CN105487573A - 自动控温器 - Google Patents
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Abstract
一种电磁辐射小和带安全保护功能的自动控温器。NTC测温探头(1)与取暖温度限定电路(4)电连接，取暖温度限定电路(4)分别与温度调节器(6)、微处理电路(9)电连接，NTC超温探头(2)与超温保护限定电路(5)电连接，超温保护限定电路(5)与微处理电路(9)电连接，微处理电路(9)分别与功率推动开关(7)、保护开关(8)电连接，功率推动开关(7)与保护开关(8)电连接，功率推动开关(7)与发热体(3)电连接，功率推动开关(7)与显示电路(11)电连接。使用低压直流电，可以自动控温加热物体，控温精度高，体积小，结构简单，无高频电磁辐射，使用更安全。
Description
技术领域
本发明涉及一种温度控制装置，尤其是电磁辐射小和带安全保护功能的自动控温器。
背景技术
目前，众所周知的专利号2013202944441一种集成控制型柔性电热器具，包括了控制芯片、可控硅、保险丝、发热丝，是一种自动控温加热装置，当其工作时，加热电流通过可控硅后，会产生高次谐波，污染电源，且有大量的电磁辐射发射出来，对人体不利，二是其直接使用高电压，容易使人触电，三是采用保险丝来做短路安全保护，对电路局部短路熔断反应太慢，容易产生火灾，四是对温度超高失控时，没有超温后备保护，容易烫伤人，存在着安全隐患。
发明内容
为了克服现有的一种集成控制型柔性电热器具会产生高次谐波，污染电源，且有大量的电磁辐射发射出来，对人体不利，直接使用高电压，容易使人触电，采用保险丝来做短路安全保护，对电路局部短路，保险丝熔断反应太慢，容易产生火灾，对温度超高失控时，没有超温后备保护，容易烫伤人，存在着安全隐患的不足，本发明提供一种自动控温器，该自动控温器不仅能自动控温加热物体，而且电磁辐射少，防止人触电，取消保险丝熔断保护，采用超温后备保护更安全。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：NTC测温探头(1)与取暖温度限定电路(4)电连接，取暖温度限定电路(4)分别与温度调节器(6)、微处理电路(9)电连接，NTC超温探头(2)与超温保护限定电路(5)电连接，超温保护限定电路(5)与微处理电路(9)电连接，微处理电路(9)分别与功率推动开关(7)、保护开关(8)电连接，功率推动开关(7)与保护开关(8)电连接，功率推动开关(7)与发热体(3)电连接，功率推动开关(7)与显示电路(11)电连接，退耦电路(10)分别与微处理电路(9)、保护开关(8)、显示电路(11)、NTC测温探头(1)、NTC超温探头(2)、发热体(3)、电源接口(12)电连接，NTC测温探头(1)与NTC超温探头(2)的安装位置靠近发热体(3)，在感知发热体(3)表面温度的范围内，NTC测温探头(1)由NTC热敏电阻(R2)构成，NTC超温探头(2)由NTC热敏电阻(R8)构成，发热体(3)由发热线(R3)构成，取暖温度限定电路(4)由电阻(R1)、二极管(D1)、二极管(D2)、电阻(R5)构成，二极管(D2)的正极与二极管(D1)的负极电连接，二极管(D1)的正极与电阻(R5)的一端电连接，成为一个电串联，超温保护限定电路(5)由电阻(R4)、二极管(D7)、二极管(D8)构成，电阻(R4)的一端与二极管(D7)的负极电连接，二极管(D7)的正极与二极管(D8)的负极电连接，温度调节器(6)由一个电位器(W1)构成，电位器(W1)的滑动端与电位器(W1)的一固定端电连接，功率推动开关(7)由电阻(R6)、MOS三极管(D3)构成，电阻(R6)的一端与MOS三极管(D3)的柵极电连接，保护开关(8)由电阻(R7)、MOS三极管(D6)构成，电阻(R7)的一端与MOS三极管(D6)的柵极电连接，微处理电路(9)由两个集成时基电路构成，退耦电路(10)由退耦电容(C1)构成，显示电路(11)由电阻(R9)、电阻(R10)、发光二极管(D4)、发光二极管(D5)构成，电阻(R10)的一端与发光二极管(D5)的正极电连接，发光二极管(D5)的负极与发光二极管(D4)的正极电连接，发光二极管(D4)的负极与电阻(R9)的一端电连接，电源接口(12)由微形USB座口(M1)构成，NTC热敏电阻(R2)的一端与电阻(R5)的另一端电连接，电阻(R5)的另一端与微处理电路(9)中的第一个集成时基电路的(TH1)脚电连接，二极管(D2)的负极与微处理电路(9)中的第一个集成时基电路的(TR1)脚、电位器(W1)的另一个固定端电连接，电位器(W1)的一固定端与电阻(R1)的一端电连接，NTC热敏电阻(R8)的一端与二极管(D8)的正极电连接，二极管(D8)的正极与微处理电路(9)中的第二个集成时基电路的(TH2)脚电连接，二极管(D7)的负极与微处理电路(9)中的第二个集成时基电路的(TR2)脚电连接，微处理电路(9)中的第一个集成时基电路的OUT1脚与电阻(R6)的另一端电连接，微处理电路(9)中的第二个集成时基电路的(OUT2)脚与电阻(R7)的另一端电连接，MOS三极管(D3)的源极与MOS三极管(D6)的漏极电连接，MOS三极管(D3)的漏极与发热线(R3)的一端电连接，MOS三极管(D3)的漏极与发光二极管(D5)的负极电连接，MOS三极管(D3)的源极与电阻(R9)的另一端电连接，退耦电容(C1)的一端、微形USB座口(M1)的负极、MOS三极管(D6)的源极、两个集成时基电路的Vss脚、电阻(R4)的另一端、电阻(R1)的另一端与公共地电连接，退耦电容(C1)的另一端与两个集成时基电路的VCC脚、第一个集成时基电路的(R1)脚、第二个集成时基电路的(R2)脚、电阻(R10)的另一端、NTC热敏电阻(R2)的另一端、NTC热敏电阻(R8)的另一端、发热线(R3)的另一端、微形USB座口(M1)的正极电连接；NTC热敏电阻(R2)与NTC热敏电阻(R8)的安装位置于能感知发热线(R3)表面温度的范围内，NTC热敏电阻(R2)、NTC热敏电阻(R8)与发热线(R3)的距离L≤a。当电源接口(12)插上低压直流电源后，该自动控温器接通电源开始工作，外界温度较低时，微处理电路(9)第二个集成时基电路的输出端(OUT2)输出高电平，保护开关(8)导通，微处理电路(9)第一个集成时基电路的输出端(OUT1)输出高电平，功率推动开关(7)导通，发热体(3)开始向周围释放热量，该自动控温器温度逐步升高，温度升高到一定值时，微处理电路(9)第一个集成时基电路的输出端(OUT1)输出低电平，功率推动开关(7)阻断电流，自动控温器的温度开始降低，温度下降到一定值时，微处理电路(9)第一个集成时基电路的输出端(OUT1)输出高电平，功率推动开关(7)导通，发热体(3)再次向周围释放热量，如此反复循环，其温度稳定到一个特定的范围内。调节温度调节器(6)，可以选择自动控温器工作在一个适当的温度范围。当自动控温器的工作温度超过警戒温度时，微处理电路(9)第二个集成时基电路的输出端(OUT2)输出低电平，保护开关(8)阻断电流，防止继续升温，起到超温后备安全保护作用，由于自动控温器工作采用低压直流电，加热也是低压直流电，因此对外没有高频电磁辐射，使得自动控温器不仅能自动控温加热物体，而且能达到电磁辐射少，防止人触电，有超温后备保护更安全的目的。
本发明的有益效果是，可以自动控温加热物体，控温精度高，体积小，结构简单，无高频电磁辐射，使用更安全。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的电路原理方框图。
图2是自动控温器第一个实施例的电路原理图。
图3是自动控温器第二个实施例的电路原理图。
图4是图2、图3的温度探测位置结构图。
图中1.NTC测温探头，2.NTC超温探头，3.发热体，4.取暖温度限定电路，5.超温保护限定电路，6.温度调节器，7.功率推动开关，8.保护开关，9.微处理电路，10.退耦电路，11.显示电路，12.电源接口。
具体实施方式
在图1中，NTC测温探头(1)与取暖温度限定电路(4)电连接，取暖温度限定电路(4)分别与温度调节器(6)、微处理电路(9)电连接，NTC超温探头(2)与超温保护限定电路(5)电连接，超温保护限定电路(5)与微处理电路(9)电连接，微处理电路(9)分别与功率推动开关(7)、保护开关(8)电连接，功率推动开关(7)与保护开关(8)电连接，功率推动开关(7)与发热体(3)电连接，功率推动开关(7)与显示电路(11)电连接，退耦电路(10)分别与微处理电路(9)、保护开关(8)、显示电路(11)、NTC测温探头(1)、NTC超温探头(2)、发热体(3)、电源接口(12)电连接，NTC测温探头(1)与NTC超温探头(2)的安装位置靠近发热体(3)，在感知发热体(3)表面温度的范围内。
电源接口(12)由一个微形USB座口(M1)构成。
在图4中，NTC热敏电阻(R2)、NTC热敏电阻(R8)与发热线(R3)的距离L≤a，a值最好取发热线(R3)直径值的8倍，使其在能感知发热线(R3)表面温度的范围内。
在图2所示实施例中，微处理电路(9)是拥有两个集成时基电路组合在一起的集成电路(IC1)，电阻(R5)的另一端与微处理电路(9)中集成电路(IC1)的第一个集成时基电路的(TH1)脚电连接，二极管(D2)的负极与微处理电路(9)中集成电路(IC1)的第一个集成时基电路的(TR1)脚、电位器(W1)的另一个固定端电连接，二极管(D8)的正极与微处理电路(9)中集成电路(IC1)的第二个集成时基电路的(TH2)脚电连接，二极管(D7)的负极与微处理电路(9)中集成电路(IC1)的第二个集成时基电路的(TR2)脚电连接，微处理电路(9)中集成电路(IC1)的第一个集成时基电路的OUT1脚与电阻(R6)的另一端电连接，微处理电路(9)中集成电路(IC1)的第二个集成时基电路的(OUT2)脚与电阻(R7)的另一端电连接，退耦电容(C1)的一端、微形USB座口(M1)的负极、MOS三极管(D6)的源极、微处理电路(9)中集成电路(IC1)的两个集成时基电路的Vss脚、电阻(R4)的另一端、电阻(R1)的另一端与公共地电连接，退耦电容(C1)的另一端与微处理电路(9)中集成电路(IC1)的两个集成时基电路的VCC脚、第一个集成时基电路的(R1)脚、第二个集成时基电路的(R2)脚、电阻(R10)的另一端、NTC热敏电阻(R2)的另一端、NTC热敏电阻(R8)的另一端、发热线(R3)的另一端、微形USB座口(M1)的正极电连接。
在图3所示的另一个实施例中，微处理电路(9)是分别两个单独的集成时基电路(IC1)、(IC2)构成，电阻(R5)的另一端与微处理电路(9)中的集成时基电路(IC1)的(TH1)脚电连接，二极管(D2)的负极与集成时基电路(IC1)的(TR1)脚、电位器(W1)的另一个固定端电连接，二极管(D8)的正极与微处理电路(9)中的集成时基电路(IC2)的(TH2)脚电连接，二极管(D7)的负极与微处理电路(9)中的集成时基电路(IC2)的(TR2)脚电连接，微处理电路(9)中的集成时基电路(IC1)的OUT1脚与电阻(R6)的另一端电连接，微处理电路(9)中的集成时基电路(IC2)的(OUT2)脚与电阻(R7)的另一端电连接，退耦电容(C1)的一端、微形USB座口(M1)的负极、MOS三极管(D6)的源极、集成时基电路(IC1)的Vss脚和集成时基电路(IC2)的Vss脚、电阻(R4)的另一端、电阻(R1)的另一端与公共地电连接，退耦电容(C1)的另一端与集成时基电路(IC1)的VCC脚、集成时基电路(IC2)的VCC脚、集成时基电路(IC1)的(R1)脚、集成时基电路(IC2)的(R2)脚、电阻(R10)的另一端、NTC热敏电阻(R2)的另一端、NTC热敏电阻(R8)的另一端、发热线(R3)的另一端、微形USB座口(M1)的正极电连接。
Claims (5)
1.一种自动控温器，控制芯片、发热丝电连接，其特征是：NTC测温探头(1)与取暖温度限定电路(4)电连接，取暖温度限定电路(4)分别与温度调节器(6)、微处理电路(9)电连接，NTC超温探头(2)与超温保护限定电路(5)电连接，超温保护限定电路(5)与微处理电路(9)电连接，微处理电路(9)分别与功率推动开关(7)、保护开关(8)电连接，功率推动开关(7)与保护开关(8)电连接，功率推动开关(7)与发热体(3)电连接，功率推动开关(7)与显示电路(11)电连接，退耦电路(10)分别与微处理电路(9)、保护开关(8)、显示电路(11)、NTC测温探头(1)、NTC超温探头(2)、发热体(3)、电源接口(12)电连接，NTC测温探头(1)与NTC超温探头(2)的安装位置靠近发热体(3)，在感知发热体(3)表面温度的范围内，NTC测温探头(1)由NTC热敏电阻(R2)构成，NTC超温探头(2)由NTC热敏电阻(R8)构成，发热体(3)由发热线(R3)构成，取暖温度限定电路(4)由电阻(R1)、二极管(D1)、二极管(D2)、电阻(R5)构成，二极管(D2)的正极与二极管(D1)的负极电连接，二极管(D1)的正极与电阻(R5)的一端电连接，成为一个电串联，超温保护限定电路(5)由电阻(R4)、二极管(D7)、二极管(D8)构成，电阻(R4)的一端与二极管(D7)的负极电连接，二极管(D7)的正极与二极管(D8)的负极电连接，温度调节器(6)由一个电位器(W1)构成，电位器(W1)的滑动端与电位器(W1)的一固定端电连接，功率推动开关(7)由电阻(R6)、MOS三极管(D3)构成，电阻(R6)的一端与MOS三极管(D3)的柵极电连接，保护开关(8)由电阻(R7)、MOS三极管(D6)构成，电阻(R7)的一端与MOS三极管(D6)的柵极电连接，微处理电路(9)由两个集成时基电路构成，退耦电路(10)由退耦电容(C1)构成，显示电路(11)由电阻(R9)、电阻(R10)、发光二极管(D4)、发光二极管(D5)构成，电阻(R10)的一端与发光二极管(D5)的正极电连接，发光二极管(D5)的负极与发光二极管(D4)的正极电连接，发光二极管(D4)的负极与电阻(R9)的一端电连接，电源接口(12)由微形USB座口(M1)构成，NTC热敏电阻(R2)的一端与电阻(R5)的另一端电连接，电阻(R5)的另一端与微处理电路(9)中的第一个集成时基电路的(TH1)脚电连接，二极管(D2)的负极与微处理电路(9)中的第一个集成时基电路的(TR1)脚、电位器(W1)的另一个固定端电连接，电位器(W1)的一固定端与电阻(R1)的一端电连接，NTC热敏电阻(R8)的一端与二极管(D8)的正极电连接，二极管(D8)的正极与微处理电路(9)中的第二个集成时基电路的(TH2)脚电连接，二极管(D7)的负极与微处理电路(9)中的第二个集成时基电路的(TR2)脚电连接，微处理电路(9)中的第一个集成时基电路的(OUT1)脚与电阻(R6)的另一端电连接，微处理电路(9)中的第二个集成时基电路的(OUT2)脚与电阻(R7)的另一端电连接，MOS三极管(D3)的源极与MOS三极管(D6)的漏极电连接，MOS三极管(D3)的漏极与发热线(R3)的一端电连接，MOS三极管(D3)的漏极与发光二极管(D5)的负极电连接，MOS三极管(D3)的源极与电阻(R9)的另一端电连接，退耦电容(C1)的一端、微形USB座口(M1)的负极、MOS三极管(D6)的源极、两个集成时基电路的(Vss)脚、电阻(R4)的另一端、电阻(R1)的另一端与公共地电连接，退耦电容(C1)的另一端与两个集成时基电路的(VCC)脚、第一个集成时基电路的(R1)脚、第二个集成时基电路的(R2)脚、电阻(R10)的另一端、NTC热敏电阻(R2)的另一端、NTC热敏电阻(R8)的另一端、发热线(R3)的另一端、微形USB座口(M1)的正极电连接。
2.根据权利要求1所述的自动控温器，其特征是：电源接口(12)由一个微形USB座口(M1)构成。
3.根据权利要求1所述的自动控温器，其特征是：NTC热敏电阻(R2)、NTC热敏电阻(R8)与发热线(R3)的距离L≤a，a值取发热线(R3)直径值8倍。
4.根据权利要求1所述的自动控温器，其特征是：微处理电路(9)是拥有两个集成时基电路组合在一起的集成电路(IC1)，电阻(R5)的另一端与微处理电路(9)中集成电路(IC1)的第一个集成时基电路的(TH1)脚电连接，二极管(D2)的负极与微处理电路(9)中集成电路(IC1)的第一个集成时基电路的(TR1)脚、电位器(W1)的另一个固定端电连接，二极管(D8)的正极与微处理电路(9)中集成电路(IC1)的第二个集成时基电路的(TH2)脚电连接，二极管(D7)的负极与微处理电路(9)中集成电路(IC1)的第二个集成时基电路的(TR2)脚电连接，微处理电路(9)中集成电路(IC1)的第一个集成时基电路的(OUT1)脚与电阻(R6)的另一端电连接，微处理电路(9)中集成电路(IC1)的第二个集成时基电路的(OUT2)脚与电阻(R7)的另一端电连接，退耦电容(C1)的一端、微形USB座口(M1)的负极、MOS三极管(D6)的源极、微处理电路(9)中集成电路(IC1)的两个集成时基电路的(Vss)脚、电阻(R4)的另一端、电阻(R1)的另一端与公共地电连接，退耦电容(C1)的另一端与微处理电路(9)中集成电路(IC1)的两个集成时基电路的(VCC)脚、第一个集成时基电路的(R1)脚、第二个集成时基电路的(R2)脚、电阻(R10)的另一端、NTC热敏电阻(R2)的另一端、NTC热敏电阻(R8)的另一端、发热线(R3)的另一端、微形USB座口(M1)的正极电连接。
5.根据权利要求1所述的自动控温器，其特征是：微处理电路(9)是分别两个单独的集成时基电路(IC1)、(IC2)构成，电阻(R5)的另一端与微处理电路(9)中的集成时基电路(IC1)的(TH1)脚电连接，二极管(D2)的负极与集成时基电路(IC1)的(TR1)脚、电位器(W1)的另一个固定端电连接，二极管(D8)的正极与微处理电路(9)中的集成时基电路(IC2)的(TH2)脚电连接，二极管(D7)的负极与微处理电路(9)中的集成时基电路(IC2)的(TR2)脚电连接，微处理电路(9)中的集成时基电路(IC1)的(OUT1)脚与电阻(R6)的另一端电连接，微处理电路(9)中的集成时基电路(IC2)的(OUT2)脚与电阻(R7)的另一端电连接，退耦电容(C1)的一端、微形USB座口(M1)的负极、MOS三极管(D6)的源极、集成时基电路(IC1)的(Vss)脚和集成时基电路(IC2)的(Vss)脚、电阻(R4)的另一端、电阻(R1)的另一端与公共地电连接，退耦电容(C1)的另一端与集成时基电路(IC1)的(VCC)脚、集成时基电路(IC2)的(VCC)脚、集成时基电路(IC1)的(R1)脚、集成时基电路(IC2)的(R2)脚、电阻(R10)的另一端、NTC热敏电阻(R2)的另一端、NTC热敏电阻(R8)的另一端、发热线(R3)的另一端、微形USB座口(M1)的正极电连接。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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Effective date of registration: 20251201 Address after: 450000 Henan Province Zhengzhou City Jinsui District Future Road Street Huanghe Road 129 Tianda Building B Block 2007 Patentee after: Henan Qingfeng Technology Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 463600 Xindi spring 13-a05, Zhengyang County, Zhumadian City, Henan Province Patentee before: Zhengyang Xindi Food Industry Co.,Ltd. Country or region before: China |
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
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Effective date of registration: 20251228 Address after: Room 607, high tech Zone comprehensive service center, 300m East Road, intersection of Jinqiao Xingye Avenue and Binhe East Road, Yicheng District, Zhumadian City, Henan Province Patentee after: Henan Yuzhuo Information Technology Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 450000 Henan Province Zhengzhou City Jinsui District Future Road Street Huanghe Road 129 Tianda Building B Block 2007 Patentee before: Henan Qingfeng Technology Co.,Ltd. Country or region before: China |
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