料的形成的可永磁化元件中的每个可永磁化元件可以被适配为容纳半导体芯片或者传感器。例如多个可永磁化元件中的每个可永磁化元件可以形成一个或者单个预模制的主体或者主体的至少部分。具体而言，可永磁化元件可以被形成于载体结构的无传感器或者无半导体区域中。

根据另一示例性方面，提供一种制造磁体半导体组件组的方法，其中该方法包括通过在载体结构上涂敷磁模制材料并且随后在载体结构上布置多个半导体芯片来在载体结构的无半导体芯片区域中在载体结构上形成多个磁元件作为预模制结构，多个半导体芯片中的每个半导体芯片被定位于多个磁元件中的指派的磁元件以由此形成磁体半导体组件组。在本文中，术语“磁元件”可以具体地表示可磁化或者已经磁化的元件。

术语“形成”或者“形成过程”可以具体表示用来在形成过程、例如模制或者模制过程期间创建或者产生元件的形式或者形状、例如可永磁化元件的形状的任何过程。

术语“无传感器区域”可以具体表示载体结构的在其上或者在其中无传感器存在的具体区域。例如可以相对于平面上的俯视图等或者准二维载体结构定义区域。应当指出术语“无传感器区域”的这一定义具体覆盖载体结构的相反主表面在相应区域中无传感器的情况。换而言之，载体结构的无传感器区域可以是在其中在载体结构以上和以下未布置传感器的区域。然而相应区域可以被适配、适合或者被既定用于随后在该区域上布置传感器。例如在形成或者模制可永磁化材料的可永磁化元件之后，组件组的传感器可以在前述无传感器区域中被布置或者形成于模制的可永磁化元件以上或者以下或者附着到模制的可永磁化元件。术语“无半导体区域”可以具体表示载体结构的在其上或者在其中无半导体存在的具体区域。

术语“预模制”或者“预模制封装”可以具体表示包括模制的可永磁化元件或者封装的单元或者元件，该模制的可永磁化元件或者封装可以适于容纳半导体、半导体芯片、IC芯片或者传感器、但是未包括半导体、半导体芯片、IC芯片或者传感器。因此，可以认为预模制形成预先模制的并且随后用来容纳半导体、半导体芯片、IC芯片或者传感器的一种壳。

术语“组件组”可以具体表示组装在一起并且相互连接以形成适于执行具体功能或者操作的设备或者系统、例如所谓微机电系统(MEMS)的一组部件或者可永磁化元件。具体术语“磁体半导体组件组”可以具体表示包括至少一个磁体或者可永磁化元件和至少一个半导体、比如IC芯片或者传感器的组件组。用于这样的磁体半导体组件组的示例可以是MEMS霍尔传感器或者MEMS麦克风。

术语“可永磁化”可以具体表示任何材料的特性，该特性是这一材料可以通过外部场的刺激或者激发被永久地磁化。换而言之，术语“可永磁化”可以表示材料的特性，该特性是材料或者材料形成的元件在刺激之后具有剩磁或者剩余磁化。因此，仅顺磁性的材料可能未落入“可永磁化”的定义之下。具体而言，可永磁化材料可以是一个化合物的材料或者可以是包括两个或者更多化合物、例如包括可以可模制的主化合物和提供磁化效果的示踪物或者填充化合物的材料。例如可永磁化材料可以包括或者可以是铁磁材料、比如铁、镍或者钴或者相应合金或者可以是可以形成永磁体的塑料材料。

术语“可永磁化元件”或者“可永磁化元件结构”可以具体标识包括一个材料(具体为多于一个)并且具有预定形状的任何结构。例如可永磁化元件可以包括两个化合物的混合物或者可以由两个化合物的混合物形成、两种化合物中例如其中混合可永磁化填充物或者示踪化合物的主可模制化合物。具体而言，可永磁化元件可以是包括至少一个可永磁化化合物的合成物或者合成物结构。

术语“模制材料”可以具体表示适合用于在模制或者铸造过程中模制的材料。具体而言，模制材料可以有粘性、可塑性或者流动性，从而它可以被模制或者铸造。

根据该方法的一个示例性实施例，多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件是三维元件，其中元件的延伸在第一尺度中在2.5mm与25mm之间的范围中、在第二维度中在2.5mm与25mm之间的范围中并且在第三维度中在2.5mm与25mm之间的范围中。

具体而言，元件的延伸在第一尺度中在5.0mm与15mm之间的范围中、在第二维度中在5.0mm与15mm之间的范围中并且在第三维度中在5.0mm与15mm之间的范围中。例如可永磁化元件可以是至少5mm x5mm x5mm的大小。优选地，至少一个可永磁化元件的大小可以是7mm x7mm x7mm。具体而言，可磁化材料的所有多个可磁化元件可以具有相同或者基本上相同大小。例如多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件的大小可以适于容纳具体大小的传感器。提供这样的相对大的可永磁化材料的可永磁化元件可以允许提供生成相对强的磁场的磁体或者磁体主体。例如剩磁或者剩余磁化可以在100mT至1000mT的范围中、更具体在250mT至600mT的范围中。然而更低或者更高剩磁根据可永磁化元件的可永磁化材料和/或大小可以是可能的。另外，可以有可能在可永磁化元件处布置或者放置相对大的半导体或者传感器。

根据该方法的一个示例性实施例，可永磁化材料包括电传导材料。

具体而言，传导材料的具体电传导率可以在给定的阈值以上，具体而言，它可以在1·10⁵S/m以上或者甚至在1·10⁶S/m以上。使用电传导材料可以允许用于可以在可永磁化元件上放置的传感器的简单和高效传导或者连接。

根据一个示例性实施例，该方法还包括形成在载体结构与可永磁化材料的多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件之间的电绝缘层。

例如电绝缘层或者绝缘结构可以在可永磁化元件被形成于载体衬底上之前被形成于载体结构上。

具体而言，多个可永磁化元件中的若干或者所有可永磁化元件可以通过提供绝缘层或者结构被从载体结构电绝缘。因此可以有可能保证未在可永磁化元件与载体结构之间生成或者形成短路。

根据一个示例实施例，该方法还包括单一化多个可永磁化元件。

根据一个示例实施例，该方法还包括磁化多个可永磁化中的至少一个可永磁化元件。

具体而言，可以在单一化多个可永磁化元件之前或者之后执行磁化。在之前执行它的情况下，可以易于向所有可永磁化元件提供相同磁化。在之后执行它的情况下，它可以允许单一化的可永磁化被暴露于不同磁化。由于磁化或者磁化过程，可永磁化元件变成磁化的元件、即具有永磁化或者剩余磁化的元件。

根据该方法的一个示例实施例，可永磁化材料的多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件包括凹陷。

具体而言，凹陷可以被形成于载体的上侧上。凹陷可以具有适于在可永磁化或者磁化的元件或者与可永磁化或者磁化的元件接近处生成或者实现希望的磁场的形式或者形状。此外，凹陷可以用来向凹陷中插入或者布置半导体、半导体芯片、IC芯片或者传感器。应当指出术语“凹陷”可以不仅具体表示无任何材料的区域或者腔而且可以在更广义上被解释为在凹陷中无可永磁化材料存在而其它材料可以存在。因此，术语“凹陷”可以指代空的凹陷或者材料填充的凹陷，只要填充凹陷的材料不是可永磁化和/或不是磁性的。例如凹陷或者凹陷的部分可以具有立方体、圆柱体或者金字塔形状或者形式。

根据该方法的一个示例性实施例，多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件包括孔。

具体而言，孔可以是盲孔或者通孔和/或可以具有圆形或者椭圆形横截面。因此，可永磁化材料的可永磁化元件可以形成一种空心圆柱体。这样的空心圆柱体可以适合用于在凹陷或者盲孔或者通孔中形成为零或者接近零的磁体场。

根据该方法的一个示例性实施例，多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件被形成于载体结构的第一主表面上并且包括经过载体结构向载体结构的第二相反主表面上延伸的部分。

根据一个示例性实施例，该方法还包括在可永磁化材料的多个可永磁化元件处布置至少一个半导体芯片。

具体而言，至少一个半导体芯片或者IC芯片可以形成传感器或者传感器模块或者可以是传感器或者传感器模块的部分或者甚至形成传感器。例如布置传感器或者传感器芯片。在IC芯片或者半导体芯片被布置、附着或者放置于可永磁化元件、例如平坦顶部或者凹陷中之后，IC芯片或者半导体芯片可以被电连接到载体结构或者外部结构的接触、焊盘或者端子。电连接可以例如通过接线键合来形成。具体而言，至少一个半导体芯片可以被布置或者放置于载体结构的相对于可永磁化元件的相反侧上。例如可永磁化元件可以被形成或者模制于载体衬底的第一主表面上，并且至少一个半导体芯片可以随后被布置于与第一主表面相反的第二主表面上。具体而言，布置的半导体芯片可以被一个可永磁化元件的部分包围、例如圆周包围。例如可永磁化元件的部分可以穿过载体结构并且可以构建圆周结构，该圆周结构包围布置的半导体芯片。

具体而言，一个或者多个半导体芯片可以是非封装的半导体芯片或者传感器或者可以是已经封装的传感器或者传感器模块的部分。

根据一个示例性实施例，该方法还包括封装向多个可永磁化元件布置的至少一个半导体芯片或者IC芯片。

例如封装可以通过模制或者铸造树脂或者相似可倾倒或者粘性化合物来执行。具体而言，多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件、多个可永磁化元件中的若干可永磁化元件或者多个可永磁化元件中的所有可永磁化元件可以被封装。

根据预模制阵列或者批次的一个示例性实施例，可永磁化材料的多个可永磁化元件中的每个可永磁化元件是三维元件，其中元件的延伸在第一维度中在2.5mm与25mm之间的范围中、在第二维度中在2.5mm与25mm之间的范围中并且在第三维度中在2.5mm与25mm之间的范围中。

具体而言，元件的延伸在第一维度中在5.0mm与15mm之间的范围中、在第二维度中在5.0mm与15mm之间的范围中并且在第三维度中在5.0mm与15mm之间的范围中。例如可永磁化元件可以是至少5mm x5mm x5mm的大小。

根据预模制阵列或者批次的一个示例性实施例，载体结构是电传导载体结构。

根据预模制阵列或者批次的一个示例性实施例，可永磁化材料是电传导材料。

备选地，可永磁化材料可以是电绝缘材料。

根据一个示例实施例，预模制阵列或者批次还包括在电传导载体结构与可永磁化材料的多个可永磁化元件中的每个可永磁化元件之间布置的电绝缘层。

根据预模制阵列或者批次的一个示例实施例，可永磁化材料是电传导的。

根据预模制阵列或者批次的一个示例实施例，可永磁化材料是电绝缘的。

具体而言，可永磁化材料可以是塑料或者合成材料。例如聚苯硫醚(PPS)或者相似材料可以用作可永磁化材料。PPS可以是适当材料，因为它是可永磁化的并且上至在200℃以上的温度温度稳定，从而可以随后执行预模制或者预模制制的封装的接线键合而未损坏或者退化可永磁化元件或者磁化的元件的磁化。

根据预模制阵列或者批次的一个示例性实施例，多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件包括在载体结构后面接合的底切。

术语“底切”或者“倒锥”可以具体表示结构或者结构的可永磁化元件，该结构在另一结构后面接合或者在另一结构周围夹持。因此，结构可随后不容易从另一结构被去除或者拆卸。具体而言，在使用这样的底切或者倒锥时可以无需粘胶或者粘合剂。这样的底切或者倒锥结构可以例如在经过载体或者载体结构的孔或者切口模制可模制材料或者模制材料并且可模制材料在孔或者切口后面展开时被产生或者形成。

可以在提供一种预模制或者预模制阵列及其生产或者制造方法时得出概括一个示例性实施例的主旨，其中预模制包括在载体结构上形成的可永磁化材料的可永磁化或者甚至磁化的元件，而使用随后由磁化的元件生成的磁场的半导体或者传感器尚未被附着到预模制。包括可永磁化元件的载体结构然后可以在单一化和/或放置半导体芯片或者IC芯片已经发生之前或者之后通过磁化来进一步处理。具体而言，可以提供一种包括磁腔并且形成磁腔封装的可永磁化元件的预模制，该预模制可以用于封装裸半导体或者硅芯片或者预包装的传感器。可永磁化材料的可永磁化元件也可以在尺寸上和相对于磁场的强度提供用于磁体半导体组件的大型反偏置磁体。具体而言，多个可永磁化元件可以在单个步骤中例如通过模制被一起形成到载体结构、比如引线框或者印刷电路板(PCB)上。可永磁化材料的可永磁化元件可以具有任何希望的形式或者形状。具体而言，提供预模制可以由于它的简化设计而允许改进磁体的成形。

附图的具体描述

本发明的以上和其它目的、特征以及优点将从结合附图进行的以下描述和所附权利要求中变得清楚，在附图中，相似部分或者元件由相似附图标记表示。

附图中的图示为示意而未必按比例。

图1示意地示出用于一批磁体半导体组件组100的处理方法。

具体而言，图1A在侧视图中示出磁体半导体组件组100。磁体半导体组件组100包括载体结构101。通过可模制或者模制、例如塑料材料、例如经由注模向载体结构101上形成可永磁化材料的多个可永磁化元件102。具体而言，每个磁体半导体组件组100包括至少一个可永磁化元件102。可模制材料的部分103经过载体衬底101延伸并且形成倒锥或者底切部分。底切部分或者底切103将可永磁化元件102固定到载体结构，从而可以省略附加粘胶或者粘合剂。另外，可永磁化元件102的延伸部分或者底切部分103在图1A的预模制中形成一种浅凹陷104。可永磁化元件结构102中的每个可永磁化元件结构可以例如具有约7mmx7mmx7mm的大小、因此形成相对大的磁体本体或者合成物，该磁体本体或者合成物可以允许在磁化之后具有在100mT与1000mT之间的剩磁的强反偏置磁场。可永磁化元件结构102可以通过使用金属可永磁化材料和/或非金属可永磁化材料、比如塑料材料、例如聚苯硫醚(PPS)等、例如通过热塑注模被直接形成或者模制到载体结构102。

图1B在俯视图中示出图1的磁体半导体组件组100之一、具体为预模制或者预模制结构111。具体而言，图1B示出包括阻塞条112的载体结构101，该阻塞条允许相互连接或者固定载体结构101的若干部分，并且也可以在形成或者模制可永磁化元件或者可永磁化元件结构102期间用作停止。此外，图1B示出在俯视时在基本上整个可永磁化元件结构周围形成的底切部分103。可永磁化元件的形状可以基本上为包括由底切部分103形成的脊状物的截棱锥。底切部分103因此可以形成在可永磁化元件结构102的中心具有平坦表面或者底部的浅凹陷104。

图1C示出图1的该批磁体半导体组件组100，其中例如集成电路(IC)芯片或者传感器的半导体芯片121在可永磁化元件形成的浅凹陷104中放置于载体结构101上，从而半导体芯片121被可永磁化元件102的部分包围。半导体121例如通过接线键合122被电连接到接触焊盘或者载体结构101。

图1D示出与图1B相同的细节而半导体芯片121被放置于图1B的预模制结构111中间。

图1E示出图1C的磁体半导体组件组100的批次，其中半导体芯片121用例如形成全局顶部的钝化层的顶层141来封装或者铸造。

图1F在俯视图中示出图1E的磁体半导体组件组100中的单个磁体半导体组件组。

图1G示意地图示图1E的磁体半导体组件组100的批次，而同时或者至少在磁体半导体组件组被载体结构101相互连接之时、即在单一化之前，对整个批次执行磁体半导体组件组100的电测试。然而备选地，可以在单一化之后执行测试。测试由图1G中的计量器161示意地指示。此外，去除阻塞条112，并且切割例如引线框的载体结构101、例如可以执行引线长度切割。

图1H示出图1G的磁体半导体组件组100的批次的俯视图。

图1I示意地图示在虚线171在图1I中指示的磁化之后和在单一化该批磁体半导体组件组100之后的该批磁体半导体组件组100。

图2示出根据示例性实施例的预模制的形状示例的示意图。

图2A示意地示出可以用于霍尔传感器的反偏置的预模制211。预模制211包括部分地经过载体结构201延伸的可永磁化材料的可永磁化元件202。具体而言，预模制211包括经过载体结构201延伸的可永磁化元件202的底切203所围绕或者环绕的平坦表面205。平坦表面205可以形成由底切203形成的凹陷204的底部并且允许将例如传感器的半导体放置于平坦表面上。

图2B示意地示出预模制281的另一示例。预模制281包括可永磁化材料的可永磁化元件282，该可永磁化元件也部分地经过载体结构201延伸并且形成底切203和凹陷283的边界。在图2B的示例中，可永磁化元件202包括经过可永磁化元件282延伸的孔284，从而可以形成空心圆柱体。这样的空心圆柱体例如可以通过使用具体适配的热塑模制工具来形成，并且可以用于产生用于凸轮轴传感器应用的磁体半导体组件组。具体而言，预模制281包括平坦表面285，该平坦表面285允许将例如传感器的半导体芯片放置于平坦表面上。附加地或者备选地，半导体可以被放置于孔284中。通过孔和孔284的形式或者形状，可以使所得磁场成形。

图2C示意地示出预模制291的另一示例。预模制291包括可永磁化材料的可永磁化元件292，该可永磁化元件也部分地经过载体结构293延伸。在图2C的示例中，可永磁化元件292包括向可永磁化元件292的平坦表面中延伸的凹陷或者缺口294。凹陷294可以具有屋顶状或者金字塔形状并且可以由载体结构293的缺口形成，并且图2B的孔284也可以允许修改可永磁化元件292生成的磁场。

图3示出可以在磁体半导体组件组中使用并且可以与图2中描绘的预模制的示例组合使用的载体结构和半导体的示例的示意图。

具体而言，图3A示出与图2A中描绘的预模制相似的预模制311。预模制311包括载体结构301和可永磁化元件302，该可永磁化元件包括可永磁化材料、例如可以电传导的模制材料的基础或者主化合物和比如PPS或者铁磁材料的的可永磁化化合物的混合。可永磁化元件302部分地经过载体结构301延伸并且形成底切303。此外，图3A的预模制311包括电绝缘层313。绝缘层313被布置于可永磁化元件302与例如引线框的载体结构301之间从而相互绝缘两个部分。例如绝缘层313可以由在可永磁化元件或者磁体本体302中形成的保护树脂形成。绝缘层可以在载体结构301以及可永磁化元件302电传导的情况下有利。

具体而言，图3B示出与图2A中描绘的预模制相似的预模制321。预模制321包括载体结构322和可永磁化元件302，该可永磁化元件包括可永磁化材料、例如可以电传导或者绝缘的模制材料的基础或者主化合物和比如PPS或者铁磁材料的可永磁化化合物的混合。可永磁化元件302部分地经过载体结构301延伸并且形成底切303。根据图3B的示例，载体结构322由电路板、印刷电路板或者柔性印刷材料而不是引线框形成。

图3C和3D示意地示出可以在包括可永磁化元件302和载体结构301的磁体半导体组件组中使用的两个不同类型的半导体芯片、IC芯片或者传感器。具体而言，图3C示意地描绘使用未包装的半导体芯片331，该未包装的半导体芯片被钝化层332封装并且经由接线键合333被键合到载体结构。图3D示意地描绘使用已经封装的传感器或者传感器模块344并且经由接线键合345被键合到载体结构301。

应当指出术语“包括”未排除其它要素或者特征，并且“一个/一种”未排除多个/多种。也可以组合与不同实施例关联地描述的要素。应当注意，附图标记并不应当被认为是限制权利要求的范围。另外，本申请的范围未旨在于限于在说明书中描述的过程、机器、制造、物质组成、装置、方法和步骤的具体实施例。因而，所附权利要求旨在于在它们的范围内包括这样的过程、机器、制造、物质组成、装置、方法或者步骤。

Claims (20)

1.一种制造用于磁体半导体组件组的预模制的方法，所述方法包括：

·通过在载体结构上涂敷可永磁化模制材料在所述载体结构的无传感器区域中在所述载体结构上形成多个可永磁化元件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件是三维元件，其中所述元件的延伸在第一维度是在2.5mm与25mm之间的范围中、在第二维度是在2.5mm与25mm之间的范围中并且在第三维度是在2.5mm与25mm之间的范围中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述可永磁化材料包括电传导材料。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括在所述载体结构与所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件之间形成电绝缘层。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括单一化所述多个可永磁化元件。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括磁化所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件包括凹陷。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件包括孔。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个可永磁化元件中的至少一个可永磁化元件被形成于所述载体结构的第一主表面上并且包括经过所述载体结构向所述载体结构的相反的第二主表面上延伸的部分。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述多个可永磁化元件处布置至少一个半导体芯片。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

封装在所述多个可永磁化元件处布置的所述至少一个半导体芯片。

12.一种用于磁体半导体组件组的预模制阵列，所述预模制阵列包括：

·载体结构，以及

·通过无粘合剂过程形成在所述载体结构上的可永磁化材料的多个可永磁化元件，

其中所述多个可永磁化元件被形成于所述载体结构的无传感器区域中。

13.根据权利要求12所述的预模制阵列，其中所述多个可永磁化元件中的每个可永磁化元件是三维元件，其中所述元件的延伸在第一维度是在2.5mm与25mm之间的范围中、在第二维度是在2.5mm与25mm之间的范围中并且在第三维度是在2.5mm与25mm之间的范围中。

14.根据权利要求12所述的预模制阵列，其中所述载体结构是电传导载体结构。

15.根据权利要求14所述的预模制阵列，还包括在所述电传导载体结构与可永磁化材料的所述多个可永磁化元件中的每个可永磁化元件之间布置的电绝缘层。

16.根据权利要求12所述的预模制阵列，其中所述可永磁化材料是由电传导和电绝缘构成的组中的一种。

17.根据权利要求12所述的预模制阵列，其中所述可永磁化材料是电绝缘的。

18.根据权利要求12所述的预模制阵列，其中所述可永磁化材料是电传导的。

19.根据权利要求12所述的预模制阵列，其中所述多个可永磁化元件中的所述至少一个可永磁化元件包括在所述载体结构后面接合的底切。

20.一种制造磁体半导体组件组的方法，所述方法包括：

·在载体结构上模制可永磁化材料的多个可永磁化元件，

·在可永磁化材料的所述多个可永磁化元件中的一个可永磁化元件处放置半导体芯片。