CN107146830A - 一种制备柔性透明的石墨烯/硅金属‑半导体‑金属光电探测器的方法 - Google Patents

一种制备柔性透明的石墨烯/硅金属‑半导体‑金属光电探测器的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107146830A
CN107146830A CN201710423821.XA CN201710423821A CN107146830A CN 107146830 A CN107146830 A CN 107146830A CN 201710423821 A CN201710423821 A CN 201710423821A CN 107146830 A CN107146830 A CN 107146830A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon
film
graphene
metal
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710423821.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN107146830B (zh
Inventor
徐杨
马玲玲
阿亚兹
李炜
刘威
吕建杭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang University ZJU
Original Assignee
Zhejiang University ZJU
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang University ZJU filed Critical Zhejiang University ZJU
Priority to CN201710423821.XA priority Critical patent/CN107146830B/zh
Publication of CN107146830A publication Critical patent/CN107146830A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107146830B publication Critical patent/CN107146830B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
    • H10F30/227—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a Schottky barrier
    • H10F30/2275—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a Schottky barrier being a metal-semiconductor-metal [MSM] Schottky barrier
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种制备柔性透明的石墨烯/硅金属‑半导体‑金属光电探测器的方法，包括：将SOI硅衬底的硅薄膜刻蚀成硅条；在SOI硅衬底的二氧化硅隔离层上表面光刻出金电极图形，镀金电极；制备单晶石墨烯薄膜；在二氧化硅隔离层、硅条和金电极上表面覆盖单晶石墨烯薄膜；将单晶石墨烯薄膜图形化成叉指型；在图形化的器件上表面覆盖PC薄膜，刮去边缘PC膜，放进BOE刻蚀液中刻蚀掉硅衬底；本发明光电探测器可以进行宽光谱探测，解决了传统硅基PIN结对紫外光探测响应低的问题，光生载流子与硅晶格产生碰撞离子化，获得很高的增益；本发明制备工艺简单，成本低廉，具有响应度高，响应速度快，内部增益大，开关比小，易于集成的特点。

Description

一种制备柔性透明的石墨烯/硅金属-半导体-金属光电探测 器的方法
技术领域
本发明属于光电探测技术领域，涉及光电探测器件结构，尤其涉及一种制备柔性透明的石墨烯/硅金属-半导体-金属光电探测器的方法
背景技术
良好的导电性，较高的光学透明度和良好的机械灵活性使得石墨烯成为下一代柔性电子器件的有比较好的应用前景。其中石墨烯与半导体结合形成肖特基结，可应用于电子和光电子领域。虽然有机半导体本质上是灵活的，但石墨烯-半导体肖特基结是柔性电子器件的理想选择。然而，诸如稳定性差，不可重复响应和器件性能差等主要问题，特别是与硅基器件相比，限制了其更广泛的应用。此外，与单晶硅相比，有机半导体具有较低的迁移率。
硅作为二十世纪最重要的半导体材料之一，一直推动着电子，光电子和太阳能电池行业的巨大成功，其中多以单晶、多晶硅晶片和无定形以及纳米晶体薄膜的形式使用。由于硅适宜的带隙结构，成熟的CMOS制造技术，高可靠性，良好控制的表面状态和低成本的可扩展生产以及高速光电检测，使硅成为用于光电检测器的理想半导体材料。然而体硅晶体的刚度限制了其在柔性光电探测器领域的应用，特别是柔性检测电子器件方面。但是，当Si薄膜减薄到小于50微米时，应用柔韧性较好，容易弯曲，并且可以用普通剪刀剪切，使其在柔性电子应用中有一定的应用价值。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种制备柔性透明的石墨烯/硅金属-半导体-金属(MSM)光电探测器的方法。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：一种制备柔性透明的石墨烯/硅金属-半导体-金属光电探测器的方法，包括以下步骤：
(1)将SOI硅衬底的硅薄膜采用深能级反应刻蚀机ICP刻蚀成矩形的硅条，所述SOI硅衬底从上至下包括硅薄膜、二氧化硅隔离层和硅衬底；
(2)在二氧化硅隔离层上表面光刻出位于硅条两侧、且平行于硅条的金电极图形，然后采用电子束蒸发技术镀金电极；
(3)采用化学气相沉积方法在铜箔基底上制备单晶石墨烯薄膜；
(4)在二氧化硅隔离层、硅条和金电极上表面覆盖单晶石墨烯薄膜；
(5)将单晶石墨烯薄膜采用光刻技术图形化成叉指型，随后利用等离子体刻蚀去除多余的石墨烯，图形化后的单晶石墨烯薄膜的覆盖范围在金电极包围的范围内；
(6)在步骤得到的图形化的器件上表面覆盖PC薄膜，刮去边缘PC膜，并放进BOE刻蚀液中刻蚀掉硅衬底，制备出柔性透明超薄的石墨烯/硅金属-半导体-金属光电探测器。
进一步地，所述步骤中，所述硅薄膜厚度为200nm，硅条厚度为200nm，二氧化硅隔离层厚度为100nm。
进一步地，所述步骤中，首先在二氧化硅隔离层上生长厚度为5nm的铬黏附层，然后生长60nm的金电极。
进一步地，所述步骤中，石墨烯的转移方法为：将单晶石墨烯薄膜表面均匀涂覆一层聚甲基丙烯酸甲酯薄膜，然后放入刻蚀溶液中4h腐蚀去除铜箔，留下由聚甲基丙烯酸甲酯支撑的单晶石墨烯薄膜；将聚甲基丙烯酸甲酯支撑的单晶石墨烯薄膜用去离子水清洗后转移到二氧化硅隔离层、硅条和金电极的上表面；最后用二氯甲烷和异丙醇去除聚甲基丙烯酸甲酯；其中，所述刻蚀溶液由CuSO4、HCl和水组成，CuSO4：HCl：H2O＝10g:50ml:50ml。
本发明具有以下有益效果：该探测器以石墨烯作为有源层和透明电极，消除死层，增强入射光的吸收；二氧化硅隔离层减少了硅表面态的影响，同时抑制了反向饱和电流；在较小偏压即可正常工作，本发明中使用的图形化的硅条厚度约为200nm，远小于体硅的扩散长度(μm)，有利于光生载流子的分离，可以有效的区分光暗电流，提高光电探测器的性能；制备出的超薄石墨烯MSM光电探测器柔韧性好且透明，理论上可以转移至任意载体上，并具有良好的性能。同时可对其阵列进行紫外成像。入射光照射到本发明光电探测器表面，被石墨烯和硅衬底吸收。产生的光生载流子(空穴电子对)在内建电场作用下被分离，电场方向由硅指向石墨烯。反向偏压下电场更强，光生空穴向石墨烯移动，光生电子则流向硅衬底，形成光生电流。本发明中MSM光电探测器为叉指结构，可对其阵列进行紫外成像。本发明光电探测器所用材料以硅为基本材料，制备过程简单，成本低，易与现有半导体标准工艺兼容。
附图说明
图1为本发明柔性透明的石墨烯/硅金属-半导体-金属光电探测器的结构示意图；
图2为本发明中实施例所制备的光电探测器工作在-2-2V下、不同入射光功率下在光开与光关下器件的光学响应曲线图；
图3中(a)为本发明中紫外成像所用的设备；(b)标记为ZJU的原图；(c)为紫外光照射下呈现ZJU的图；(d)标记为ISEE的原图；(e)为紫外光照射下呈现ISEE的图。
具体实施方式
本发明提供的一种柔性透明的石墨烯/硅金属-半导体-金属光电探测器的工作原理如下：
入射光照射到本发明光电探测器表面，被石墨烯和硅衬底吸收。产生的光生载流子(空穴电子对)在内建电场作用下被分离，电场方向由硅指向石墨烯。反向偏压下电场更强，光生空穴向石墨烯移动，光生电子则流向硅衬底，形成光生电流。图形化的硅条厚度约为200nm，远小于体硅的扩散长度(μm)有利于光生载流子的分离，可以有效的区分光暗电流，提高光电探测器的性能。本发明的石墨烯MSM探测器可以转移至PC薄膜上。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。
本发明提供的一种制备上述柔性透明的石墨烯/硅金属-半导体-金属光电探测器的方法，包括以下步骤：
(1)将SOI硅衬底(1)的硅薄膜采用深能级反应刻蚀机ICP刻蚀成矩形的硅条(3)，所述SOI硅衬底(1)从上至下包括硅薄膜、二氧化硅隔离层(2)和硅衬底(1)；
(2)在二氧化硅隔离层(2)上表面光刻出位于硅条(3)两侧、且平行于硅条(3)的金电极图形，然后采用电子束蒸发技术镀金电极(4)；
(3)采用化学气相沉积方法在铜箔基底上制备单晶石墨烯薄膜(5)；
(4)在二氧化硅隔离层(2)、硅条(3)和金电极(4)上表面覆盖单晶石墨烯薄膜(5)；
(5)将单晶石墨烯薄膜(5)采用光刻技术图形化成叉指型，随后利用等离子体刻蚀去除多余的石墨烯，图形化后的单晶石墨烯薄膜(5)的覆盖范围在金电极(4)包围的范围内；
(6)在步骤(5)得到的图形化的器件上表面覆盖PC薄膜，刮去边缘PC膜，并放进BOE刻蚀液中刻蚀掉硅衬底(1)，制备出柔性透明超薄的石墨烯/硅金属-半导体-金属光电探测器。
对上述柔性透明超薄的石墨烯/硅金属-半导体-金属光电探测器加小偏压，使其正常工作，加不同入射光功率实现增益，如图2所示。
本实施例所制备的柔性透明的石墨烯/硅金属-半导体-金属光电探测器工作在-2-2V下，在405nm的不同入射光功率的光照射下的光暗电流曲线变化如图2所示。其中在器件的金电极4上加小偏压。从图2可以看出，所制备的器件在无光条件下，暗电流很小；而当入射波长405nm、入射光功率从0.2光功逐渐增大到0.4mW时产生明显的光电流。由图2可知在器件工作在-2-2V时，曲线呈平滑的S型曲线，即背对背肖特基结特性曲线。同时实验发现器件在紫外到近红外均具有非常优越的光电探测特性。
图3为阵列型器件在紫外成像图，可看出图形很清晰，性能优异。

Claims (4)

1.一种制备柔性透明的石墨烯/硅金属-半导体-金属光电探测器的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将SOI硅衬底(1)的硅薄膜采用深能级反应刻蚀机ICP刻蚀成矩形的硅条(3)，所述SOI硅衬底(1)从上至下包括硅薄膜、二氧化硅隔离层(2)和硅衬底(1)；
(2)在二氧化硅隔离层(2)上表面光刻出位于硅条(3)两侧、且平行于硅条(3)的金电极图形，然后采用电子束蒸发技术镀金电极(4)；
(3)采用化学气相沉积方法在铜箔基底上制备单晶石墨烯薄膜(5)；
(4)在二氧化硅隔离层(2)、硅条(3)和金电极(4)上表面覆盖单晶石墨烯薄膜(5)；
(5)将单晶石墨烯薄膜(5)采用光刻技术图形化成叉指型，随后利用等离子体刻蚀去除多余的石墨烯，图形化后的单晶石墨烯薄膜(5)的覆盖范围在金电极(4)包围的范围内；
(6)在步骤(5)得到的图形化的器件上表面覆盖PC薄膜，刮去边缘PC膜，并放进BOE刻蚀液中刻蚀掉硅衬底(1)，制备出柔性透明超薄的石墨烯/硅金属-半导体-金属光电探测器。
2.根据权利要求1所述的一种制备柔性透明的石墨烯/硅金属-半导体-金属光电探测器的方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述硅薄膜厚度为200nm，硅条(3)厚度为200nm，二氧化硅隔离层(2)厚度为100nm。
3.根据权利要求1所述的一种制备柔性透明的石墨烯/硅金属-半导体-金属光电探测器的方法，其特征在于，所述步骤(2)中，首先在二氧化硅隔离层(2)上生长厚度为5nm的铬黏附层，然后生长60nm的金电极(4)。
4.根据权利要求1所述的一种制备柔性透明的石墨烯/硅金属-半导体-金属光电探测器的方法，其特征在于，所述步骤(4)中，石墨烯的转移方法为：将单晶石墨烯薄膜(5)表面均匀涂覆一层聚甲基丙烯酸甲酯薄膜，然后放入刻蚀溶液中4h腐蚀去除铜箔，留下由聚甲基丙烯酸甲酯支撑的单晶石墨烯薄膜(5)；将聚甲基丙烯酸甲酯支撑的单晶石墨烯薄膜(5)用去离子水清洗后转移到二氧化硅隔离层(2)、硅条(3)和金电极(4)的上表面；最后用二氯甲烷和异丙醇去除聚甲基丙烯酸甲酯；其中，所述刻蚀溶液由CuSO4、HCl和水组成，CuSO4：HCl：H2O＝10g:50ml:50ml。
CN201710423821.XA 2017-06-07 2017-06-07 一种制备柔性透明的石墨烯/硅金属-半导体-金属光电探测器的方法 Active CN107146830B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710423821.XA CN107146830B (zh) 2017-06-07 2017-06-07 一种制备柔性透明的石墨烯/硅金属-半导体-金属光电探测器的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710423821.XA CN107146830B (zh) 2017-06-07 2017-06-07 一种制备柔性透明的石墨烯/硅金属-半导体-金属光电探测器的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107146830A true CN107146830A (zh) 2017-09-08
CN107146830B CN107146830B (zh) 2019-04-02

Family

ID=59780202

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710423821.XA Active CN107146830B (zh) 2017-06-07 2017-06-07 一种制备柔性透明的石墨烯/硅金属-半导体-金属光电探测器的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107146830B (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108054180A (zh) * 2018-01-29 2018-05-18 杭州紫元科技有限公司 一种基于石墨烯/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件
CN108257946A (zh) * 2017-11-30 2018-07-06 中国科学院微电子研究所 光电探测器与其制作方法
CN108281443A (zh) * 2018-01-29 2018-07-13 杭州紫元科技有限公司 一种基于soi衬底的石墨烯/硅异质结ccd像素阵列及其制备方法
CN108281453A (zh) * 2018-01-29 2018-07-13 杭州紫元科技有限公司 一种柔性电荷耦合器件及其制备方法
CN111952402A (zh) * 2020-08-26 2020-11-17 合肥工业大学 一种基于石墨烯/超薄硅/石墨烯异质结的颜色探测器及其制备方法
CN113782640A (zh) * 2021-09-10 2021-12-10 中国科学院半导体研究所 基于石墨烯-cmos单片集成的探测器芯片的制备方法及系统
CN114583003A (zh) * 2022-04-29 2022-06-03 浙江大学 基于硅/石墨烯纳米膜/锗的垂直光电探测器及制备方法
CN114864736A (zh) * 2022-02-24 2022-08-05 电子科技大学 一种基于二维过渡金属硫化物半导体的新型激子调控器件及其制备方法和调控方法
CN119836113A (zh) * 2025-01-02 2025-04-15 浙江大学 一种自驱动透明紫外柔性光电探测器及图像传感阵列

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1957445A (zh) * 2004-04-28 2007-05-02 汉阳大学校产学协力团 柔性单晶膜及其制造方法
CN104157721A (zh) * 2014-08-08 2014-11-19 浙江大学 基于石墨烯/硅/石墨烯的雪崩光电探测器及其制备方法
CN104157722A (zh) * 2014-08-18 2014-11-19 浙江大学 一种硅-石墨烯雪崩光电探测器
CN104300028A (zh) * 2014-08-08 2015-01-21 浙江大学 以氟化石墨烯为吸收层的紫外雪崩光电探测器及制备方法
CN104810427A (zh) * 2014-01-26 2015-07-29 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 基于声表面波增强的紫外探测器及其制备方法
CN104810411A (zh) * 2014-01-24 2015-07-29 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种光导型紫外探测器及其制作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1957445A (zh) * 2004-04-28 2007-05-02 汉阳大学校产学协力团 柔性单晶膜及其制造方法
CN104810411A (zh) * 2014-01-24 2015-07-29 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种光导型紫外探测器及其制作方法
CN104810427A (zh) * 2014-01-26 2015-07-29 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 基于声表面波增强的紫外探测器及其制备方法
CN104157721A (zh) * 2014-08-08 2014-11-19 浙江大学 基于石墨烯/硅/石墨烯的雪崩光电探测器及其制备方法
CN104300028A (zh) * 2014-08-08 2015-01-21 浙江大学 以氟化石墨烯为吸收层的紫外雪崩光电探测器及制备方法
CN104157722A (zh) * 2014-08-18 2014-11-19 浙江大学 一种硅-石墨烯雪崩光电探测器

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
KAIQUN RUAN: ""Flexible graphene/silicon heterojunction solar cells"", 《J. MATER. CHEM. A》 *
QIYUAN HE: ""Transparent, Flexible, All-Reduced Graphene Oxide Thin Film Transistors"", 《ACS NANO》 *
YANG XU: ""Solvent based Soft-Patterning of Graphene Lateral Heterostructures for Broadband High-Speed Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors "", 《ADVANCED MATERIALS TECHNOLOGIES》 *

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108257946A (zh) * 2017-11-30 2018-07-06 中国科学院微电子研究所 光电探测器与其制作方法
CN108257946B (zh) * 2017-11-30 2020-05-12 中国科学院微电子研究所 光电探测器与其制作方法
CN108281443A (zh) * 2018-01-29 2018-07-13 杭州紫元科技有限公司 一种基于soi衬底的石墨烯/硅异质结ccd像素阵列及其制备方法
CN108281453A (zh) * 2018-01-29 2018-07-13 杭州紫元科技有限公司 一种柔性电荷耦合器件及其制备方法
CN108054180A (zh) * 2018-01-29 2018-05-18 杭州紫元科技有限公司 一种基于石墨烯/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件
CN111952402B (zh) * 2020-08-26 2023-04-25 合肥工业大学 一种基于石墨烯/超薄硅/石墨烯异质结的颜色探测器及其制备方法
CN111952402A (zh) * 2020-08-26 2020-11-17 合肥工业大学 一种基于石墨烯/超薄硅/石墨烯异质结的颜色探测器及其制备方法
CN113782640A (zh) * 2021-09-10 2021-12-10 中国科学院半导体研究所 基于石墨烯-cmos单片集成的探测器芯片的制备方法及系统
CN113782640B (zh) * 2021-09-10 2023-02-21 中国科学院半导体研究所 基于石墨烯-cmos单片集成的探测器芯片的制备方法及系统
CN114864736A (zh) * 2022-02-24 2022-08-05 电子科技大学 一种基于二维过渡金属硫化物半导体的新型激子调控器件及其制备方法和调控方法
CN114583003A (zh) * 2022-04-29 2022-06-03 浙江大学 基于硅/石墨烯纳米膜/锗的垂直光电探测器及制备方法
CN119836113A (zh) * 2025-01-02 2025-04-15 浙江大学 一种自驱动透明紫外柔性光电探测器及图像传感阵列
CN119836113B (zh) * 2025-01-02 2025-12-05 浙江大学 一种自驱动透明紫外柔性光电探测器及图像传感阵列

Also Published As

Publication number Publication date
CN107146830B (zh) 2019-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107146830A (zh) 一种制备柔性透明的石墨烯/硅金属‑半导体‑金属光电探测器的方法
Wu et al. In situ fabrication of PdSe2/GaN Schottky junction for polarization-sensitive ultraviolet photodetection with high dichroic ratio
Zhao et al. Black silicon for near-infrared and ultraviolet photodetection: A review
CN106169516B (zh) 一种基于石墨烯的硅基紫外光电探测器及其制备方法
CN107452823B (zh) 一种微米线阵列光探测器及其制备方法
CN104157721B (zh) 基于石墨烯/硅/石墨烯的雪崩光电探测器及其制备方法
CN105957955B (zh) 一种基于石墨烯平面结的光电探测器
Xu et al. Surface engineering in SnO2/Si for high-performance broadband photodetectors
CN111341875B (zh) 一种石墨烯/二硒化钯/硅异质结自驱动光电探测器
CN104300027B (zh) 基于石墨烯/二氧化硅/硅的雪崩光电探测器及制备方法
CN105206689A (zh) 一种基于薄膜半导体-石墨烯异质结的光电探测器制备方法
CN115440837B (zh) 一种基于石墨烯/二碲化钨/锗混维异质结的光电二极管及其制备方法和应用
CN111129186A (zh) 一种二氧化钒和二维半导体的结型光探测器及制备方法
Hsueh et al. Crystalline-Si photovoltaic devices with ZnO nanowires
KR101363327B1 (ko) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
CN111244222B (zh) 六方氮化硼紫外光探测器及制备方法
CN106653930B (zh) 基于半导体纳米材料的等离激元增强光电探测器及其制备方法
CN114300551A (zh) 石墨烯/等离子激元黑硅近红外探测器结构及其制备方法
CN114256367A (zh) 石墨烯锗硅量子点集成的复合结构探测器及其制备方法
CN112736158A (zh) 一种高性能硅基锗探测器及其制备方法
CN118738197A (zh) 一种高线性动态范围的紫外光电探测器及制备方法
KR100809427B1 (ko) 광전 변환 소자 및 이의 제조 방법
CN117457781A (zh) 一种提升二维硒化钨基自驱动紫外光响应度的探测器及其制备方法
Karaağaç et al. One-dimensional silicon nano-/microstructures based opto-electronic devices
CN207009460U (zh) 基于二维材料垂直肖特基结近红外探测器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant