CN1774792A - 进行热处理的装置和方法 - Google Patents

进行热处理的装置和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1774792A
CN1774792A CN200480010264.XA CN200480010264A CN1774792A CN 1774792 A CN1774792 A CN 1774792A CN 200480010264 A CN200480010264 A CN 200480010264A CN 1774792 A CN1774792 A CN 1774792A
Authority
CN
China
Prior art keywords
zone
flow
thermal treatment
air
treatment zone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200480010264.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN100364040C (zh
Inventor
T·埃森哈默
T·马特
G·施特里特马特
K·查普夫
Original Assignee
UNACSSES BARTSES CORP
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by UNACSSES BARTSES CORP filed Critical UNACSSES BARTSES CORP
Publication of CN1774792A publication Critical patent/CN1774792A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100364040C publication Critical patent/CN100364040C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
  • Heat Treatments In General, Especially Conveying And Cooling (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

本发明涉及用于基质热处理的装置和方法，带有一个环形的热处理区域，该区域有一个转盘来接收基质保持件，其中基质保持件至少是两个接连被放置在热处理区域中，热处理区域仍以辐状径向围绕转盘中心布置。

Description

进行热处理的装置和方法
技术领域
本发明涉及用于对基质进行热处理的装置和方法，特别是根据权利要求1的前序部分所描述的为了生产圆盘存储器的表以液体表面涂覆的塑料基质。此外本发明还描述了一个这种类型的装置的运行方法。
背景技术
在生产圆盘存储器(例如：CD或者是DVD)的过程中，在一个确定的生产工序中粘接剂，颜料或其他层涂在基质上，这些涂层必须被烘干，然后进行接下来的工序。这项任务例如可以通过印刷，旋涂或者是其它的方式来进行。颜料和粘接剂往往含有溶剂或者是酒精。
此外已知的是，聚碳酸酯往往作为基质的塑料原料被使用，并且聚碳酸酯通常能含有或者是吸收约重量百分比为0.3％的水分。这点对于许多的真空涂层工艺来说是一个缺点，因为在真空的条件下，水分蒸发，就会影响真空条件并且降低涂层质量(例如：对于磁光圆盘存储器)，这样就会随后导致更长的泵出时间。
为了缩短过程时间或者是补救上面所提到的缺点，基质将在一个烘箱中在可控制的条件下被烘干。同时通过热处理过程实现一个烧结的，或者是化学的，或者也可以是物理的转变过程。(例如：改变所涂覆的层的折射指数)
通常的在大气环境下，圆盘存储器的基质在60～120摄氏度下被热处理5～20分钟，例如烘干。根据生产过程的生产率，需要将一个更多数量的基质暂时存放在一个装置中，对于圆盘存储器的烘干炉容量典型在50～1200个基质之间。
对于这样的热处理装置的一般要求(在下面经常被称简化为烘箱，但是不仅仅局限于烘箱)是，良好的装料和卸料方式，烘干条件的控制，紧凑的结构和少的能量需求。
技术的公开状态
这种类型的烘干装置的已公开的实施形式：待烘干的基质将在一个可加热的隧道中通过辐射或者是气流被烘干。基质在此被容纳件固定住，容纳件被固定在丝杠上，从而通过丝杠的旋转输送基质。这种实施形式可是卧式的也可以是立式的。在较长的烘干时间和/或者是大量的基质件数的情况下，丝杠就会变得很长，这也在空间上分离进料装置和卸料装置。由于在基质的外边缘上固定，特别是当用旋涂涂覆的基质时，支承件会被弄脏。转轴的一种替代方案是可以把待烘干的基质收集在篮子或者是容纳件中，或者放在转轴上，并且分批被烘干。在烘箱中的布置在此可以在转盘上或者是线性的(隧道原理)来实现。
在DE 199 04 045 C1中显示了一种已公开的实施形式。其中在转轴上布置的基质在一个旋转的烘箱中通过气流被烘干。加热装置设在烘箱的中间区域。
这种装置的缺点就是，烘箱的直径在生产容量扩大的情况下将极大地增加。此外在内部空间中气流在所有的盘上循环经过，这就使烘干过程的均匀性和可控制性只有很少的回旋余地。
发明内容
本发明的任务在于，提供用于烘干基质，特别是圆盘存储器的装置和方法，其中避免了现有技术的缺点。特别是本发明应当能容纳大量的基质，并能实现同时有紧凑的尺寸及单独用于热处理的区域。烘干过程应该均匀，并且在另一区域可以被控制。本发明的另一个任务就是，在一个简化了的机械结构中能相对于现有技术节省能量。
这项任务通过本发明被解决。在下面，本发明将借助于单个的实施实例或者是比较实例连同图例被详细解释。
根据本发明的解决办法
图1显示了一个按照本发明的烘干装置。这个在俯视图上基本是圆形的布置由一个外罩区域3和6，一个核心区域4以及一个位于其间的热处理区域，它有按照辐状布置的热处理区域和一个位于其间的扇形区域5。根据设计，可以实现6～20个热处理区域。罩区域3，6在装载和卸载区域1和2的地方有留出的空隙。
烘干装置包含一个带有用于基质保持器((这里)为在转轴上装好的基质)的容纳件的转盘(没有被显示)。这个转轴可以由例如一个中央芯轴组成，带有一个中心孔的基质可以通过这个芯轴被串起来，并分别通过一个间隔块被分隔开。不改变本发明的思想，可以应用其它的装载方案。通过芯轴的径向的接连布置实现，它们从上面看下去是与转盘的中心点同心，并接连设在半径上。
优选的至少由两个，根据基质的尺寸也可以是三个或者更多的转轴接连布置，这形成了相应的同心布置形式。
在本发明的一种实施方案中，加热装置和气流输送装置以及在需要的情况下的微尘滤清器设在罩区域3中，并且产生一种恒温的气体或者是空气流按径向从外到里直到核心区域7，在这里气流被例如转向并且通过一个(没有显示)在烘箱上布置的引导装置被转向回到罩区域3中。这就允许，出于保养管理的目的，加热装置和例如通风装置可以从外面可触及，并且在内部区域7中放弃运动部件。此外可以设计引导机构，使得通过一个湿度测量计和一个温度测量计监控气体的状态。根据使用的场合，作为持续空气流的气体流或者是空气流的一部分可以被导出，并且被新鲜的空气所代替。用于冷却持续气流或者说为了预热新鲜空气的热交换器就可以使对能量需求进一步降低。
此外也提供了以下方案，即空气流反过来从里面向外面流，其中加热装置优选布置在中心的中间，其他所描述的优点在这两种方法中都得到了体现。
中间壁5允许对气流进行转向，特别是产生均匀的气流，这有利于基质的热处理的均匀性。气流的径向定向允许，结合中间壁在不同的罩区域的区域可以实现不同的温度区域，这通过罩区域3的(位置固定的)流入区域对应有不同温度区域的空气流的方法来实现。
根据本发明的方法实例
在转轴上装载的基质将被放入到热处理装置的位置1中，并且用相应的保持装置来固定。竖井状区段，即热处理区域径向地接连地在此容纳两个转轴。每一个热处理区域由两个壁区域形成两侧，这些侧壁属于相邻的中间扇形5。热处理区域和中间扇形被可旋转地布置在一个转盘上。优选地这个转盘被可控制地驱动，例如，缓慢连续地或者是间断地，其中，转盘在每一个间断运动中转过一个角度，使得每个热处理区域的位置一个一个的被转动。本实例中，运动按照逆时针的方向进行。转轴接下来进行热处理，并且向前运动直到提取位置2。
在此就可以象上面提到的那样，通过不同程度加热的流入空气或者是通过罩区域3的不同的扇形中的空气量的变化实现一个分级的热处理。由此基质的加热过程可以被控制，并且避免例如不想要的温度突变，这有助于避免例如基质的翘曲。
在图1中用6标识的区域例如可以设计为一个冷却区域。那里的吹入区域可以把冷空气导入到基质上，使得在进行后续加工之前可以保证一个可能必要的手处理温度。优选的可以把区域3的被基质加热的冷空气导到发热体，从而就可以有助于降低整个装置的能量需求。也有可能通过一个单独的排风通道7来实现冷空气的流出。
通过中间扇形5的设计，可以放弃装载和取出区域的一个附加的罩盖。中间扇形5的符合圆弧状的径向外侧的壁罩住了(就象图1中可以简单可见的那样)烘箱的内部区域，并且避免了能量的损失。再者可以取消机械的运动部件(如：门，烘箱门或者是可摆动的屏蔽板)。
根据任务范围和节拍率，装料和卸料区域也可以从功能上统一。当节拍率允许，可以仅在一个站上进行卸料及接着再装料。此外这还有优点，即仅仅须设一个操作系统而不是两个。
本发明其他的优点
通过在转轴上设旋转驱动装置，使得转轴在热处理过程中能旋转，这种形式使得加热变得更均匀。旋转驱动装置可以各自单独地电驱动来实现，或者通过在一个位置固定的齿轮圈上旋转的齿轮来实现。
通过在热处理区域装入传感器，可以实现每个热处理区域的各自单独的温度过程控制。一个相应的评估单元，例如一个PC，在这种方式下允许，可修正地作用，或者是调整一个预定的温度过程。这个评估单元可以同时监测导入气流和持续气流的湿度状态和温度状态的调节。

Claims (9)

1.一种用于基质热处理的装置，带有一个环形的热处理区域，该区域具有一个转盘用来容纳基质保持件，所述装置还带有一个围绕转盘中间轴线的核心区域(4)，还带有一个围绕热处理区域的罩区域(3，6)，还带有一个用于基质保持件的进料和卸料区域(1，2)，还带有至少有一个用于加热气流的热源和气流导向装置，其特征在于，基质保持件至少是两个接连地设在热处理区域中，热处理区域辐状径向绕转盘中心布置。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在热处理区域之间布置有中间扇形(5)，用形成热处理区域两侧的壁来辐状平行地限制。
3.根据权利要求1至2所述的装置，其特征在于，转盘可以绕着它的中心轴线用马达旋转地驱动。
4.根据权利要求1至4所述的装置，其特征在于，热源被布置在罩区域(3，6)中，气流导向装置可以将气流从罩区域径向地通过热处理区域向中心轴线转向。
5.根据权利要求1至5所述的装置，其特征在于，从罩区域(6)的至少一个区段出来的气流在温度和/或者是气体量方面和从其余的罩区域(3)中出来的气流是不同的。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，从罩区域(6)中发出的气流比从罩区域(3)中发出的气流温度低，并且用于基质的冷却。
7.在一个根据权利要求1-6所述的装置中用于基质的热处理的方法，其特征在于，转盘在运转的过程中不连续地以受控制的间隔旋转，直到热处理区域再次全等，但向前移动了一个位置。
8.在一个根据权利要求1-6所述的装置中根据权利要求7所述的用于基质的热处理的方法，其特征在于，设计气流导向装置，使得气流基本上均匀地流过热处理区域。
9.在一个根据权利要求1-6所述的装置中根据权利要求7和8所述的用于基质的热处理的方法，其特征在于，用于冷却的气流接着被用作气流热源的导入气流。
CNB200480010264XA 2003-04-17 2004-04-13 进行热处理的装置和方法 Expired - Fee Related CN100364040C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US46348103P 2003-04-17 2003-04-17
US60/463,481 2003-04-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1774792A true CN1774792A (zh) 2006-05-17
CN100364040C CN100364040C (zh) 2008-01-23

Family

ID=33300077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB200480010264XA Expired - Fee Related CN100364040C (zh) 2003-04-17 2004-04-13 进行热处理的装置和方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7019264B2 (zh)
EP (1) EP1618596B1 (zh)
JP (1) JP4234173B2 (zh)
CN (1) CN100364040C (zh)
AT (1) ATE408893T1 (zh)
DE (1) DE502004008087D1 (zh)
TW (1) TWI325043B (zh)
WO (1) WO2004093161A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102243011A (zh) * 2011-06-29 2011-11-16 天津杰科同创科技发展有限公司 一种热风式干燥机

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101046520B1 (ko) 2007-09-07 2011-07-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 내부 챔버 상의 부산물 막 증착을 제어하기 위한 ｐｅｃｖｄ 시스템에서의 소스 가스 흐름 경로 제어
TWM394568U (en) * 2010-07-23 2010-12-11 Chen Long Technology Corp Ltd Multiplexing wafer baking processing system
CN104930837A (zh) * 2014-03-19 2015-09-23 上海空间电源研究所 一种锌银电池负极片高效干燥系统及方法
DE102018103145B4 (de) 2018-02-13 2025-09-04 Ebner Industrieofenbau Gmbh Anordnung mit mehreren Temperierstationen zur Wärmebehandlung von Bauteilen und deren Handhabung
CN111972445B (zh) * 2020-08-28 2022-03-18 湖南易老头食品有限公司 一种用于制作腊制品的烘烤装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63244429A (ja) * 1987-03-31 1988-10-11 Hitachi Chem Co Ltd 光デイスク用基板の製造方法ならびにこれに用いられる金型装置および連続製造装置
US4987856A (en) 1989-05-22 1991-01-29 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. High throughput multi station processor for multiple single wafers
JPH0651777U (ja) * 1991-12-26 1994-07-15 日空工業株式会社 真空乾燥装置
GB2279585B (en) * 1993-07-08 1996-11-20 Crystalox Ltd Crystallising molten materials
DE19904045C1 (de) 1999-02-02 2000-07-27 Singulus Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zum Trocknen von Substraten

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102243011A (zh) * 2011-06-29 2011-11-16 天津杰科同创科技发展有限公司 一种热风式干燥机

Also Published As

Publication number Publication date
JP4234173B2 (ja) 2009-03-04
WO2004093161A1 (de) 2004-10-28
EP1618596B1 (de) 2008-09-17
DE502004008087D1 (de) 2008-10-30
TWI325043B (en) 2010-05-21
JP2006523906A (ja) 2006-10-19
ATE408893T1 (de) 2008-10-15
US7019264B2 (en) 2006-03-28
US20050035108A1 (en) 2005-02-17
EP1618596A1 (de) 2006-01-25
CN100364040C (zh) 2008-01-23
TW200500585A (en) 2005-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6340501B1 (en) Device and method for manufacturing an optical recording medium
KR100189675B1 (ko) 스퍼터링 장치 및 이를 사용한 스퍼터링 처리 시스템
JP4653418B2 (ja) 真空処理装置および光ディスクの製造方法
CN107686978B (zh) 用于涂敷衬底的设备
CN100364040C (zh) 进行热处理的装置和方法
US6960270B2 (en) Optical disk producing device and producing method
US6234788B1 (en) Disk furnace for thermal processing
USRE40191E1 (en) Vacuum process apparatus
JP7097740B2 (ja) 成膜装置および成膜方法
EP1569759B1 (en) Method and apparatus for control of layer thicknesses
JP4860259B2 (ja) レンズ塗布装置およびレンズ塗布方法
WO2014010434A1 (ja) 球状体の被膜形成方法
CN106868465A (zh) 一种用于真空腔室磁控溅射的装置
JPH0853752A (ja) 真空成膜装置およびその減圧方法
JP3266844B2 (ja) 熱処理装置
KR20110119528A (ko) 레지스트 도포 장치, 이를 구비한 도포 현상 시스템, 및 레지스트 도포 방법
KR101141394B1 (ko) 드럼형 멀티코팅층 및 오염방지코팅층 형성장치
CN223271581U (zh) 一种可均匀烘干的烘干加热装置
CN101341537A (zh) 基板处理装置
US20130209706A1 (en) Apparatus and method for coating substrates using the eb/pvd process
US20260028709A1 (en) Deposition apparatus and method of maintaining the same
JP2003132590A (ja) ディスク基板の処理方法及び装置
US20250266269A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6127372B2 (ja) 真空蒸着装置および真空蒸着方法
JP4947864B2 (ja) スパッタリングによる高温‐基板コーティング方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: UNAXIS BALZERS AG

Free format text: FORMER OWNER: OC OERLIKON BALZERS AG

Effective date: 20080509

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20080509

Address after: Swiss Te Lui Bach

Patentee after: Unaxis Balzers AG

Address before: Liechtenstein Barr Che J

Patentee before: OC Oerlikon Balzers AG

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: XINGULESI TECHNOLOGY STOCK CO., LTD. ADDRESS

Free format text: FORMER OWNER: UNAXIS BALZERS AG ADDRESS

Effective date: 20081121

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20081121

Address after: German Messe Carle

Patentee after: Singulus Technologies AG

Address before: Swiss Te Lui Bach

Patentee before: Unaxis Balzers AG

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: XINGULESI TECHNOLOGY STOCK CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: UNAXIS BALZERS AG

Effective date: 20081121

C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080123

Termination date: 20100413