CN121237702A - 用于无等离子体刻蚀工艺的刻蚀终点检测方法及检测系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于无等离子体刻蚀工艺的刻蚀终点检测方法及检测系统，刻蚀终点检测方法包括：获取气体浓度信号；对气体浓度信号进行处理，建立在t时刻的特征气体的信号变化率r(t)，将信号变化率r(t)作为对比数据T；设定标准值A，将对比数据T与标准值A进行对比；当T≥A时，判定刻蚀工艺未到达刻蚀终点；当T＜A时，判定刻蚀工艺到达刻蚀终点。检测系统包括半导体刻蚀工艺腔室、尾气排放管路和检测装置；尾气排放管路与半导体刻蚀工艺腔室连通以排出半导体刻蚀工艺腔室内的产物和副产物；检测装置设于尾气排放管路以实时检测特征气体的浓度。本发明解决了无等离子体刻蚀设备缺乏实时、高精度终点检测能力的问题。

Description

用于无等离子体刻蚀工艺的刻蚀终点检测方法及检测系统

技术领域

本发明涉及半导体检测技术领域，尤其涉及一种用于无等离子体刻蚀工艺的刻蚀终点检测方法及检测系统。

背景技术

在无等离子体刻蚀工艺（如气相化学刻蚀、远程等离子体刻蚀）中，主要工艺腔室内不产生等离子体，传统的光学发射光谱（OES）终点检测方法完全失效。

现有技术多采用基于固定时间的刻蚀方案，存在显著缺陷，例如其无法实时感知刻蚀进度，容易导致刻蚀不足（残留）或过刻蚀（损伤下层材料），影响产品良率，同时刻蚀速率受温度、压力、气体流量等多因素影响，固定时间法无法适应工艺波动，除此之外，对于具有多层膜结构（如多晶硅/二氧化硅）的晶圆，固定时间法无法准确判断层间过渡点。

因此，有必要提供一种新的用于无等离子体刻蚀工艺的刻蚀终点检测方法及检测系统，以解决现有技术中存在的上述问题。

发明内容

本申请要解决的技术问题是如何提供一种能够解决无等离子体刻蚀设备缺乏实时、高精度终点检测能力的问题，并用于无等离子体刻蚀工艺的刻蚀终点检测方法及检测系统。

为解决上述技术问题，根据本申请的实施例，提供一种用于无等离子体刻蚀工艺的刻蚀终点检测方法，所述刻蚀工艺在半导体刻蚀工艺腔室内不产生等离子体，所述刻蚀终点检测方法包括：

在所述半导体刻蚀工艺腔室的尾气排放管路上设置检测装置；

启动所述检测装置，实时检测所述尾气排放管路中特征气体的气体浓度，获取气体浓度信号；

对所述气体浓度信号进行处理，建立在t时刻的特征气体的信号变化率r(t)，将信号变化率r(t)作为对比数据T；

设定标准值A，将所述对比数据T与所述标准值A进行对比；

当T≥A时，判定刻蚀工艺未到达刻蚀终点；

当T＜A时，判定刻蚀工艺到达刻蚀终点。

根据本申请的实施例，所述建立在t时刻的特征气体的信号变化率r(t)，包括，

其中，为在t时刻特征气体的浓度值；为特征气体浓度采样周期。

根据本申请的实施例，所述对所述气体浓度信号进行处理，建立在t时刻的特征气体的信号变化率r(t)，将信号变化率r(t)作为对比数据T，包括，

对所述对比数据T进行处理，以减小单点突变的噪声对所述对比数据T的影响。

根据本申请的实施例，对所述对比数据T进行处理，以减小单点突变的噪声对所述对比数据T的影响，包括，

选取，以减小单点突变的噪声对所述对比数据T的影响。

根据本申请的实施例，对所述对比数据T进行处理，以减小单点突变的噪声对所述对比数据T的影响，包括，

计算t时刻时信号变化率r(t)的滑动平均值，作为所述对比数据T；

其中，N为参与平均的采样点的数量；i为索引变量；为特征气体浓度采样周期；为t时刻前i个采样点的历史时刻的瞬时变化率。

根据本申请的实施例，所述当T＜A时，判定刻蚀工艺到达刻蚀终点，包括，

将已经确定的t时刻减去滑动平均值的算法延迟，得到刻蚀工艺到达刻蚀终点的实际时刻，

其中，为计算滑动平均值时引入的固有延迟；为防止误判设定的时间。

根据本申请的实施例，所述刻蚀工艺为气相化学刻蚀或远程等离子体刻蚀。

根据本申请的实施例，所述特征气体为腐蚀性气体。

根据本申请的实施例，所述腐蚀性气体为、、、、、或中的一种。

一种检测系统，用于实施上述的刻蚀终点检测方法；所述检测系统包括半导体刻蚀工艺腔室、尾气排放管路和检测装置；

所述尾气排放管路与所述半导体刻蚀工艺腔室连通以排出所述半导体刻蚀工艺腔室内的产物和副产物；

所述检测装置设于所述尾气排放管路以实时检测特征气体的浓度。

通过采用上述技术方案，在气相化学刻蚀或远程等离子体刻蚀中，反应气体与晶圆表面发生纯化学反应生成单一挥发性产物，例如，该产物瞬时脱离表面随载气进入尾气排放管路。检测装置设于管路直管段，采用FTIR或TDLAS或其他技术对特征吸收峰光谱积分，同时特征气体浓度采样周期≥2s覆盖气体从腔室到检测装置的输运时间，根据不同的检测装置设置位置可以调节不同的特征气体浓度采样周期，实现反应与检测时间同步。并根据特征气体浓度信号计算对比数据T，将对比数据T与标准值A进行比较，从而确定刻蚀工艺是否到达终点。除此之外，通过对信号变化率r(t)进行处理，能够提升判断的准确定，减小单点噪声突变而导致的检测终点判断不准确的可能。本发明为无等离子体刻蚀工艺提供实时的、基于化学反应本质的终点检测能力，即通过检测特征气体浓度信号变化率r(t)，能敏锐捕捉刻蚀界面的突变，比绝对值检测更抗基线漂移，判断更准确，同时在检测过程中只需在现有设备尾气管路加装成熟的气体浓度仪，并对控制系统进行软件升级，改造成本低。

附图说明

图1为本发明实施例的一种用于无等离子体刻蚀工艺的刻蚀终点检测方法的步骤的示意图；

图2为本发明实施例的特征气体（）的浓度曲线图；其中横坐标X为反应时间，单位为s；纵坐标Y为气体浓度，单位为pmm；

图3为本发明实施例的特征气体（）浓度的信号变化率r(t)的曲线图；其中横坐标X为反应时间，单位为s；纵坐标Y为变化率，单位为pmm/s。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。

下面结合图1-图3，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。

本发明的实施例提供了一种用于无等离子体刻蚀工艺的刻蚀终点检测方法，其中，无等离子体刻蚀工艺在刻蚀过程中不引入等离子体，其包括气相化学刻蚀，这类工艺完全依靠高温或气体本身的化学活性来驱动反应，不引入等离子体，因此能避免高能粒子对器件造成的物理损伤。例如，使用HF气体刻蚀时，通过无水乙醇催化，整个反应过程均为气态，能有效避免微纳结构在释放过程中因液体表面张力而出现的粘连效应；即刻蚀工艺在半导体刻蚀工艺腔室内不产生等离子体，检测方法包括：

S1、在半导体刻蚀工艺腔室的尾气排放管路上设置检测装置；

S2、启动检测装置，实时检测尾气排放管路中特征气体的气体浓度，获取气体浓度信号；

S3、对气体浓度信号进行处理，建立在t时刻的特征气体的信号变化率r(t)，将信号变化率r(t)作为对比数据T；

S4、设定标准值A，将对比数据T与标准值A进行对比；

S5、当T≥A时，判定刻蚀工艺未到达刻蚀终点；

当T＜A时，判定刻蚀工艺到达刻蚀终点。

一些实施例中，检测装置设置于半导体刻蚀工艺腔室的尾气排放管路内部，使从尾气排放管路经过的气体可以同步经过检测装置，从而便于对经过尾气排放管路的气体进行检测。

一些具体的实施例中，检测装置在检测过程中可以采用FTIR（傅里叶变换红外光谱、TDLAS（可调谐激光吸收光谱）、NDIR（非分散红外技术）或自激发等离子OES（发射光谱技术）中的一个，具体在此不做限制，在实际使用时根据使用需求选用对应的检测方式。

一些实施例中，在检测过程中需要对经过尾气排放管路的特征气体的气体浓度进行检测；其中，特征气体为半导体刻蚀工艺腔室中反应后产生的副产物，其为腐蚀性气体，其可以为、、、、、或中的一种。这些气体在红外光谱区有特征吸收峰，便于使用上述的光学检测技术进行实时浓度检测；同时在气相化学刻蚀或远程等离子体刻蚀中，这些气体浓度的变化直接反映刻蚀反应的进行程度；当刻蚀到达终点，即被刻蚀层完全去除时，这些特征气体的生成速率会显著下降，浓度趋于稳定或降低，从而便于根据特征气体的浓度变化判断是否达到刻蚀终点。例如，以为目标刻蚀层，以Si为衬底层，用作为刻蚀反应的工艺气体，在进行刻蚀时，即对目标刻蚀层进行刻蚀时的反应为，

对衬底层进行刻蚀时的反应为，

在刻蚀过程中仅对目标刻蚀层进行刻蚀，即不会对衬底层进行刻蚀，而对目标刻蚀层和衬底层的刻蚀均产生，因此通过检测的浓度可以判断当前刻蚀的位置，从而判断刻蚀是否完成。

一些实施例中，在获取到气体浓度信号后，还需要对气体浓度信号进行处理，从而得到可以用于对比的对比数据T；具体的，由于气体浓度信号的绝对值受气体流量、腔室压力、温度波动、管路吸附/解吸等多重因素影响，无法稳定反映刻蚀进度，因此必须将其转化为对比数据T，才可以准确的进行比较。即T的本质是将原始传感器信号转换为具有明确物理意义、高信噪比的工艺控制参数；更具体的，对比数据T为特征气体的信号变化率r(t)，具体在后文介绍。

一些实施例中，当得到对比数据T后还需要设定标准值A，作为与对比数据T比较的基准；其中标准值A代表刻蚀反应有效性的临界速率，也就是说，当特征气体生成速率低于A时，认为被刻蚀材料已基本耗尽，残余反应对器件性能无影响，因此根据二者之间的相互关系，可以判断刻蚀工艺是否到达刻蚀终点。

一些具体的实施例中，标准值A通过先导试验标定法进行设定，即提前确定出标准值A的数值，在后续过程中直接使用该数值与对比数据T进行比较。具体的，在设定标准值A的过程中，首先对标准(以为目标刻蚀层，以Si为衬底层)进行不判终点的完整刻蚀，全程记录对比数据T随时间t的变化曲线；并在记录好的变化曲线图中找到目标刻蚀层刚好刻穿、反应转入衬底层的时刻；

提取突变前稳定值，即刻蚀目标刻蚀层时的平台值；提取突变后稳定值即进入衬底层后的新平台值，并计算阶跃幅度，

得到阶跃幅度后设定标准值A，

一些具体的实施例中，k取0.2，以留20%余量防止噪声触发。

一些更具体的实施例中，当T≥A时，判定刻蚀工艺未到达刻蚀终点；当T＜A时，判定刻蚀工艺到达刻蚀终点；即在对目标刻蚀层进行刻蚀时，反应物充足，目标刻蚀层薄膜表面暴露，反应位点饱和，生成速率恒定，此时对比数据T大于或等于标准值A，说明材料正在显著消耗，刻蚀未完成，即刻蚀工艺未到达刻蚀终点。当目标刻蚀层刻蚀完成后，衬底层暴露，而虽然会与衬底层的Si反应，但是对Si选择性很高，导致生成速率趋近于零，因此此时对比数据T小于标准值A，材料消耗可忽略，刻蚀已完成，即刻蚀工艺到达刻蚀终点。

一些实施例中，对气体浓度信号进行处理，建立在t时刻的特征气体的信号变化率r(t)，将信号变化率r(t)作为对比数据T，包括，

其中，为在t时刻特征气体的浓度值；为特征气体浓度采样周期。

一些具体的实施例中，选用特征气体的信号变化率r(t)作为对比数据T而不将特征气体的气体浓度信号作为对比数据T是因为，在排放的尾气中已经有特征气体，即其会积累，到达刻蚀终点时其浓度可能饱和不降，且气体浓度信号受流量、压力、管路吸附影响；而信号变化率r(t)可以实时反应当前时刻的特征气体生成速率，而特征气体生成速率能够直接反映反应强度，从而便于判定是否到达刻蚀终点。

更具体的，在信号变化率r(t)的计算过程中，需要先设定采用周期，即设定的值，当取值过小时，会导致计算结果的误差增大，因此设置≥2s，在本实施例中，选用为2s。为t时刻的上一采样时刻的特征气体浓度。

一些实施例中，对气体浓度信号进行处理，得到对比数据T，还包括，对对比数据T进行处理，以减小单点突变的噪声对对比数据T的影响。具体的，在得到对比数据后，还需要对对比数据进行处理，从而减小单点突变的噪声对对比数据T的影响，即减小某一时刻由于特征气体浓度被影响而导致的浓度突变使对比数据T不准确的情况的发生，例如尾气管道内气泡短暂阻断气流、或真空泵转速波动导致抽速变化或传感器电磁噪声等。从而减小误判刻蚀终点的情况。

一些具体的实施例中，对比数据T的处理方式有两种，以下依次进行介绍。

一些更具体的实施例中，对对比数据T进行处理，以减小单点突变的噪声对对比数据T的影响，包括，选取，以减小单点突变的噪声对对比数据T的影响。具体的，噪声与特征气体浓度采样周期成反比，此为本领域技术人员所公知，在此不做赘述，当特征气体浓度采样周期小于2s时，管路内的气泡、压力波动等因素的干扰会让特征气体浓度值不稳定，同时采样太快会把这些"假信号"当成真反应，从而使刻蚀进行到一半就误停，整片晶圆报废；除此之外，特征气体浓度采样周期越小，其在相同时间内的计算量就越大，可能会导致控制器超负荷。而设定特征气体浓度采样周期，能覆盖较多的噪声周期，提升信噪比，同时气体在2s内能够走完从半导体刻蚀工艺腔室到检测装置的路径，检测精度提升同时不会造成过度延迟。值得注意的，根据检测装置在尾气排放管路上设置位置的不同，可以设置不同的特征气体浓度采样周期，例如，当检测装置在尾气排放管路上设置位置较远，可以适当增加特征气体浓度采样周期，在此不做限定，具体根据检测需求进行设置。

一些其他的实施例中，对对比数据T进行处理，以减小单点突变的噪声对对比数据T的影响，包括，

计算t时刻时信号变化率r(t)的滑动平均值，作为对比数据T；

其中，N为参与平均的采样点的数量；i为索引变量；为特征气体浓度采样周期；为t时刻前i个采样点的历史时刻的瞬时变化率。

具体的，除了设定特征气体浓度采样周期之外，还可以对信号变化率r(t)进行处理。在检测过程中，即使特征气体浓度采样周期大于等于2s，计算出的信号变化率r(t)还可能由于压力干扰或电学干扰而导致不准确，因此将连续多个点的信号变化率r(t)的一致性作为判断依据，从而减小单点噪声误出发的概率。

例如，假设在t=10s时，系统已存储了最近5个时刻的信号变化率r(t)的值；在t=10s时，索引变量i=0，为8ppm/s，此时为包含噪声的数据；在t=8s时，索引变量i=1，为25ppm/s；在t=6s时，索引变量i=2，为24ppm/s；在t=4s时，索引变量i=3，为26ppm/s；在t=2s时，索引变量i=4，为23ppm/s。此时标准值A为10ppm/s。

此时计算t=10s的滑动平均值，

此时＞10ppm/s，即对比数据T大于标准值A，不触发终点，噪声被成功抑制。拖此时不选用平均值，即r(t10)=8ppm/s，此时8ppm/s＜10ppm/s，即对比数据T小于标准值A，误触发终点，噪声无法被抑制。

一些实施例中，当T＜A时，判定刻蚀工艺到达刻蚀终点，包括，

将已经确定的t时刻减去滑动平均值的算法延迟，得到刻蚀工艺到达刻蚀终点的实际时刻，

其中，为计算滑动平均值时引入的固有延迟；为防止误判设定的时间。

一些具体的实施例中，滑动平均值的算法存在信息确认延迟，即例如在t=10s时，收集了五个数据点，我们可以确认，从t=0s到t=10s的趋势是向下的，同时滑动平均值为t=0s到t=10s的平均值，因此认为特征气体浓度的实际转折点应该发生在平均之间的中点；具体的，例如t=10s时为刻蚀终点，则此时r(t12)、r(t14)和r(t16)均可以认为是0ppm/s；此时，

即t=16s时可以判定已经到达刻蚀终点，而实际到达刻蚀终点的时间为10s，因此需要将已经确定的t时刻减去滑动平均值的算法延迟；除此之外，还需要减去阀门的关闭时间，即减去防止误判设定的时间，从而得到精准的刻蚀工艺到达刻蚀终点的实际时刻。

一些更具体的实施例中，计算滑动平均值时引入的固有延迟为，

其中，N为采样的具体次数，为特征气体浓度采样周期。

从而能够确定计算滑动平均值时引入的固有延迟的具体数值。

一些更具体的实施例中，为防止误判设定的时间，其可以为阀门关闭时候的机械延迟，或为信号伪波动；的取值范围人为设定，通常取0.5S-3S，例如在刻蚀过程中，=1s，TiN刻蚀过程中，=2s；在实际计算时，根据不同的需求设定不同的值。

一些具体的实施例中，刻蚀工艺为气相化学刻蚀或远程等离子体刻蚀。具体的，在常规的等离子体刻蚀中，等离子体产生大量活性粒子，例如、或等，使浓度被稀释，从而造成检测信号出现较大的干扰，使检测结果不准确；即气相化学刻蚀和远程等离子体刻蚀因其无等离子体，同时产物单一，因此适用于上述的终点检测工艺。

本发明的实施例还公开了一种检测系统，该检测系统用于实施上述的刻蚀终点检测方法；检测系统包括半导体刻蚀工艺腔室、尾气排放管路和检测装置；

尾气排放管路与半导体刻蚀工艺腔室连通以排出半导体刻蚀工艺腔室内的产物和副产物；

检测装置设于尾气排放管路以实时检测特征气体的浓度。

一些实施例中，半导体刻蚀工艺腔室用于放置晶圆，晶圆在半导体刻蚀工艺腔室内进行反应，尾气排放管路设置于半导体刻蚀工艺腔室的底部，并与半导体刻蚀工艺腔室的内部连通，尾气排放管路在晶圆加工时产生的加工产物和副产物，从而使加工废气不会干扰晶圆加工的过程；具体的，尾气排放管路的设置方式可以为粘接、卡接或一体成型等，在此不做限制，以尾气排放管路能够固定在半导体刻蚀工艺腔室上并与半导体刻蚀工艺腔室内部连通以排出加工产物和副产物为主。

一些具体的实施例中，检测装置设于尾气排放管路的内部，其设置方式可以为粘接、卡接或螺栓固定等，在此不做限制，以能够实现对尾气排放管路的特征气体进行检测为主。

一些实施例中，图2为本发明实施例的特征气体（）的浓度曲线图；其中横坐标X为反应时间，单位为s；纵坐标Y为气体浓度，单位为pmm；图3为本发明实施例的特征气体（）浓度的信号变化率r(t)的曲线图；其中横坐标X为反应时间，单位为s；纵坐标Y为变化率，单位为pmm/s。具体的，检测装置会实时监测清洗工艺中特征气体的浓度。在清洁工艺开始时，浓度迅速上升，对应图2和图3中0-55s的曲线；腔室的清洁达到稳定状态，对应图2和图3中55-94s曲线浓度一直处于稳定值；随即，94s以后，腔室内的硅基沉积物被清除差不多时，的生成速率会急剧下降，导致其浓度出现一个明显的拐点(94s附近)，94s这个拐点就被判定为清洁终点。

本申请一种用于无等离子体刻蚀工艺的刻蚀终点检测方法及检测系统的实施原理为，在气相化学刻蚀或远程等离子体刻蚀中，反应气体与晶圆表面发生纯化学反应生成单一挥发性产物，例如，该产物瞬时脱离表面随载气进入尾气排放管路。检测装置设于管路直管段，采用FTIR或TDLAS或其他技术对特征吸收峰光谱积分，同时特征气体浓度采样周期≥2s覆盖气体从腔室到检测装置的输运时间，根据不同的检测装置设置位置可以调节不同的特征气体浓度采样周期，实现反应与检测时间同步。并根据特征气体浓度信号计算对比数据T，将对比数据T与标准值A进行比较，从而确定刻蚀工艺是否到达终点。除此之外，通过对信号变化率r(t)进行处理，能够提升判断的准确定，减小单点噪声突变而导致的检测终点判断不准确的可能。本发明为无等离子体刻蚀工艺提供实时的、基于化学反应本质的终点检测能力，即通过检测特征气体浓度信号变化率r(t)，能敏锐捕捉刻蚀界面的突变，比绝对值检测更抗基线漂移，判断更准确，同时在检测过程中只需在现有设备尾气管路加装成熟的气体浓度仪，并对控制系统进行软件升级，改造成本低。

虽然在上文中详细说明了本发明的实施方式，但是对于本领域的技术人员来说显而易见的是，能够对这些实施方式进行各种修改和变化。但是，应理解，这种修改和变化都属于权利要求书中所述的本发明的范围和精神之内。而且，在此说明的本发明可有其它的实施方式，并且可通过多种方式实施或实现。

Claims (10)

1.一种用于无等离子体刻蚀工艺的刻蚀终点检测方法，其特征在于，所述刻蚀工艺在半导体刻蚀工艺腔室内不产生等离子体，所述刻蚀终点检测方法包括：

在所述半导体刻蚀工艺腔室的尾气排放管路上设置检测装置；

启动所述检测装置，实时检测所述尾气排放管路中特征气体的气体浓度，获取气体浓度信号；

对所述气体浓度信号进行处理，建立在t时刻的特征气体的信号变化率r(t)，将信号变化率r(t)作为对比数据T；

设定标准值A，将所述对比数据T与所述标准值A进行对比；

当T≥A时，判定刻蚀工艺未到达刻蚀终点；

当T＜A时，判定刻蚀工艺到达刻蚀终点。

2.根据权利要求1所述的刻蚀终点检测方法，其特征在于，所述建立在t时刻的特征气体的信号变化率r(t)，包括，

其中，为在t时刻特征气体的浓度值；为特征气体浓度采样周期。

3.根据权利要求2所述的刻蚀终点检测方法，其特征在于，所述对所述气体浓度信号进行处理，建立在t时刻的特征气体的信号变化率r(t)，将信号变化率r(t)作为对比数据T，包括，

对所述对比数据T进行处理，以减小单点突变的噪声对所述对比数据T的影响。

4.根据权利要求3所述的刻蚀终点检测方法，其特征在于，对所述对比数据T进行处理，以减小单点突变的噪声对所述对比数据T的影响，包括，

选取，以减小单点突变的噪声对所述对比数据T的影响。

5.根据权利要求3所述的刻蚀终点检测方法，其特征在于，对所述对比数据T进行处理，以减小单点突变的噪声对所述对比数据T的影响，包括，

计算t时刻时信号变化率r(t)的滑动平均值，作为所述对比数据T；

其中，N为参与平均的采样点的数量；i为索引变量；为特征气体浓度采样周期；为t时刻前i个采样点的历史时刻的瞬时变化率。

6.根据权利要求5所述的刻蚀终点检测方法，其特征在于，所述当T＜A时，判定刻蚀工艺到达刻蚀终点，包括，

将已经确定的t时刻减去滑动平均值的算法延迟，得到刻蚀工艺到达刻蚀终点的实际时刻，

其中，为计算滑动平均值时引入的固有延迟；为防止误判设定的时间。

7.根据权利要求1-6任一所述的刻蚀终点检测方法，其特征在于，所述刻蚀工艺为气相化学刻蚀或远程等离子体刻蚀。

8.根据权利要求1-6任一所述的刻蚀终点检测方法，其特征在于，所述特征气体为腐蚀性气体。

9.根据权利要求8所述的刻蚀终点检测方法，其特征在于，所述腐蚀性气体为、、、、、或中的一种。

10.一种检测系统，其特征在于，用于实施权利要求1-9任一所述的刻蚀终点检测方法；所述检测系统包括半导体刻蚀工艺腔室、尾气排放管路和检测装置；

所述尾气排放管路与所述半导体刻蚀工艺腔室连通以排出所述半导体刻蚀工艺腔室内的产物和副产物；

所述检测装置设于所述尾气排放管路以实时检测特征气体的浓度。