CN113284792A - 半导体元件的形成方法 - Google Patents

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Abstract

半导体元件的形成方法。一种多层光阻、其形成方法、以及以其图案化目标层。在一实施例中，形成方法包括沉积反射膜堆叠于目标层上，反射膜堆叠包括第一材料和第二材料的交替膜层，第一材料具有比第二材料更高的折射率；沉积光敏层于反射膜堆叠上；图案化光敏层以形成第一开口，露出反射膜堆叠，图案化光敏层包括将光敏层暴露于图案化能量源，反射膜堆叠反射至少一部分的图案化能量源至光敏层的背侧；通过第一开口图案化反射膜堆叠以形成第二开口，露出目标层；以及通过第二开口图案化目标层。

Description

半导体元件的形成方法
技术领域
本申请实施例涉及半导体结构及其形成方法，特别是涉及光阻的形成。
背景技术
半导体元件是使用于各种电子应用中，例如私人电脑、手机、数码相机、以及其他电子设备。半导体元件的制造通常借由依序地在半导体基底上沉积绝缘或介电层、导电层、以及半导体层的材料，接着使用微影图案化各种材料层以形成电路组件及其上的部件。
半导体业界借由持续减少最小特征尺寸以持续改善各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度(integration density)，其允许更多组件被整合于一给定面积中。
发明内容
一种半导体元件的形成方法，包括：沉积反射膜堆叠于目标层上，反射膜堆叠包括第一材料和第二材料的交替膜层，第一材料具有比第二材料更高的折射率；沉积光敏(photosensitive)层于反射膜堆叠上；图案化光敏层以形成第一开口，露出反射膜堆叠，其中图案化光敏层包括将光敏层暴露于图案化能量源，其中反射膜堆叠反射至少一部分的图案化能量源至光敏层的背侧；通过第一开口图案化反射膜堆叠以形成第二开口，露出目标层；以及通过第二开口图案化目标层。
一种半导体元件的形成方法，包括：形成多层光阻，其中形成多层光阻包括：形成反射膜堆叠，其包括第一反射材料和第二反射材料的交替膜层，其中第一反射材料的折射率对第二反射材料的折射率的比例是由1.05至1.10；以及形成光敏层于反射膜堆叠的交替膜层上；图案化光敏层和反射膜堆叠；以及使用反射膜堆叠作为遮罩以图案化目标层。
一种半导体元件的形成方法，包括：形成反射膜堆叠，其包括第一材料和第二材料的交替膜层，第一材料不同于第二材料；将光敏层的前侧暴露于辐射束，辐射束包括极紫外辐射，其中辐射束的一部分由反射膜堆叠的第一材料和第二材料之间的界面反射至光敏层的背侧；将光敏层暴露于显影剂以移除一部分的光敏层，露出反射膜堆叠；使用光敏层作为遮罩以蚀刻反射膜堆叠；以及使用反射膜堆叠作为遮罩以蚀刻反射膜堆叠下方的目标层，其中目标层包括半导体材料、导电层、或介电层。
附图说明
以下将配合所附图示详述本公开实施例的各面向。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制。事实上，可任意地放大或缩小各种元件的尺寸，以清楚地表现出本公开实施例的特征。
图1至图5是根据一些实施例，绘示出制造半导体元件的中间阶段的剖面示意图。
其中，附图标记说明如下：
100：半导体基底
101：半导体元件
102：目标层
104：反射膜堆叠
104A：高折射率膜
104B：低折射率膜
106：光敏层
108：辐射束
110：开口
具体实施方式
以下公开提供了许多的实施例或范例，用于实施本申请的不同部件。组件和配置的具体范例描述如下，以简化本公开实施例。当然，这些仅仅是范例，并非用以限定本公开实施例。举例来说，叙述中提及第一部件形成于第二部件之上，可包括形成第一和第二部件直接接触的实施例，也可包括额外的部件形成于第一和第二部件之间，使得第一和第二部件不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种范例中重复元件符号及/或字母。这样重复是为了简化和清楚的目的，其本身并非主导所讨论各种实施例及/或配置之间的关系。
再者，此处可使用空间上相关的用语，如“在…之下”、“下方的”、“低于”、“在…上方”、“上方的”和类似用语可用于此，以便描述如图所示一元件或部件和其他元件或部件之间的关系。这些空间用语企图包括使用或操作中的装置的不同方位，以及图示所述的方位。当装置被转至其他方位(旋转90°或其他方位)，则在此所使用的空间相对描述可同样依旋转后的方位来解读。
各种实施例提供改善的多层光阻、其形成方法、以及使用多层光阻图案化目标层的方法。多层光阻可包括反射膜堆叠和在反射膜堆叠上的光敏(photosensitive)层。反射膜堆叠可为多层的堆叠，其包括交替第一材料膜和第二材料膜，其以不同材料形成。在一些实施例中，第一材料膜可包括高折射率材料，而第二材料膜可包括低折射率材料。举例来说，第一材料膜可包括硅(Si)、铍(Be)、或其他类似材料，而第二材料膜可包括钼(Mo)、或其他类似材料。在光敏层下方形成反射膜堆叠可允许使用较低能量剂量和较少曝光时间来曝光光敏层。这样可减少所需的能量和时间来曝光光敏层，增加产能、减少制造成本、改善线宽和线边缘的结构、减少元件缺陷、以及增加元件效能。
图1至图5是根据一些实施例，绘示出在半导体元件101的目标层102中形成部件的中间阶段的剖面示意图。在一些实施例中，可制造半导体元件101作为较大的晶圆的一部分。在这样的实施例中，在形成半导体元件101的各种部件之后(例如主动元件、互连结构、和其他类似部件)，可对晶圆的切割线区进行单晶化(singulation)制程，从晶圆分隔出个别的半导体晶粒(也被称为单晶化)。
如图1所示，可在半导体基底100上形成目标层102。可以半导体材料形成半导体基底100，如掺杂或未掺杂的硅、或绝缘层上半导体(semiconductor-on-insulator,SOI)基底的主动层。半导体基底100可包括其他半导体材料，如锗、化合物半导体(包括碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟、及/或锑化铟)、合金半导体(包括硅锗、砷磷化镓、砷化铝铟、砷化铝镓、砷化镓铟、磷化镓铟、及/或砷磷化镓铟)、其组合、或其他类似材料。也可使用其他基底，如多层或渐变(gradient)基底。可在半导体基底100的主动表面之内及/或之上形成元件，如晶体管、二极管、电容器、电阻器、或其他类似部件。在目标层102为用来形成鳍式场效晶体管(fin field-effect transistor,FinFET)的半导体基底的其他实施例中，可省略半导体基底100。
目标层102可为用来形成图案的膜层。在一些实施例中，目标层102可为导电层、介电层、半导体层、或其他类似膜层。在目标层102为导电层的实施例中，目标层可为金属层、多晶硅层、或其他类似膜层。可借由物理气相沉积(physical vapor deposition,PVD)、化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)(例如毯覆式沉积(blanket deposition)或其他类似方法)、或其他类似方法沉积目标层102。可根据下述制程图案化导电层以形成金属栅极(例如在切割金属栅极制程中)、导线、导孔、虚置栅极(例如针对鳍式场效晶体管的替换栅极)、或其他类似结构。
在目标层102为介电层的实施例中，目标层102可为金属间介电层(inter-metaldielectric(IMD)layer)、层间介电层(inter-layer dielectric(ILD)layer)、钝化层(passivation layer)、或其他类似膜层。目标层102可为具有低介电常数(low-k)的材料。举例来说，目标层102可具有低于3.8、低于约3.0、或低于约2.5的介电常数。目标层102可为具有高介电常数(high-k)的材料，如高于3.8的介电常数。可借由化学气相沉积、原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)、或其他类似方法沉积目标层102。可根据下述制程在目标层102中图案化一或多个开口(如下方关于图5所述的开口110)，且可在目标层102的开口中形成导线、导孔、或其他类似结构。
在目标层102为半导体材料的实施例中，目标层102可以硅、硅锗、或其他类似材料形成。在一些实施例中，可以结晶半导体材料形成目标层102，如结晶硅、结晶碳化硅、结晶硅锗、结晶III-V族化合物、或其他类似材料。在一些实施例中，可根据下述制程在目标层102中图案化开口(如下方关于图5所述的开口110)，且可在目标层102的开口中形成浅沟槽隔离(shallow trench isolation,STI)区。半导体鳍片可由相邻的浅沟槽隔离区之间凸出，且可在半导体鳍片中形成源极/漏极区。半导体鳍片可包括在目标层102中形成开口之后所剩下的目标层102的材料。可在半导体鳍片中的通道区上形成栅极介电层和栅极电极，从而形成如鳍式场效晶体管的半导体元件。
尽管图1绘示目标层102与半导体基底100物理接触，可在目标层102和半导体基底100之间设置任何数量的中间层(intervening layer)。这些中间层可包括层间介电层，其可包括低介电常数介电质、在其内形成的接触插塞、其他具有导线及/或导孔形成于内的金属间介电层、一或多个中介层(intermediary layer)(例如蚀刻停止层、粘着层、或其他类似膜层)、其组合、或其他类似结构。举例来说，可在目标层102正下方设置可选的蚀刻停止层。蚀刻停止层可作为后续在目标层102上进行的蚀刻制程(例如下方关于图4所述的蚀刻制程)的停止点。用来形成蚀刻停止层的材料和制程可取决于目标层102的材料。在一些实施例中，可以氮化硅(SiN)、氧氮化硅(SiON)、碳氧氮化硅(SiCON)、碳化硅(SiC)、氧碳化硅(SiOC)、碳氮化硅(SiCxNy)、氧化硅(SiOx)、其他介电质、其组合、或其他类似材料形成蚀刻停止层，且可借由化学气相沉积、原子层沉积、或其他类似方法形成。
在目标层102上形成反射膜堆叠104。反射膜堆叠104为多层堆叠，其包括高折射率膜104A和低折射率膜104B的交替膜层。可借由物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积、或其他类似方法沉积高折射率膜104A和低折射率膜104B。可以高折射率材料形成高折射率膜104A，且可以低折射率材料形成低折射率膜104B。高折射率材料可具有约0.94至1.03、或约0.97至1.00的折射率。低折射率材料可具有约0.87至1.00、或约0.90至0.97的折射率。高折射率材料的折射率对低折射率材料的折射率的比例可为约1.00至1.15、或约1.05至1.10。高折射率材料可倾向分散入射辐射(如下方关于图2所述的辐射束108)，而低折射率材料可倾向传输入射辐射。包括高折射率膜104A和低折射率膜104B的交替膜层提供反射膜堆叠104的反射性。再者，在入射辐射包括极紫外(extreme ultraviolet,EUV)辐射的实施例中，包含具有上述指定的折射率的折射率材料可改善反射膜堆叠104对于入射辐射的反射性。
基于入射辐射的波长，可选择反射膜堆叠104的各种品质以增加反射膜堆叠104的反射性。举例来说，可选择高折射率膜104A和低折射率膜104B的材料和膜厚度、包含在反射膜堆叠104中的高折射率膜104A和低折射率膜104B的数量对、以及反射膜堆叠104的总体厚度以增加反射膜堆叠104的反射性，同时维持反射膜堆叠104的厚度于最小值。
在入射辐射包括极紫外辐射的实施例中，高折射率材料可包括硅、铍、或其他类似材料。低折射率材料可包括钼、或其他类似材料。每个高折射率膜104A可具有约1nm至6nm、或约3nm至4nm的厚度。每个低折射率膜104B可具有约1nm至6nm、或约3nm至4nm的厚度。高折射率膜104A的厚度对低折射率膜104B的厚度的比例可为约1：2至2：1、或约1：1至3：2。反射膜堆叠104可包括约20至80对、或约35至45对的高折射率膜104A和低折射率膜104B。反射膜堆叠104的总厚度可为约200nm至450nm、或约280nm至360nm。尽管反射膜堆叠104的底层被绘示为高折射率膜104A，且反射膜堆叠104的顶层被绘示为低折射率膜104B，反射膜堆叠104的顶层和底层皆可为高折射率膜104A或低折射率膜104B。
高折射率膜104A和低折射率膜104B的材料也可具有低消光系数(extinctioncoefficient)，使得反射膜堆叠104对于入射辐射的吸收度被最小化。举例来说，高折射率膜104A和低折射率膜104B的消光系数可小于约0.10、或小于约0.01。
在反射膜堆叠104上沉积光敏层106。光敏层106可为光敏材料，且可以如聚合物材料的有机材料形成。可借由旋转涂布制程、化学气相沉积、原子层沉积、或其他类似方法沉积光敏层106。光敏层106可具有约10nm至80nm、或约20nm至60nm的厚度。光敏材料可为正型光敏材料(例如暴露于能量的部分的材料被显影剂移除)或负型光敏材料(例如未暴露于能量的部分的材料被显影剂移除)。
在一些实施例中，可借由将反射膜堆叠104暴露于助粘剂(adhesion promoter)(如六甲基二硅氮烷(hexamethyldisilazane,HMDS,[(CH3)3Si]2NH)、或其他类似材料)以改善光敏层106和反射膜堆叠104之间的粘着。举例来说，在一些实施例中，可将反射膜堆叠104暴露于气态的六甲基二硅氮烷，其可造成反射膜堆叠104的表面变得硅烷化(silylated)。这样导致反射膜堆叠104的表面更为疏水性，其改善光敏层106至反射膜堆叠104的粘着。
在一些实施例中，可在目标层102和反射膜堆叠104之间设置平面(planarity)层。可使用平面层以平坦化目标层102，因为目标层102的顶面可能是不平坦的。可借由旋转涂布制程或类似方法沉积平面层。在一些实施例中，可借由顺应性制程(如旋转涂布、化学气相沉积、原子层沉积、或其他类似方法)沉积平面层，后续可使用如化学机械平坦化(chemical mechanical planarization,CMP)的制程平坦化平面层。平面层可具有约50nm至200nm、或约100nm至150nm的厚度。形成平面层的材料包括硅、碳、氮、氧、氢的组合、其多膜层、或其他类似材料。举例来说，平面层可包括氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO2)、氧氮化硅(SiOxNy)、或其他类似材料。
在一些实施中，可在目标层102和反射膜堆叠104之间设置选择比(selectivity)层。可提供选择比层以改善目标层102和反射膜堆叠104之间的蚀刻选择比。可借由化学气相沉积、原子层沉积、或其他类似方法沉积选择比层。选择比层可具有约5nm至60nm、或约30nm至40nm的厚度。形成选择比层的材料包括铝、钨、铪、锆、硅、碳、氮、氧、氢、其组合、其多膜层、或其他类似材料。举例来说，选择比层可包括氮化钛(TiN)、氧化铝(Al2O3)、或其他类似材料。介于选择比层和目标层102之间的第一蚀刻选择比可大于介于反射膜堆叠104和目标层102之间的第二蚀刻选择比。举例来说，第一蚀刻选择比对第二蚀刻选择比的比例可大于约2。
在图2和图3中，图案化光敏层106。可使用微影技术(如极紫外微影、深紫外(deepultraviolet,DUV)微影、X射线微影、软X射线(soft X-ray,SX)微影、离子束投射(ion beamprojection)微影、电子束投射微影、或其他类似方法)图案化光敏层106。在图2中，将光敏层106暴露于辐射束108。在一些实施例中，辐射束108可包括极紫外辐射。举例来说，辐射束108可包括具有10nm至125nm波长的极紫外辐射。在一些实施例中，辐射束108可包括具有约13.5nm波长的辐射。可由锡等离子体产生辐射束108，其等离子体放射适当波长的光，且可由雷射产生。可在照射光敏层106的前图案化辐射束108。举例来说，用来图案化辐射束108的遮罩，可具有目标层102欲图案化的图案或其反向的图案。遮罩可为透射(transmissive)遮罩、反射遮罩、或其他类似遮罩。
可借由反射膜堆叠104将于第一次穿过光敏层106时未被吸收的辐射束108的能量(例如极紫外光子)反射至光敏层106的背侧上。如图2所示，辐射束108可穿过一或多个反射膜堆叠104的高折射率膜104A及/或低折射率膜104B，且可借由邻近的高折射率膜104A和低折射率膜104B之间的界面反射辐射束108。可以将小于约30mJ/cm2、约20mJ/cm2至50mJ/cm2、或约30mJ/cm2至40mJ/cm2的能量剂量供给辐射束108。可将光敏层106暴露于辐射束108约10微秒至100微秒、或小于约100微秒。
将辐射束108反射至光敏层106的背侧上允许光敏层106以较短的时间暴露于具有较低剂量的辐射束108(相较于暴露光敏层106的传统方法)。这样可增加产能并减少成本。再者，暴露光敏层106于较低的辐射剂量能改善线宽粗糙度(line-width roughness,LWR)和线边缘粗糙度(line-edge roughness,LER)，其可改善元件性能并减少元件缺陷。
在图3中，图案化光敏层106以形成一或多个开口110。可借由暴露光敏层106于显影剂以图案化光敏层106。光敏层106可为正型(positive tone)阻剂或负型(negativetone)阻剂。在光敏层106为正型阻剂的实施例中，可借由暴露光敏层106于显影剂以移除光敏层106暴露于辐射束108的部分。在光敏层106为负型阻剂的实施例中，可借由暴露光敏层106于显影剂以移除光敏层106未暴露于辐射束108的部分。开口110可具有约10nm至50nm、或约30nm至40nm的宽度，以及约1至6的高宽比(例如高度对宽度的比例)。
在图4中，蚀刻反射膜堆叠104和目标层102以延伸开口110。举例来说，一旦图案化光敏层106至所欲的图案，可使用光敏层106作为遮罩以图案化反射膜堆叠104。可使用异向性(anisotropic)蚀刻制程(如反应离子蚀刻(reactive ion etching,RIE)、中性束蚀刻(neutral beam etching,NBE)、或其他类似方法)将光敏层106的图案转移至反射膜堆叠104。
一旦将光敏层106的图案转移至反射膜堆叠104，可使用反射膜堆叠104将光敏层106的图案转移至目标层102以形成或延伸开口110，使得开口110露出半导体基底100的顶面。在一些实施例中，可使用蚀刻制程蚀刻目标层102，其制程利用光敏层106和反射膜堆叠104(图案化后)两者作为遮罩膜层。可使用异向性蚀刻制程(如反应离子蚀刻、中性束蚀刻、或其他类似方法)将光敏层106及/或反射膜堆叠104的图案转移至目标层102。在一些实施例中，可使用单一蚀刻制程将光敏层106的图案同时地转移至反射膜堆叠104和目标层102。
在图5中，一旦将光敏层106的图案转移至反射膜堆叠104和目标层102，可移除光敏层106和反射膜堆叠104。在一些实施例中，可使用灰化(ashing)制程由反射膜堆叠104移除光敏层106。在这样的实施例中，可增加光敏层106的温度以造成光敏层106的热崩溃(thermal breakdown)，其可接着使用如淋洗(rinse)的清洁步骤来移除光敏层106。在一些实施例中，可使用湿蚀刻制程或其他类似方法移除光敏层106。可使用针对移除光敏层106的任何合适方法。
可使用蚀刻制程(如湿蚀刻制程、干蚀刻制程、或其他类似方法)移除反射膜堆叠104。在借由干蚀刻制程移除反射膜堆叠104的实施例中，干蚀刻制程可使用包括四氟化碳(CF4)、六氟化硫(SF6)、其组合、或其他类似化学品的气体。
在光敏层106下形成反射膜堆叠104允许光敏层106被暴露于来自辐射束108的更多的能量(例如极紫外光子)，减少用以曝光光敏层106所需的能量总剂量，并允许以较少时间曝光光敏层106。这样得到改善的线宽粗糙度和改善的线边缘粗糙度、减少元件缺陷、以及改善元件性能。使用较低的能量剂量和较少的曝光时间也减少了成本并增加了产能。
根据一实施例，一种半导体元件的形成方法包括于目标层上沉积反射膜堆叠，反射膜堆叠包括第一材料和第二材料的交替膜层，第一材料具有比第二材料更高的折射率；于反射膜堆叠上沉积光敏层；图案化光敏层以形成第一开口，露出反射膜堆叠，图案化光敏层包括将光敏层暴露于图案化能量源，反射膜堆叠反射至少一部分的图案化能量源至光敏层的背侧；通过第一开口图案化反射膜堆叠以形成第二开口，露出目标层；以及通过第二开口图案化目标层。在一实施例中，第一材料的折射率对第二材料的折射率的比例是由1.05至1.10。在一实施例中，第一材料的膜层厚度对第二材料的膜层厚度的比例是由1：1至3：2。在一实施例中，反射膜堆叠包括35至45对的第一材料和第二材料的膜层。在一实施例中，图案化能量源包括极紫外辐射。在一实施例中，图案化能量源的剂量小于30mJ/cm2。在一实施例中，光敏层暴露于图案化能量源小于100毫秒。
根据另一实施例，一种半导体元件的形成方法包括形成多层光阻，形成多层光阻包括形成反射膜堆叠，包括第一反射材料和第二反射材料的交替膜层，第一反射材料的折射率对第二反射材料的折射率的比例是由1.05至1.10；以及于反射膜堆叠的交替膜层上形成光敏层；图案化光敏层和反射膜堆叠；以及使用反射膜堆叠作为遮罩以图案化目标层。在一实施例中，第二反射材料包括钼。在一实施例中，第一反射材料包括硅。在一实施例中，第一反射材料包括铍。在一实施例中，第一反射材料的膜层厚度对第二反射材料的膜层厚度的比例是由1：1至3：2。在一实施例中，图案化光敏层包括将光敏层暴露于辐射束，包括图案化的极紫外辐射。在一实施例中，反射膜堆叠包括35至45对的第一反射材料和第二反射材料。在一实施例中，辐射束在介于第一反射材料和第二反射材料之间的界面反射。
根据另一实施例，一种半导体元件的形成方法包括形成反射膜堆叠，包括第一材料和第二材料的交替膜层，第一材料不同于第二材料；将光敏层的前侧暴露于辐射束，辐射束包括极紫外辐射，辐射束的一部分由反射膜堆叠的第一材料和第二材料之间的界面反射至光敏层的背侧；将光敏层暴露于显影剂以移除一部分的光敏层，露出反射膜堆叠；使用光敏层作为遮罩以蚀刻反射膜堆叠；以及使用反射膜堆叠作为遮罩以蚀刻反射膜堆叠下方的目标层，目标层包括半导体材料、导电层、或介电层。在一实施例中，半导体元件的形成方法更包括于目标层上沉积平面层；以及使用化学机械平坦化制程平坦化平面层，反射膜堆叠是形成于平面层上，且目标层包括非平坦顶面。在一实施例中，半导体元件的形成方法更包括将反射膜堆叠暴露于助粘剂，助粘剂包括六甲基二硅氮烷。在一实施例中，反射膜堆叠是直接形成于目标层上。在一实施例中，半导体元件的形成方法更包括于目标层上形成蚀刻选择比层，反射膜堆叠是形成于蚀刻选择比层上，蚀刻选择比层和目标层之间的蚀刻选择比大于反射膜堆叠和目标层之间的蚀刻选择比。
以上概述数个实施例的部件，以便在所属技术领域中具有通常知识者可以更加理解本公开实施例的观点。在所属技术领域中具有通常知识者应理解，他们能轻易地以本公开实施例为基础，设计或修改其他制程和结构，以达到与在此介绍的实施例相同的目的及/或优势。在所属技术领域中具有通常知识者也应理解，此类等效的结构并无悖离本公开实施例的精神与范围，且他们能在不违背本公开的精神和范围下，做各式各样的改变、取代和替换。

Claims (10)

1.一种半导体元件的形成方法，包括：
沉积一反射膜堆叠于一目标层上，该反射膜堆叠包括一第一材料和一第二材料的交替膜层，该第一材料具有比该第二材料更高的折射率；
沉积一光敏层于该反射膜堆叠上；
图案化该光敏层以形成一第一开口，露出该反射膜堆叠，其中图案化该光敏层包括将该光敏层暴露于一图案化能量源，其中该反射膜堆叠反射至少一部分的该图案化能量源至该光敏层的背侧；
通过该第一开口图案化该反射膜堆叠以形成一第二开口，露出该目标层；以及
通过该第二开口图案化该目标层。
2.如权利要求1所述的半导体元件的形成方法，其中，该第一材料的一膜层厚度对该第二材料的一膜层厚度的比例是由1：1至3：2。
3.如权利要求1所述的半导体元件的形成方法，其中，该图案化能量源包括极紫外辐射。
4.一种半导体元件的形成方法，包括：
形成一多层光阻，其中形成该多层光阻包括：
形成一反射膜堆叠，其包括一第一反射材料和一第二反射材料的交替膜层，其中该第一反射材料的折射率对该第二反射材料的折射率的比例是由1.05至1.10；以及
形成一光敏层于该反射膜堆叠的所述交替膜层上；
图案化该光敏层和该反射膜堆叠；以及
使用该反射膜堆叠作为遮罩以图案化一目标层。
5.如权利要求4所述的半导体元件的形成方法，其中，该第二反射材料包括钼。
6.一种半导体元件的形成方法，包括：
形成一反射膜堆叠，其包括一第一材料和一第二材料的交替膜层，该第一材料不同于该第二材料；
将一光敏层的前侧暴露于一辐射束，该辐射束包括极紫外辐射，其中该辐射束的一部分由该反射膜堆叠的该第一材料和该第二材料之间的界面反射至该光敏层的背侧；
将该光敏层暴露于一显影剂以移除一部分的该光敏层，露出该反射膜堆叠；
使用该光敏层作为遮罩以蚀刻该反射膜堆叠；以及
使用该反射膜堆叠作为遮罩以蚀刻该反射膜堆叠下方的一目标层，其中该目标层包括一半导体材料、一导电层、或一介电层。
7.如权利要求6所述的半导体元件的形成方法，还包括：
沉积一平面层于该目标层上；以及
使用化学机械平坦化制程平坦化该平面层，其中该反射膜堆叠是形成于该平面层上，且其中该目标层包括一非平坦顶面。
8.如权利要求6所述的半导体元件的形成方法，还包括将该反射膜堆叠暴露于一助粘剂，该助粘剂包括六甲基二硅氮烷。
9.如权利要求6所述的半导体元件的形成方法，其中，该反射膜堆叠是直接形成于该目标层上。
10.如权利要求6所述的半导体元件的形成方法，还包括形成一蚀刻选择比层于该目标层上，其中该反射膜堆叠是形成于该蚀刻选择比层上，其中该蚀刻选择比层和该目标层之间的蚀刻选择比大于该反射膜堆叠和该目标层之间的蚀刻选择比。
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