CN106920768A - 多区主动矩阵温控系统和温控方法及其适用的静电吸盘和等离子处理装置 - Google Patents

多区主动矩阵温控系统和温控方法及其适用的静电吸盘和等离子处理装置 Download PDF

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Abstract

本发明一种多区主动矩阵温控系统，该温控系统设有温控矩阵和栅极驱动器；温控矩阵包含：组成N行M列矩阵的N*M个温控模块、电源供应线、电源返回线；每个温控模块包含：温控单元，其通电加热进行温度控制；半导体开关，其设有连接栅极驱动器的栅极，其栅极触发导通或断开的两端分别连接电源供应线和经过温控单元连接至电源返回线；温控矩阵中，同一行或同一列温控模块的温控单元连接电源返回线的一端串联连接，并连接至电源返回线；同一行或同一列温控模块的半导体开关连接电源供应线的一端串联连接，并连接至电源供应线。本发明可精准对静电吸盘每个区域进行温度控制，大幅减少静电吸盘引出线的数量。

Description

多区主动矩阵温控系统和温控方法及其适用的静电吸盘和等离子处理装置
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种多区主动矩阵温控系统和温控方法及其适用的静电吸盘和等离子处理装置。
背景技术
随着半导体技术的发展，对晶圆（wafer）制程中的均匀度（uniformity）和临界尺寸（critical dimension，CD）要求越来越严格，目前通行的小于数量10个区（zone），通常3到4个区，的加热静电吸盘已经慢慢不能满足这些越来越严格的要求。
需要设计更多加热区，例如100至400个区，的加热静电吸盘来更好的解决晶圆（wafer）制程中的均匀度（uniformity）和临界尺寸高要求的问题。如果使用传统的设计方法，大于100区的加热静电吸盘，每个加热静电吸盘需要对应设有一根电源供应（power supply）线和一根电源返回（power return）线，即需要大于100根电源供应（power supply）线和大于100根的电源返回（power return）线，这对静电吸盘结构设计来说是一个极大的问题。例如300毫米、450毫米的静电吸盘，结构上很难、甚至不可能布置这么多的电源线，将这些电源线从静电吸盘引出到控制器也是个很大的问题。
发明内容
本发明公开一种多区主动矩阵温控系统和温控方法及其适用的静电吸盘和等离子处理装置，可精准对静电吸盘每个区域进行温度控制，大幅减少静电吸盘引出线的数量。
为实现上述目的，本发明提供一种多区主动矩阵温控系统，其特点是，该温控系统设有温控矩阵和栅极驱动器；温控矩阵包含：组成N行M列矩阵的N*M个温控模块、电源供应线、电源返回线；
每个温控模块包含：
温控单元，其通电加热进行温度控制；
半导体开关，其设有连接栅极驱动器的栅极，其栅极触发导通或断开的两端分别连接电源供应线和经过温控单元连接至电源返回线；
上述温控矩阵中，同一行或同一列温控模块的温控单元连接电源返回线的一端串联连接，并连接至电源返回线；同一行或同一列温控模块的半导体开关连接电源供应线的一端串联连接，并连接至电源供应线。
上述温控矩阵中，
所有温控模块的温控单元连接电源返回线的一端电路连接至同一个电源返回线；
同一列温控模块的半导体开关连接电源供应线的一端串联连接，M列温控模块形成M个电源接入端，M个电源接入端分别连接至M路电源供应线，M路电源供应线分别对各自所接入列的温控模块进行供电控制；
同一行温控模块的半导体开关的栅极串联连接，N行温控模块引出N条栅极线，N条栅极线分别连接至一个或一个以上栅极驱动器，该栅极驱动器对N行温控模块分别驱动控制。
上述温控矩阵中；
所有温控模块的温控单元连接电源返回线的一端电路连接至同一个电源返回线；
所有温控模块的半导体开关连接电源供应线的一端电路连接至同一个电源供应线；
各个温控模块的半导体开关的栅极分别连接至一个或一个以上栅极驱动器，该栅极驱动器对每个温控模块分别驱动控制。
上述半导体开关采用TFT薄膜晶体管或三极管。
一种静电吸盘，该静电吸盘的顶部设有用于固定晶圆的静电吸附组件，其特点是，该静电吸盘中设有上述的多区主动矩阵温控系统。
上述静电吸盘中，位于多区主动矩阵温控系统的上面或下面还设有用于整体加热温控的整体温控系统。
上述栅极驱动器集成在静电吸盘内部或设置在静电吸盘外。
一种等离子处理装置，该装置包含等离子体反应腔，该等离子体反应腔内底部设有放置晶圆的基座，其特点是，该基座中设有上述的静电吸盘。
一种多区主动矩阵温控系统的温控方法，其特点是，该多区主动矩阵温控系统包含温控矩阵和栅极驱动器；温控矩阵包含：组成矩阵的温控模块、电源供应线、电源返回线；每个温控模块包含：温控单元；半导体开关，其设有连接栅极驱动器的栅极，其栅极触发导通或断开的两端分别连接电源供应线和经过温控单元连接电源返回线；
该温控方法包含：
电源供应线向需温控区域的温控模块供电；
栅极驱动器根据需温控区域，驱动对应区域的半导体开关的导通；
需温控区域的温控单元通电加热。
所有的温控模块接入一个电源返回线；同一列温控模块的半导体开关连接电源供应线的一端串联连接，各列温控模块分别电路连接一路电源供应线；同一行温控模块的半导体开关的栅极串联连接，各行温控模块分别电路连接一路栅极驱动器的控制输出；
该温控方法包含：
栅极驱动器触发部分或全部温控模块的半导体开关导通一单位时间后断开；
当栅极驱动器触发所在需温控区域的温控模块的半导体开关时，电源供应线向该需温控区域所在列的温控模块供电。
上述栅极驱动器触发部分温控模块的半导体开关的方式为：栅极驱动器根据预设时间序列，一行行依次扫描触发温控模块的半导体开关导通一单位时间后断开。
上述栅极驱动器触发部分温控模块的半导体开关的方式为：栅极驱动器根据指定的需温控区域所在行，触发对应行的温控模块的半导体开关导通一单位时间后断开。
所有的温控模块接入一个电源返回线和电源供应线；每个温控模块的半导体开关分别接入一路栅极驱动器的控制输出；
该温控方法包含：
栅极驱动器根据需温控区域所在位置，导通对应位置的温控模块的半导体开关，电源供应线向半导体开关导通的温控模块供电。
上述电源供应线通过控制接入的电压、或电流、或供电时间，对需温控区域的占空比进行控制。
本发明多区主动矩阵温控系统和温控方法及其适用的静电吸盘和等离子处理装置和现有技术的刻蚀温控技术相比，其优点在于，本发明通过扫描温控单元的电源供应线和扫描触发半导体开关的栅极，可以精准地控制静电吸盘内的每一个温控区，同时由于扫描对象的不同，通过打开所有的半导体开关和电源供应线可实现对整个静电吸盘内所有温控区的温控单元全部打开；
本发明通过设置半导体开关和栅极驱动器对温控矩阵进行控制，解决了每一个温控模块需要配备一对电源供应线和电源返回线导致引出线过多的问题，从而减少了从静电吸盘中引出线的数量，进而简化后端对这些电源供应线和电源返回线的射频滤波，同时如果将栅极驱动器集成入静电吸盘，进一步大幅度减少从静电吸盘中引出线的数量；
本发明每个温控模块都是相互独立的，不存在温控模块相互之间的电干扰，因此对静电吸盘内温度区的控制的灵活性和准确度高，可以实现单个温控模块的任意独立控制而不受限制，同时通过控制每个温控区半导体开关的开关次数和开关时间来达到控制每个温控区控温的占空比的目的。
附图说明
图1为本发明多区主动矩阵温控的温控模块的电路图；
图2为本发明多区主动矩阵温控的温控系统的实施例一的电路图；
图3为本发明多区主动矩阵温控的温控系统的实施例二的电路图。
具体实施方式
以下结合附图，进一步说明本发明的具体实施例。
本发明公开了一种可实现多区主动矩阵温控的等离子处理装置，该等离子处理装置包含有等离子体反应腔，该等离子体反应腔的形状并非限定于圆筒状，例如也可以是角筒状。在进行等离子体刻蚀时，向等离子体反应腔提供反应气体，在等离子体反应腔中设有对应的上电极和下电极，用于激发反应气体从而产生等离子体，使工艺过程中等离子体反应腔内部充满有等离子体（plasma）。
在等离子体反应腔的底部设有用于放置晶圆的基座，基座中设置有用于吸附晶圆的静电吸盘，可根据需要在静电吸盘或基座中设有加热器或制冷剂流路等温控系统。在实际应用中，下电极可以设置在上述基座中。
本发明公开了一种静电吸盘，该静电吸盘的顶部设有用于固定晶圆的静电吸附组件，进一步的，该静电吸盘中设有可进行多区主动矩阵温控的温控系统。温控系统设有温控矩阵和栅极驱动器（gate driver）；温控矩阵包含：组成N行M列矩阵的N*M个温控模块、电源供应线（power supply line）、电源返回线（power return line）；每个温控模块包含：温控单元，其通电加热进行温度控制；半导体开关，其设有连接栅极驱动器的栅极，其栅极触发导通或断开的两端分别连接电源供应线和温控单元。温控矩阵中，同一行或同一列温控模块的温控单元的电源返回端串联连接，并连接至同一个电源返回线。同一行或同一列温控模块的半导体开关连接电源供应线的一端串联连接，所有的温控模块的半导体开关连接至一个或若干个电源供应线。温控模块的半导体开关以一行或一列串联的形式分别接入栅极驱动器，或者所有半导体开关分别单独接入栅极驱动器。
实际应用中，半导体开关采用TFT薄膜晶体管或三极管等。如采用TFT薄膜晶体管，这些薄膜晶体管的栅极（gate）可以集成在一个栅极驱动器上，常见的栅极驱动器的输出通道数目有200个输出、或192个输出、或256个输出、或263个输出，输出通道足以满足多区温控静电吸盘的温控单元（heater）数量的需求。其他半导体开关同理。集成的半导体开关的栅极驱动器视尺寸大小可以直接设计在静电吸盘内部或者外部。
该温控系统的工作原理为：电源供应线向静电吸盘需温控区域所在的全部或一列或一行温控模块供电；同时栅极驱动器根据需温控区域，驱动对应区域所在的一行或一列或指定个温控模块的半导体开关的导通；需温控区域所对应的温控模块收到供电后，其温控单元通电加热，对需温控区域进行温度控制。
优选的，该静电吸盘中，位于多区主动矩阵温控系统的上面或下面还可以设有用于整体加热温控的整体温控系统作为主加热器，满足对静电吸盘整体加热的功能。
如图1所示，为一种可进行多区主动矩阵温控的温控模块，该温控模块包含温控单元101和半导体开关102。半导体开关102采用TFT薄膜晶体管或三极管等，其栅极（gate）连接栅极线103，由栅极触发导通或断开的源极（source）和漏极（drain）作为电源供应端和电源返回端，分别电路连接至电源供应线104和电源返回线105，当半导体开关102的栅极触发源极和漏极导通，即实现电源供应线104和电源返回线105电路导通。温控单元101，例如加热盘（heater、HTR），电路连接在半导体开关102的电源返回端与电源返回线105之间，当栅极触发半导体开关102导通，使电源供应线104和电源返回线105电路导通，电源供应线104（假如电源供应线104此时被施加电压的话）即对温控单元101供电，温控单元101加热对其所在静电吸盘的温控区进行温度控制；当半导体开关102未触发导通，则温控单元101不工作。
如图2所示，为多区主动矩阵温控系统的实施例一，该温控系统设有温控矩阵210和栅极驱动器（gate driver）；温控矩阵210包含：组成4行6列矩阵的4*6个温控模块220、电源供应线230、电源返回线240、栅极线250。
每个温控模块220包含：温控单元221和半导体开关222。半导体开关222采用TFT薄膜晶体管或三极管等，其栅极连接栅极线250，由栅极触发导通或断开的源极和漏极作为电源供应端和电源返回端，分别电路连接至电源供应线230和电源返回线240，当半导体开关222的栅极触发源极和漏极导通，即实现电源供应线230和电源返回线240电路导通。温控单元221电路连接在半导体开关222的电源返回端与电源返回线240之间，温控单元221用于电加热进行温度控制。
本实施例一中，位于矩阵同一行的六个温控模块220的温控单元221连接电路返回线240的一端串联连接，不同行的温控单元221连接电路返回线240的一端并联连接后，电路连接至一个电源返回线240，实现所有温控单元221电路连接至一条公共电路返回线。
位于同一列的四个温控模块220的半导体开关222连接电源供应线的一端串联连接，六列温控模块220对应六个电源接入端，六个电源接入端分别连接至六路电源供应线230，六路电源供应线230分别对各自所接入那一列的温控模块220进行供电控制。
位于同一行的六个温控模块220的半导体开关222的栅极串联连接，并接入一根栅极线250，四行温控模块220引出四条栅极线250，四条栅极线250分别连接至一个或一个以上栅极驱动器的不同输出通道（channel），该栅极驱动器对四行温控模块220分别驱动控制。
以包含有N平方个温控模块的矩阵温控系统的静电吸盘为例，现有技术中要实现N平方个温控模块的独立工作，具有温控系统的静电吸盘总共需要配备N个用于连接电源供应线的端口和N个用于连接电源返回线的端口。而如果采用本实施例一揭示的系统结构，明显不同于现有技术；当栅极驱动器配置在静电吸盘外面，即需要N条栅极线，N条电源供应线和一条电源返回线，多区主动矩阵温控系统整个进出线的数量为（2N+1）个；如果集成的栅极驱动器尺寸很小，直接设计在静电吸盘内部，则只需要N条电源供应线，一条栅极线和一条电源返回线，整个进出线的数量就为（N+2）个。如上面所述，本实施例一揭示的系统简化了电源供应线和电源返回线的数量，进一步简化了后端这些线的射频滤波（RF filtering）。
本实施例一多区主动矩阵温控系统的温控方法具体包含以下步骤：
步骤1.1、栅极驱动器根据预设的时间序列，以脉冲信号的形式输出栅极驱动指令。
步骤1.2、栅极驱动器触发部分或全部温控模块的半导体开关，导通一单位时间后断开。
步骤1.3、根据静电吸盘需温控区域的位置，打开对应列的电源供应线230，来实现对对需温控区域的温控模块220打开或关闭的控制。
步骤1.4、温控模块220的半导体开关222触发导通，电源供应线230对其供电时，温控单元221发热对静电吸盘进行温控。
进一步的，在运行上述温控方法时，通过调节对应的电源供应线230接入的电压、或电流、或打开时间，可以实现对需温控区域占空比（duty cycle）的控制。
本实施例的步骤1.2和步骤1.3，栅极驱动器触发半导体开关与电源供应线供电之间的工作配合，具体有以下三种工作方案：
方案一、栅极驱动器同时触发全部温控模块220半导体开关的方案，具体包含：
步骤1.2、栅极驱动器同时向所有温控模块220的半导体开关发送触发信号，触发全部温控模块的半导体开导通一单位时间后断开。
步骤1.3、在栅极驱动器触发并导通所有半导体开关222的同时，根据静电吸盘需温控区域的位置，打开指定列的电源供应线230，对需温控区域的温控模块220供电，实现对温控模块220的打开或关闭控制。
进一步的，也可以同时打开全部电源供应线230，实现对静电吸盘的整体温控。
方案二、栅极驱动器扫描式触发温控模块220半导体开关的方案，具体包含：
步骤1.2、栅极驱动器输出的脉冲信号，按时间序列，设计时钟（clock）来做同步动作，一行行依次扫描触发温控模块220的半导体开关222，使半导体开关222以每一行为单位依次导通一单位时间后断开。
步骤1.3、在栅极驱动器触发各半导体开关222，使温控模块220以扫描式导通的同时，根据静电吸盘需温控区域的位置，打开对应列的电源供应线230，完成需温控区域温控模块220的导通和供电，来实现对对需温控区域的打开或关闭的控制。
具体的，电源供应线230可以当栅极驱动器扫描至需温控区域所在行时，再使该需温控区域所在列的温控模块220接通电源，完成供电；或者，电源供应线230持续对需温控区域所在列接通电源，栅极驱动器扫描至需温控区域所在行，完成导通供电。
方案三、栅极驱动器根据需温控区域的分布直接触发温控模块220半导体开关的方案，具体包含：
步骤1.2、栅极驱动器根据指定的需温控区域所在行，触发对应行的温控模块220的半导体开关222导通一单位时间后断开。
步骤1.3、在栅极驱动器触发各半导体开关222，使需温控区域所在行的温控模块220导通的同时，打开需温控区域所在列的电源供应线230，完成需温控区域温控模块220的导通和供电，来实现对对需温控区域的打开或关闭的控制。
本实施例一所公开多区主动矩阵温控系统与现有技术的另一个区别在于：现有技术的时域多路复用方案（time-domain multiplexing scheme），通过直接扫描温控模块的电源供应线和电源返回线来实现每个需温控区域的准确控制，并且不能同时控制静电吸盘内所有的需温控区域。而本实施例一中的方案，通过扫描温控模块的电源供应线230和半导体开关的栅极线250，可以精准地控制静电吸盘内的每一个需温控区域，同时由于扫描对象的不同，通过打开所有的半导体开关222和电源供应线230可实现对整个静电吸盘内所有需温控区域的温控模块220全部打开控制。
如图3所示，为多区主动矩阵温控系统的实施例二，该温控系统设有温控矩阵310和栅极驱动器（gate driver）；温控矩阵310包含：组成4行6列矩阵的4*6个温控模块320、电源供应线330、电源返回线340。
每个温控模块320包含：温控单元321和半导体开关322。半导体开关322采用TFT薄膜晶体管或三极管等，其栅极（gate）连接栅极驱动器，由栅极触发导通或断开的源极和漏极作为电源供应端和电源返回端，分别电路连接至电源供应线330和电源返回线340，当半导体开关322的栅极触发源极和漏极导通，即实现电源供应线330和电源返回线340电路导通。温控单元321电路连接在半导体开关322的电源返回端与电源返回线340之间，温控单元321用于电加热进行温度控制。
本实施例二中，位于矩阵同一行的六个温控模块320的温控单元321连接电路返回线340的一端串联连接后，再将位于不同行的温控单元321并联连接，最后通过静电吸盘的一个用于电源返回的端口电路连接至一个电源返回线340，实现所有温控单元321只需要通过静电吸盘的一个用于电源返回的端口电路连接至一条公共电路返回线。
位于同一列的四个温控模块320的半导体开关322连接电源供应线的一端串联连接，再将位于不同行的半导体开关322连接电源供应线的一端并联连接后，最后通过静电吸盘的一个用于电源供应的端口电路连接至一个电源供应线330，实现所有温控单元321只需要通过静电吸盘的一个用于电源供应的端口电路连接至一条公共电路供应线。
所有温控模块320的半导体开关322的栅极分别连接至一个或一个以上栅极驱动器的24个不同的输出通道（channel），该栅极驱动器对24个温控模块220分别进行驱动控制。
以包含有N平方个温控模块的矩阵温控系统的静电吸盘为例，现有技术中要实现N平方个温控模块的独立工作，具有温控系统的静电吸盘总共需要配备N个用于连接电源供应线的端口和N个用于连接电源返回线的端口。而如果采用本实施例二揭示的系统结构，明显不同于现有技术；静电吸盘只需要设置N平方个栅极线的端口、一个连接电源供应线的端口和一个连接电源返回线的端口，这N平方个半导体开关的栅极线接入栅极驱动器中，一个栅极驱动器输出通道可以满足一个差不多200个左右的多区温控静电吸盘。对于一个尺寸小的栅极驱动器，可以设计在静电吸盘内部，会带来一个很大的好处就是控制这差不多200个温控模块的静电吸盘只需要设置三个端口即可实现所有温控模块与栅极驱动器、电源供应线和电源返回线的连接。进一步，对于200或者更多的温控模块的静电吸盘，可以通过增加一个或几个栅极驱动器并集成在静电吸盘内来实现控制。
本实施例二公开的多区主动矩阵温控系统的温控矩阵310含有24个温控模块320，设计所有的温控模块320共用一个电源供应线330，所有温控模块320共用一个电源返回线340，每个温控模块320的打开和关闭由控制半导体开关322的栅极的打开和关闭来实现，因此这个提案设计含有24个栅极线，这24个半导体开关的栅极线接入同一个栅极驱动器的不同输出通道。
本实施例二多区主动矩阵温控系统的温控方法具体包含以下步骤：
步骤2.1、电源供应线330和电源返回线340对温控矩阵310中的所有温控模块320提供电源回路。
步骤2.2、栅极驱动器根据需温控区域所在位置，导通对应位置的温控模块320的半导体开关322。
步骤2.3、温控模块320的半导体开关322触发导通，电源供应线330对其供电时，温控单元321发热对静电吸盘进行温控。
进一步的，在运行上述温控方法时，通过调节对应的电源供应线330接入的电压、或电流、或打开时间，实现对需温控区域占空比（duty cycle）的控制。
这种多区温控静电吸盘的设计优点在于，每个温控模块320都是相互独立的，不存在温控模块320相互之间的电干扰，因此对静电吸盘内需温控区域的控制的灵活性和准确度高，可以实现单个温控模块320，多个需温控区域，所有需温控区域的任意独立控制而不受限制，同时通过控制每个需温控区域对应温控模块320半导体开关322的开关次数和开关时间来达到控制每个需温控区域控温的占空比的目的。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (14)

1.一种多区主动矩阵温控系统，其特征在于，该温控系统设有温控矩阵和栅极驱动器；温控矩阵包含：组成N行M列矩阵的N*M个温控模块、电源供应线、电源返回线；
每个温控模块包含：
温控单元，其通电加热进行温度控制；
半导体开关，其设有连接栅极驱动器的栅极，其栅极触发导通或断开的两端分别连接电源供应线和经过温控单元连接至电源返回线；
所述温控矩阵中，同一行或同一列温控模块的温控单元连接电源返回线的一端串联连接，并连接至电源返回线；同一行或同一列温控模块的半导体开关连接电源供应线的一端串联连接，并连接至电源供应线。
2.如权利要求1所述的温控系统，其特征在于，所述温控矩阵中，
所有温控模块的温控单元连接电源返回线的一端电路连接至同一个电源返回线；
同一列温控模块的半导体开关连接电源供应线的一端串联连接，M列温控模块形成M个电源接入端，M个电源接入端分别连接至M路电源供应线，M路电源供应线分别对各自所接入列的温控模块进行供电控制；
同一行温控模块的半导体开关的栅极串联连接，N行温控模块引出N条栅极线，N条栅极线分别连接至一个或一个以上栅极驱动器，该栅极驱动器对N行温控模块分别驱动控制。
3.如权利要求1所述的温控系统，其特征在于，所述温控矩阵中；
所有温控模块的温控单元连接电源返回线的一端电路连接至同一个电源返回线；
所有温控模块的半导体开关连接电源供应线的一端电路连接至同一个电源供应线；
各个温控模块的半导体开关的栅极分别连接至一个或一个以上栅极驱动器，该栅极驱动器对每个温控模块分别驱动控制。
4.如权利要求1所述的温控系统，其特征在于，所述半导体开关采用TFT薄膜晶体管或三极管。
5.一种静电吸盘，该静电吸盘的顶部设有用于固定晶圆的静电吸附组件，其特征在于，该静电吸盘中设有如权利要求1至4中任意一项权利要求所述的多区主动矩阵温控系统。
6.如权利要求5所述的静电吸盘，其特征在于，所述静电吸盘中，位于多区主动矩阵温控系统的上面或下面还设有用于整体加热温控的整体温控系统。
7.如权利要求5所述的静电吸盘，其特征在于，所述栅极驱动器集成在静电吸盘内部或设置在静电吸盘外。
8.一种等离子处理装置，该装置包含等离子体反应腔，该等离子体反应腔内底部设有放置晶圆的基座，其特征在于，该基座中设有如权利要求5至7中任意一项权利要求所述的静电吸盘。
9.一种多区主动矩阵温控系统的温控方法，其特征在于，该多区主动矩阵温控系统包含温控矩阵和栅极驱动器；温控矩阵包含：组成矩阵的温控模块、电源供应线、电源返回线；每个温控模块包含：温控单元；半导体开关，其设有连接栅极驱动器的栅极，其栅极触发导通或断开的两端分别连接电源供应线和经过温控单元连接电源返回线；
该温控方法包含：
电源供应线向需温控区域的温控模块供电；
栅极驱动器根据需温控区域，驱动对应区域的半导体开关的导通；
需温控区域的温控单元通电加热。
10.如权利要求9所述的温控方法，其特征在于，所有的温控模块接入一个电源返回线；同一列温控模块的半导体开关连接电源供应线的一端串联连接，各列温控模块分别电路连接一路电源供应线；同一行温控模块的半导体开关的栅极串联连接，各行温控模块分别电路连接一路栅极驱动器的控制输出；
该温控方法包含：
栅极驱动器触发部分或全部温控模块的半导体开关导通一单位时间后断开；
当栅极驱动器触发所在需温控区域的温控模块的半导体开关时，电源供应线向该需温控区域所在列的温控模块供电。
11.如权利要求10所述的温控方法，其特征在于，所述栅极驱动器触发部分温控模块的半导体开关的方式为：栅极驱动器根据预设时间序列，一行行依次扫描触发温控模块的半导体开关导通一单位时间后断开。
12.如权利要求10所述的温控方法，其特征在于，所述栅极驱动器触发部分温控模块的半导体开关的方式为：栅极驱动器根据指定的需温控区域所在行，触发对应行的温控模块的半导体开关导通一单位时间后断开。
13.如权利要求9所述的温控方法，其特征在于，所有的温控模块接入一个电源返回线和电源供应线；每个温控模块的半导体开关分别接入一路栅极驱动器的控制输出；
该温控方法包含：
栅极驱动器根据需温控区域所在位置，导通对应位置的温控模块的半导体开关，电源供应线向半导体开关导通的温控模块供电。
14.如权利要求9至13中任意一项权利要求所述的温控方法，其特征在于，所述电源供应线通过控制接入的电压、或电流、或供电时间，对需温控区域的占空比进行控制。
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