CN117802469A - 离子注入-薄膜沉积复合表面改性装置 - Google Patents

离子注入-薄膜沉积复合表面改性装置 Download PDF

Info

Publication number
CN117802469A
CN117802469A CN202311873205.6A CN202311873205A CN117802469A CN 117802469 A CN117802469 A CN 117802469A CN 202311873205 A CN202311873205 A CN 202311873205A CN 117802469 A CN117802469 A CN 117802469A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film deposition
ion implantation
cavity
chamber
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202311873205.6A
Other languages
English (en)
Inventor
杨玉磊
刘斌
张树武
史记
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wenzhou Chuxin Major Equipment Bearing Research Institute Co ltd
C&U Co Ltd
Original Assignee
Wenzhou Chuxin Major Equipment Bearing Research Institute Co ltd
C&U Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wenzhou Chuxin Major Equipment Bearing Research Institute Co ltd, C&U Co Ltd filed Critical Wenzhou Chuxin Major Equipment Bearing Research Institute Co ltd
Priority to CN202311873205.6A priority Critical patent/CN117802469A/zh
Publication of CN117802469A publication Critical patent/CN117802469A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/48—Ion implantation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种离子注入‑薄膜沉积复合表面改性装置，包括箱体，所述箱体分隔形成离子注入腔以及薄膜沉积腔，所述离子注入腔中设置有注入离子源，所述离子注入腔一侧设置有用于将样品送入或送出离子注入腔的第一输送腔，所述第一输送腔与离子注入腔之间设置有第一隔离板，所述薄膜沉积腔一侧设置有用于将样品送入或送出薄膜沉积腔的第二输送腔，所述第二输送腔与薄膜沉积腔之间设置有第二隔离板，所述离子注入腔和薄膜沉积腔中设置有传送带，所述离子注入腔与薄膜沉积腔之间设置有第三隔离板。其结构布局简单合理，避免薄膜沉积导致的注入离子源污染，并且能实现连续生产加工制备，提高生产加工效率。

Description

离子注入-薄膜沉积复合表面改性装置
技术领域
本发明涉及一种离子注入-薄膜沉积复合表面改性装置。
背景技术
现有的离子注入-薄膜沉积复合装置，其结构大多如图1所示，包括真空腔体，固定在真空腔体上的注入离子源13、溅射离子源23、靶材支架28，位于真空腔体内的样品台11。这种离子注入-薄膜沉积复合装置，其溅射离子源23在薄膜沉积时产生的气态或固态物质存在污染注入离子源13的风险，使注入离子源13无法同时正常工作，影响设备的使用可靠性。此外，这种离子注入-薄膜沉积复合装置仅有一个真空腔体，在完成样品的离子注入-薄膜沉积工作后，需放气再取出样品，然后再次放入新的样品并抽真空并进行下一批次样品的处理，无法实现连续生产，其效率较低。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供了一种离子注入-薄膜沉积复合表面改性装置，其结构布局简单合理，避免薄膜沉积导致的注入离子源污染，并且能实现连续生产加工制备，提高生产加工效率。
为实现上述目的，本发明提供了一种离子注入-薄膜沉积复合表面改性装置，包括箱体，所述箱体分隔形成离子注入腔以及薄膜沉积腔，所述离子注入腔中设置有注入离子源，所述离子注入腔一侧设置有用于将样品送入或送出离子注入腔的第一输送腔，所述第一输送腔与离子注入腔之间设置有第一隔离板，所述薄膜沉积腔一侧设置有用于将样品送入或送出薄膜沉积腔的第二输送腔，所述第二输送腔与薄膜沉积腔之间设置有第二隔离板，所述离子注入腔和薄膜沉积腔中设置有传送带，所述离子注入腔与薄膜沉积腔之间设置有第三隔离板。
这样设置的有益效果是：这样设置，采用离子注入腔与薄膜沉积腔相互串联的方式，同时通过隔离板隔离上述两个腔体，可避免薄膜沉积过程对注入离子源的污染，同时在离子注入腔与薄膜沉积腔之间设置了传送带，以完成样品在两个腔体间的往复传送，可实现离子注入与薄膜沉积处理的交替进行，能够实现复杂离子注入与薄膜沉积工艺的进行。现有技术的离子注入-薄膜沉积复合装置，离子注入以及薄膜沉积在同一真空腔体进行，在完成样品的离子注入-薄膜沉积工作后，需放气取出样品，方可再次放入新样品、抽真空并进行下一批次样品的处理，无法实现连续制备生产，效率较低；本方案设置了输送腔保证样品送入或送出腔体，同时同步设置隔离板，可实现样品送入/送出腔体与离子注入腔或薄膜沉积腔之间的真空隔绝，传送带可实现样品送入/送出腔体以及离子注入腔与薄膜沉积腔之间的样品往复输送，这种结构简单，利于实现，可实现样品离子注入或薄膜沉积、样品送出、新样品送入的同步进行，大大提高制备生产效率。
作为本发明的进一步设置，所述传送带分体设置形成第一传送带和第二传送带，所述第一传送带设置在离子注入腔中，所述第二传送带设置在薄膜沉积腔中，所述第一传送带和第二传送带相互靠近设置，所述第三隔离板设置在第一传送带和第二传送带之间。
这样设置的有益效果是：这样设置，使得隔离板可以更好的进行隔离阻断，避免污染，保证可靠性，同时结构简单，操作控制便捷，具有良好的使用效果。
作为本发明的进一步设置，所述离子注入腔中转动设置有第一样品台，所述第一传送带分体设置形成第一送入段、第一连接段以及第一送出段，所述第一送入段靠近第一送入腔设置，所述第一连接段设置在第一样品台上，所述第一送出段靠近第三隔离板设置。
这样设置的有益效果是：这样设置，使得样品台可以转动，使得在样品表面进行的离子注入更加均匀，保证试验效果，同时结构简单，利于实现，具有良好的使用效果。
作为本发明的进一步设置，所述薄膜沉积腔中转动设置有第二样品台，所述第二传送带分体设置形成第二送入段、第二连接段以及第二送出段，所述第二送入段靠近第二送入腔设置，所述第二连接段设置在第二样品台上，所述第二送出段靠近第三隔离板设置。
这样设置的有益效果是：这样设置，使得样品台可以转动，使得在样品表面进行的薄膜沉积更加均匀，保证试验效果，同时结构简单，利于实现，具有良好的使用效果。
作为本发明的进一步设置，所述第一输送腔和第二输送腔上分别设置有真空泵。
这样设置的有益效果是：这样设置，保证两个输送腔可独立与离子注入腔和薄膜沉积腔而处于真空或大气状态，以便进行样品从输送腔中的取出或放入，保证试验效果，同时结构简单，具有良好的使用效果。
作为本发明的进一步设置，所述薄膜沉积腔中设置有溅射离子源、辅助离子源以及靶材架。
这样设置的有益效果是：这样设置，有效实现薄膜沉积，同时结构简单，利于实现，具有良好的使用效果。
作为本发明的进一步设置，所述薄膜沉积腔中设置有磁控溅射阴极组件、磁控溅射阳极组件及靶材。
这样设置的有益效果是：这样设置，可以将薄膜沉积变为磁控溅射，提高结构的适配性，具有良好的使用效果。
附图说明
图1为背景技术中离子注入-薄膜沉积复合装置的结构示意图；
图2为本发明第一个实施例的布局结构示意图；
图3为本发明第二个实施例的布局结构示意图。
具体实施方式
本发明离子注入-薄膜沉积复合表面改性装置的第一个实施例如图2所示：包括箱体，所述箱体分隔形成离子注入腔1以及薄膜沉积腔2，所述离子注入腔1中设置有注入离子源13，所述离子注入腔1一侧设置有用于将样品送入或送出离子注入腔1的第一输送腔3，所述第一输送腔3与离子注入腔1之间设置有第一隔离板31，所述薄膜沉积腔2一侧设置有用于将样品送入或送出薄膜沉积腔2的第二输送腔4，所述第二输送腔4与薄膜沉积腔2之间设置有第二隔离板41，所述离子注入腔1和薄膜沉积腔2中设置有传送带，所述离子注入腔1与薄膜沉积腔2之间设置有第三隔离板6。这样设置的有益效果是：这样设置，采用离子注入腔1与薄膜沉积腔2相互串联的方式，同时通过隔离板隔离上述两个腔体，可避免薄膜沉积过程对注入离子源13的污染，同时在离子注入腔1与薄膜沉积腔2之间设置了传送带，以完成样品在两个腔体间的往复传送，可实现离子注入与薄膜沉积处理的交替进行，能够实现复杂离子注入与薄膜沉积工艺的进行，现有技术的离子注入-薄膜沉积复合装置，离子注入以及薄膜沉积在同一真空腔体进行，在完成样品的离子注入-薄膜沉积工作后，需放气取出样品，方可再次放入新样品、抽真空并进行下一批次样品的处理，无法实现连续制备生产，效率较低。本实施方式设置了输送腔保证样品送入或送出腔体，同时同步设置隔离板，可实现样品送入/送出腔体与离子注入腔1或薄膜沉积腔2之间的真空隔绝，传送带可实现样品送入/送出腔体以及离子注入腔1与薄膜沉积腔2之间的样品往复输送，这种结构简单，利于实现，可实现样品离子注入或薄膜沉积、样品送出、新样品送入的同步进行，大大提高制备生产效率。
作为本实施方式的进一步设置，所述传送带分体设置形成第一传送带和第二传送带，所述第一传送带设置在离子注入腔1中，所述第二传送带设置在薄膜沉积腔2中，所述第一传送带和第二传送带相互靠近设置，所述第三隔离板6设置在第一传送带和第二传送带之间。这样设置的有益效果是：这样设置，使得隔离板可以更好的进行隔离阻断，避免污染，保证可靠性，同时结构简单，操作控制便捷，具有良好的使用效果。
作为本实施方式的进一步设置，所述离子注入腔1中转动设置有第一样品台11，所述第一传送带分体设置形成第一送入段51、第一连接段以及第一送出段52，所述第一送入段51靠近第一送入腔设置，所述第一连接段设置在第一样品台11上，所述第一送出段52靠近第三隔离板6设置。这样设置的有益效果是：这样设置，使得样品台可以转动，使得在样品表面进行的离子注入更加均匀，保证试验效果，同时结构简单，利于实现，具有良好的使用效果。
作为本实施方式的进一步设置，所述薄膜沉积腔2中转动设置有第二样品台21，所述第二传送带分体设置形成第二送入段53、第二连接段以及第二送出段54，所述第二送入段53靠近第二送入腔设置，所述第二连接段设置在第二样品台21上，所述第二送出段54靠近第三隔离板6设置。这样设置的有益效果是：这样设置，使得样品台可以转动，使得在样品表面进行的薄膜沉积更加均匀，保证试验效果，同时结构简单，利于实现，具有良好的使用效果。
作为本实施方式的进一步设置，所述第一输送腔3和第二输送腔4上分别设置有真空泵32。这样设置的有益效果是：这样设置，保证两个输送腔可独立与离子注入腔和薄膜沉积腔而处于真空或大气状态，以便进行样品从输送腔中的取出或放入，保证试验效果，同时结构简单，具有良好的使用效果。
作为本实施方式的进一步设置，所述薄膜沉积腔2中设置有溅射离子源23、辅助离子源27以及靶材架28。这样设置的有益效果是：这样设置，有效实现薄膜沉积，同时结构简单，利于实现，具有良好的使用效果。
本发明离子注入-薄膜沉积复合表面改性装置的第二个实施例如图3所示：包括箱体，所述箱体分隔形成离子注入腔1以及薄膜沉积腔2，所述离子注入腔1中设置有注入离子源13，所述离子注入腔1一侧设置有用于将样品送入或送出离子注入腔1的第一输送腔3，所述第一输送腔3与离子注入腔1之间设置有第一隔离板31，所述薄膜沉积腔2一侧设置有用于将样品送入或送出薄膜沉积腔2的第二输送腔4，所述第二输送腔4与薄膜沉积腔2之间设置有第二隔离板41，所述离子注入腔1和薄膜沉积腔2中设置有传送带，所述离子注入腔1与薄膜沉积腔2之间设置有第三隔离板6。这样设置的有益效果是：这样设置，采用离子注入腔1与薄膜沉积腔2相互串联的方式，同时通过隔离板隔离上述两个腔体，可避免薄膜沉积过程对注入离子源13的污染，同时在离子注入腔1与薄膜沉积腔2之间设置了传送带，以完成样品在两个腔体间的往复传送，可实现离子注入与薄膜沉积处理的交替进行，能够实现复杂离子注入与薄膜沉积工艺的进行。现有技术的离子注入-薄膜沉积复合装置，离子注入以及薄膜沉积在同一真空腔体进行，在完成样品的离子注入-薄膜沉积工作后，需放气取出样品，方可再次放入新样品、抽真空并进行下一批次样品的处理，无法实现连续制备生产，效率较低；本实施方式设置了输送腔保证样品送入或送出腔体，同时同步设置隔离板，可实现样品送入/送出腔体与离子注入腔1或薄膜沉积腔2之间的真空隔绝。传送带可实现样品送入/送出腔体以及离子注入腔1与薄膜沉积腔2之间的样品往复输送，这种结构简单，利于实现，可实现样品离子注入或薄膜沉积、样品送出、新样品送入的同步进行，大大提高制备生产效率。
作为本实施方式的进一步设置，所述传送带分体设置形成第一传送带和第二传送带，所述第一传送带设置在离子注入腔1中，所述第二传送带设置在薄膜沉积腔2中，所述第一传送带和第二传送带相互靠近设置，所述第三隔离板6设置在第一传送带和第二传送带之间。这样设置的有益效果是：这样设置，使得隔离板可以更好的进行隔离阻断，避免污染，保证可靠性，同时结构简单，操作控制便捷，具有良好的使用效果。
作为本实施方式的进一步设置，所述离子注入腔1中转动设置有第一样品台11，所述第一传送带分体设置形成第一送入段51、第一连接段以及第一送出段52，所述第一送入段51靠近第一送入腔设置，所述第一连接段设置在第一样品台11上，所述第一送出段52靠近第三隔离板6设置。这样设置的有益效果是：这样设置，使得样品台可以转动，使得在样品表面进行的离子注入更加均匀，保证试验效果，同时结构简单，利于实现，具有良好的使用效果。
作为本实施方式的进一步设置，所述薄膜沉积腔2中转动设置有第二样品台21，所述第二传送带分体设置形成第二送入段53、第二连接段以及第二送出段54，所述第二送入段53靠近第二送入腔设置，所述第二连接段设置在第二样品台21上，所述第二送出段54靠近第三隔离板6设置。这样设置的有益效果是：这样设置，使得样品台可以转动，使得在样品表面进行的薄膜沉积更加均匀，保证试验效果，同时结构简单，利于实现，具有良好的使用效果。
作为本实施方式的进一步设置，所述第一输送腔3和第二输送腔4上分别设置有真空泵32。这样设置的有益效果是：这样设置，保证两个输送腔处于真空状态，保证试验效果，同时结构简单，具有良好的使用效果。
作为本实施方式的进一步设置，所述薄膜沉积腔2中设置有磁控溅射阴极组件24、磁控溅射阳极组件25及靶材26。这样设置的有益效果是：这样设置，可以将薄膜沉积变为磁控溅射，提高结构的适配性，具有良好的使用效果。
以上实例，只是本发明优选地具体实例的一种，本领域技术人员在本发明技术方案范围内进行的通常变化和替换都包含在本发明的保护范围内。

Claims (7)

1.一种离子注入-薄膜沉积复合表面改性装置，包括箱体，其特征在于：所述箱体分隔形成离子注入腔以及薄膜沉积腔，所述离子注入腔中设置有注入离子源，所述离子注入腔一侧设置有用于将样品送入或送出离子注入腔的第一输送腔，所述第一输送腔与离子注入腔之间设置有第一隔离板，所述薄膜沉积腔一侧设置有用于将样品送入或送出薄膜沉积腔的第二输送腔，所述第二输送腔与薄膜沉积腔之间设置有第二隔离板，所述离子注入腔和薄膜沉积腔中设置有传送带，所述离子注入腔与薄膜沉积腔之间设置有第三隔离板。
2.根据权利要求1所述的离子注入-薄膜沉积复合表面改性装置，其特征在于：所述传送带分体设置形成第一传送带和第二传送带，所述第一传送带设置在离子注入腔中，所述第二传送带设置在薄膜沉积腔中，所述第一传送带和第二传送带相互靠近设置，所述第三隔离板设置在第一传送带和第二传送带之间。
3.根据权利要求2所述的离子注入-薄膜沉积复合表面改性装置，其特征在于：所述离子注入腔中转动设置有第一样品台，所述第一传送带分体设置形成第一送入段、第一连接段以及第一送出段，所述第一送入段靠近第一送入腔设置，所述第一连接段设置在第一样品台上，所述第一送出段靠近第三隔离板设置。
4.根据权利要求2所述的离子注入-薄膜沉积复合表面改性装置，其特征在于：所述薄膜沉积腔中转动设置有第二样品台，所述第二传送带分体设置形成第二送入段、第二连接段以及第二送出段，所述第二送入段靠近第二送入腔设置，所述第二连接段设置在第二样品台上，所述第二送出段靠近第三隔离板设置。
5.根据权利要求1所述的离子注入-薄膜沉积复合表面改性装置，其特征在于：所述第一输送腔和第二输送腔上分别设置有真空泵。
6.根据权利要求1所述的离子注入-薄膜沉积复合表面改性装置，其特征在于：所述薄膜沉积腔中设置有溅射离子源、辅助离子源以及靶材架。
7.根据权利要求1所述的离子注入-薄膜沉积复合表面改性装置，其特征在于：所述薄膜沉积腔中设置有磁控溅射阴极组件、磁控溅射阳极组件及靶材。
CN202311873205.6A 2023-12-29 2023-12-29 离子注入-薄膜沉积复合表面改性装置 Pending CN117802469A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311873205.6A CN117802469A (zh) 2023-12-29 2023-12-29 离子注入-薄膜沉积复合表面改性装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311873205.6A CN117802469A (zh) 2023-12-29 2023-12-29 离子注入-薄膜沉积复合表面改性装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117802469A true CN117802469A (zh) 2024-04-02

Family

ID=90421768

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311873205.6A Pending CN117802469A (zh) 2023-12-29 2023-12-29 离子注入-薄膜沉积复合表面改性装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117802469A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN120949382A (zh) * 2025-08-25 2025-11-14 中国科学院西安光学精密机械研究所 基于沉积-注入动态循环工艺的片上增益波导制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007277638A (ja) * 2006-04-07 2007-10-25 Shin Meiwa Ind Co Ltd 基材表面処理装置及び基材表面処理方法
US20090078374A1 (en) * 2006-09-19 2009-03-26 Intevac, Inc. Apparatus and methods for transporting and processing substrates
CN102634776A (zh) * 2012-05-03 2012-08-15 徐明生 一种连续制备二维纳米薄膜的化学气相沉积设备
US20130171757A1 (en) * 2012-01-03 2013-07-04 Hari K. Ponnekanti Advanced platform for passivating crystalline silicon solar cells
CN104025304A (zh) * 2012-01-03 2014-09-03 应用材料公司 用于提高si太阳能电池的表面钝化的性能和稳定性的缓冲层
CN105779961A (zh) * 2012-04-02 2016-07-20 徐明生 一种连续制备二维纳米薄膜的设备
CN112323034A (zh) * 2019-08-05 2021-02-05 武汉光谷创元电子有限公司 真空处理装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007277638A (ja) * 2006-04-07 2007-10-25 Shin Meiwa Ind Co Ltd 基材表面処理装置及び基材表面処理方法
US20090078374A1 (en) * 2006-09-19 2009-03-26 Intevac, Inc. Apparatus and methods for transporting and processing substrates
US20130171757A1 (en) * 2012-01-03 2013-07-04 Hari K. Ponnekanti Advanced platform for passivating crystalline silicon solar cells
CN104025304A (zh) * 2012-01-03 2014-09-03 应用材料公司 用于提高si太阳能电池的表面钝化的性能和稳定性的缓冲层
CN105779961A (zh) * 2012-04-02 2016-07-20 徐明生 一种连续制备二维纳米薄膜的设备
CN102634776A (zh) * 2012-05-03 2012-08-15 徐明生 一种连续制备二维纳米薄膜的化学气相沉积设备
CN112323034A (zh) * 2019-08-05 2021-02-05 武汉光谷创元电子有限公司 真空处理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN120949382A (zh) * 2025-08-25 2025-11-14 中国科学院西安光学精密机械研究所 基于沉积-注入动态循环工艺的片上增益波导制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6337186B2 (zh)
TWI558835B (zh) Continuous physical vacuum coating equipment
CN108505007A (zh) 带自动翻片装置的磁材镀膜生产设备
CN100359041C (zh) 电子陶瓷连续式溅射镀膜设备
KR20200083563A (ko) 진공 처리 장치, 더미 기판 장치
CN106756850B (zh) 一种高效紧凑型磁控镀膜装置及方法
JPS639586B2 (zh)
CN214218851U (zh) 连续镀膜设备
CN112323034A (zh) 真空处理装置
CN117535632A (zh) 成膜设备、控制设备以及成膜方法
TW201241956A (en) Deposition equipment
CN206308412U (zh) 一种高效紧凑型磁控镀膜装置
CN112281135A (zh) 连续镀膜设备和连续镀膜方法
CN106399957A (zh) 一种用于薄膜混合集成电路的生产型多靶磁控溅射系统
CN105887030B (zh) 堆栈式溅射镀膜装置及其镀膜方法
CN115679298A (zh) 用于生长氧化铝/氧化硅和非晶硅薄膜的连续式生产设备
JPS60113428A (ja) 半導体製造装置
CN103762310A (zh) 衬底预处理设备
CN214458288U (zh) 一种高产率低损伤的磁控溅射镀膜装置
JPS6250463A (ja) 連続スパツタ装置
CN220627752U (zh) 双效电浆蚀刻的连续式制程机构
US3776830A (en) Process for producing sputtered films
CN116103637A (zh) 布气系统、原子沉积镀膜设备及方法
TWM628113U (zh) 獨立式連續製程系統
CN210683938U (zh) 异质结太阳能电池在线连续镀膜设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination