CN119968043B - 显示基板和显示装置 - Google Patents

Abstract

显示基板和显示装置。本申请提供一种通过设置第一阻挡部和第二阻挡部，并控制第二阻挡部位于第一阻挡部的外周且与第一阻挡部之间形成有间隙，第二阻挡部与驱动基底或像素限定层之间形成有缺口，第二阻挡部在驱动基板上的正投影完全覆盖缺口在驱动基板上的正投影，如此，该缺口的上方被第二阻挡部完全覆盖，该缺口的两侧被第一阻挡部或第二阻挡部完全遮挡。当进行发光材料的蒸镀时，无论从哪个角度进行发光材料的喷射，发光材料均无法进入缺口，这样可以确保在进行发光层的发光材料的蒸镀时，缺口的设置可以隔断发光层，使发光层在缺口的位置断开，这样相邻两个像素开口之间的发光层是不连续的，完全隔断了相邻两个子像素之间的像素串扰。

Description

显示基板和显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板和显示装置。

背景技术

有机发光二极管（简称“OLED”）已经广泛应用于手机以及穿戴产品，优良的显示效果是OLED必须具备的性能。但是，由于OLED有一些公共层的原因，导致或多或少都会存在不同子像素之间的漏电流，即串扰。因此，如何有效解决相邻子像素之间的串扰是亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提出一种显示基板和显示装置。

基于上述目的，本申请第一方面提供了一种显示基板，包括：

驱动基板；

像素限定层，设于所述驱动基板上，所述像素限定层上阵列设置有多个像素开口，每一所述像素开口内均设有第一电极层；

阻断结构，包括第一阻挡部和第二阻挡部，所述第一阻挡部位于相邻两个所述像素开口之间，所述第二阻挡部位于所述第一阻挡部的外周且与所述第一阻挡部之间形成有间隙，所述第二阻挡部与所述驱动基板或像素限定层之间形成有缺口，所述缺口与所述间隙连通，所述第二阻挡部在驱动基板上的正投影完全覆盖所述缺口在驱动基板上的正投影；

发光层，覆盖所述像素限定层、第一电极层和阻断结构且被所述缺口隔断。

可选地，所述驱动基板靠近像素限定层的一侧包括多个隔断槽，所述第一阻挡部位于所述隔断槽内，所述第二阻挡部位于所述驱动基板和所述像素限定层之间，所述第二阻挡部在所述驱动基板上的正投影覆盖所述隔断槽的边缘在所述驱动基板上的正投影以使所述第二阻挡部与所述隔断槽的底壁之间形成所述缺口。

可选地，所述第一阻挡部包括背离所述驱动基板设置的第一表面，所述第一表面在所述驱动基板上的正投影覆盖所述第二阻挡部的边缘在所述驱动基板上的正投影。

可选地，所述第一阻挡部包括背离所述驱动基板设置的第一表面，所述第一表面在所述驱动基板上的正投影与所述第二阻挡部在所述驱动基板上的正投影无交叠，所述隔断槽的深度大于所述发光层的厚度，其中，深度方向和厚度方向均为垂直于驱动基板的方向。

可选地，所述第二阻挡部包括背离所述驱动基板设置的第二表面，所述第二表面与所述第一表面之间有高度差，所述第一表面位于所述第二表面远离所述驱动基板的一侧。

可选地，所述高度差大于或等于所述第二阻挡部的厚度与所述隔断槽的深度之和的0.5倍，其中，深度方向和厚度方向均为垂直于驱动基板的方向。

可选地，所述第一阻挡部和所述第二阻挡部均位于所述像素限定层上且位于相邻两个所述像素开口之间，所述第二阻挡部的侧壁倾斜设置以使所述侧壁与所述像素限定层之间形成所述缺口。

可选地，所述第一阻挡部包括背离所述驱动基板设置的第一表面，所述第二阻挡部包括背离所述驱动基板设置的第二表面，所述第一表面在所述驱动基板上的正投影覆盖所述第二表面的边缘在所述驱动基板上的正投影。

可选地，所述第一阻挡部包括背离所述驱动基板设置的第一表面，所述第二阻挡部包括背离所述驱动基板设置的第二表面，所述第一表面在所述驱动基板上的正投影与所述第二表面在所述驱动基板上的正投影无交叠，所述缺口的高度大于所述发光层的厚度，高度方向和厚度方向为垂直于驱动基板的方向。

可选地，所述第二表面与所述第一表面之间有高度差，所述第一表面位于所述第二表面远离所述驱动基板的一侧。

可选地，所述高度差大于或等于所述第二阻挡部的厚度的0.5倍，其中，厚度方向为垂直于驱动基板的方向。

可选地，所述第一阻挡部还包括与所述第一表面相对设置的第三表面，所述第三表面在所述驱动基板上的正投影位于所述第一表面在所述驱动基板上的正投影之中，所述第一表面在所述驱动基板上的正投影的边缘与所述第三表面在所述驱动基板上的正投影的边缘之间的距离为L，所述第一阻挡部的厚度为H，L≧1/3H，其中，厚度方向为垂直于驱动基板的方向。

本申请第二方面提供了一种显示装置，包括上述第一方面任一项所述的显示基板。

从上面所述可以看出，本申请提供的显示基板和显示装置，通过设置第一阻挡部和第二阻挡部，控制所述第二阻挡部位于所述第一阻挡部的外周且与所述第一阻挡部之间形成有间隙，所述第二阻挡部与所述驱动基底或像素限定层之间形成有缺口，第二阻挡部在驱动基板上的正投影完全覆盖所述缺口在驱动基板上的正投影，如此，该缺口的上方被第二阻挡部完全覆盖，该缺口的两侧被第一阻挡部或第二阻挡部完全遮挡。具体实施时，当进行发光材料的蒸镀时，无论从哪个角度进行发光材料的喷射，发光材料均无法进入缺口，这样可以确保在进行发光层的发光材料的蒸镀时，缺口的设置可以隔断发光层，使发光层在缺口的位置断开，这样相邻两个像素开口之间的发光层是不连续的，完全隔断了相邻两个子像素之间的像素串扰。

附图说明

为了更清楚地说明本申请或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例的显示基板的第一种剖面示意图；

图2为本申请实施例的显示基板的第二种剖面示意图；

图3为本申请实施例的显示基板的第三种剖面示意图；

图4为本申请实施例的显示基板的第四种剖面示意图；

图5为本申请实施例的显示基板的第五种剖面示意图；

图6为本申请实施例的显示基板的俯视图；

图7为本申请实施例的显示基板的第六种剖面示意图；

图8为本申请实施例的显示基板的第七种剖面示意图；

图9为本申请实施例的显示基板的第八种剖面示意图；

图10为本申请实施例的显示基板的第九种剖面示意图；

图11为本申请实施例的显示基板的第十种剖面示意图；

图12为本申请实施例的显示基板的第十一种剖面示意图；

图13为本申请实施例的显示基板制作过程中的第一种剖面示意图；

图14为本申请实施例的显示基板制作过程中的第二种剖面示意图；

图15为本申请实施例的显示基板制作过程中的第三种剖面示意图；

图16为本申请实施例的显示基板制作过程中的第四种剖面示意图。

图中：1、驱动基板；11、驱动基底；111、衬底基板；112、栅绝缘层；113、层间绝缘层；114、源电极；115、漏电极；116、有源层、117、栅电极；12、平坦化层；121、隔断槽；

2、像素限定层；21、像素开口；3、阻断结构；31、第一阻挡部；311、第一子部；312、第二子部；313、第一表面；314、第三表面；32、第二阻挡部；321、第二表面；4、间隙；5、缺口；6、第一电极层；7、发光层；8、隔断结构；9、隔离槽；10、隔离阻挡部。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本申请进一步详细说明。

需要说明的是，除非另外定义，本申请实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

有机发光二极管（简称“OLED”）已经广泛应用于手机以及穿戴产品，优良的显示效果是OLED必须具备的性能。为了进一步降低OLED的功耗和提升产品的亮度，出现了叠层OLED产品。但是，不管是单层还是叠层OLED，由于OLED有一些公共层的原因，导致或多或少都会存在不同子像素之间的漏电流，即串扰。特别是叠层OLED，其子像素之间的串扰尤为明显。

本申请中，为了减小OLED的相邻子像素之间的串扰，提出了隔断结构设计的概念，利用一些特殊的结构使发光层在制备过程中就在某些地方直接断开，从而减小了子像素之间的相互串扰。

图1是负性胶方案的隔断结构8设计的示例性示意图。由于图1所示的结构是处在OLED镀膜过程中的，所以整个结构是倒置的。

在一些实施例中，参见图1所示，利用负性胶在像素限定层2背离驱动基板1的一侧形成一个梯形的隔断结构8，由于梯形的隔断结构8的柱顶即背离驱动基板1的表面的表面积更大，因此柱顶可以充当阻挡部，以阻挡发光材料进入柱底与像素像素限定层2之间形成的夹角中，实现对发光层7的阻断。

负性胶隔断方案的隔断结构8形貌优异，但是隔离效果不佳。这是因为，负性胶隔断结构8的侧壁的倾斜角度不够大，某些位置的隔断结构8对某些蒸发方向的发光材料无法起到阻挡作用，以致发光材料在隔断结构8的位置还是连续的，所以隔断效果不佳。示例性地，如图1所示，图1中隔断结构8是垂直于蒸发源（线源）的，此位置的隔断结构8，对大部分角度的蒸发材料都起不到遮挡作用，如图1所示的A方向，从A方向蒸发出的发光材料可以毫无阻挡的进入柱底与像素像素限定层2之间形成的夹角中，以致发光材料层在该夹角处并没有断开，进而使得发光层7仍然是连续的，无法实现发光层7的有效隔断。

图2是隔离槽9方案的隔断结构8设计的示例性示意图。

在一些实施例中，参见图2所示，在平坦化层12上设有隔离槽9，并在平坦化层12远离驱动基板1的一侧设置隔离阻挡部10，隔离阻挡部10与隔离槽9的底部与侧壁之间形成一个凹槽，且凹槽内部宽度大于阻挡部开口宽度，凹槽具有一定深度，一般大于整个发光层7的厚度。如此，向内部凹陷的结构加上高度差可以使发光材料在槽内断开，从而减小串扰。

但是，隔离槽9方案受工艺水平影响，不同位置的隔离效果可能不太一样，如图2所示，蒸镀位置同图1，如果某些位置凹槽不够深，或者凹陷不够深，那么发光材料就可以在槽内形成一定的连续结构，从而使不同位置的隔断效果有差异。示例性地，如图2所示，从B方向蒸发出的发光材料可以毫无阻挡的进入凹槽内，若凹槽不够深，那么就会导致凹槽内的发光材料与凹槽外的发光材料形成连续结构，进而使得发光层7仍然是连续的，无法实现发光层7的有效隔断；若凹槽足够深，又会导致整个制作工艺的成本较高。

因此，为了确保发光层7可以在某些位置有效隔断，以解决子像素之间的串扰问题，本申请进行了进一步优化。

在一些实施例中，参见图3、图4、图5和图6所示，本申请提供的显示基板，包括：驱动基板1；像素限定层2，设于所述驱动基板1上，所述像素限定层2上阵列设置有多个像素开口21，每一所述像素开口21内均设有第一电极层6；阻断结构3，包括第一阻挡部31和第二阻挡部32，所述第一阻挡部31位于相邻两个所述像素开口21之间，所述第二阻挡部32位于所述第一阻挡部31的外周且与所述第一阻挡部31之间形成有间隙4，所述第二阻挡部32与所述驱动基板1或像素限定层2之间形成有缺口5，所述缺口5与所述间隙4连通，所述第二阻挡部32在驱动基板1上的正投影完全覆盖所述缺口5在驱动基板1上的正投影；发光层7，覆盖所述像素限定层2、第一电极层6和阻断结构且被所述缺口5隔断。

具体地，所述驱动基板1包括驱动基底11和平坦化层12。驱动基底11包括衬底基板111和位于衬底基板111上的驱动层。

衬底基板111可以支撑和保护显示基板的各种部件。衬底基板111可以由玻璃、石英、陶瓷或具有柔性的塑料材料形成。例如，当衬底基板111由塑料材料形成时，它可以由聚酰亚胺(PI)形成。

衬底基板111可以是柔性的、可拉伸的、可折叠的、可弯曲的和/或可卷曲的，所以显示基板也可以是柔性的、可拉伸的、可折叠的、可弯曲的和/或可卷曲的。

衬底基板111包括显示区和非显示区。

显示区是在显示基板中显示图像的区域。在显示区中，可以设置发光单元和用于驱动发光单元的各种驱动元件。例如，发光单元可以包括第一电极、发光层7和第二电极。此外，诸如布线、电容器或用于驱动发光单元的薄膜晶体管的各种元件可以被设置在显示区中。

显示区可以包括阵列设置的多个子像素。子像素是用于配置屏幕的最小单元，并且多个子像素中的每一个可以包括发光单元和驱动电路。多个子像素中的每一个可以发射不同波长的光。例如，多个子像素可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。然而，多个子像素不限于此，还可以包括白色子像素。

子像素的驱动电路是用于控制发光单元的驱动的电路。例如，驱动电路可以被配置成包括薄膜晶体管和电容器，但不限于此。

非显示区是如下区域：在该区域中不显示图像，并且可以设置用于驱动显示区中所设置的多个子像素的各种部件。例如，提供用于驱动多个子像素的信号的驱动器、柔性膜等可以被设置在非显示区中。

非显示区可以是围绕显示区的区域，但不限于此。例如，非显示区可以是从显示区延伸的区域。

驱动层设置在衬底基板111上。驱动层是显示基板的驱动元件，用于确定发光单元。示例性地，驱动层可以包括薄膜晶体管，薄膜晶体管是显示基板的驱动元件。薄膜晶体管包括有源层116、栅电极117、源电极114和漏电极115。

有源层116设置在衬底基板111上。有源层116可以由非晶、多晶半导体材料、氧化物半导体或有机半导体材料制成。另外，有源层116包括其中未掺杂杂质的沟道区以及设置在沟道区的相对侧并且掺杂有杂质的源区和漏区。

栅极绝缘层设置在有源层116上。栅极绝缘层是用于将栅电极117与有源层116电绝缘的层，并且可以由绝缘材料形成。例如，栅极绝缘层可以形成为作为无机材料的硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层，或者形成为硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的多层，但是实施方式不限于此。

栅电极117设置在栅极绝缘层上。栅电极117可以与有源层116的至少一些叠置，并且可以与沟道区叠置。栅电极117可以是多种金属材料中的任一种，例如可以是钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种，或者是它们中的两种或更多种的合金，或者是它们的多层，但是实施方式不限于此。

层间绝缘层113设置在栅电极117和栅极绝缘层上。层间绝缘层113可以由无机绝缘材料或有机绝缘材料制成。

在栅极绝缘层和层间绝缘层113中形成有与有源层116的至少一部分叠置的接触孔（图中未标注）。

源电极114和漏电极115设置在层间绝缘层113上。源电极114和漏电极115被设置在同一层上，并且彼此间隔开。另外，源电极114和漏电极115通过接触孔分别连接到有源层116的源区和漏区。源电极114和漏电极115可以由多种金属材料中的任一种或更多种形成，例如，由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种形成，或者由它们中的两种或更多种的合金形成，或者由它们的多层形成，但是实施方式不限于此。

如上所述，有源层116、栅电极117、源电极和漏电极构成一个薄膜晶体管。

薄膜晶体管的结构不限于前述示例，并且可以修改为各种可选择的结构。发光二极管显示器可以包括开关晶体管和驱动晶体管，前述薄膜晶体管可以是驱动晶体管。尽管未示出，但可以提供开关薄膜晶体管。

平坦化层12设置在薄膜晶体管和层间绝缘层113上。平坦化层12用于去除前述结构的台阶和/或使台阶平坦化，从而增大将要形成在其上的发光单元的发光效率。与漏电极的至少一些叠置的接触孔形成在平坦化层12中。

平坦化层12可以由聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯撑树脂、聚苯硫醚树脂和/或苯并环丁烯(BCB)形成。

阵列排布的发光单元设置在平坦化层12上。发光单元包括第一电极层6、设置在第一电极层6上的第二电极层以及设置在第一电极层6与第二电极层之间的发光层7。这里，发光单元可以是发光二极管，也可以是有机发光二极管。

像素限定层2设置在平坦化层12上，且像素限定层2上阵列设置有多个像素开口21，每一所述像素开口21内均设有第一电极层6，第一电极层6设置在平坦化层12上。第一电极层6可以由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)等的透明导电材料形成，或者由诸如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)等金属形成。第一电极层6经由形成在平坦化层12中的接触孔电连接到薄膜晶体管的漏电极，以用作发光单元的阳极。

第一电极层6可以包括包含透明导电材料的第一透明电极和第二透明电极以及设置在第一透明电极与第二透明电极之间以与第二电极层一起形成微腔的半透射层。例如，第一电极层6可以形成为包括由透明导电材料制成的层和由反射金属材料制成的层的多层。

阻断结构3包括第一阻挡部31和第二阻挡部32，所述第一阻挡部31位于相邻两个所述像素开口21之间，示例性地，所述第一阻挡部31可以位于相邻两个像素开口21之间的像素限定层2上，也可以位于相邻两个像素开口21之间的平坦化层12上，具体基于实际需求进行设定，只要确保第一阻挡部31位于相邻两个像素开口21之间即可。

所述第二阻挡部32位于所述第一阻挡部31的外周且与所述第一阻挡部31之间形成有间隙4，如此，参见图5所示，在进行发光材料的蒸镀时，环绕第一阻挡部31设置的第二阻挡部32可以对从侧面射向第一阻挡部31的发光材料（如图5中F所示）进行遮挡使发光材料不会进入二者之间的间隙4中，同时第一阻挡部31可以对从侧面射向第二阻挡部32的发光材料（如图5中G所示）进行遮挡使发光材料不会进入二者之间的间隙4中，这样，最终进入间隙4中的发光材料的量很少，仅有从特定角度射向该间隙4的发光材料（如图5中C、D、E所示）才能进入该间隙4中。

进一步地，所述第二阻挡部32与所述驱动基底11或像素限定层2之间形成有缺口5，即第二阻挡部32的顶面、底面或侧壁与驱动基底11或像素限定层2之间形成有缺口5，示例性地，缺口5可以为空隙，即第二阻挡部32的顶面或底面与驱动基底11或像素限定层2的顶面之间形成有一空隙；该缺口5也可以为夹角，即第二阻挡部32的侧壁与驱动基底11或像素限定层2的顶面之间形成有一夹角。

所述第二阻挡部32在驱动基板1上的正投影完全覆盖所述缺口5在驱动基板1上的正投影，如此，该缺口5被第二阻挡部32完全覆盖，在进行发光材料的蒸镀时，从垂直于驱动基板1方向射向缺口5的发光材料或者与垂直方向夹角很小的方向射向缺口5的发光材料均会被第二阻挡部32遮挡，使发光材料无法进入该缺口5。

从与垂直方向夹角较大的方向射向缺口5的发光材料（如图5中F、G所示）均会被第二阻挡部32或第一阻挡部31遮挡。即使从特定角度射向间隙4的发光材料（如图5中C、D、E所示）也仅能进入间隙4中，但是无法进入被第二阻挡部32遮挡的缺口5中，因此，无论从哪个角度进行发光材料的喷射，发光材料均无法进入缺口5，这样可以确保在进行发光层7的发光材料的蒸镀时，缺口5的设置可以隔断发光层7，使发光层7在缺口5的位置断开，这样相邻两个像素开口21之间的发光层7是不连续的，完全隔断了相邻两个子像素之间的像素串扰。

本申请中，通过设置第一阻挡部31和第二阻挡部32，控制所述第二阻挡部32位于所述第一阻挡部31的外周且与所述第一阻挡部31之间形成有间隙4，所述第二阻挡部32与所述驱动基底11或像素限定层2之间形成有缺口5，第二阻挡部32在驱动基板1上的正投影完全覆盖所述缺口5在驱动基板1上的正投影，如此，该缺口5的上方被第二阻挡部32完全覆盖，该缺口5的两侧被第一阻挡部31或第二阻挡部32完全遮挡。具体实施时，当进行发光材料的蒸镀时，无论从哪个角度进行发光材料的喷射，发光材料均无法进入缺口5，这样可以确保在进行发光层7的发光材料的蒸镀时，缺口5的设置可以隔断发光层7，使发光层7在缺口5的位置断开，这样相邻两个像素开口21之间的发光层7是不连续的，完全隔断了相邻两个子像素之间的像素串扰。

在一些实施例中，所述间隙4的横向宽度应当越小越好，以是尽可能少的发光材料进入间隙4中，确保缺口5对发光层7的隔断作用。但是，间隙4的横向宽度至少要大于或等于0.2μm，以便于实际刻蚀工艺；若间隙4的横向宽度小于0.2μm，间隙4的尺寸太小，不利于刻蚀工艺的进行。

在一些实施例中，继续参见图3所示，所述驱动基板1靠近像素限定层2的一侧包括多个隔断槽121，所述第一阻挡部31位于所述隔断槽121内，所述第二阻挡部32位于所述驱动基板1和所述像素限定层2之间，所述第二阻挡部32在所述驱动基板1上的正投影覆盖所述隔断槽121的边缘在所述驱动基板1上的正投影以使所述第二阻挡部32与所述隔断槽121的底壁之间形成所述缺口5。

具体地，所述驱动基板1的平坦化层12靠近像素限定层2的一侧包括多个隔断槽121。

所述第二阻挡部32在所述驱动基板1上的正投影覆盖所述隔断槽121的边缘在所述驱动基板1上的正投影，所述第二阻挡部32与所述隔断槽121的底壁之间形成所述缺口5，第二阻挡部32完全覆盖该缺口5。

如此，该缺口5的上方被第二阻挡部32完全覆盖遮挡，该缺口5的左侧被第二阻挡部32以及隔断槽121的侧壁完全遮挡，该缺口5的右侧被位于隔断槽121内的第一阻挡部31完全遮挡。具体实施时，当进行发光材料的蒸镀时，无论从哪个角度进行发光材料的喷射，发光材料均无法进入缺口5，这样可以确保在进行发光层7的发光材料的蒸镀时，缺口5的设置可以隔断发光层7，使发光层7在缺口5的位置断开，这样相邻两个像素开口21之间的发光层7是不连续的，完全隔断了相邻两个子像素之间的像素串扰。

在一些实施例中，继续参见图3和图7所示，所述第一阻挡部31包括背离所述驱动基板1设置的第一表面313，所述第一表面313在所述驱动基板1上的正投影覆盖所述第二阻挡部32的边缘在所述驱动基板1上的正投影。

具体地，所述第一阻挡部31可以为如图3所示的倒梯形结构，第一阻挡部31的侧壁倾斜设置，此时第一阻挡部31的第一表面313在所述驱动基板1上的正投影覆盖所述第二阻挡部32的边缘在所述驱动基板1上的正投影。

所述第一阻挡部31也可以为如图7所示的结构，此时第一阻挡部31包括第一子部311和第二子部312，所述第二子部312位于所述第一子部311远离所述驱动基板1的一侧，第二子部312和第一子部311均为柱形结构，且第二子部312在驱动基板1上的正投影完全覆盖第一子部311在驱动基板1上的正投影，此时第一阻挡部31的侧壁不是倾斜设置，第一表面313即为第二子部312远离驱动基板1一侧的表面。

当第一阻挡部31包括第一子部311和第二子部312时，第一子部311和第二子部312可以由相同的材料制成，也可以由不同的材料制成。当第一子部311和第二子部312有不同的材料制成时，第一子部311的刻蚀速率大于第二子部312的刻蚀速率，这样，在同一道刻蚀工艺中，基于刻蚀速率的不同而得到如上的结构。

当所述第一表面313在所述驱动基板1上的正投影覆盖所述第二阻挡部32的边缘在所述驱动基板1上的正投影时，第一阻挡部31和第二阻挡部32之间的间隙4也被第一表面313覆盖，这样，从垂直于驱动基板1的方向射向间隙4的发光材料被第一表面313遮挡，不会进入间隙4中，进一步减少了可能进入间隙4的发光材料的量。

此时，由于可能进入间隙4内的发光材料的量非常少，因此能透过间隙4进入隔断槽121的发光材料的量也非常少，这种情况下，无需对隔断槽121的深度进行限定，即使隔断槽121的深度较浅，也不会造成隔断槽121内的发光材料与隔断槽121外的发光材料的形成连续结构，因此对隔断槽121的刻蚀深度无需严格把控，大大降低了制备工艺的难度，降低了制备成本。

在一些实施例中，参见图8所示，所述第一阻挡部31包括背离所述驱动基板1设置的第一表面313，所述第一表面313在所述驱动基板1上的正投影与所述第二阻挡部32在所述驱动基板1上的正投影无交叠，所述隔断槽121的深度大于所述发光层7的厚度，其中，深度方向和厚度方向均为垂直于驱动基板1的方向（即图8中的Q方向）。

具体地，所述第一表面313在所述驱动基板1上的正投影与所述第二阻挡部32在所述驱动基板1上的正投影无交叠，如此，从垂直于驱动基板1的方向或与垂直方向角度较小的方向射向间隙4的发光材料可以全部通过间隙4进入隔断槽121内。

此时，若在进行发光材料的蒸镀时，蒸镀角度全部为垂直方向或与垂直方向角度在0~5°左右的方向时，该角度下所有的发光材料均可以通过间隙4进入隔断槽121内，因此，必须对隔断槽121的深度继续控制，确保隔断槽121的深度大于所述发光层7的厚度，使得隔断槽121内的发光层7的顶面与第二阻挡部32的底面之间仍然有间隙4，即缺口5没有被发光层7填满，这样才能确保缺口5可以将隔断槽121内的发光层7和隔断槽121外的发光层7隔断，使发光层7在缺口5处不连续，进而有效解决相邻子像素之间的串扰问题。

若隔断槽121的深度小于或等于所述发光层7的厚度，使得隔断槽121内的发光层7的顶面与第二阻挡部32的底面之间没有间隙4，即缺口5被发光层7填满，这样隔断槽121内的发光层7和隔断槽121外的发光层7会形成连续结构，无法断开，也就无法有效解决相邻子像素之间的串扰问题。

在一些实施例中，继续参见图9所示，所述第二阻挡部32包括背离所述驱动基板1设置的第二表面321，所述第二表面321与所述第一表面313之间有高度差，所述第一表面313位于所述第二表面321远离所述驱动基板1的一侧。

具体地，所述第一表面313位于所述第二表面321远离所述驱动基板1的一侧，即第一阻挡部31的顶部要高于第二阻挡部32的顶部，如此，使得第一阻挡部31可以对第二阻挡部32的整个侧壁以及靠近第一阻挡部31的顶部边缘进行遮挡，使得发光材料不会蒸镀到第二阻挡部32的整个侧壁以及靠近第一阻挡部31的顶部边缘，进而可以确保不会有发光材料进入被第二阻挡部32的边缘覆盖的缺口5内，确保发光层7可以在缺口5的位置被隔断，有效避免相邻两个子像素之间的串扰。

在一些实施例中，所述高度差大于或等于所述第二阻挡部32的厚度与所述隔断槽121的深度之和的0.5倍，其中，深度方向和厚度方向均为垂直于驱动基板1的方向。

具体地，所述高度差即为图9中的H₂-H₁所示。

所述高度差大于或等于所述第二阻挡部32的厚度与所述隔断槽121的深度之和（即图9中的H₁所示）的0.5倍，这样，可以确保第一表面313和第二表面321之间的高度差足够大，第一阻挡部31可以对第二阻挡部32起到有效的阻挡作用。

若所述高度差小于所述第二阻挡部32的厚度与所述隔断槽121的深度之和（即图9中的H₁所示）的0.5倍，这样，第一表面313和第二表面321之间的高度差较小，二者的高度差异不大，第一阻挡部31无法对第二阻挡部32的侧壁起到有效的阻挡作用。

在一些实施例中，参见图10和图11所示，所述第一阻挡部31和所述第二阻挡部32均位于所述像素限定层2上且位于相邻两个所述像素开口21之间，所述第二阻挡部32的侧壁倾斜设置以使所述侧壁与所述像素限定层2之间形成所述缺口5。

具体地，所述第二阻挡部32的侧壁倾斜设置以使所述侧壁与所述像素限定层2之间形成所述缺口5，如此，该缺口5的上方和左侧被第二阻挡部32的侧壁完全覆盖遮挡。具体实施时，当进行发光材料的蒸镀时，从垂直于驱动基板1方向射向缺口5的发光材料或者与垂直方向夹角很小的方向射向缺口5的发光材料均会被第二阻挡部32遮挡，使发光材料无法进入该缺口5。

从与垂直方向夹角较大的方向射向缺口5的发光材料（如图11中K、L所示）均会被第二阻挡部32或第一阻挡部31遮挡。即使从特定角度射向间隙4的发光材料（如图11中H、I所示）也仅能进入间隙4中，但是无法进入被第二阻挡部32遮挡的缺口5中，因此，无论从哪个角度进行发光材料的喷射，发光材料均无法进入缺口5，这样可以确保在进行发光层7的发光材料的蒸镀时，缺口5的设置可以隔断发光层7，使发光层7在缺口5的位置断开，这样相邻两个像素开口21之间的发光层7是不连续的，完全隔断了相邻两个子像素之间的像素串扰。

在一些实施例中，继续参见图10所示，所述第一阻挡部31包括背离所述驱动基板1设置的第一表面313，所述第二阻挡部32包括背离所述驱动基板1设置的第二表面321，所述第一表面313在所述驱动基板1上的正投影覆盖所述第二表面321的边缘在所述驱动基板1上的正投影。

具体地，当所述第一表面313在所述驱动基板1上的正投影覆盖所述第二表面321的边缘在所述驱动基板1上的正投影时，第一阻挡部31和第二阻挡部32之间的间隙4也被第一表面313覆盖，这样，从垂直于驱动基板1的方向射向间隙4的发光材料被第一表面313遮挡，不会进入间隙4中，进一步减少了可能进入间隙4的发光材料的量。

此时，由于可能进入间隙4内的发光材料的量非常少，因此能进入间隙4的发光材料的量也非常少，这种情况下，无需对缺口5的高度进行限定，即使缺口5的高度较小，也不会造成缺口5内的发光材料与缺口5外的发光材料形成连续结构，因此对缺口5的刻蚀深度无需严格把控，大大降低了制备工艺的难度，降低了制备成本。

在一些实施例中，参见图12所示，所述第一阻挡部31包括背离所述驱动基板1设置的第一表面313，所述第二阻挡部32包括背离所述驱动基板1设置的第二表面321，所述第一表面313在所述驱动基板1上的正投影与所述第二表面321在所述驱动基板1上的正投影无交叠，所述缺口5的高度大于所述发光层7的厚度，高度方向和厚度方向为垂直于驱动基板1的方向。

具体地，所述第一表面313在所述驱动基板1上的正投影与所述第二表面321在所述驱动基板1上的正投影无交叠，如此，从垂直于驱动基板1的方向或与垂直方向角度较小的方向射向间隙4的发光材料可以全部通过进入间隙4内。

此时，若在进行发光材料的蒸镀时，蒸镀角度全部为垂直方向或与垂直方向角度在0~5°左右的方向时，该角度下所有的发光材料均可以进入间隙4内，因此，必须对缺口5的高度进行控制，确保缺口5的高度大于所述发光层7的厚度，如此，即使所有的发光材料均进入间隙4内，发光材料也不会将缺口5填满，这样才能确保缺口5可以将缺口5内的发光层7和缺口5外的发光层7隔断，使发光层7在缺口5处不连续，进而有效解决相邻子像素之间的串扰问题。

若缺口5的高度小于或等于所述发光层7的厚度，当所有的发光材料均进入间隙4内时，发光材料会将缺口5填满，这样缺口5内的发光层7和缺口5外的发光层7会形成连续结构，无法断开，也就无法有效解决相邻子像素之间的串扰问题。

在一些实施例中，继续参见图10所示，所述第二表面321与所述第一表面313之间有高度差，所述第一表面313位于所述第二表面321远离所述驱动基板1的一侧。

具体地，所述第一表面313位于所述第二表面321远离所述驱动基板1的一侧，即第一阻挡部31的顶部要高于第二阻挡部32的顶部，如此，使得第一阻挡部31可以对第二阻挡部32的整个侧壁以及靠近第一阻挡部31的顶部边缘进行遮挡，使得发光材料不会蒸镀到第二阻挡部32的整个侧壁以及靠近第一阻挡部31的顶部边缘，进而可以确保不会有发光材料进入被第二阻挡部32的边缘覆盖的缺口5内，确保发光层7可以在缺口5的位置被隔断，有效避免相邻两个子像素之间的串扰。

在一些实施例中，继续参见图10所示，所述高度差大于或等于所述第二阻挡部32的厚度的0.5倍，其中，厚度方向为垂直于驱动基板1的方向。

具体地，所述高度差即为图9中的H₂-H₃所示。

所述高度差大于或等于所述第二阻挡部32的厚度（即图10中的H₃所示）的0.5倍，这样，可以确保第一表面313和第二表面321之间的高度差足够大，第一阻挡部31可以对第二阻挡部32起到有效的阻挡作用。

若所述高度差小于所述第二阻挡部32的厚度的0.5倍，这样，第一表面313和第二表面321之间的高度差较小，二者的高度差异不大，第一阻挡部31无法对第二阻挡部32的侧壁起到有效的阻挡作用。

在一些实施例中，继续参见图9和图10所示，所述第一阻挡部31还包括与所述第一表面313相对设置的第三表面，所述第三表面在所述驱动基板1上的正投影位于所述第一表面313在所述驱动基板1上的正投影之中，所述第一表面313在所述驱动基板1上的正投影的边缘与所述第三表面在所述驱动基板1上的正投影的边缘之间的距离为L，所述第一阻挡部31的厚度为H，L≥1/3H，其中，厚度方向为垂直于驱动基板1的方向。

具体地，所述第三表面在所述驱动基板1上的正投影位于所述第一表面313在所述驱动基板1上的正投影之中，即所述第一阻挡部31为倒梯形结构，该结构的设置，一方面，使得第一表面313可以完全覆盖第二表面321的边缘，确保第一阻挡部31对第二阻挡部32及缺口5的遮挡作用，另一方面，使得第一阻挡部31和第二阻挡部32之间的间隙4形成上小下大的结构，如此可以减少进入间隙4内的发光材料的量，确保缺口5的隔断作用。

L≥1/3H，使得第一遮挡部的侧壁的倾斜角度较大，第一表面313和第二表面321的面积相差较大，既使得第一表面313较大，可以完全覆盖第二表面321的边缘，又使得第三表面较小，使得缺口5与间隙4的横向宽度之和较大，提升隔断效果。

当L<1/3H时，第一遮挡部的侧壁的倾斜角度太小，第一表面313和第三表面的面积相差较小，当第一表面313和第二表面321的面积均较大时，缺口5与间隙4的横向宽度之和较小，不利于刻蚀工艺的进行；当第一表面313和第二表面321的面积均较小时，第一遮挡部无法对第二遮挡部起到有效的遮挡作用，使得缺口5的隔断效果较差。

在一些实施例中，当第一遮挡部为倒梯形结构时，有机蒸发源角度板和垂直方向的夹角可以控制在30°到75°之间，角度越小蒸发到空腔内的材料越少，隔断效果越好。阴极层（金属源）角度板可以适当增大，角度越大，能进入空腔的材料越多，OLED的电阻会减小，有利于减小工作电压，降低功耗。

在一些实施例中，在制备图10所示的阻断结构时，可以有以下两种方式：

第一种方式：先涂覆一层负性胶，然后通过曝光显影制备3个小的第二阻挡部32（如图13所示），然后再在中间的第二阻挡部32上涂覆一层负性胶，使中间的第二阻挡部32上再形成一层结构层，最终形成第一阻挡部31（如图14所示）。

第二种方式：先涂覆一层负性胶，然后通过曝光显影制备2个小的第二阻挡部32（如图15所示），再在两个第二阻挡部32中间的位置涂覆一层更厚的负性胶，在中间形成一个大的第一阻挡部31（如图16所示）。

本申请还提供了一种显示装置，包括上述任一实施例所述的显示基板。

所述显示装置可以是具有图像显示功能的产品，例如可以是：显示器、电视、广告牌、数码相框、具有显示功能的激光打印机、电话、手机、个人数字助理（Personal DigitalAssistant，PDA）、数码相机、便携式摄录机、取景器、导航仪、车辆、大面积墙壁、家电、信息查询设备（如电子政务、银行、医院、电力等部门的业务查询设备、监视器等）。

所述显示装置具有上述任一实施例所述的技术效果，在此不做赘述。

需要说明的是，上述对本申请的一些实施例进行了描述。其它实施例在所附权利要求书的范围内。在一些情况下，在权利要求书中记载的动作或步骤可以按照不同于上述实施例中的顺序来执行并且仍然可以实现期望的结果。另外，在附图中描绘的过程不一定要求示出的特定顺序或者连续顺序才能实现期望的结果。在某些实施方式中，多任务处理和并行处理也是可以的或者可能是有利的。

所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本申请的范围被限于这些例子；在本申请的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本申请实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。

本申请实施例旨在涵盖落入本申请的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本申请实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

驱动基板；

像素限定层，设于所述驱动基板上，所述像素限定层上阵列设置有多个像素开口，每一所述像素开口内均设有第一电极层；

阻断结构，包括第一阻挡部和第二阻挡部，所述第一阻挡部位于相邻两个所述像素开口之间，所述第二阻挡部位于所述第一阻挡部的外周且与所述第一阻挡部之间形成有间隙，所述第二阻挡部与所述驱动基板之间形成有缺口，所述缺口与所述间隙连通，所述第二阻挡部在驱动基板上的正投影完全覆盖所述缺口在驱动基板上的正投影；

发光层，覆盖所述像素限定层、第一电极层和阻断结构且被所述缺口隔断；

其中，所述驱动基板靠近像素限定层的一侧包括多个隔断槽，所述第一阻挡部位于所述隔断槽内，所述第二阻挡部位于所述驱动基板和所述像素限定层之间，所述第二阻挡部在所述驱动基板上的正投影覆盖所述隔断槽的边缘在所述驱动基板上的正投影以使所述第二阻挡部与所述隔断槽的底壁之间形成所述缺口；所述第一阻挡部包括背离所述驱动基板设置的第一表面，所述第一表面在所述驱动基板上的正投影覆盖所述第二阻挡部的边缘在所述驱动基板上的正投影；或者，所述第一阻挡部包括背离所述驱动基板设置的第一表面，所述第一表面在所述驱动基板上的正投影与所述第二阻挡部在所述驱动基板上的正投影无交叠，所述隔断槽的深度大于所述发光层的厚度，其中，深度方向和厚度方向均为垂直于驱动基板的方向。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二阻挡部包括背离所述驱动基板设置的第二表面，所述第二表面与所述第一表面之间有高度差，所述第一表面位于所述第二表面远离所述驱动基板的一侧。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述高度差大于或等于所述第二阻挡部的厚度与所述隔断槽的深度之和的0.5倍，其中，深度方向和厚度方向均为垂直于驱动基板的方向。

4.一种显示基板，其特征在于，包括：

驱动基板；

像素限定层，设于所述驱动基板上，所述像素限定层上阵列设置有多个像素开口，每一所述像素开口内均设有第一电极层；

阻断结构，包括第一阻挡部和第二阻挡部，所述第一阻挡部位于相邻两个所述像素开口之间，所述第二阻挡部位于所述第一阻挡部的外周且与所述第一阻挡部之间形成有间隙，所述第二阻挡部与所述像素限定层之间形成有缺口，所述缺口与所述间隙连通，所述第二阻挡部在驱动基板上的正投影完全覆盖所述缺口在驱动基板上的正投影；

发光层，覆盖所述像素限定层、第一电极层和阻断结构且被所述缺口隔断；

其中，所述第一阻挡部和所述第二阻挡部均位于所述像素限定层上且位于相邻两个所述像素开口之间，所述第二阻挡部的侧壁倾斜设置以使所述侧壁与所述像素限定层之间形成所述缺口。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一阻挡部包括背离所述驱动基板设置的第一表面，所述第二阻挡部包括背离所述驱动基板设置的第二表面，所述第一表面在所述驱动基板上的正投影覆盖所述第二表面的边缘在所述驱动基板上的正投影。

6.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一阻挡部包括背离所述驱动基板设置的第一表面，所述第二阻挡部包括背离所述驱动基板设置的第二表面，所述第一表面在所述驱动基板上的正投影与所述第二表面在所述驱动基板上的正投影无交叠，所述缺口的高度大于所述发光层的厚度，高度方向和厚度方向为垂直于驱动基板的方向。

7.根据权利要求5~6任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第二表面与所述第一表面之间有高度差，所述第一表面位于所述第二表面远离所述驱动基板的一侧。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述高度差大于或等于所述第二阻挡部的厚度的0.5倍，其中，厚度方向为垂直于驱动基板的方向。

9.根据权利要求1或5任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一阻挡部还包括与所述第一表面相对设置的第三表面，所述第三表面在所述驱动基板上的正投影位于所述第一表面在所述驱动基板上的正投影之中，所述第一表面在所述驱动基板上的正投影的边缘与所述第三表面在所述驱动基板上的正投影的边缘之间的距离为L，所述第一阻挡部的厚度为H，L≥1/3H，其中，厚度方向为垂直于驱动基板的方向。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1~9任一项所述的显示基板。