CN114127902A - 用于平板显示器的大面积高密度等离子体处理腔室 - Google Patents

用于平板显示器的大面积高密度等离子体处理腔室 Download PDF

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Abstract

本文描述的多个实施方式提供了一种用于在腔室的内部空间内的等离子体密度和气体分配的独立控制的盖板。所述盖组件包括气体分配组件，所述气体分配组件包括多个扩散板，所述扩散板的一部分由介电板分隔，其中所述多个扩散板中的每个扩散板包括形成在第一表面中的槽和形成在所述槽的表面和与所述第一表面相对的第二表面之间的一个或多个孔口。

Description

用于平板显示器的大面积高密度等离子体处理腔室
背景
领域
本公开内容的多个实施方式一般涉及处理腔室，诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)腔室。更具体地，本公开内容的多个实施方式涉及用于处理腔室的盖组件。
相关技术的描述
在太阳能面板或平板显示器的制造中，采用许多工艺来在基板(诸如半导体基板、太阳能面板基板和液晶显示器(LCD)和/或有机发光二极管(OLED)基板)上沉积薄膜，以在基板上形成电子装置。沉积一般通过将前驱物气体引入具有设置在温度受控的基板支承件上的基板的腔室中完成。前驱物气体典型地被引导通过位于腔室的顶部附近的气体分配板。通过将射频(RF)功率从耦接到腔室的一个或多个RF源施加到设置在腔室中的导电喷头，可将腔室中的前驱物气体激励(例如，激发)成等离子体。激发的气体反应以在定位在温度受控的基板支承件上的基板的表面上形成材料层。
现在，用于形成电子装置的基板的表面积的大小通常超过1平方米。难以实现在这些基板上的膜厚度均匀性。随着基板大小的增加，膜厚度均匀性变得更困难。传统上，等离子体在常规腔室中形成，以用于使气体原子离子化并形成沉积气体的自由基，这对于使用电感耦合等离子体装置在这种大小的基板上沉积膜层是有用的。近来，人们专注于研究过去用于在圆形基板或晶片上的沉积的电感耦合等离子体装置以用于这些大基板的沉积工艺。然而，电感耦合利用介电材料作为结构支承部件。这些介电材料不具有承受因对腔室的大气侧上的腔室的大面积结构部分的一侧的大气压强的存在和在腔室的另一侧上的真空压强条件而产生的结构载荷的结构强度，如在这些更大基板的常规腔室中所使用。因此，电感耦合等离子体系统一直在对大面积基板等离子体工艺进行开发。然而，工艺均匀性(例如，在大基板上的沉积厚度均匀性)并不理想。
因此，本领域中需要一种用于大面积基板上的腔室盖组件，腔室盖组件被构造为提高基板沉积表面上的膜厚度均匀性。
发明内容
本文描述的多个实施方式提供了一种用于在腔室的内部空间内的等离子体密度和气体分配的独立控制的腔室的盖板。在一个实施方式中，所述盖组件包括气体分配组件，所述气体分配组件包括多个扩散板，所述扩散板的一部分由介电板分开，其中所述多个扩散板中的每个扩散板包括形成在第一表面中的槽和形成在所述槽的表面和与所述第一表面相对的第二表面之间的一个或多个孔口。
在另一个实施方式中，所述盖板包括气体分配组件，所述气体分配组件包括多个扩散板，所述多个扩散板的一部分由多个介电板和多个分隔板分隔，其中所述多个扩散板中的每个扩散板包括形成在第一表面中的槽和形成在所述槽的表面和与所述第一表面相对的第二表面之间的一个或多个孔口。
在又一个实施方式中，所述盖板包括气体分配组件，所述气体分配组件包括多个扩散板，其中所述多个扩散板包括多个内扩散板和一个在所述内扩散板的相对侧上的外扩散板，并且其中所述多个内扩散板由一个或多个介电板和多个分隔板分隔，并且所述多个扩散板中的每个扩散板包括形成在第一表面中的槽和形成在所述槽的表面和与所述第一表面相对的第二表面之间的一个或多个孔口。
附图说明
为了可详细地理解本公开内容的上述特征，可参考多个实施方式来得到以上简要地概述的本公开内容的更特别的描述，多个实施方式中的一些示出在附图中。然而，需注意，附图仅仅示出了多个示例性实施方式，并且因此不应当被视为对本公开内容范围的限制，并且可允许其他多个等效实施方式。
图1是根据一个实施方式的腔室的示意性截面图。
图2是根据一个实施方式的板的示意性截面图。
图3A是根据一个实施方式的板的示意性透视图。
图3B是根据一个实施方式的板的负向透视图。
图4是根据一个实施方式的板的示意性底视图。
图5是盖板的一个实现方式的示意性底视图。
图6A和图6B是图5的盖板的截面图。
图7是来自图6A的盖板的放大截面图。
图8是扩散板的背表面的平面图。
图9A至图9C是来自图8的截面图，示出了扩散板的各种结构。
图10是盖板的另一个实现方式的示意性底视图。
为了促成理解，已经尽可能使用相同的附图标记标示各图共有的相同元件。设想的是，一个实施方式的元件和特征可有益地结合在其他多个实施方式中，而无需进一步陈述。
具体实施方式
本文描述的多个实施方式提供了一种用于在腔室的内部空间内的等离子体密度和气体分配的独立控制的腔室的盖组件。所述盖组件包括等离子体生成系统和气体分配组件。所述等离子体生成系统包括多个介电板，所述介电板具有相对于真空压强取向的底表面和可操作以相对于大气压强取向的顶表面。一个或多个线圈定位在所述多个介电板上或之上。所述气体分配组件包括第一扩散器和第二扩散器。所述第一扩散器包括与所述第二扩散器的多个第二通道相交的多个第一通道。
图1是可受益于本文描述的多个实施方式的腔室100(诸如PECVD腔室)的示意性截面图。合适的腔室可从位于加利福尼亚州圣克拉拉市(Santa Clara,Calif.)的应用材料公司(Applied Materials,Inc.)获得。应当理解，下文描述的系统是示例性腔室，并且其他腔室(包括来自其他制造商的腔室)可一起使用或修改来实现本公开内容的方面。腔室100包括腔室主体104、盖组件106和基板支承组件108。盖组件106设置在腔室主体104的上端部处。
基板支承组件108至少部分地设置在腔室主体104的内部空间内。基板支承组件108包括基板支承件110和轴112。基板支承件110具有用于支承基板102的支承表面118。在可与本文描述的其他多个实施方式结合的一个实施方式中，基板102是大面积基板，诸如具有约1平方米或更大的表面积的基板。然而，基板102不限于任何特定大小或形状。一方面，术语“基板”是指任何多边形、正方形、矩形、弯曲或其他非圆形工件，诸如用于例如平板显示器的制造的玻璃或聚合物基板。
基板支承件110典型地包括加热元件(未示出)。基板支承件110通过轴112可移动地设置在腔室主体104的内部空间内，该轴延伸穿过腔室主体104，其中轴112连接到基板支承驱动系统114。基板支承驱动系统114在升高处理位置(如图所示)和降低位置之间移动基板支承件110，这有助于基板通过穿过腔室主体104形成的开口116传送进出腔室主体104的内部空间。在可与本文描述的其他多个实施方式结合的一个实施方式中，基板支承驱动系统114旋转轴112和基板支承件110。
盖组件106包括设置在腔室主体104的上端处的盖板122。盖板122包括气体分配组件124和等离子体生成系统126。气体分配组件124包括设置在盖板122中的第一扩散器128的一个或多个第一扩散器入口130。在可与本文描述的其他多个实施方式结合的一个实施方式中，盖板122包括含铝材料。在可与本文描述的其他多个实施方式结合的一个实施方式中，气体分配组件124包括一个或多个第二扩散器入口(图3A和图3B所示)，该一个或多个第二扩散器入口耦接到设置在盖板122中的第二扩散器136。一个或多个第一扩散器入口130可耦接到第一气体源134。一个或多个第一扩散器入口130中的每个第一扩散器入口130与第一扩散器128的第一通道(图3B所示)流体连通。一个或多个第二扩散器入口(图3A和图3B所示)可耦接到第二气体源138。一个或多个第二扩散器入口(图3A和图3B所示)与第二扩散器136的第二通道(图3B所示)流体连通。在一些实施方式中，第一气体源134提供的气体与第二气体源138提供的气体相同。
第一扩散器128将一种或多种第一气体从第一气体源134递送到在盖板122的底表面160与基板支承件110之间的处理区域120。一种或多种第一气体通过第一扩散器128的每个第一通道(图3B所示)的多个第一孔(图4所示)提供到处理区域120。流量控制器141，诸如质量流量控制(MFC)装置，设置在一个或多个第一扩散器入口130中的每个第一扩散器入口130与第一气体源134之间，以控制第一气体从第一气体源134到每个第一通道(图3B所示)的流率，并且由此提供对处理区域120中的第一气流的独立控制。一种或多种第二气体通过第二扩散器136的每个第二通道(图3B所示)的多个第二孔(图4所示)提供给处理区域120。流量控制器141设置在一个或多个第二扩散器入口(图3A和图3B所示)中的每个第二扩散器入口与第二气体源138之间，以控制第二气体从第二气体源138到每个第二通道(图3B所示)的流率，并且由此提供对处理区域120中的第二气流的独立控制。泵155与处理区域120流体连通。泵155可操作以控制处理区域120内的压强和从处理区域120排放气体和副产物。在一个实施方式中，第一气体和第二气体中的每种气体是相同气体。
等离子体生成系统126包括平行地设置在盖板122中的一个或多个腔140。一个或多个腔140中的每个腔140包括用于多个介电板150的凹陷部(图2至图4所示)。一个或多个腔140中的每个腔140包括定位在多个介电板150上或之上的一个或多个线圈142。多个介电板150提供具有承受在一个或多个腔140中的大气压强的存在和腔室主体104的内部空间内的真空压强的存在下产生的结构载荷的结构强度的物理屏障。多个介电板150的每个介电板150包括底表面151和与底表面151相对地取向的顶表面153。底表面151相对于(即，朝向)处理区域120取向，使得介电板150中的每个介电板150的底表面151暴露于处理区域120内的第一压强，诸如真空压强。顶表面153与处理区域120相对地(即，远离)取向，使得介电板150的每个介电板150的顶表面153暴露于处理区域120外的第二压强，诸如大气压强。在可与本文描述的其他多个实施方式结合的一个实施方式中，第一压强和第二压强不同。
在可与本文描述的其他多个实施方式结合的一个实施方式中，介电板包括氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、石英、二氧化锆(ZrO2)、氮化锆(ZrN)和玻璃材料。每个线圈142具有连接到电源152的电输入端子144和连接到接地部154的电输出端子146。在可与本文描述的其他多个实施方式结合的一个实施方式中，每个线圈142通过匹配盒148连接到电源152，该匹配盒具有用于调整线圈142的电特性(诸如阻抗)的匹配电路。每个线圈142被构造为产生电磁场，该电磁场将更多的第一气体和第二气体中的一个中的至少一种激励成电感耦合等离子体。一个或多个腔140中的每个腔140的每个线圈142与相应电源152的独立连接允许对提供给每个线圈142的功率电平和频率的独立控制。对提供给每个线圈142的功率电平和频率的独立控制允许在对应于每个线圈142的处理区156a、156b、156c、156d(统称为处理区156)中独立地控制电感耦合等离子体的密度。控制器158耦接到腔室100并且被构造为在处理期间控制腔室100的方面。
图2是盖板122的示意性截面图。图2示出了气体分配组件124的第一扩散器128的一个或多个第一扩散器入口130，以及一个或多个腔140、每个线圈142、每个电输入端子144、每个电输出端子146和用于等离子体生成系统126的多个介电板150的凹陷部201。在可与本文描述的多个其他实施方式结合的一个实施方式中，盖组件106包括热交换系统，该热交换系统包括可耦接到热交换器(未示出)的多个流体通道(图3B所示)。热交换器，诸如冷却器，经由多个流体通道的流体入口202和流体出口204(图3B所示)与每个流体通道流体连通，使得盖板122维持在预定温度。每个线圈142具有一匝或多匝。
图3A是没有多个介电板150和每个线圈142的盖板122的示意性透视图。图3B是没有多个介电板150和线圈142的盖板122的负向透视图。盖板122包括多个第一通道302。第一通道302中的每个第一通道302设置或形成在盖板122中。多个第一通道302中的每个第一通道与多个凹陷部201中的一个凹陷部201相邻地设置。多个凹陷部201中的每个凹陷部201在设置在盖板122中的两个相邻第一通道302之间。第一通道302中的每个第一通道302与一个或多个第一扩散器入口130中的至少一个第一扩散器入口流体连通。
在可与本文描述的其他多个实施方式结合的一个实施方式中，盖板122包括设置或形成在盖板122中的多个第二通道304。多个第二通道304中的每个第二通道设置在一个或多个腔140的两个相邻腔140之间。多个第二通道304中的每个第二通道304与形成在盖板122中的一个或多个第二扩散器入口306的至少第二扩散器入口流体连通。在可与本文描述的其他多个实施方式结合的另一个实施方式中，盖板122包括可耦接到热交换器(未示出)的热交换系统的多个流体通道308。热交换器，诸如冷却器，经由流体入口202和流体出口204与多个流体通道308流体连通。多个流体通道308与一个或多个腔140和凹陷部201的外凹陷部相邻地设置。
图4是盖板122的示意性底视图。如图4所示，第一通道302中的每个第一通道302和第二通道304中的每个第二通道304相交。在可与本文描述的其他多个实施方式结合的一个实施方式中，第一通道302中的每个第一通道302与第二通道304中的每个第二通道304正交。介电板150中的每个介电板150与相邻第一通道302相邻地设置并与第二通道304中的至少一个第二通道304相邻地设置。多个第一通道302中的每个第一通道包括延伸穿过盖板122的多个第一孔402。流量控制器141控制来自第一气体源134的第一气体通过多个第一孔402的流率。第一气体的流率的控制提供对处理区域120的对应于多个第一通道302中的每个第一通道的第一区406a、406b、406c、406d、406e、406f、406g、406h、406i(统称为第一区406)中的第一气流的独立控制。在可与本文描述的其他多个实施方式结合的具有第二扩散器136的多个实施方式中，多个第二通道304中的每个第二通道包括延伸穿过盖板122的多个第二孔404。流量控制器141控制来自第二气体源138的第二气体通过多个第二孔404的流率。对第二气体的流率的控制提供对处理区域120的对应于多个第二通道304中的每个第二通道的第二区408a、408b、408c(统称为第二区408)中的第二气流的独立控制。
图5是盖板122的一个实现方式的示意性底视图。图5中的盖板122示意性地示出了盖板122的底表面160的构造。尽管未示出第一区406和第二区408，但盖板122可包括如上所述的一个或多个区。
盖板122包括被示出为外扩散板500和内扩散板505的多个扩散板。内扩散板505中的每个内扩散板505由介电板150和/或分隔板510分隔和/或位于该介电板150和/或分隔板510之间。外扩散板500中的每个外扩散板500在外扩散板500一侧具有介电板150和一个或多个分隔板510。
外扩散板500、内扩散板505和分隔板510中的每个可由诸如铝的导电材料制成。
在该实施方式中，多个分隔板510中的每个分隔板510以及外扩散板500和内扩散板505分别包括多个紧固件515和520。多个紧固件515和520中的每个紧固件可由陶瓷材料或金属材料制成。外扩散板500和内扩散板505中的每个可以是一体的(即，一件式结构)，或者外扩散板500和内扩散板505中的每个可包括多个件。同样地，介电板150可包括单片材料或包括多个板。在介电板150是多个板的实施方式中，介电板150中的每个介电板150可使用紧固件(未示出)耦接到盖板122和/或与分隔板510和/或外扩散板500和内扩散板505耦接。
外扩散板500和内扩散板505中的每个包括一个或多个孔口525(例如，第一孔口402)。一个或多个孔口525中的每个孔口525与多个第一通道302(也在图3B中示出)中的相应第一通道302流体连通。在一些实施方式中，分隔板510中的每个分隔板510包括一个或多个孔口530(例如，第二孔404)。分隔板510的一个或多个孔口530中的每个孔口530与多个第二通道304(也在图3B中示出)中的相应第二通道304流体连通。
图6A和图6B是来自图5的盖板122的截面图。在图6A中，外扩散板500和内扩散板505的一部分连同外扩散板500与内扩散板505之间的分隔板510的部分一起被示出。在图6B中，多个内扩散板505中的一个内扩散板505沿内扩散板505的长度方向示出。
图7是来自图6A的盖板122的放大截面图。示出了多个内扩散板505中的一个内扩散板505以及两个分隔板510的一部分。内扩散板505包括与多个第一通道302中的一个第一通道302以及一个或多个孔口525流体连通的槽700。尽管未示出，但其他内扩散板505可类似地构造。此外，外扩散板500包括槽700以及一个或多个孔口525。
内扩散板505通过紧固件520耦接到盖板122的主体705。每个紧固件520定位在槽700和一个或多个孔口525的相对侧上的相应埋头孔(countersunk bore)710中。类似地，分隔板510通过紧固件715(仅示出一个)耦接到主体705。紧固件715设置在埋头孔720中。紧固件715和520在相应埋头孔中延伸到分隔板510的(底)表面725A和内扩散板505的(底)表面725B。表面725A和725B是平面或平坦的，使得表面彼此齐平。另外，紧固件715和520在相应埋头孔中的延伸呈现平坦或平面底表面(即，没有突出部或凹陷部)，这有利于更均匀的等离子体形成。尽管未示出，但介电板150(即，底表面151)中的每个介电板150也与表面725B齐平。
槽700和第一通道302通过定位在形成在主体705中的槽735中的弹性体密封件730流体密封。弹性密封件730的大小设定为包围槽700和第一通道302。弹性密封件730可以是细长O形环。弹性密封件730被压靠在内扩散板505的密封表面740上。密封表面740比表面725B和背表面745的其余部分以及内扩散板505的其他外表面更平滑。在一些实施方式中，密封表面740包括约16(均方根(RMS))或16微英寸(平均表面粗糙度(Ra))的表面光洁度。
图8是扩散板800的背表面745的平面图，扩散板800可以是多个外扩散板500中的一个外扩散板500或多个内扩散板505中的一个内扩散板505。
扩散板800包括大于基板(未示出)的长度或宽度的长度805。在一个示例中，长度805是约5英尺到约6英尺，或更大。密封表面740被示出为包围槽700。此外，多个孔810沿扩散板800的长度805定位，每个孔适于接收紧固件520(图7中示出)。孔810形成在扩散板800的边缘815与密封表面740之间。每个紧固件520是具有工具接口(诸如可与螺丝刀、六角扳手、可与以
Figure BDA0003471557760000091
销售的钻头一起使用的驱动器和类似工具一起使用的六角头或凹陷接口)的螺钉或螺栓。
孔口525在该视图中未示出，但在槽700中在多个孔口位置825中的每个孔口位置825处形成。长度820指示孔口525沿槽700开始和结束的位置。长度820小于长度805。孔口位置825位于长度820内。孔口位置825可以是沿长度820的等间距或不等间距。在孔口位置825之间的间距可以是约0.25英寸至约1英寸。
图9A至图9C是来自图8的截面图，示出了扩散板800的各种结构。特别地，图9A至图9C示出了槽700和/或孔口525的轮廓的变化。
在图9A中，示出了扩散板900A，并且该扩散板包括具有半圆形轮廓的槽700。此外，三个孔口525被示出为形成在第一表面905与槽700的表面910之间。槽700的表面910为弧状或弯曲表面。尽管示出了三个孔口525，但在图8示出的孔口位置825中的每个孔口位置825处，孔口的数量可以是从一至五个，或者更多。
图9A示出的孔口525包括一个中心孔口915和两个外孔口920。中心孔口915和外孔口920的直径可相同或不同。中心孔口915和外孔口920中的一者或全部的直径可以是约0.008英寸至约0.04英寸。外孔口920的长度相同或基本上相等，而中心孔口915的长度短于外孔口920的长度。
中心孔口915沿轴线925设置，该轴线与第一表面905的平面成约90度角。外孔口920与轴线925成锐角930。锐角930可与轴线925成约20度到约50度，例如约35度到约45度，诸如约40度。
尽管未示出，但在沿长度820(图8)的其他孔口位置825处的其他孔口525可与图9A示出的中心孔口915和外孔口920相同或不同。此外，表面910可以是沿长度805(图8)恒定的。然而，表面910可沿长度805不同。例如，槽700可在扩散板800的中心部分处更深并且在扩散板800的沿长度805的端部部分处更浅。
图9B示出了与图9A示出的扩散板900A基本上类似的扩散板900B，但有以下不同。槽700具有正方形轮廓，并且外孔口920包括喇叭形(flared)部分935。喇叭形部分935将外孔口920连接到槽700的表面910。槽700包括从表面910以正交角度延伸的两个侧面940。
图9C示出了基本上类似于图9A示出的扩散板900A的扩散板900C，但有以下不同。扩散板900C包括在孔口位置825处的单个孔口945。扩散板900C的结构可有益地用作图5示出的外扩散板500。单个孔口945可以锐角930成角度以将气体引向基板102(图1中示出)的中心。
图10是盖板122的另一种实现方式的示意性底视图。尽管外扩散板500和内扩散板505在其他图中被示出为单个整体件，但图10示出的盖板122包括被示出为第一多个外扩散板1000和第二多个内扩散板1005的多个分段扩散板。第一多个外扩散板1000和第二多个内扩散板1005以行1010定位。每个行1010基本上平行于其他行1010。
第一多个外扩散板1000包括两个或更多个扩散段1015，并且第二多个内部扩散板1005包括两个或更多个扩散段1020。扩散段1015和扩散段1020中的每个可构造为类似于图8示出的扩散板800以及图9A至图9C示出的扩散板900A至900C，不同在于长度更小。外扩散板1000和内扩散板1005的更短长度可最小化外扩散板1000和内扩散板1005的热膨胀和收缩的影响。此外，可独立地控制通过扩散段1015和1020中的每个扩散段的气流。
概括地讲，提供了用于在腔室的内部空间内的等离子体密度和气体分配的独立控制的腔室盖组件。对提供给每个线圈的功率电平和频率的独立控制允许在对应于每个线圈的处理区中独立地控制电感耦合等离子体的密度。第一气体的流率的控制提供对处理区域的对应于多个第一通道中的每个第一通道的第一区中的第一气流的独立控制。第二气体的流率的控制提供对处理区域的对应于多个第二通道中的每个第二通道的第二区中的第二气流的独立控制。在一些实施方式中，可能期望在处理区域上的均匀气流。然而，在其他多个实施方式中，在处理区域上的气流可能不均匀。由于腔室的某种物理结构和/或几何形状，可能期望不均匀气流。
尽管前述内容针对的是本公开内容的多个实施方式，但是在不脱离本公开内容的基本范围的情况下可设想本公开内容的多个其他和进一步实施方式，并且本公开内容的范围由所附权利要求书的范围确定。

Claims (15)

1.一种盖板，包括：
气体分配组件，所述气体分配组件包括
多个扩散板，所述多个扩散板的一部分由介电板分隔，其中所述多个扩散板中的每个扩散板包括形成在第一表面中的槽和形成在所述槽的表面和与所述第一表面相对的第二表面之间的一个或多个孔口。
2.如权利要求1所述的盖板，其中所述多个扩散板进一步包括多个内扩散板和在所述内扩散板的相对侧上的一个外扩散板。
3.如权利要求2所述的盖板，其中所述多个内扩散板中的每个内扩散板包括沿所述内扩散板长度的多个孔口位置，所述多个孔口位置中的每个孔口位置具有所述一个或多个孔口。
4.如权利要求3所述的盖板，其中所述外扩散板包括沿所述外扩散板长度的多个孔口位置，并且所述多个孔口位置中的每个孔口位置具有单个孔口。
5.如权利要求2所述的盖板，其中所述一个或多个孔口包括中心孔口和在所述中心孔口的相对侧上的两个外扩散孔。
6.如权利要求5所述的盖板，其中所述两个外扩散孔相对于所述中心扩散孔成角度。
7.如权利要求1所述的盖板，其中所述槽包括半圆形轮廓。
8.如权利要求1所述的盖板，其中所述槽包括矩形轮廓。
9.如权利要求1所述的盖板，其中所述槽包括沿所述槽长度变化的深度。
10.一种盖板，包括：
气体分配组件，所述气体分配组件包括多个扩散板，所述多个扩散板的一部分由多个介电板和多个分隔板分隔，其中所述多个扩散板中的每个扩散板包括形成在第一表面中的槽和形成在所述槽的表面和与所述第一表面相对的第二表面之间的一个或多个孔口。
11.如权利要求10所述的盖板，其中所述多个扩散板中的每个扩散板以平行的行取向，并且所述多个分隔板中的每个分隔板以列取向。
12.如权利要求10所述的盖板，其中所述槽包括半圆形轮廓。
13.如权利要求10所述的盖板，其中所述槽包括矩形轮廓。
14.如权利要求10所述的盖板，其中所述槽包括沿所述槽的长度变化的深度。
15.一种盖板，包括：
气体分配组件，所述气体分配组件包括多个扩散板，其中所述多个扩散板包括多个内扩散板和在所述多个内扩散板的相对侧上的一个外扩散板，并且其中所述多个内扩散板由一个或多个介电板和多个分隔板分隔，并且所述多个扩散板中的每个扩散板包括形成在第一表面中的槽和形成在所述槽的表面和与所述第一表面相对的第二表面之间的一个或多个孔口。
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