CN112479216A - 一种节能环保纳米二氧化硅生产装置及工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种节能环保纳米二氧化硅生产装置与工艺,所述的装置包括物料储罐,所述的物料储罐分别连接送料装置和等离子体发生器。所述的工艺是将微米级SiO₂粉体经除杂净化后,用等离子体炬进行气化后再对其进行冷却,通过分级得到不同粒径的纳米级二氧化硅产品。本发明利用等离子体高温把微米级SiO₂经除杂净化的粉体进行气化,喷入冷惰性气体中急冷得5∼40nm球状的SiO₂微粒,经气流分级筛分成不同粒径的产品。取代了传统能耗高、工艺复杂的气相法、溶胶‑凝胶法、微乳法。本发明利用电感耦合无电极等离子体技术对二氧化硅进行气化,不存在任何污染,得到高纯度纳米二氧化硅。
Description
技术领域
本发明属于化工技术领域,具体涉及一种节能环保纳米二氧化硅生产装置及工艺。
背景技术
纳米材料被众多科学家视为21世纪最有前途的材料之一,西方各发达国家纷纷把纳米级材料的 研究、开发列入本国的高技术发展计划之中,纳米SiO2作为纳米级材料中的重要一员。但值得关注的是, 传统沉淀法工艺生产的白炭黑产品能否成为纳米SiO2中的一个品种。传统沉淀法特指以硫酸、盐酸、 SiO2与水玻璃为基本原料生产白炭黑的生产工艺。
传统沉淀法白炭黑不是纳米材料, 如果仅根据白炭黑透射电镜照片显示其粒径为15∼20nm,即将其视为纳米材料,显然是错误的。传统沉淀法白炭黑在使用透射电镜测定其粒径时,首先要对样品进行预处理,一般是在分散液内采用超声波技术使之分散。因此,测得的粒径是强制分散后的粒径,通常称之为原始粒子,而不代表成品粒径。传统沉淀法白炭黑在橡胶中经混炼后,并不能使沉淀法白炭黑分散成100nm以下的粒子。据国外研究表明,在胶料中分散后的白炭黑粒子,也就是真正与胶料交联起补强作用的粒子粒径在250∼500nm的范围内。传统沉淀法白炭黑的原始粒子虽为 15∼20nm,但在表面羟基作用下已形成聚集体颗粒,因而无法表现出纳米材料应有的特性。传统沉淀法白炭黑粒子生成过程中,可以将其分为如下几个过程:在沉淀反应时水玻璃与酸反应,最初生成硅酸,然后自聚成硅酸微粒子。这个过程形成的粒子我们称之为原始粒子或一次粒子,也就是透射电镜可以看到的SiO2粒子,它的确是纳米态胶体粒子。随后,这些聚硅酸微粒渐渐长大形成链状水合硅酸聚集体,这些聚集体我们可以称之为二次粒子。在过滤、洗涤后,滤饼打浆,送入干燥设备中脱水,水合硅酸聚集体变成SiO2颗粒产品,我们称之为三次粒子。如果将沉淀法白炭黑产品再次粉碎,所得到的白炭黑产品应称之为四次粒子了。故现有传统沉淀法生产工艺是不可能得到纳米态SiO2微粒的。即使采用先进的超细粉碎手段,也只能得到微米级的 SiO2粉体。
发明内容
本发明的第一目的在于提供一种节能环保纳米二氧化硅生产装置。
本发明的第二目的在于提供一种节能环保纳米二氧化硅生产工艺。
本发明的第一目的是这样实现的,所述的装置包括物料储罐,所述的物料储罐1分别连接送料装置和等离子体发生器。
本发明的第二目的通过以下步骤实现:
将微米级SiO2粉体经除杂净化后,用等离子体炬进行气化后再对其进行冷却,通过分级得到不同粒径的纳米级二氧化硅产品。
本发明的有益效果:
本发明利用等离子体高温把微米级SiO2经除杂净化的粉体进行气化,喷入冷惰性气体中急冷得5∼40nm球状的SiO2微粒,经气流分级筛分成不同粒径的产品。取代了传统能耗高、工艺复杂的气相法、溶胶-凝胶法、微乳法。本发明利用电感耦合无电极等离子体技术对二氧化硅进行气化,不存在任何污染,得到高纯度纳米二氧化硅。
附图说明
图1为本发明整体结构示意图;
图中:1-物料储罐,2-送气装置,3-等离子体发生器,4-视频电源,5-石英送料管,6-辅助气体装置,7-石英炬管,8-等离子体炬,9-扩散咀,10-空压机,11-制冷机,12-冷气喷嘴,13-旋流冷却塔,14-惰性气体回收罐,15-惰性气体储罐,16-风机,17-风力分级机,18-集尘器,19-二氧化硅收集装置。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的说明,但不得以任何方式对本发明加以限制,基于本发明教导所作的任何变更或改进,均属于本发明的保护范围。
如图1所示,包括物料储罐1,所述的物料储罐1分别连接送料装置2和等离子体发生器3。
所述的等离子体发生器3包括石英送料管5,石英炬管7,扩散咀9,所述的物料储罐1的出料口连通石英送料管5,石英送料管5设置在石英炬管7内,石英送料管5的出料端设置扩散咀9,扩散咀9呈喇叭型且小口连接在石英炬管7的端口上形成物料通道。
所述的石英炬管7内还设置辅助气体通道与辅助气体装置6相连通,辅助气体通道的开口与石英送料管5的出口朝向一致。所述的辅助气体为惰性气体。
所述的石英炬管9的进气口连接制冷机11,制冷机11连接空压机10。
所述的制冷机11分别连接惰性气体储罐15和冷气喷嘴12,冷气喷嘴12连通旋流冷却塔13。
所述的旋流冷却塔13的物料出口通过风机16连通风力分级机17,微尘出口连接集尘器18。
一种节能环保纳米二氧化硅生产工艺,包括如下步骤:
将微米级SiO2粉体经除杂净化后,用等离子体炬进行气化后再对其进行冷却,通过分级得到不同粒径的纳米级二氧化硅产品。
SiO2粉体在气化之前通过惰性气体进行送料。
所述的等离子体炬的温度为9000~12000K。
所述SiO2粉体气化后,冷却过程中是被经过制冷机制冷后的惰性气体对其进行冷却的。
所述的惰性气体为氩气或氦气。
下面结合附图对本发明创造进行详细说明以示本发明的原理:
把30.8umSiO2经除杂净化的粉体装入物料储罐1,由送料氩气罐2提供一定压力的氩气进行送料到石英送料管5,等离子体发生器3由射频电源4(13.56MHz)提供电能由电感线圈产生强大的磁场使带物料的氩气和辅助氩气(来自辅助气体装置6)通过磁场区产生等离子体炬8(约10000K),二氧化硅粉体瞬间被气化,气化后经扩散咀9进入旋流冷却塔13进行急冷,为防止物料氧化,由氩气储罐15提供氩气通过制冷机冷11却后经冷气喷嘴12喷入旋流冷却塔13对物料进行冷却,由于石英炬管7工作在高温环境,由空压机10(压力为0.6Mpa)经制冷机11冷却后的空气切向送入石英炬管7进行冷却,由尾端排出。氩气回收罐14的氩气净化后返回氩气储罐15进行使用,旋流冷却塔13冷却的物料通过风机6送往风力分级机17分级后送往二氧化硅收集装置19收集得不同粒级的纳米二氧化硅产品。风力分级机17出来的微尘由集尘器18进行收集。
Claims (10)
1.一种节能环保纳米二氧化硅生产装置,包括物料储罐(1),其特征在于所述的物料储罐(1)分别连接送料装置(2)和等离子体发生器(3)。
2.根据权利要求1所述的节能环保纳米二氧化硅生产装置,其特征在于所述的等离子体发生器(3)包括石英送料管(5),石英炬管(7),扩散咀(9),所述的物料储罐(1)的出料口连通石英送料管(5),石英送料管(5)设置在石英炬管(7)内,石英送料管(5)的出料端设置扩散咀(9),扩散咀(9)呈喇叭型且小口连接在石英炬管(7)的端口上形成物料通道。
3.根据权利要求1所述的节能环保纳米二氧化硅生产装置,其特征在于所述的石英炬管(7)内还设置辅助气体通道与辅助气体装置(6)相连通,辅助气体通道的开口与石英送料管(5)的出口朝向一致。
4.根据权利要求3所述的节能环保纳米二氧化硅生产装置,其特征在于所述的石英炬管(9)的进气口连接制冷机(11),制冷机(11)连接空压机(10)。
5.根据权利要求4所述的节能环保纳米二氧化硅生产装置,其特征在于所述的制冷机(11)分别连接惰性气体储罐(15)和冷气喷嘴(12),冷气喷嘴(12)连通旋流冷却塔(13)。
6.根据权利要求5所述的节能环保纳米二氧化硅生产装置,其特征在于所述的旋流冷却塔(13)的物料出口通过风机(16)连通风力分级机(17),微尘出口连接集尘器(18)。
7.一种节能环保纳米二氧化硅生产工艺,其特征在于包括如下步骤:
将微米级SiO2粉体经除杂净化后,用等离子体炬进行气化后再对其进行冷却,通过分级得到不同粒径的纳米级二氧化硅产品。
8.如权利要求7所述的一种节能环保纳米二氧化硅生产工艺,其特征在于SiO2粉体在气化之前通过惰性气体进行送料。
9.如权利要求7所述的一种节能环保纳米二氧化硅生产工艺,其特征在于所述的等离子体炬的温度为9000~12000K。
10.如权利要求7所述的一种节能环保纳米二氧化硅生产工艺,其特征在于所述SiO2粉体气化后,冷却过程中是被经过制冷机制冷后的惰性气体对其进行冷却的。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112897538A (zh) * | 2021-03-29 | 2021-06-04 | 苏州达米昂科技有限公司 | 一种可用于肿瘤介入手术的二氧化硅纳米材料的制备工艺 |
| CN115724433A (zh) * | 2022-11-23 | 2023-03-03 | 湖北冶金地质研究所(中南冶金地质研究所) | 一种石英砂等离子体气固反应提纯装置及提纯方法 |
Family Cites Families (6)
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|---|---|---|---|---|
| US6495114B1 (en) * | 1999-07-22 | 2002-12-17 | Fina Research, S.A. | Production of silica particles |
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| CN111777076B (zh) * | 2020-08-18 | 2025-01-28 | 苏州英纳特纳米科技有限公司 | 制备非晶态纳米球形二氧化硅的设备 |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112897538A (zh) * | 2021-03-29 | 2021-06-04 | 苏州达米昂科技有限公司 | 一种可用于肿瘤介入手术的二氧化硅纳米材料的制备工艺 |
| CN112897538B (zh) * | 2021-03-29 | 2023-10-31 | 仕凡科技(浙江)有限公司 | 一种可用于肿瘤介入手术的二氧化硅纳米材料的制备工艺 |
| CN115724433A (zh) * | 2022-11-23 | 2023-03-03 | 湖北冶金地质研究所(中南冶金地质研究所) | 一种石英砂等离子体气固反应提纯装置及提纯方法 |
| CN115724433B (zh) * | 2022-11-23 | 2023-06-23 | 湖北冶金地质研究所(中南冶金地质研究所) | 一种石英砂等离子体气固反应提纯装置及提纯方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20210312 |
|
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |