CN110132995A - 缺陷定位系统及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种缺陷定位系统和缺陷定位方法，所述缺陷定位系统包括：第一缺陷定位模块，用于向晶片表面发射检测光束、并根据所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置；以及第二缺陷定位模块，用于根据所述第一缺陷定位模块确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷进行显微成像，并根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置。本发明实施例的缺陷定位系统和缺陷定位方法能够在提高缺陷定位的准确率的同时，大幅度地提高缺陷位置的检测效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种缺陷定位系统及缺陷定位方法。
背景技术
半导体制造工艺中，需要使用检验工艺来检测晶片上的缺陷以提高晶片的合格率。各种检验工艺不仅需要准确地捕捉晶片表面的缺陷，还需要具备极高的吞吐量。检验机台的检测能力的好坏决定着半导体制程工艺稳定性的优劣。
然而目前的检验工艺很难在高效检测和准确检测之间达到平衡，例如在维持高吞吐量的同时，会导致机台检测的缺陷坐标不够准确；而在提高机台对缺陷检测的准确率的同时，会影响机台的检测效率。
因此，如何兼顾晶片缺陷检测的准确率和检测效率是目前亟待解决的问题。
发明内容
为了提高晶片缺陷检测的准确率和检测效率，本发明实施例提供一种缺陷定位系统，包括：第一缺陷定位模块，用于向晶片表面发射检测光束、并根据所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置；以及第二缺陷定位模块，用于根据所述第一缺陷定位模块确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷进行显微成像，并根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置。
可选地，所述第二缺陷定位模块用于根据所述第一缺陷定位模块确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷原位地进行光学显微成像。
可选地，所述第二缺陷定位模块根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正包括：所述第二缺陷定位模块根据所述至少一个缺陷的显微成像结果控制所述晶片旋转或平移，并根据所述晶片的旋转角度或平移量，对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正。
可选地，所述第一缺陷定位模块包括：光源，用于朝向所述晶片表面发射所述检测光束；探测器，用于探测所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号、并产生指示所述光信号的输出信号；以及第一处理装置，用于根据所述探测器的输出信号确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置。
可选地，所述第二缺陷定位模块包括：光学显微成像装置，用于根据所述第一缺陷定位模块确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷进行显微成像；以及第二处理装置，用于根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置。
可选地，所述光学显微成像装置包括光学显微镜。
可选地，所述第二处理装置还用于：根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，控制所述晶片作第一旋转运动和/或第一平移运动，使所述至少一个缺陷的第一位置位于所述光学显微成像装置的视场内。
可选地，所述第二处理装置还用于：当所述至少一个缺陷的第一位置位于所述光学显微成像装置的视场内、而所述至少一个缺陷不存在于所述光学显微成像装置的视场内时，控制所述晶片作第二旋转运动和/或第二平移运动，使得所述至少一个缺陷位于所述光学显微成像装置的视场内；以及根据所述晶片作所述第二旋转运动的旋转角度和/或作所述第二平移运动产生的位移，对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置。
可选地，所述缺陷定位系统还包括：晶片运动控制模块，所述晶片运动控制模块基于从所述第二处理装置接收到的第一指令来控制所述晶片作所述第一旋转运动和/或所述第一平移运动。
可选地，所述缺陷定位系统还包括：晶片运动控制模块，所述晶片运动控制模块基于从所述第二处理装置接收到的第二指令来控制所述晶片作所述第二旋转运动和/或所述第二平移运动。
可选地，所述缺陷定位系统还包括：晶片运动控制模块，所述晶片运动控制模块基于从所述第一处理装置接收到的第三指令来控制所述晶片作第三旋转运动和/或第三平移运动，使得所述检测光束对所述晶片表面进行扫描。
可选地，所述晶片运动控制模块包括运动控制器，所述晶片运动控制模块还包括旋转载台和/或平移载台；所述运动控制器用于：通过控制所述旋转载台控制所述晶片旋转，和/或通过控制所述平移载台控制所述晶片平移。
可选地，所述探测器包括：第一光电探测器，用于在第一空间角度范围内接收所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的第一光信号，并产生指示所述第一光信号的第一输出信号；以及第二光电探测器，用于在第二空间角度范围内接收所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的第二光信号，并产生指示所述第二光信号的第二输出信号；所述第一处理装置用于根据所述第一输出信号和所述第二输出信号的相对大小确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置。
相应地，本发明实施例还提供一种缺陷定位方法，包括：向晶片表面发射检测光束；根据所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置；根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷进行显微成像；以及根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置。
可选地，根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷进行显微成像包括：根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，利用光学显微成像装置对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷原位地进行光学显微成像。
可选地，根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述晶片中的一个或多个缺陷的第一位置进行校正包括：根据所述至少一个缺陷的显微成像结果控制所述晶片旋转或平移，并根据所述晶片的旋转角度或平移量，对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正。
可选地，根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，利用光学显微成像装置对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷原位地进行光学显微成像包括：根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，控制所述晶片作第一旋转运动和/或第一平移运动，使所述至少一个缺陷的第一位置位于所述光学显微成像装置的视场内。
可选地，根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正包括：当所述至少一个缺陷的第一位置位于所述光学显微成像装置的视场内、而所述至少一个缺陷不存在于所述光学显微成像装置的视场内时，控制所述晶片作第二旋转运动和/或第二平移运动，使得所述至少一个缺陷位于所述光学显微成像装置的视场内；以及根据所述晶片作所述第二旋转运动的旋转角度和/或作所述第二平移运动产生的位移，对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置。
可选地，在向所述晶片表面发射检测光束的过程中，所述方法还包括：控制所述晶片作第三旋转运动和/或第三平移运动，使得所述检测光束对所述晶片表面进行扫描。
可选地，根据所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号确定所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置包括：在第一空间角度范围内接收所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的第一光信号，并产生指示所述第一光信号的第一输出信号；在第二空间角度范围内接收所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的第二光信号，并产生指示所述第二光信号的第二输出信号；以及根据所述第一输出信号和所述第二输出信号的相对大小确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
本发明实施例的缺陷定位系统包括第一缺陷定位模块和第二缺陷定位模块，所述第一缺陷定位模块通过向晶片表面发射检测光束、并根据所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置，从而实现对所述晶片中的缺陷的初步定位；所述第二缺陷定位模块根据所述第一缺陷定位模块确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷进行显微成像，并根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置，从而实现对所述晶片中的缺陷的精确定位，能够减小或消除因晶片的无法对准或晶片的高速旋转等因素引起的晶片缺陷定位的误差，由于系统误差引起的每个缺陷的定位偏差相差不大，因此所述第二缺陷定位模块仅需对检测到的所有缺陷中的至少一个缺陷即可以是部分缺陷进行显微成像，并根据部分缺陷的显微成像结果对所有缺陷的第一位置进行统一的校正，能够在提高缺陷定位的准确率的同时，大幅度地提高缺陷位置的检测效率。
进一步地，由于所述第二缺陷定位模块用于根据所述第一缺陷定位模块确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷原位地进行光学显微成像，而无需将晶片转移至其它系统以对晶片中缺陷的位置进行校正，因而本发明实施例的缺陷定位系统通过原位校正的技术手段进一步提高了对晶片缺陷位置检测的效率，有利于提高吞吐量。
进一步地，所述第二缺陷定位模块包括光学显微成像装置，所述光学显微成像装置可以包括光学显微镜，由于光学显微镜具有较低的成本，因此在检测机台上增加光学显微功能简便易实现，可操作性强。
本发明实施例的缺陷定位方法，通过向晶片表面发射检测光束，并根据所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置，从而实现对所述晶片中缺陷的初步定位；根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷进行显微成像，并根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述晶片中的一个或多个缺陷的第二位置，从而实现对所述晶片中的缺陷的精确定位，以减小或消除因晶片的无法对准或晶片的高速旋转等因素引起的晶片缺陷定位的误差，由于缺陷的定位偏差主要是系统误差，而系统误差对于每个缺陷而言相差不大，因此所述第二缺陷定位模块仅需对检测到的所有缺陷中的至少一个缺陷例如可以是部分缺陷进行显微成像，并根据部分缺陷的显微成像结果对所有缺陷的第一位置进行统一的校正，能够在提高缺陷定位的准确率的同时，大幅度地提高缺陷位置的检测效率。
进一步地，所述方法包括根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，利用光学显微成像装置对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷原位地进行光学显微成像，而无需将晶片转移至其它系统以对晶片中缺陷的位置进行校正，因而本发明实施例的缺陷定位方法通过原位校正的技术手段进一步提高了晶片缺陷位置检测的效率，有利于提高吞吐量。
附图说明
图1是本发明一个实施例的缺陷定位系统10的结构框图；
图2是本发明另一个实施例的缺陷定位系统20的结构示意图；
图3是本发明图2所示实施例的晶片24的俯视图；
图4是本发明一个实施例的缺陷定位方法30的流程图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。
参考图1，图1是本发明一个实施例的缺陷定位系统10的结构框图。在一些实施例中，所述缺陷定位系统10可以包括第一缺陷定位模块11和第二缺陷定位模块12。
所述第一缺陷定位模块11用于向晶片表面发射检测光束、并根据所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置。
所述第二缺陷定位模块12用于根据所述第一缺陷定位模块11确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷进行显微成像，并根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置。
在一些实施例中，所述第一缺陷定位模块11可以包括：光源111，用于朝向所述晶片表面发射所述检测光束；探测器112，用于探测所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号、并产生指示所述光信号的输出信号；以及第一处理装置113，用于根据所述探测器112的输出信号确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置。
在一些实施例中，所述光源111可以是激光源，用于向所述晶片表面发射检测激光束，例如所述光源111可以包括激光器。所述探测器112可以是光电探测器，用于接收所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号、及将所述光信号转换为电信号并输出，例如所述探测器112可以是雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode Detector,APD)探测器。所述第一处理装置113与所述探测器112可以有数据连接，所述第一处理装置113能够接收所述探测器112输出的电信号，并通过预设算法处理所述电信号以检测晶片中是否存在缺陷，并确定和记录所检测到的每个缺陷的位置坐标，从而得到一张所述晶片的缺陷地图(defect map)。
在一些实施例中，所述第一缺陷定位模块11还可以包括第一聚焦组件(未示出)和第二聚焦组件(未示出)。所述第一聚焦组件设置于所述光源111和所述晶片表面之间，用于将所述光源111发射的检测光束聚焦至所述晶片表面的某点，所述某点可以是当前检测点。所述第二聚焦组件设置于所述晶片表面和所述探测器112之间，用于将所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号聚焦至所述探测器112上。
在一些实施例中，所述第一聚焦组件和所述第二聚焦组件可以均包括会聚透镜或透镜组。
在一些实施例中，所述第二缺陷定位模块12可以包括光学显微成像装置121和第二处理装置122，所述光学显微成像装置121用于根据所述第一缺陷定位模块11确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷进行显微成像，所述第二处理装置122用于根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置。
在一些实施例中，所述第二处理装置122可以根据所述至少一个缺陷的显微成像结果控制所述晶片旋转或平移，并根据所述晶片的旋转角度或平移量，对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正。
在一些实施例中，所述第一处理装置113和所述第二处理装置122可以共用一个计算系统，且通过一个计算系统中的不同处理程序来实现，所述计算系统可以是计算机。
在一些实施例中，所述光源111在空间中可以具有固定的位置。在所述光源111向所述晶片表面发射检测光束的过程中，所述晶片以预设的角速度旋转和/或以预设的速度平移，使得所述第一缺陷定位模块11对所述晶片中的缺陷进行扫描检测。
在其它实施例中，所述光源111在空间中可以移动位置，所述晶片可以固定不动，则通过移动所述光源111实现对所述晶片表面的扫描。
在一些实施例中，所述光学显微成像装置121可以包括光学显微镜，所述光学显微镜可以集成于SP2机台中，SP2机台广泛应用于FAB厂的离线颗粒(offline particle)检测，其特点为具有准确地捕捉裸晶圆(bare wafer)表面缺陷的能力且具有较高的吞吐量，保证了FAB厂的离线数据有效且准确的收集，实现了生产机台的日常监控检查的健康进行。但是SP2机台也有缺点，例如机台的扫描结果的缺陷坐标并不准确，导致这个问题出现的原因至少包括两点：一是SP2机台所扫描的晶片多数为控片，晶片上没有图案可以提供机台进行对准；二是SP2机台进行扫描时，晶片处于不断的高速转动中，晶片的转动会影响到缺陷坐标的准确性(晶片的转速大概为11.98cm/s)。
因此，本发明实施例的缺陷定位系统10包括了两种缺陷定位模块：所述第一缺陷定位模块11用于对晶片中的缺陷进行初步定位，所述第二缺陷定位模块用于对所述第一缺陷定位模块11确定的所述晶片中的缺陷的位置坐标进行校正，以实现缺陷的精确定位。
在一些实施例中，所述光学显微成像装置121可以在空间上具有固定的位置，所述第二处理装置122还用于：根据所述第一缺陷定位模块11确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，控制所述晶片作第一旋转运动和/或第一平移运动，使所述至少一个缺陷的第一位置位于所述光学显微成像装置121的视场内。这里的“所述至少一个缺陷的第一位置位于所述光学显微成像装置121的视场内”是指，将所述至少一个缺陷的第一位置的坐标移动至所述光学显微成像装置121的视场内。如前文所述，在利用所述第一缺陷定位模块11对所述晶片上的缺陷进行初步定位时，所述晶片通常处于高速旋转的状态，因此检测到的所述晶片中的一个或多个缺陷的第一位置与其实际位置可能会有偏差。即使所述至少一个缺陷的第一位置位于所述光学显微成像装置121的视场内，所述至少一个缺陷(即缺陷特征本身)可能并不存在于所述光学显微成像装置121的视场内。
在一些实施例中，所述第二处理装置122还用于：当所述至少一个缺陷的第一位置位于所述光学显微成像装置121的视场内、而所述至少一个缺陷不存在于所述光学显微成像装置121的视场内时，控制所述晶片作第二旋转运动和/或第二平移运动，使得所述至少一个缺陷位于所述光学显微成像装置121的视场内；以及根据所述晶片作所述第二旋转运动的旋转角度和/或作所述第二平移运动产生的位移，对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置。
在一些实施例中，所述至少一个缺陷的数目可以大于1个，且可以小于所述第一缺陷定位模块11检测到的所述晶片中的一个或多个缺陷的总数目，例如可以选择所述第一缺陷定位模块11检测出的所有缺陷中位于所述晶片中心的一个缺陷、以及环绕所述晶片中心分布于不同方向的四个缺陷的第一位置的坐标，利用所述光学显微成像装置121对所述五个缺陷分别进行光学显微成像，当某个缺陷未出现于所述光学显微成像装置121的视场内时，所述第二处理装置122则控制所述晶片作所述第二旋转运动和/或第二平移运动，使得该缺陷移动至所述光学显微成像装置121的视场内，此时所述第二处理装置122记录下所述晶片作所述第二旋转运动的旋转角度和/或作第二平移运动产生的位移。
在一些实施例中，所述五个缺陷的第一位置的坐标可能均存在较大误差，在利用所述光学显微成像装置121对所述五个缺陷分别进行光学显微成像时，可能均未能发现所述五个缺陷的存在，因而会产生与所述五个缺陷一一对应的所述晶片的五个旋转角度和/或五个位移，此时所述第二处理装置122还用于对晶片的五个旋转角度和/或晶片的五个位移求平均，并根据获得的晶片的旋转角度的平均值和/或晶片的位移的平均值，对所述第一缺陷定位模块11检测出的所述晶片中的一个或多个缺陷的第一位置作统一的校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置。
由于因晶片高速旋转等因素引起的缺陷定位的系统误差对于每个缺陷而言相差不会太大，通过光学显微成像技术测量其中部分缺陷的定位偏差来对所述晶片中的所有缺陷的第一位置进行统一的校正，有利于提高晶片缺陷的检测效率，进而提高吞吐量。
在另一些实施例中，所述五个缺陷中可能仅有部分缺陷的第一位置的坐标存在较大误差，则仅产生与所述部分缺陷一一对应的所述晶片作第二旋转运动的若干旋转角度和/或所述晶片作第二平移运动的若干位移，此时所述第二处理装置122还用于对晶片的若干旋转角度和/或晶片的若干位移求平均，并根据获得的晶片的旋转角度的平均值和/或晶片的位移的平均值，对所述第一缺陷定位模块11检测出的所述晶片中的一个或多个缺陷的第一位置作统一的校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置。
在一些实施例中，为了提高缺陷定位的精确度，所述至少一个缺陷的数目也可以等于所述第一缺陷定位模块11检测到的晶片中的一个或多个缺陷的总数目，则所述光学显微成像装置121用于对晶片中的所有缺陷分别进行光学显微成像，若当前进行显微成像的缺陷的第一位置的坐标出现于所述光学显微成像装置121的视场内、而所述缺陷本身并未出现于所述光学显微成像装置121的视场内时，所述第二处理装置122用于控制所述晶片作所述第二旋转运动和/或第二平移运动，使得该缺陷移动至所述光学显微成像装置121的视场内，此时所述第二处理装置122可以根据所述晶片作所述第二旋转运动的旋转角度和/或作第二平移运动产生的位移对当前检测的缺陷的第一位置坐标进行实时地校正。
在一些实施例中，所述晶片作所述第二旋转运动可以为沿顺时针的旋转或沿逆时针的旋转。
在一些实施例中，为了提高缺陷定位的精确度，所述第二处理装置122还用于：根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，控制所述晶片作所述第一旋转运动和/或所述第一平移运动，使所述至少一个缺陷的第一位置位于所述光学显微成像装置121的视场中心，以及当所述至少一个缺陷不存在于所述光学显微成像装置121的视场中心时，所述第二处理装置122用于控制所述晶片作所述第二旋转运动和/或第二平移运动，使得所述至少一个缺陷位于所述光学显微成像装置121的视场中心。
在一些实施例中，检测人员可以利用所述光学显微成像装置121对所述至少一个缺陷进行观测，以判断所述至少一个缺陷是否存在于所述光学显微成像装置121的视场内。若不存在，则所述第二处理装置122响应于第一用户指令，控制所述晶片作第二旋转运动和/或第二平移运动。所述第一用户指令可以有多个，所述第二处理装置122可以控制所述晶片作多次的第二旋转运动和/或第二平移运动，直至将所述至少一个缺陷移动至所述光学显微成像装置121的视场内。所述第二处理装置122可以包括图形用户界面(GUI)，当检测人员发现所述至少一个缺陷中的任一缺陷在所述光学显微成像装置121的视场内无法找到时，可以通过所述图形用户界面，例如点击“旋转”和/或“平移”按钮控制所述晶片作所述第二旋转运动和/或第二平移运动，或者手动操作用于控制所述晶片运动的控制手柄，控制所述晶片作所述第二旋转运动和/或第二平移运动，使得所述任一缺陷出现在所述光学显微成像装置121的视场内，然后点击所述图形用户界面上的“校正”按钮，则所述第二处理装置122响应于第二用户指令记录下与所述任一缺陷对应的所述晶片作第二旋转运动的旋转角度、或作第二平移运动产生的位移。
当进行光学显微成像的所述至少一个缺陷的数目小于所述第一缺陷定位模块11检测到的晶片中的缺陷的总数目时，所述第二处理装置122响应于所述第二用户指令先记录下与所述至少一个缺陷中的每个缺陷相对应的所述晶片作第二旋转运动的旋转角度、或作第二平移运动产生的位移，然后根据记录的若干旋转角度的平均值或若干位移的平均值，对所述晶片中所有缺陷的第一位置进行统一的校正。当进行光学显微成像的所述至少一个缺陷的数目等于所述第一缺陷定位模块11检测到的所述晶片中的缺陷总数目时，所述第二处理装置122响应于所述第二用户指令根据与当前进行显微成像的缺陷对应的所述晶片作第二旋转运动的旋转角度、或作第二平移运动产生的位移，直接对当前检测的缺陷的第一位置进行实时校正，这种情况下，每个缺陷的第一位置的校正量可能不同，定位精确度更高，但相对前一种方案更耗时。
在另一些实施例中，所述光学显微成像装置121可以包括显微成像组件和图像传感器，所述显微成像组件可以包括多个反射镜和/或透镜组成的具有某种的放大倍数的镜组，所述图像传感器可以是CMOS图像传感器或者电荷耦合器件(Charge Coupled Device，CCD)。其中，所述第二处理装置122和所述光学显微成像装置121可以具有数据连接，所述第二处理装置122能够接收所述光学显微成像装置121采集的图像数据，所述第二处理装置122还可以包括显示界面，用于显示包含所述至少一个缺陷的第一位置的显微图像。所述第二处理装置122还可以用于根据所述光学显微成像装置121采集的图像数据判断所述至少一个缺陷是否存在于所述光学显微成像装置121的视场内。所述至少一个缺陷的数目可以是多个，所述光学显微成像装置121可以根据所述多个缺陷的第一位置的坐标，对所述多个缺陷分别进行显微成像，所述第二处理装置122可以根据所述多个缺陷的显微图像逐一判断所述多个缺陷是否存在于所述光学显微成像装置121的视场内。
在一些实施例中，所述缺陷定位系统还包括晶片运动控制模块13，所述晶片运动控制模块13可以基于从所述第二处理装置122接收到的第一指令来控制所述晶片作所述第一旋转运动和/或第一平移运动。所述晶片运动控制模13块可以基于从所述第二处理装置122接收到的第二指令来控制所述晶片作所述第二旋转运动和/或第二平移运动。所述晶片运动控制模块13可以基于从所述第一处理装置113接收到的第三指令来控制所述晶片作第三旋转运动和/或第三平移运动，使得所述检测光束对所述晶片表面进行扫描。
在一些实施例中，所述晶片运动控制模块13可以包括运动控制器131，所述晶片运动控制模块13还可以包括旋转载台132和/或平移载台133。所述运动控制器131用于：通过控制所述旋转载台132控制所述晶片的旋转，和/或通过控制所述平移载台133控制所述晶片的平移。
在一些实施例中，所述第一缺陷定位模块11的探测器112可以包括第一光电探测器(未示出)和第二光电探测器(未示出)。所述第一光电探测器用于在第一空间角度范围内接收所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的第一光信号，并产生指示所述第一光信号的第一输出信号。所述第二光电探测器用于在第二空间角度范围内接收所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的第二光信号，并产生指示所述第二光信号的第二输出信号。所述第一处理装置113用于根据所述第一输出信号和所述第二输出信号的相对大小确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置。
参考图2，图2是本发明另一个实施例的缺陷定位系统20的结构示意图。
在一些实施例中，所述缺陷定位系统20可以包括：第一缺陷定位模块，所述第一缺陷定位模块包括光源211、第一光电探测器212a、第二光电探测器212b和第一处理装置。本实施例中的所述第一处理装置可以是计算系统26。所述光源211用于朝向晶片24表面发射检测激光束，所述第一光电探测器212a用于在第一空间角度DW范围内接收所述晶片散射和/或反射所述检测激光束形成的第一光信号，并产生指示所述第一光信号的第一输出信号，所述第二光电探测器212b用于在第二空间角度DN范围内接收所述晶片散射和/或反射所述检测激光束形成的第二光信号，并产生指示所述第二光信号的第二输出信号。所述计算系统26可以与所述第一光电探测器212a和第二光电探测器212b分别具有数据连接，所述计算系统26用于接收来自所述第一光电探测器212a的第一输出信号和来自所述第二光电探测器212b的第二输出信号，并根据所述第一输出信号和所述第二输出信号的相对大小确定所述晶片24中是否存在缺陷、以及所述晶片24中存在的一个或多个缺陷的位置。
在一些实施例中，所述光源211用于沿垂直于所述晶片24表面的方向发射检测激光束。所述计算系统26还用于：当所述第一输出信号和所述第二输出信号的差值小于某一预设阈值时，确定所述晶片24上的当前检测点存在缺陷，反之则不存在缺陷。因为若晶片上某点不存在缺陷，则检测激光束照射到该点后绝大部分会沿原路返回而被所述第二光电探测器212b接收，而所述第一光电探测器212a探测到的回波信号强度几乎为零；而若晶片上某点存在缺陷，则检测激光束照射到该点后会形成沿不同方向的散射光，则所述第一光电探测器212a和所述第二光电探测器212b均会接收到部分回波信号。
在一些实施例中，所述第一空间角度DW的范围可以是30°至72°，所述第二空间角度DN的范围可以是6°至25°。
在一些实施例中，所述第一缺陷定位模块还包括第一聚焦组件(未示出)、第二聚焦组件251和第三聚焦组件252。所述第一聚焦组件用于将所述光源211发射的检测激光束聚焦至所述晶片24表面。所述第二聚焦组件251用于将所述晶片24散射和/或反射所述检测光束形成的第一光信号聚焦至所述第一光电探测器212a，其中所述第一光信号位于所述第一空间角度DW范围内。所述第三聚焦组件252用于将所述晶片24散射和/或反射所述检测光束形成的第二光信号聚焦至所述第二光电探测器212b，其中所述第二光信号位于所述第二空间角度DN范围内。
如图3所示，图3是本发明图2所示实施例的所述晶片24的俯视图。在一些实施例，所述晶片24可以以预设的角速度ω作旋转，使得所述光源211发射的检测激光束能够对所述晶片24表面进行扫描。所述晶片24还可以在每旋转一周后沿半径方向平移预设长度，从而沿晶片的不同圆周方向进行扫描。
在一些实施例，所述缺陷定位系统20还包括用于驱动所述晶片运动的晶片运动控制模块，所述晶片运动控制模块可以包括运动控制器231、旋转载台233、平移载台232和234，所述运动控制器231通过控制所述旋转载台233控制所述晶片24的旋转，以及通过控制所述平移载台232和234控制所述晶片的平移。具体地，所述运动控制器231通过控制所述平移载台232控制所述晶片24沿z轴的平移，所述运动控制器231通过控制所述平移载台234控制所述晶片24沿x轴和y轴的平移。
在其它实施例中，所述旋转载台233和所述平移载台232的位置可以互换。
在另一些实施例中，所述晶片运动控制模块还可以包括控制手柄，检测人员可以通过所述控制手柄手动控制所述晶片24的旋转或平移。
在一些实施例中，所述缺陷定位系统20还包括第二缺陷定位模块，所述第二缺陷定位模块包括光学显微成像装置221和第二处理装置，所述光学显微成像装置221用于对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷的第一位置进行显微成像。所述第二处理装置用于根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置。本实施例中，所述第二处理装置可以为所述计算系统26，即所述第一处理装置和所述第二处理装置可以共用同一个计算系统26，且分别通过所述计算系统26中的不同处理程序来实现其各自的功能。
在一些实施例中，所述光学显微成像装置221可以是光学显微镜。所述光学显微镜在空间上可以位置固定，则所述第二处理装置还用于根据所述第一缺陷定位模块确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，控制所述晶片24作第一旋转运动和/或第一平移运动，使所述至少一个缺陷的第一位置位于所述光学显微镜的视场内，这样检测人员可以通过所述光学显微镜的目镜观察所述至少一个缺陷是否存在于所述光学显微镜的视场内。
在一些实施例中，当检测人员在所述光学显微镜的视场内观测不到当前检测的缺陷时，检测人员可以通过所述计算系统26的图形用户界面(GUI)输入第一用户指令，例如点击所述图形用户界面上的“旋转”或“平移”按钮，则所述第二处理装置通过所述计算系统26中对应的处理程序响应于所述第一用户指令，控制所述晶片24作第二旋转运动和/或第二平移运动，使得所述当前检测的缺陷位于所述光学显微镜的视场内。具体地，可以使得所述当前检测的缺陷位于所述光学显微镜的视场中心。当所述当前检测的缺陷位于所述光学显微镜的视场中心后，检测人员可以通过所述计算系统26的图形用户界面输入第二用户指令，例如点击所述图形用户界面上的“校正”按钮，则所述计算系统26根据所述晶片24作所述第二旋转运动的旋转角度和/或所述晶片24作所述第二平移运动产生的位移对所述当前检测的缺陷的第一位置进行实时校正；或者先记录与所述当前检测的缺陷相对应的所述晶片24作所述第二旋转运动的旋转角度和/或作所述第二平移运动产生的位移，在对光学显微成像的若干缺陷检测完成后，根据记录的与所述若干缺陷一一对应的晶片作所述第二旋转运动的若干旋转角度和/或作所述第二平移运动产生的若干位移各自的平均值，对所述晶片24中的所有缺陷的第一位置进行统一的校正。
在一些实施例中，所述运动控制器231与所述计算系统26可以具有通信连接，所述运动控制器231基于从所述计算系统26接收到的第一指令来控制所述晶片24作所述第一旋转运动和/或第一平移运动，使所述至少一个缺陷的第一位置位于所述光学显微成像装置221的视场内。所述运动控制器231基于从所述计算系统26接收到的第二指令来控制所述晶片24作所述第二旋转运动和/或第二平移运动，使得所述至少一个缺陷的特征本身位于所述光学显微成像装置221的视场内。所述运动控制器231基于从所述计算系统26接收到的第三指令来控制所述晶片24作第三旋转运动和/或第三平移运动，使得所述检测激光束对所述晶片24表面进行扫描。
本实施例的所述缺陷定位系统20中各模块的功能及可替换实施例均可参照图1实施例的对应描述，此处不再赘述。
本发明实施例还提供一种缺陷定位方法。参考图4，是本发明一个实施例的缺陷定位方法30的流程图。
在一些实施例中，所述缺陷定位方法30可以包括：S31，向晶片表面发射检测光束；S33，根据所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置；S35，根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷进行显微成像；以及S37，根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置。
在一些实施例中，步骤S31中，向晶片表面发射检测光束包括：向以一定角速度旋转的晶片表面发射检测光束，以对晶片表面进行扫描。所述晶片旋转的角速度可以是11.98cm/s。所述检测光束可以是激光束。
在另一些实施例中，步骤S31中，向晶片表面发射检测光束可以包括：以一定的角速度改变向所述晶片的表面发射检测光束的入射点，以对晶片表面进行旋转扫描。
在对晶片表面进行缺陷检测时，为了提高吞吐量，晶片的旋转角速度通常会设置得很高，这会导致步骤S33中确定的所述晶片中缺陷的第一位置与所述缺陷的实际位置产生偏差，因此需要借助于步骤S35和S37对步骤S33中确定的缺陷的第一位置进行校正。
在一些实施例中，步骤S35中，根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷进行显微成像包括：根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，利用光学显微成像装置对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷原位地进行光学显微成像。
在一些实施例中，根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，利用光学显微成像装置对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷原位地进行光学显微成像包括：根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，控制所述晶片作第一旋转运动和/或第一平移运动，使所述至少一个缺陷的第一位置位于所述光学显微成像装置的视场内。
在一些实施例中，步骤S37中，根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述晶片中的一个或多个缺陷的第一位置进行校正包括：根据所述至少一个缺陷的显微成像结果控制所述晶片旋转或平移，并根据所述晶片的旋转角度或平移量，对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正。
在一些实施例中，步骤S37中，所述晶片的旋转可以是沿顺时针或逆时针方向的旋转，所述平移量可以是所述晶片的平移位移。
在一些实施例中，步骤S35中的所述“至少一个缺陷”的数目可以小于步骤S33中检测到的所述晶片中存在的一个或多个缺陷的总数目，即可以选择部分缺陷进行光学显微成像，例如可以选取位于所述晶片中心的一个缺陷、以及环绕所述晶片中心分布于不同方向的四个缺陷的第一位置的坐标，根据步骤S33中确定的所述五个缺陷的第一位置坐标分别对所述五个缺陷进行光学显微成像，然后在步骤S37中，根据所述五个缺陷的显微成像结果对所有缺陷的第一位置进行统一的校正。由于步骤S31和S33的初步定位中晶片高速旋转等因素引起的系统误差对于每个缺陷而言相差不会太大，通过光学显微成像技术测量部分缺陷的定位偏差来对所述晶片中的所有缺陷进行统一的位置校正，能够进一步提高对晶片中缺陷定位的效率，提高吞吐量。
在一些实施例中，步骤S37中，根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正还包括：当所述至少一个缺陷不存在于所述光学显微成像装置的视场内时，控制所述晶片作第二旋转运动和/或第二平移运动，使得所述至少一个缺陷位于所述光学显微成像装置的视场内；以及根据所述晶片作所述第二旋转运动的旋转角度和/或作所述第二平移运动产生的位移，对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置。
在一些实施例中，所述缺陷定位方法30在步骤S35和S37之间，还可以包括：判断所述至少一个缺陷是否位于所述光学显微成像装置的视场内。所述判断步骤既可以通过处理器直接处理所述光学显微成像装置采集的图像实现，也可以借助于检测人员观察所述光学显微成像装置的视场来实现，例如当所述至少一个缺陷不存在于所述光学显微成像装置的视场内时，所述处理器接收到用户指令、并响应于所述用户指令判定所述至少一个缺陷不存在于所述光学显微成像装置的视场内。
在一些实施例中，在步骤S31，向所述晶片表面发射检测光束的过程中，所述缺陷定位方法30还可以包括：控制所述晶片作第三旋转运动和/或第三平移运动，使得所述检测光束对所述晶片表面进行扫描。
在一些实施例中，步骤S33中，根据所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号确定所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置包括：在第一空间角度范围内接收所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的第一光信号，并产生指示所述第一光信号的第一输出信号；在第二空间角度范围内接收所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的第二光信号，并产生指示所述第二光信号的第二输出信号；以及根据所述第一输出信号和所述第二输出信号的相对大小确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的位置。例如，可以通过比较所述第一输出信号和所述第二输出信号的差值与预设阈值来确定所述晶片中是否存在缺陷。
所述缺陷定位方法30中各步骤的详细执行过程可参照本发明前述实施例的缺陷定位系统10和20中的相应描述，此处不再赘述。
综上所述，本发明实施例的缺陷定位系统包括第一缺陷定位模块和第二缺陷定位模块，所述第一缺陷定位模块通过向晶片表面发射检测光束、并根据所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置，从而实现对所述晶片中的缺陷的初步定位；所述第二缺陷定位模块根据所述第一缺陷定位模块确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷进行显微成像，并根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置，从而实现对所述晶片中的缺陷的精确定位，能够减小或消除因晶片的无法对准或晶片的高速旋转等因素引起的晶片缺陷定位的误差，由于系统误差引起的每个缺陷的定位偏差相差不大，因此所述第二缺陷定位模块仅需对检测到的所有缺陷中的至少一个缺陷即可以是部分缺陷进行显微成像，并根据部分缺陷的显微成像结果对所有缺陷的第一位置进行统一的校正，能够在保证缺陷定位准确率的同时大幅度提高缺陷位置检测的效率。
进一步地，由于所述第二缺陷定位模块用于根据所述第一缺陷定位模块确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷原位地进行光学显微成像，而无需将晶片转移至其它系统以对晶片中缺陷的位置进行校正，因而本发明实施例的缺陷定位系统通过原位校正的技术手段进一步提高了对晶片缺陷位置检测的效率，有利于提高吞吐量。
进一步地，所述第二缺陷定位模块包括光学显微成像装置，所述光学显微成像装置可以包括光学显微镜，由于光学显微镜具有较低的成本，因此在检测机台上增加光学显微功能简便易实现，可操作性强。
本发明实施例的缺陷定位方法，通过向晶片表面发射检测光束，并根据所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置，从而实现对所述晶片中缺陷的初步定位；根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷进行显微成像，并根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述晶片中的一个或多个缺陷的第二位置，从而实现对所述晶片中的缺陷的精确定位，以减小或消除因晶片的无法对准或晶片的高速旋转等因素引起的晶片缺陷定位的误差，由于缺陷的定位偏差主要是系统误差，而系统误差对于每个缺陷而言相差不大，因此所述第二缺陷定位模块仅需对检测到的所有缺陷中的至少一个缺陷例如可以是部分缺陷进行显微成像，并根据部分缺陷的显微成像结果对所有缺陷的第一位置进行统一的校正，能够在保证缺陷定位准确率的同时大幅度提高缺陷位置检测的效率。
进一步地，所述方法包括根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，利用光学显微成像装置对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷原位地进行光学显微成像，而无需将晶片转移至其它系统以对晶片中缺陷的位置进行校正，因而本发明实施例的缺陷定位方法通过原位校正的技术手段进一步提高了晶片缺陷位置检测的效率，有利于提高吞吐量。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (20)
1.一种缺陷定位系统，其特征在于，包括：
第一缺陷定位模块，用于向晶片表面发射检测光束、并根据所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置；以及
第二缺陷定位模块，用于根据所述第一缺陷定位模块确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷进行显微成像，并根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置。
2.如权利要求1所述的缺陷定位系统，其特征在于，所述第二缺陷定位模块用于根据所述第一缺陷定位模块确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷原位地进行光学显微成像。
3.如权利要求1所述的缺陷定位系统，其特征在于，所述第二缺陷定位模块根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正包括：
所述第二缺陷定位模块根据所述至少一个缺陷的显微成像结果控制所述晶片旋转或平移，并根据所述晶片的旋转角度或平移量，对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正。
4.如权利要求1所述的缺陷定位系统，其特征在于，所述第一缺陷定位模块包括：
光源，用于朝向所述晶片表面发射所述检测光束；
探测器，用于探测所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号、并产生指示所述光信号的输出信号；以及
第一处理装置，用于根据所述探测器的输出信号确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置。
5.如权利要求1所述的缺陷定位系统，其特征在于，所述第二缺陷定位模块包括：
光学显微成像装置，用于根据所述第一缺陷定位模块确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷进行显微成像；以及
第二处理装置，用于根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置。
6.如权利要求5所述的缺陷定位系统，其特征在于，所述光学显微成像装置包括光学显微镜。
7.如权利要求5所述的缺陷定位系统，其特征在于，所述第二处理装置还用于：
根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，控制所述晶片作第一旋转运动和/或第一平移运动，使所述至少一个缺陷的第一位置位于所述光学显微成像装置的视场内。
8.如权利要求7所述的缺陷定位系统，其特征在于，所述第二处理装置还用于：
当所述至少一个缺陷的第一位置位于所述光学显微成像装置的视场内、而所述至少一个缺陷不存在于所述光学显微成像装置的视场内时，控制所述晶片作第二旋转运动和/或第二平移运动，使得所述至少一个缺陷位于所述光学显微成像装置的视场内；以及
根据所述晶片作所述第二旋转运动的旋转角度和/或作所述第二平移运动产生的位移，对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置。
9.如权利要求7所述的缺陷定位系统，其特征在于，还包括：晶片运动控制模块，所述晶片运动控制模块基于从所述第二处理装置接收到的第一指令来控制所述晶片作所述第一旋转运动和/或所述第一平移运动。
10.如权利要求8所述的缺陷定位系统，其特征在于，还包括：晶片运动控制模块，所述晶片运动控制模块基于从所述第二处理装置接收到的第二指令来控制所述晶片作所述第二旋转运动和/或所述第二平移运动。
11.如权利要求4所述的缺陷定位系统，其特征在于，还包括：晶片运动控制模块，所述晶片运动控制模块基于从所述第一处理装置接收到的第三指令来控制所述晶片作第三旋转运动和/或第三平移运动，使得所述检测光束对所述晶片表面进行扫描。
12.如权利要求9至11任一项所述的缺陷定位系统，其特征在于，所述晶片运动控制模块包括运动控制器，所述晶片运动控制模块还包括旋转载台和/或平移载台；
所述运动控制器用于：通过控制所述旋转载台控制所述晶片旋转，和/或通过控制所述平移载台控制所述晶片平移。
13.如权利要求4所述的缺陷定位系统，其特征在于，所述探测器包括：
第一光电探测器，用于在第一空间角度范围内接收所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的第一光信号，并产生指示所述第一光信号的第一输出信号；以及
第二光电探测器，用于在第二空间角度范围内接收所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的第二光信号，并产生指示所述第二光信号的第二输出信号；
所述第一处理装置用于根据所述第一输出信号和所述第二输出信号的相对大小确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置。
14.一种缺陷定位方法，其特征在于，包括：
向晶片表面发射检测光束；
根据所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置；
根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷进行显微成像；以及
根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置。
15.如权利要求14所述的缺陷定位方法，其特征在于，根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷进行显微成像包括：
根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，利用光学显微成像装置对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷原位地进行光学显微成像。
16.如权利要求14所述的缺陷定位方法，其特征在于，根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述晶片中的一个或多个缺陷的第一位置进行校正包括：
根据所述至少一个缺陷的显微成像结果控制所述晶片旋转或平移，并根据所述晶片的旋转角度或平移量，对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正。
17.如权利要求15所述的缺陷定位方法，其特征在于，根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，利用光学显微成像装置对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷原位地进行光学显微成像包括：
根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，控制所述晶片作第一旋转运动和/或第一平移运动，使所述至少一个缺陷的第一位置位于所述光学显微成像装置的视场内。
18.如权利要求17所述的缺陷定位方法，其特征在于，根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正包括：
当所述至少一个缺陷的第一位置位于所述光学显微成像装置的视场内、而所述至少一个缺陷不存在于所述光学显微成像装置的视场内时，控制所述晶片作第二旋转运动和/或第二平移运动，使得所述至少一个缺陷位于所述光学显微成像装置的视场内；以及
根据所述晶片作所述第二旋转运动的旋转角度和/或作所述第二平移运动产生的位移，对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置。
19.如权利要求14所述的缺陷定位方法，其特征在于，在向所述晶片表面发射检测光束的过程中，所述方法还包括：控制所述晶片作第三旋转运动和/或第三平移运动，使得所述检测光束对所述晶片表面进行扫描。
20.如权利要求14所述的缺陷定位方法，其特征在于，根据所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号确定所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置包括：
在第一空间角度范围内接收所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的第一光信号，并产生指示所述第一光信号的第一输出信号；
在第二空间角度范围内接收所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的第二光信号，并产生指示所述第二光信号的第二输出信号；以及
根据所述第一输出信号和所述第二输出信号的相对大小确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置。
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