CN116940887A - 阵列基板、发光装置 - Google Patents

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CN116940887A CN202280000252.7A CN202280000252A CN116940887A CN 116940887 A CN116940887 A CN 116940887A CN 202280000252 A CN202280000252 A CN 202280000252A CN 116940887 A CN116940887 A CN 116940887A
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王肖
吕超忍
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Abstract

本申请提供了一种阵列基板、发光装置，涉及显示技术领域，该阵列基板包括：衬底；位于衬底上的多个导电垫组，导电垫组包括至少一个导电垫；导电垫包括导电层和第一连接层，第一连接层位于导电层远离衬底的一侧，第一连接层在衬底上的正投影与导电层在衬底上的正投影至少部分交叠；其中，第一连接层沿衬底厚度方向上的厚度大于或等于导电层沿衬底厚度方向上的厚度。本申请提供的阵列基板与元器件之间具有较高的导通稳定性，本申请提供的阵列基板在制备过程中具有较高的良率。

Description

阵列基板、发光装置 技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、发光装置。
背景技术
随着显示技术的快速发展，Mini LED(Mini Light Emitting Diode，次毫米发光二极管)和Micro LED(Micro Light Emitting Diode，微发光二极管)的显示产品引起人们广泛的关注。芯片的焊接过程是制备上述两类显示产品的重要步骤，相关技术中，芯片在焊接过程中极易出现导通不良的问题，造成芯片与显示产品的阵列基板的连接不良，进而造成显示产品良率降低、品质下降。
发明内容
本申请的实施例采用如下技术方案：
第一方面，本申请的实施例提供了一种阵列基板，包括：
衬底；
位于所述衬底上的多个导电垫组，所述导电垫组包括至少一个导电垫；
所述导电垫包括导电层和第一连接层，所述第一连接层位于所述导电层远离所述衬底的一侧，所述第一连接层在所述衬底上的正投影与所述导电层在所述衬底上的正投影至少部分交叠；
其中，所述第一连接层沿所述衬底厚度方向上的厚度大于或等于所述导电层沿所述衬底厚度方向上的厚度。
在本申请的一些实施例中，所述导电垫组包括至少两个所述导电垫，所述阵列基板还包括绝缘层，所述绝缘层位于同一所述导电垫组中各所述导电垫之间；
其中，所述绝缘层远离所述衬底的表面沿所述衬底厚度方向到所述衬底之间的距离小于或等于所述第一连接层远离所述衬底的表面沿所述衬底厚度方向到所述衬底之间的距离。
在本申请的一些实施例中，所述绝缘层远离所述衬底的表面沿所述 衬底厚度方向到所述衬底之间的距离大于所述导电层远离所述衬底的表面沿所述衬底厚度方向到所述衬底之间的距离。
在本申请的一些实施例中，所述绝缘层延伸至所述导电层远离所述衬底的表面的部分区域，所述绝缘层在所述衬底上的正投影和所述导电层在所述衬底上的正投影部分交叠。
在本申请的一些实施例中，所述第一连接层在所述衬底上的正投影和所述绝缘层在所述衬底上的正投影部分交叠。
在本申请的一些实施例中，所述绝缘层在所述衬底上的正投影和所述导电层在所述衬底上的正投影互不交叠。
在本申请的一些实施例中，所述第一连接层在所述衬底上的正投影和所述绝缘层在所述衬底上的正投影互不交叠。在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括多个第二连接层及多个元器件，所述第二连接层位于所述第一连接层远离所述衬底的一侧，且所述第二连接层在所述衬底上的正投影位于所述第一连接层在所述衬底上的正投影以内；一组所述导电垫组中的各所述导电垫通过所述第二连接层与一个所述元器件电连接；
其中，所述第一连接层沿所述衬底厚度方向上的最大厚度大于所述第二连接层沿所述衬底厚度方向上的最大厚度。
在本申请的一些实施例中，所述第一连接层沿所述衬底厚度方向上的最大厚度大于或等于两倍的所述第二连接层沿所述衬底厚度方向上的最大厚度。
在本申请的一些实施例中，所述元器件包括元器件本体和至少一个引脚，所述阵列基板还包括位于所述引脚和所述第一连接层之间的焊接层，所述焊接层包括焊接材料；
其中，在预设条件下，所述第一连接层的材料和所述焊接层的材料的反应程度小于所述导电层的材料和所述焊接层的材料的反应程度。
在本申请的一些实施例中，所述阵列基板包括位于所述衬底上的器件设置区和绑定区；
所述器件设置区包括所述元器件、所述导电垫组和所述第二连接层；
所述绑定区包括电路板、所述导电垫组和所述第二连接层，所述电路板通过所述第二连接层和所述导电垫组电连接。
在本申请的一些实施例中，所述器件设置区中所述第一连接层沿所述衬底厚度方向上的厚度范围为2μm～5μm；
所述绑定区中所述第一连接层沿所述衬底厚度方向上的厚度范围为2μm～4μm。
在本申请的一些实施例中，所述元器件在所述衬底上的正投影的形状包括矩形，所述矩形的长宽比的范围为1:1～1.5:1。
在本申请的一些实施例中，所述元器件包括至少四个引脚，所述引脚的数量和所述导电垫组中所述导电垫的数量相同，同一所述元器件中的各所述引脚和同一组导电垫组中的各所述导电垫电连接；所述引脚在所述衬底上的正投影位于所述第一连接层在所述衬底上的正投影以内；
其中，同一所述元器件中任意相邻的两个所述引脚之间的最小距离大于或等于40μm。
在本申请的一些实施例中，所述引脚在所述衬底上的正投影形状包括多边形，以及多边形和弧形组合形成的形状中的任意一种；
其中，同一所述元器件中相邻的两个所述引脚相对的两个面均为平面，且两个所述平面平行。
在本申请的一些实施例中，每两个相邻的所述引脚之间的间距均相等。
在本申请的一些实施例中，两个所述平面的面积相同。
在本申请的一些实施例中，所述第一连接层包括镍层和金层，所述金层位于所述镍层远离所述衬底的一侧；所述第二连接层贯穿所述金层的部分区域并延伸至所述镍层内。
第二方面，本申请的实施例提供了一种发光装置，包括如上所述的阵列基板。
上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实 施方式。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1-图3为本申请实施例提供的三种相关技术中的阵列基板的结构示意图。
图4-图16为本申请实施例提供的十三种不同阵列基板的结构示意图；
图17为本申请的实施例提供的一种针刺式固晶过程示意图；
图18、图19为图17提供的针刺式固晶过程中元器件的受力分析示意图；
图20为本申请的实施例提供的相关技术中的元器件和本申请的元器件的结构对比图；其中，图20中(A)图为本申请的元器件的结构示意图，图20中(B)图为相关技术中的元器件的结构示意图；
图21-图24为本申请的实施例提供的四种元器件的结构示意图；
图25为本申请的实施例提供的相关技术中的元器件和本申请的元器件的助焊剂蘸取量对比示意图；其中，图25中(A)图为本申请的元器件的助焊剂蘸取量示意图，图25中(B)图为相关技术中的元器件的助焊剂蘸取量示意图；
图26为本申请的实施例提供的一种发光装置的结构示意图。
具体实施例
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。
在本申请的实施例中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；术语“上”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的结构或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例性实施例”、“示例”、“特定示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本申请的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
在本申请的实施例中，采用“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，仅为了清楚描述本申请实施例的技术方案，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
本申请的实施例提供了一种阵列基板，参考图4所示，包括：
衬底1；
位于衬底1上的多个导电垫组3，导电垫组3包括至少一个导电垫2；
导电垫2包括导电层21和第一连接层22，第一连接层22位于导电层21远离衬底1的一侧，第一连接层22在衬底1上的正投影与导电层21在衬底1上的正投影至少部分交叠；
其中，第一连接层22沿衬底1厚度方向上的厚度d1大于或等于导电层21沿衬底1厚度方向上的厚度d2。
需要说明的是，沿衬底1厚度方向指的是：参考图4所示，衬底1 具有靠近导电垫2的一个表面M，垂直于该表面M的方向可以理解为沿衬底1厚度方向。后文中涉及到沿衬底厚度方向的相关描述的含义与此处类似，不再赘述。
这里对于导电垫组3包括的导电垫的数量不进行限定。导电垫组3包括的导电垫的数量可以为偶数，或者，导电垫组3包括的导电垫的数量可以为奇数。
其中，当导电垫组3包括的导电垫的数量为偶数时，同一导电垫组3中一半的导电垫可以连接元器件的正电极，另一半的导电垫可以连接元器件的负电极。
示例性的，导电垫组3可以包括两个导电垫；或者，导电垫组3可以包括四个导电垫；或者，导电垫组3可以包括六个导电垫；或者，导电垫组3可以包括八个导电垫。
示例性的，导电垫包括导电焊盘或连接电极。
在示例性的实施例中，第一连接层22在衬底1上的正投影与导电层21在衬底1上的正投影至少部分交叠的含义为：参考图11、图14或图15所示，第一连接层22在衬底1上的正投影与导电层21在衬底1上的正投影部分交叠。或者，参考图4、图12、图13或图16所示，第一连接层22在衬底1上的正投影与导电层21在衬底1上的正投影完全交叠，此时，可以理解，第一连接层22在衬底1上的正投影的外轮廓与导电层21在衬底1上的正投影的外轮廓交叠。
在示例性的实施例中，导电层21和第一连接层22的分别包括导电材料。
这里对于导电层21和第一连接层22的材料是否相同不进行限定。示例性的，导电层21和第一连接层22的材料不同。
在示例性的实施例中，导电层21和第一连接层22的材料均为可焊性材料，且第一连接层22的材料的可焊性小于导电层21的材料的可焊性。需要说明的是，材料的可焊性越高，在回流焊过程中，该材料与焊接材料的反应程度越高，对该膜层的材料的损耗越大。
示例性的，导电层21的材料的可焊性高于第一连接层22的材料的可焊性，相较于焊接材料与第一连接层22反应对第一连接层22的损 耗，焊接材料与导电层21反应时对导电层21的损耗较大。
示例性的，导电层21的材料为铜，第一连接层22的材料包括镍和/或金。
在示例性的实施例中，阵列基板可以包括双层的走线层。参考图7或图8所示，该阵列基板包括第一走线层101和第二走线层102，第一走线层101和第二走线层102共同形成阵列基板中的导电图案。其中，导电垫2中的导电层21位于第二走线层102中，可以理解，导电垫2中的导电层21为第二走线层102的一部分，此时，导电垫2包括导电层21和第一连接层22。
在示例性的实施例中，阵列基板可以包括单层的走线层。参考图9或图10所示，该阵列基板包括第三走线层103，第三走线层103用于形成阵列基板中的导电图案。第三走线层103可以包括层叠设置的铜金属层、钼铌合金层和铜金属层；或者，第三走线层103可以包括层叠设置的铜金属层、钼铌合金层、铜金属层、钼铌合金层和铜金属层。其中，导电垫2中的导电层21位于第三走线层103中远离衬底1一侧的铜金属层，可以理解，导电垫2中的导电层21为如图9或如图10中与第一连接层22接触的部分铜金属层，此时，以图9所示结构为例，导电垫2可以包括部分铜金属层24、部分钼铌合金层23、导电层21和第一连接层22。
在示例性的实施例中，导电垫2可以包括导电层21和第一连接层22，且还可以包括位于导电层21远离第一连接层22一侧的其它导电膜层，例如如图9中所示的部分铜金属层24和部分钼铌合金层23，具体可以根据具体情况确定，这里不进行限定。
在示例性的实施例中，第一连接层22沿衬底1厚度方向上的厚度d1的范围为2μm～5μm。
在示例性的实施例中，导电层21沿衬底1厚度方向上的厚度d2的范围为0.5μm～2μm。
在相关技术中，参考图1所示，元器件的引脚42和导电垫2(导电层21)通过回流焊焊接在一起，在焊接过程中，元器件的引脚42和导电垫2之间设置有焊接材料(图中未绘制)，焊接材料和导电垫2(导 电层21)的材料在高温下发生反应，在引脚42和导电垫2(导电层21)的界面生成金属层间化合物，累积在一起的金属层间化合物构成第二连接层5将元器件的引脚42和导电垫2(导电层21)固定在一起。
在实际应用中，在元器件发生异常，对阵列基板修复(Rework)的过程中，需要拆除元器件，此时，参考图2所示，元器件和第二连接层5均被剥落，阵列基板中的导电垫2(导电层21)远离衬底1的表面具有凹坑，使得导电垫2(导电层21)沿衬底1厚度方向上的最小厚度非常薄，在重新焊接元器件的过程中，焊接材料和剩余的导电垫2(导电层21)的材料在高温下发生反应，再次生成如图3中所示的第二连接层5，第二连接层5靠近衬底1的表面与导电垫2(导电层21)靠近衬底1的表面之间的距离较小，这样，导电垫2(导电层21)极易存在断裂的风险，降低了阵列基板的良率。
在本申请的实施例中，参考图4所示，通过设置导电垫2包括导电层21和第一连接层22，焊接材料和导电垫2中的第一连接层22的材料在高温下发生反应，在引脚42和第一连接层22的界面生成金属层间化合物，累积在一起的金属层间化合物构成第二连接层5，第二连接层5将元器件的引脚42和导电垫2固定在一起。在元器件发生异常，拆除元器件之后，参考图5所示，元器件和第二连接层5均被剥落，阵列基板中的导电垫2的第一连接层22远离衬底1的表面具有凹坑，在重新焊接元器件的过程中，焊接材料和剩余的第一连接层22的材料在高温下发生反应，再次生成如图6中所示的第二连接层5，从而使得第一连接层22对导电层21起到保护作用，避免导电垫2发生断裂，提高了阵列基板的修复良率。
在本申请的一些实施例中，参考图4所示，导电垫组3包括至少两个导电垫，阵列基板还包括绝缘层6，绝缘层6位于同一导电垫组3中各导电垫2之间；
其中，绝缘层6远离衬底1的表面沿衬底1厚度方向到衬底1之间的距离d3小于或等于第一连接层22远离衬底1的表面沿衬底1厚度方向到衬底1之间的距离d4。
在相关技术中，参考图1所示，由于同一导电垫组3中各导电垫2之间的绝缘层6远离衬底1的表面高于导电垫2远离衬底的表面，在将 元器件与导电垫连接的过程中，绝缘层6垫起元器件，极易使得元器件的引脚与对应的导电垫之间错位或使得元器件的引脚与对应的导电垫之间虚接，从而导致导通不良。
在本申请的实施例中，参考图4、图11-图16所示，通过设置绝缘层6远离衬底1的表面沿衬底1厚度方向到衬底1之间的距离d3小于或等于第一连接层22远离衬底1的表面沿衬底1厚度方向到衬底1之间的距离d4，使得导电垫2的第一连接层22远离衬底1的表面的位置较绝缘层6远离衬底1的表面的位置高，从而使得元器件的引脚更容易接触到导电垫2的第一连接层22，提高了元器件的引脚和导电垫2之间的导通稳定性，进而提高了阵列基板的可靠性。
在本申请的一些实施例中，参考图11-图16所示，绝缘层6远离衬底1的表面沿衬底1厚度方向到衬底1之间的距离大于导电层21远离衬底1的表面沿衬底1厚度方向到衬底1之间的距离。
在实际应用中，在制备完成导电层21之后，在同一导电垫组3的各导电层21之间设置绝缘层6，以避免同一导电垫组3中的各导电层21在后续工艺或后续使用时发生短路。
在本申请的实施例中，通过设置绝缘层6的上表面高于导电层21的上表面，使得相邻两个导电层21以及位于两者之间的第一连接层22构成不平坦的表面，在制备第一连接层22时，相邻两个导电层21上的第一连接层22不容易形成在绝缘层6上，以避免同一导电垫组3中的相邻两个第一连接层22在后续工艺或后续使用时发生短路。
另外，需要说明的是，参考图16所示，即使第一连接层22在衬底1上的正投影与绝缘层6在衬底1上的正投影的边缘区域存在部分交叠，但由于绝缘层6的上表面高出导电层21的上表面，在形成第一连接层22时，第一连接层22在绝缘层6侧面的爬坡处受到内应力作用，也使得相邻两个第一连接层22难以覆盖绝缘层6的上表面并连接在一起，从而避免了同一导电垫组3中的相邻两个第一连接层22在后续工艺或后续使用时发生短路，提高了阵列基板的可靠性。
在本申请的一些实施例中，参考图11、图12和图13所示，绝缘层6在衬底1上的正投影和导电层21在衬底1上的正投影互不交叠。
在本申请的一些实施例中，参考图11、图12和图13所示，第一连接层22在衬底1上的正投影和绝缘层6在衬底1上的正投影互不交叠。
示例性的，参考图11所示，第一连接层22在衬底1上的正投影的外轮廓位于导电层21在衬底1上的正投影外轮廓以内，绝缘层6在衬底1上的正投影的外轮廓的一部分和导电层21在衬底1上的正投影的外轮廓的一部分相连，且第一连接层22在衬底1上的正投影的外轮廓与绝缘层6在衬底1上的正投影的外轮廓互不接触，可以理解，此时，第一连接层22和绝缘层6之间存在间隙。
示例性的，参考图12和图13所示，第一连接层22在衬底1上的正投影的外轮廓与导电层21在衬底1上的正投影外轮廓重叠，且绝缘层6在衬底1上的正投影的外轮廓的一部分和导电层21在衬底1上的正投影的外轮廓的一部分相连。
在本申请的一些实施例中，参考图14、图15和图16所示，绝缘层6延伸至导电层21远离衬底1的表面的部分区域，绝缘层6在衬底1上的正投影和导电层21在衬底1上的正投影部分交叠。
在示例性的实施例中，参考图14所示，绝缘层6延伸至导电层21远离衬底1的表面的部分区域，绝缘层6在衬底1上的正投影和导电层21在衬底1上的正投影部分交叠，第一连接层22在衬底1上的正投影的外轮廓位于导电层21在衬底1上的正投影的外轮廓以内，且第一连接层22在衬底1上的正投影的外轮廓与绝缘层6在衬底1上的正投影的外轮廓互不接触，可以理解，此时，第一连接层22和绝缘层6之间存在间隙。
在示例性的实施例中，参考图15所示，绝缘层6延伸至导电层21远离衬底1的表面的部分区域，绝缘层6在衬底1上的正投影和导电层21在衬底1上的正投影部分交叠，第一连接层22在衬底1上的正投影的外轮廓位于导电层21在衬底1上的正投影的外轮廓以内，且第一连接层22在衬底1上的正投影的外轮廓的一部分与绝缘层6在衬底1上的正投影的外轮廓的一部分相连。
在本申请的一些实施例中，参考图16所示，绝缘层6延伸至导电 层21远离衬底1的表面的部分区域，绝缘层6在衬底1上的正投影和导电层21在衬底1上的正投影部分交叠，第一连接层22延伸至绝缘层6远离衬底1的表面的部分区域，第一连接层22在衬底1上的正投影和绝缘层6在衬底1上的正投影部分交叠。
在本申请的实施例中，绝缘层6延伸至导电层21远离衬底1的表面的部分区域，绝缘层6在衬底1上的正投影和导电层21在衬底1上的正投影部分交叠，但由于绝缘层6的上表面高出导电层21的上表面，在形成第一连接层22时，第一连接层22在绝缘层6侧面的爬坡处受到内应力作用，也使得相邻两个第一连接层22难以覆盖绝缘层6的上表面并连接在一起，从而避免了同一导电垫组3中的相邻两个第一连接层22在后续工艺或后续使用时发生短路，提高了阵列基板的可靠性。
在本申请的一些实施例中，参考图7所示，阵列基板还包括多个第二连接层5及多个元器件(包括元器件本体41和引脚42)，第二连接层5位于第一连接层22远离衬底1的一侧，且第二连接层5在衬底1上的正投影位于第一连接层22在衬底1上的正投影以内；一组导电垫组3中的各导电垫2通过第二连接层5与一个元器件电连接；
其中，第一连接层22沿衬底1厚度方向上的最大厚度d6大于第二连接层5沿衬底1厚度方向上的最大厚度d5。
在示例性的实施例中，元器件包括驱动芯片和/或发光芯片。
示例性的，发光芯片可以包括次毫米发光二极管(Mini Light Emitting Diode，简称Mini LED)或微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，简称Micro LED)。
其中，Mini LED的尺寸范围为100μm-300μm，Micro LED的尺寸范围为0μm-100μm。
在示例性的实施例中，第二连接层5在衬底1上的正投影位于第一连接层22在衬底1上的正投影以内的含义为：第二连接层5在衬底1上的正投影的外轮廓位于第一连接层22在衬底1上的正投影的外轮廓以内。
在示例性的实施例中，元器件通过第二连接层5与导电垫2电连接在一起，第二连接层5包括金属层间化合物。
在实际应用中，在将元器件与导电垫焊接时，焊接材料和导电垫2的材料在高温下发生反应，形成由金属层间化合物构成的第二连接层5，当元器件发生异常进行修复时，需要拆除元器件，参考图5所示，元器件和第二连接层5均被剥落，阵列基板中的导电垫2的第一连接层22远离衬底1的表面具有凹坑；由于第一连接层22沿衬底1厚度方向上的最大厚度d6大于第二连接层5沿衬底1厚度方向上的最大厚度d5，在重新焊接元器件的过程中，焊接材料和剩余的第一连接层22的材料在高温下发生反应，再次生成如图6中所示的第二连接层5，从而使得第一连接层22对导电层21起到保护作用，避免导电垫2发生断裂。
另外，在重新焊接元器件的过程中，焊接材料可能与剩余的第一连接层22的材料反应之后，继续穿过第一连接层22与导电层21发生反应，再次生成第二连接层5，此时，第二连接层5位于第一连接层22和导电层21之间，但由于焊接材料与导电层21远离衬底1的表面的材料发生反应，对导电层21的材料的消耗程度较小，导电层21的主体结构仍保留，第一连接层22仍对导电层21起到保护作用，避免了导电垫2发生断裂。
在本申请的一些实施例中，第一连接层22沿衬底1厚度方向上的最大厚度d6大于或等于两倍的第二连接层5沿衬底1厚度方向上的最大厚度d5。
在本申请的实施例中，将元器件与导电垫焊接时，焊接材料和导电垫2的材料在高温下发生反应，形成由金属层间化合物构成的第二连接层5，当元器件发生异常进行修复时，需要拆除元器件，参考图5所示，元器件和第二连接层5均被剥落，阵列基板中的导电垫2的第一连接层22远离衬底1的表面具有凹坑，由于第一连接层22沿衬底1厚度方向上的最大厚度d6大于或等于两倍的第二连接层5沿衬底1厚度方向上的最大厚度d5，在重新焊接元器件的过程中，焊接材料和剩余的第一连接层22的材料在高温下发生反应且不会穿透第一连接层22(即使穿透第一连接层22也不会进一步与导电层21反应)，生成如图6中所示的第二连接层5，从而使得第一连接层22对导电层21起到保护作用，避免导电垫2发生断裂。
在示例性的实施例中，焊接材料和第一连接层22的材料在高温下 发生反应形成的第二连接层5的厚度为1μm±0.3μm。
在本申请的一些实施例中，元器件包括元器件本体41和至少一个引脚42，阵列基板还包括位于引脚42和第一连接层22之间的焊接层(未绘制)，焊接层包括焊接材料。
示例性的，焊接材料包括焊锡膏。
示例性的，焊接材料包括锡银铜(SnAgCu)，其中，锡的含量为97％。
其中，在预设条件下，第一连接层的材料和焊接层的材料之间的反应程度小于导电层的材料和焊接层的材料之间的反应程度。
示例性的，预设条件指的是在回流焊过程中。
示例性的，导电层21和第一连接层22的材料不同。
在示例性的实施例中，第一连接层22的材料和焊接层的材料的反应程度小于导电层21的材料和焊接层的材料的反应程度的含义为：第一连接层22的材料的可焊性小于导电层21的材料的可焊性。需要说明的是，材料的可焊性越高，在回流焊过程中，该材料与焊接材料的反应程度越高，对该膜层的材料的损耗越大。
示例性的，导电层21的材料的可焊性高于第一连接层22的材料的可焊性，相较于焊接材料与第一连接层22反应对第一连接层22的损耗，焊接材料与导电层21反应时对导电层21的损耗较大。
示例性的，导电层21的材料包括铜，第一连接层22的材料包括镍和/或金。
在本申请的实施例中，由于第一连接层22的材料和焊接层的材料的反应程度小于导电层21的材料和焊接层的材料的反应程度，相较于直接增加导电层21的厚度以避免修复过程中导电垫发生断裂的方式而言，设置同样厚度(增加的导电层21的厚度)的第一连接层22，能够更好的包括原有的导电层21，避免导电垫2发生断裂，另外，从制备工艺角度而言，制备第一连接层22的工艺难度远远低于制备较厚的导电层21的厚度。
在本申请的一些实施例中，阵列基板包括位于衬底上的器件设置区 和绑定区；
器件设置区包括元器件、导电垫组3和第二连接层；
绑定区包括电路板(FPC)、导电垫组3和第二连接层，电路板通过第二连接层和导电垫组3电连接。
需要说明的是，器件设置区指的是设置元器件(发光元件)的区域，对于该阵列基板制备的发光装置而言，器件设置区为发光装置的有效发光区，绑定区为发光区周边设置电路板的区域。
在本申请的一些实施例中，器件设置区中第一连接层22沿衬底1厚度方向上的厚度范围为2μm～5μm；示例性的，其厚度可以为2μm、2.5μm、3μm、3.5μm、4μm或5μm。
在本申请的实施例中，综合考虑到制备第一连接层22的工艺的波动，以及阵列基板修复时去除元器件对第一连接层22的影响，第一连接层22在沿衬底1厚度方向的厚度最小可以为2μm；另外，第一连接层22沿衬底1厚度方向的厚度越大，对导电层2的保护效果越好，然而，制备工艺难度提升，且成本增加。
在本申请的一些实施例中，绑定区中第一连接层22沿衬底1厚度方向上的厚度范围为2μm～4μm；示例性的，其厚度可以为2μm、2.5μm、3μm、3.5μm或4μm。
在本申请的实施例中，综合考虑到制备第一连接层22的工艺的波动，以及阵列基板修复时去除元器件对第一连接层22的影响，第一连接层22在沿衬底1厚度方向的厚度最小可以为2μm；另外，在绑定区中，由于电路板制备工艺的影响，第一连接层22在沿衬底1厚度方向的厚度越大，电路板与各膜层之间可能存在的内应力越大，绑定之后的电路板发声剥离的风险越大，故绑定区中第一连接层22沿衬底1厚度方向上的最大厚度设置为4μm。
相关技术中，参考图17所示，在将元器件(图17中以元器件为LED芯片为例进行绘制)与导电垫2焊接在一起时，先通过针刺式固晶方式将元器件放置在导电垫组3上方，元器件靠近阵列基板的衬底1的一侧带有助焊剂(Flux)，元器件的引脚表面或导电垫的表面上涂覆有焊接材料，通过回流焊工艺，将导电垫和元器件焊接在一起。
在实际应用中，参考图18所示，在针(Needle)的作用下，元器件(LED)下降并发生轻微变形，元器件的中间区域下凹，边缘区域翘起。这样，在通过针刺固晶的过程中，元器件受到如图18所示的向心力F的作用，向心力F可以分解为沿水平方向的力Fxy和沿竖直方向的力Fy，结合图19所示，在水平方向上，力Fxy可以分解为x方向的力Fx和y方向的力Fy，其中，力Fx的方向和力Fy的方向分别沿着元器件(LED)的长边和短边。相关技术中的元器件(例如，LED芯片)在衬底上的正投影形状均为长条形，这样，长条形的元器件的长边和短边受到的作用力存在差异，在长宽比差异较大且两者受到的作用力差异较大的情况下，元器件容易在固晶过程中发生旋转，使得元器件的引脚和导电垫错位，从而发生元器件和导电垫的导通不良。
基于此，在本申请的一些实施例中，元器件在衬底1上的正投影的形状包括矩形，且矩形的长宽比的范围为1:1～1.5:1，示例性的，其长宽比可以为1:1、1.1:1、1:2、1.3:1、1:4、1.5:1。
示例性的，元器件在衬底1上的正投影的形状的长宽比为1:1，元器件在衬底1上的正投影的形状为正方形。
本申请的实施例中，通过设置元器件在衬底1上的正投影的形状包括矩形，且矩形的长宽比的范围为1:1～1.5:1，能够减小如图19所示的元器件的长边和短边受到的作用力的差异，降低元器件容易在固晶过程中发生旋转的概率，从而改善固晶过程中元器件的引脚和导电垫的错位问题，从而改善元器件和导电垫的导通不良问题。
在本申请的实施例提供的元器件在固晶过程中发生旋转的概率能够低达5％，远远小于相关技术中元器件在固晶过程中发生旋转的概率52％。
另外，在固晶过程中，元器件会蘸取一定量的助焊剂(Flux)，助焊剂蘸在元器件的引脚周围。在实际应用中，一个元器件蘸取的助焊剂的量与元器件的引脚与助焊剂的接触面积以及相邻两个引脚之间的距离相关。在元器件蘸取的助焊剂量不足或者助焊剂分布不均的情况下，也容易产生焊接不良的问题。
图20提供了一种相关技术中的元器件(图20的(A)图)和本申 请的实施例提供的元器件(图20的(B)图)的结构对比图。
在实际应用中，元器件在蘸取助焊剂之后，从助焊剂糟中抬起，引脚相对的面之间的蘸取量受到相对的两个面(图20中表面虚线的面)的摩擦力，其稳定性优于引脚靠近元器件边缘的面，故而，引脚相对的面之间的助焊剂的量能够量化并估测出，通过调整浸蘸设备的参数浸蘸时间和抬升速度，实现有效抓取边浸蘸，进而量化助焊剂的量。
在本申请的一些实施例中，元器件包括至少四个引脚42，引脚42的数量和导电垫组3中导电垫2的数量相同，同一元器件中的各引脚42和同一组导电垫组3中的各导电垫2电连接；引脚42在衬底1上的正投影位于第一连接层22在衬底1上的正投影以内；其中，同一元器件中任意相邻的两个引脚42之间的最小距离大于或等于40μm。
示例性的，一个元器件中引脚的数量可以为偶数。例如，一个元器件中引脚的数量可以为如图22所示的4个；或者，一个元器件中引脚的数量可以为如图23所示的6个；或者，一个元器件中引脚的数量可以为如图24所示的8个。
这里对于元器件中引脚在衬底上的正投影的形状不进行限定。例如，引脚在衬底上的正投影的形状可以包括弧形、多边形或弧形和多边形组成的形状。
示例性的，引脚在衬底上的正投影的形状可以为矩形。
示例性的，引脚在衬底上的正投影的形状可以为圆形。
在示例性的实施例中，元器件包括四个引脚42，参考图20中(A)图所示，四个引脚中的两个引脚为正极的引脚，另外两个引脚为负极的引脚，四个引脚均匀分布，且相邻两个引脚的相对的两个面平行，这样，相邻两个引脚之间的最大距离和最小距离相等。
在示例性的实施例中，对比图20的(B)图和图20的(A)图，图20的(A)图中的有效蘸取面为八个，而，图20的(B)图中的有效蘸取面为两个，在图20中标记的各边的边长相同、且引脚的高度的情况下，图20的(A)图中的有效蘸取面的面积显著大于图20的(B)图中的有效蘸取面的面积。
本申请的实施例提供的图20的(A)图中所示的引脚能够在固晶 过程中有效的保留助焊剂，提高助焊剂的蘸取量，提高助焊剂在元器件靠近导电垫一侧的表面的分布均匀性。图25中(A)图示出了图20的(A)图所示的结构的助焊剂蘸取效果示意图，图25中(B)图示出了图20的(B)图所示的结构的助焊剂蘸取效果示意图。
在示例性的实施例中，同一元器件中任意相邻的两个引脚42之间的距离越小，引脚42之间能够保留的助焊剂的量就越少，本申请的实施例中，一方面，通过提高焊脚的数量，提高助焊剂的有效蘸取面积；另一方面，限定相邻两个引脚之间的距离大于或等于40μm，从而提高助焊剂的有效蘸取量；进而改善了由于助焊剂量少造成的焊接不良问题。
在本申请的一些实施例中，引脚42在衬底1上的正投影形状包括多边形，以及多边形和弧形组合形成的形状中的任意一种；其中，同一元器件中相邻的两个引脚42相对的两个面均为平面，且两个平面平行。
在示例性的实施例中，多边形可以包括正多边形，例如，正方形；多边形和弧形组合形成的形状可以包括扇形。
在示例性的实施例中，由于相邻的两个引脚42相对的两个面为助焊剂的有效接触面，与助焊剂的蘸取量紧密相关。
在示例性的实施例中，参考图21所示，引脚42在衬底1上的正投影形状为圆形。一个圆形的引脚与助焊剂的有效接触面的面积为：H*L1＝H*2πR*1/4＝H*πR*1/2，其中，H为引脚的高度，R为圆形引脚在衬底1上的正投影形状的半径。然而，当同一元器件中任意相邻的两个引脚42相对的两个面均为平面、且两个平面平行、尺寸相同时，一个引脚的有效接触面的面积为H*L2＝H*2a，其中，a为正方形引脚的边长，当2R＝a时，H*L2＝H*2a＝4RH。显然，4RH大于H*πR*1/2，故而，在本申请的实施例中，设置同一元器件中任意相邻的两个引脚42相对的两个面均为平面，且两个平面平行，从而能够有效提高引脚和助焊剂的接触面积，进而提高助焊剂的蘸取量，改善焊接不良的问题。
在本申请的一些实施例中，每两个相邻的引脚之间的间距均相等。。
在示例性的实施例中，参考图20中(A)图所示，左上角的引脚42到右上角的引脚42之间的距离为X1，左上角的引脚42到左下角的引脚42之间的距离为X2，右上角的引脚42到右下角的引脚42之间的距 离为X3，左下角的引脚42到右下角的引脚42之间的距离为X4，X1＝X2＝X3＝X4,且X1≥40μm。
在本申请的一些实施例中，相邻的两个引脚相对的两个平面的面积相同。
示例性的，相邻的两个引脚相对的两个平面的面积相同的含义为：参考图21所示，平面A和平面C的面积相同，平面B和平面E的面积相同，平面F到平面H的面积相同，平面G和平面D的面积相同。
在示例性的实施例中，引脚的形状为四棱柱时，各引脚的侧面的面积均相同。
在本申请的实施例中，通过设置相邻的两个引脚相对的两个面之间的距离均相等，且相邻的两个引脚相对的两个平面的面积相同，使得任意两个相对的引脚之间的空间尺寸相同，在蘸取焊接剂时，任意两个相对的引脚之间能够容纳的助焊剂的量相同，从而提高了引脚间助焊剂的分布均一性，进而能够进一步提高导电垫和元器件的焊接稳定性。
在本申请的一些实施例中，第一连接层22包括镍层和金层，金层位于镍层远离衬底的一侧；第二连接层5贯穿金层的部分区域并延伸至镍层内。
在示例性的实施例中，第一连接层22的主要组成为镍层，而金层对镍层起到保护作用，其厚度远远小于镍层的厚度。两者的厚度可以根据实际情况确定，这里不进行限制。
在示例性的实施例中，参考图8所示，该阵列基板还包括缓冲层8、第一走线层101、有机或无机绝缘层9、平坦层10、反射层7、透镜结构(Lens)11，其中，反射层7位于绝缘层6远离衬底1的一侧，反射层7在基底1上的正投影与元器件3在基底1上的正投影互不交叠。反射层的材料可以包括白色油墨、硅系白胶或者反射片中的任意一种或多种的组合。当然，该阵列基板还可以包括支撑层108等其它结构，这里仅介绍与发明点相关的结构和部件，该阵列基板包括的其它结构和部件可以参考相关技术，这里不做赘述。
本申请的实施例提供了一种发光装置，包括如上所述的阵列基板。
在示例性的实施例中，该发光装置还包括如图26所示的玻璃盖板，玻璃盖板包括第一油墨层201、玻璃202和第二油墨层203，其中，第一油墨层201和第二油墨层203为包括有扩散粒子的透光膜。当然，该发光装置还包括第一粘结层204、量子点层205、第二粘结层206和增亮复合膜207。
在示例性的实施例中，该发光装置可以用作背光装置，或者，也可以用作显示装置。具体的，若发光装置中的多个元器件包括发单一颜色光的发光器件，则上述发光装置可以用作背光装置；若发光装置中的多个元器件包括分别发不同颜色光的发光器件，例如红光、发绿光和发蓝光的三种发光器件，则上述发光装置可以用作显示装置。
在示例性的实施例中，该发光装置可以为Mini-LED发光装置；或者，该发光装置也可以为Micro-LED发光装置。
在本申请的实施例中，该发光装置中，通过设置导电垫2包括导电层21和第一连接层22，焊接材料和导电垫2中的第一连接层22的材料在高温下发生反应，在引脚42和第一连接层22的界面生成金属层间化合物，累积在一起的金属层间化合物构成第二连接层5，第二连接层5将元器件的引脚42和导电垫2固定在一起。在元器件发生异常，拆除元器件之后，参考图5所示，元器件和第二连接层5均被剥落，阵列基板中的导电垫2的第一连接层22远离衬底1的表面具有凹坑，在重新焊接元器件的过程中，焊接材料和剩余的第一连接层22的材料在高温下发生反应，再次生成如图6中所示的第二连接层5，从而使得第一连接层22对导电层21起到保护作用，避免导电垫2发生断裂，提高了阵列基板的修复良率，提高了发光装置的可靠性。
相关技术中，在制备阵列基板时，参考图1所示，先形成导电垫组3，再依次形成绝缘层6、反射层7；再进行固晶过程将元器件与导电垫2焊接在一起。然而，在形成反射层7时，反射层7容易在导电垫2上留下残留物，或者反射层7的材料溶剂挥发后容易沉积在导电垫2(导电层21)上，从而影响了后续固晶和焊接过程，造成元器件和导电垫之间导通不良。示例性的，相关技术中残留在导电层21上的反射层7的材料溶剂可以包括二丙二醇甲醚醋酸酯、二乙二醇二丁醚、乙酸丁酯的 至少一种。
基于此，本申请的实施例提供了一种阵列基板的制备方法，该方法包括：
S01、参考图4所示，提供衬底1；
S02、形成导电垫2的导电层21；
S03、形成绝缘层6；
S04、形成反射层7；
其中，反射层7的材料包括钛白粉，树脂，溶剂及填充剂。
反射层7的材料溶剂可以包括二丙二醇甲醚醋酸酯、二乙二醇二丁醚、乙酸丁酯的至少一种。
S05、形成第一连接层22；
其中，第一连接层22的材料可以包括镍和/或金，导电垫2包括导电层21和第一连接层22。
其中，S05、形成第一连接层22的步骤包括：
S051、对导电层21进行清洗；
在示例性的实施例中，可以采用溶剂对导电层21进行浸泡并清洗；其中，溶剂可以包括有机溶剂和无机碱类溶剂；例如，有机溶剂可以包括乙醇或丁酮中的至少一种；无机碱类溶剂可以包括氢氧化钠或氢氧化钾中的至少一种。
有机溶剂可以将导电层21上残留的物质溶解并去除，无机碱类物质能够与导电层21上残留的物质发生反应生成无机盐和水。
在示例性的实施例中，可以采用等离子体(Plasma)处理或UV光照的方式对导电层21的表面进行清洗，以去除导电层21表面的残留物。
S052、对导电层21进行表面处理；
在示例性的实施例中，表面处理可以包括微刻蚀处理和表面活化处理；通过表面处理，能够在后续化学镀工艺过程中，提高镀层与底层界面之间的粘附力，提高镀层的质量。
S053、采用化学镀工艺形成第一连接层。
其中，可以采用化学镀工艺先形成镍层，再形成金层。
S06、将元器件和导电垫2焊接在一起。
本申请的实施例制备的阵列基板，通过先制备反射层7，再制备导电垫2的第一连接层22，在制备第一连接层22时，通过对导电层21的表面进行清洗和表面处理，去除了反射层7材料的残留物，降低了第一连接层22和导电层21之间的接触电阻，提高了第一连接层22和导电层21之间的导通性能，从而提高了该阵列基板的导通稳定性，提高了产品的良率。
需要说明的是，本申请的实施例提供制备方法制备出的阵列基板还包括其它结构和部件，该阵列基板包括的其它结构和部件可以参考前文中对阵列基板的描述，这里不再赘述。
另外，本申请的实施例提供的制备方法仅介绍了与发明点相关的制备过程，该阵列基板的其它部件的具体制备方法可以参考相关技术，这里不进行介绍。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (19)

  1. 一种阵列基板，其中，包括：
    衬底；
    位于所述衬底上的多个导电垫组，所述导电垫组包括至少一个导电垫；
    所述导电垫包括导电层和第一连接层，所述第一连接层位于所述导电层远离所述衬底的一侧，所述第一连接层在所述衬底上的正投影与所述导电层在所述衬底上的正投影至少部分交叠；
    其中，所述第一连接层沿所述衬底厚度方向上的厚度大于或等于所述导电层沿所述衬底厚度方向上的厚度。
  2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述导电垫组包括至少两个所述导电垫，所述阵列基板还包括绝缘层，所述绝缘层位于同一所述导电垫组中各所述导电垫之间；
    其中，所述绝缘层远离所述衬底的表面沿所述衬底厚度方向到所述衬底之间的距离小于或等于所述第一连接层远离所述衬底的表面沿所述衬底厚度方向到所述衬底之间的距离。
  3. 根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述绝缘层远离所述衬底的表面沿所述衬底厚度方向到所述衬底之间的距离大于所述导电层远离所述衬底的表面沿所述衬底厚度方向到所述衬底之间的距离。
  4. 根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述绝缘层延伸至所述导电层远离所述衬底的表面的部分区域，所述绝缘层在所述衬底上的正投影和所述导电层在所述衬底上的正投影部分交叠。
  5. 根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述第一连接层在所述衬底上的正投影和所述绝缘层在所述衬底上的正投影部分交叠。
  6. 根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述绝缘层在所述衬底上的正投影和所述导电层在所述衬底上的正投影互不交叠。
  7. 根据权利要求6所述的阵列基板，其中，所述第一连接层在所述衬底上的正投影和所述绝缘层在所述衬底上的正投影互不交叠。
  8. 根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括 多个第二连接层及多个元器件，所述第二连接层位于所述第一连接层远离所述衬底的一侧，且所述第二连接层在所述衬底上的正投影位于所述第一连接层在所述衬底上的正投影以内；一组所述导电垫组中的各所述导电垫通过所述第二连接层与一个所述元器件电连接；
    其中，所述第一连接层沿所述衬底厚度方向上的最大厚度大于所述第二连接层沿所述衬底厚度方向上的最大厚度。
  9. 根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述第一连接层沿所述衬底厚度方向上的最大厚度大于或等于两倍的所述第二连接层沿所述衬底厚度方向上的最大厚度。
  10. 根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述元器件包括元器件本体和至少一个引脚，所述阵列基板还包括位于所述引脚和所述第一连接层之间的焊接层，所述焊接层包括焊接材料；
    其中，在预设条件下，所述第一连接层的材料和所述焊接层的材料的反应程度小于所述导电层的材料和所述焊接层的材料的反应程度。
  11. 根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述阵列基板包括位于所述衬底上的器件设置区和绑定区；
    所述器件设置区包括所述元器件、所述导电垫组和所述第二连接层；
    所述绑定区包括电路板、所述导电垫组和所述第二连接层，所述电路板通过所述第二连接层和所述导电垫组电连接。
  12. 根据权利要求11所述的阵列基板，其中，所述器件设置区中所述第一连接层沿所述衬底厚度方向上的厚度范围为2μm～5μm；
    所述绑定区中所述第一连接层沿所述衬底厚度方向上的厚度范围为2μm～4μm。
  13. 根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述元器件在所述衬底上的正投影的形状包括矩形，所述矩形的长宽比的范围为1:1～1.5:1。
  14. 根据权利要求13所述的阵列基板，其中，所述元器件包括至少四个引脚，所述引脚的数量和所述导电垫组中所述导电垫的数量相同，同一所述元器件中的各所述引脚和同一组导电垫组中的各所述导电垫电连接；所述引脚在所述衬底上的正投影位于所述第一连接层在所述衬 底上的正投影以内；
    其中，同一所述元器件中任意相邻的两个所述引脚之间的最小距离大于或等于40μm。
  15. 根据权利要求14所述的阵列基板，其中，所述引脚在所述衬底上的正投影形状包括多边形，以及多边形和弧形组合形成的形状中的任意一种；
    其中，同一所述元器件中相邻的两个所述引脚相对的两个面均为平面，且两个所述平面平行。
  16. 根据权利要求15所述的阵列基板，其中，每两个相邻的所述引脚之间的间距均相等。
  17. 根据权利要求15所述的阵列基板，其中，两个所述平面的面积相同。
  18. 根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述第一连接层包括镍层和金层，所述金层位于所述镍层远离所述衬底的一侧；所述第二连接层贯穿所述金层的部分区域并延伸至所述镍层内。
  19. 一种发光装置，其特征在于，包括如权利要求1-18中任一项所述的阵列基板。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN211125693U (zh) * 2019-12-16 2020-07-28 厦门三安光电有限公司 一种led封装支架及封装结构
CN114077110A (zh) * 2021-11-23 2022-02-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5665996A (en) * 1994-12-30 1997-09-09 Siliconix Incorporated Vertical power mosfet having thick metal layer to reduce distributed resistance
TWI378544B (en) * 2007-07-19 2012-12-01 Unimicron Technology Corp Package substrate with electrically connecting structure
KR20170102782A (ko) * 2016-03-02 2017-09-12 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈 및 표시장치
CN111276471B (zh) * 2020-02-27 2022-11-18 京东方科技集团股份有限公司 一种背光模组及其制作方法、显示装置
US11302537B2 (en) * 2020-04-01 2022-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chip package structure with conductive adhesive layer and method for forming the same
US11990481B2 (en) * 2020-09-18 2024-05-21 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and backlight module

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN211125693U (zh) * 2019-12-16 2020-07-28 厦门三安光电有限公司 一种led封装支架及封装结构
CN114077110A (zh) * 2021-11-23 2022-02-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置

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