CN1959912B - 一种铟封式荧光屏以及采用该荧光屏的像管的制备工艺 - Google Patents
一种铟封式荧光屏以及采用该荧光屏的像管的制备工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1959912B CN1959912B CN200610022073A CN200610022073A CN1959912B CN 1959912 B CN1959912 B CN 1959912B CN 200610022073 A CN200610022073 A CN 200610022073A CN 200610022073 A CN200610022073 A CN 200610022073A CN 1959912 B CN1959912 B CN 1959912B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- indium
- groove
- sealing ring
- luminescent screen
- metal sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 96
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 94
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 23
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 21
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical group [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 238000010257 thawing Methods 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 8
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 150000002471 indium Chemical class 0.000 description 2
- 230000010358 mechanical oscillation Effects 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
本发明公开了一种铟封式荧光屏，包括光纤面板和金属封接环，其特征在于，所述金属封接环上设置有填铟槽，所述光纤面板的边缘设置有卡体，所述卡体与所述金属封接环通过填设在填铟槽内的铟焊料密封连接；一种采用该荧光屏的像管的制备工艺：金属封接环加工；光纤面板成型，卡体金属化处理；在制备好的金属封接环的填铟槽内填铟；光纤面板与金属封接环铟封；将铟封好光纤面板的金属封接环同管壳熔融焊接，形成管壳；管壳与光阴极封接。该铟封式荧光屏稳定性良好，耐冷热冲击、耐高强度的机械振动及应力变化，具备了更高的稳定性和使用寿命；该制备工艺简单，可与光阴极封接同时进行。
Description
技术领域
本发明涉及光电真空器件，具体涉及一种像管的铟封式荧光屏以及采用该荧光屏的像管的制备工艺。
背景技术
现有像管的荧光屏同金属材料之间采用低玻粉封接，有以下缺点：首先需要对相应金属材料进行相应的处理，例如烧氢、打毛等等，程序复杂，还要对封接温度进行严格控制，对工艺条件要求比较高，不易操作；其次产品质量不高，在高储、低储、高低温循环以及应力测试表明在适应环境条件方面表现的稳定不高；再次，原有低玻封接的荧光屏在焊接过程中很容易由于焊接温度的影响，使得低玻封接承受不住传导的热量导致应力变化而漏气。
发明内容
本发明要解决的技术问题是如何提供一种铟封式荧光屏及采用该荧光屏的像管的制备工艺，该铟封式荧光屏稳定性良好，耐冷热冲击、耐高强度的机械振动应力变化，能具备更高的稳定性和使用寿命；该制备工艺简单，可与光阴极封接同时进行，能简化工艺流程和节约大量时间。
本发明的第一个技术问题是这样解决的：提供一种铟封式荧光屏，包括光纤面板和金属封接环，其特征在于：所述金属封接环上设置有填铟槽，所述光纤面板的边缘设置有卡体，所述卡体与所述金属封接环通过填设在填铟槽内的铟焊料密封连接。
本发明的第二个技术问题是这样解决的：提供一种铟封式荧光屏的像管的制备工艺，其特征在于包括以下步骤：A、金属封接环加工，并设置填铟槽；B、光纤面板成型，并在其边缘设置卡体，对卡体进行金属化处理；C、在制备好的金属封接环的填铟槽内填铟：把铟焊料填入制备好的填铟槽内，并放入到真空排气系统内，保持填铟槽水平，进行真空排气后，加热铟焊料使其融化，待冷却后将金属封接环取出，剔除填铟槽中铟表面的氧化层；D、光纤面板与金属封接环焊接：将制备好光纤面板放置到金属封接环的填铟槽表面，再次放入到真空排气系统内，保持填铟槽的槽面水平，进行抽真空排气后，加热铟焊料，融化后停止加热，待其冷却后取出；E、将铟封好光纤面板的金属封接环同管壳熔融焊接，形成管壳；F、将管壳与光阴极封接。
按照本发明所提供的铟封式荧光屏的像管的制备工艺，其特征在于，在两个真空排气过程结束后，真空度不低于10-3Pa。
按照本发明所提供的铟封式荧光屏的像管的制备工艺，其特征在于，所述铟焊料是铟锡焊料丝或者高纯铟，所述高纯铟的纯度为99.999％或者高于99.999％。
按照本发明所提供的铟封式荧光屏的像管的制备工艺，其特征在于，加热铟焊料的温度为170℃-300℃；如选取高纯铟，加热温度可设置为200℃。
本发明所提供的铟封式荧光屏以及采用该荧光屏的像管的制备工艺，主要是针对像管的荧光屏的封接方式发明的一种新式封接技术，其核心在于采用了铟封的形式将荧光屏同金属材料进行封接，具备许多现有产品不具备的特有优点：工艺简单，可以与光阴极铟封接同时进行(因其工艺条件相同)，节约时间和成本，产品性能稳定，耐冷热冲击、耐高强度的机械振动应力变化，并且具备了更高的稳定性和使用寿命.
附图说明
图1为现有技术中采用低玻粉封接的荧光屏的结构示意图；
图2是本发明所提供的铟封式荧光屏的结构示意图；
图3是采用图2所示荧光屏的像管的结构示意图。
其中，1、光纤面板，2、金属零件(光纤面板支架)，3、低玻粉封接面，4、管壳，5、光纤面板，6、金属封接环，7、铟焊料(铟封)，8、卡体，9、管壳，10、MCP芯片，11、光阴极，12、光阴极铟封，13、熔融焊接面。
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行详细说明。
如图1所示，现有技术中，像管的光纤面板1(荧光屏)同金属零件2之间采用低玻粉封接，光纤面板上小下大，低玻粉密封面3设置在金属零件2的下侧。其工艺程序为：1、将金属零件涂低玻粉，室温干燥10小时以上，然后熔化，温度30分钟内升到300度以上，然后再降至室温，待用；2、封接，先慢速升温，再快速升温至450度，然后自然降温。其重要缺陷是工艺复杂，对温度要求苛刻，产品承受不住热传导的应力变化而容易漏气等等，此处不再赘述。
图2是本发明所提供的铟封式荧光屏的结构示意图，该铟封式荧光屏包括光纤面板5和金属封接环6(即荧光屏封接环)，金属封接环6设置有填铟槽，光纤面板5的边缘设置有卡体8，卡体8与金属封接环6通过填设在填铟槽内的铟焊料7密封连接，金属封接环6的填铟槽设置在光纤面板5的下侧，填铟槽开口向上，可避免光纤面板5由于自身重力而脱落。图3是采用图2所示荧光屏的像管的结构示意图，将封接好的荧光屏的金属封接环同管壳9熔融焊接(形成熔融焊接面13)，制成像管管壳，再将像管管壳与光阴极11通过光阴极铟封12封接，在像管中设置有MCP芯片10。制备工艺如下：
1、将金属封接环6和光纤面板5加工成如图2所示的形状，具体尺寸视管型而定，以光纤面板5为基底制备荧光屏，荧光屏的制作以及对卡体的金属化处理工艺与现有工艺相同；
2、在荧光屏封接环(即制备好的金属封接环6)的铟槽内填铟，其过程是把铟丝或铟锡焊料丝(都是现有材料)填入制备好的荧光屏封接环铟槽内，并放入到真空排气系统内，保持铟槽面水平，先进行抽真空排气，待真空度在10-3Pa以上时，加热使铟(或铟锡焊料)融化，温度以选用的高纯铟或铟锡焊料完全融化为准，不同的合金成份，熔点不同，普通铟锡焊料的熔点为170℃(实际加热温度在170℃到300℃之间)，最好采用高纯铟，其纯度为99.999％或者高于99.999％，实验表明熔融温度可以采取170℃到300℃之间，其中200℃或者240℃或者220℃都比较合适，待冷却至室温时将填好铟的荧光屏封接环取出，剔除铟槽中铟表面的氧化层，把制备好的荧光屏放入到荧光屏封接环内，并一同放入到真空排气系统内，进行铟封，操作同上，保持铟槽的槽面水平，先进行抽真空排气，待真空度在10-3Pa以上时，加热铟封，铟封的温度也以选用的高纯铟或铟锡焊料完全融化为准，待冷却至室温时取出；
3)、将铟封好的荧光屏同管壳熔融焊接形成管壳：此焊接过程是通过激光焊接机进行焊接的，也可采用其他能够保证气密性的焊接方式，而原有低玻封接的荧光屏在焊接过程中很容易由于焊接温度的影响使得低玻封接处承受不住传导的热导致的应力变化而漏气；
4)、管壳与阴极的封接：此过程以及光阴极的制备同现有工艺相同。
Claims (6)
1.一种铟封式荧光屏，包括光纤面板和金属封接环，其特征在于：所述金属封接环上设置有填铟槽，所述光纤面板的边缘设置有卡体，所述卡体与所述金属封接环通过填设在填铟槽内的铟焊料密封连接。
2.一种采用权利要求1所述的铟封式荧光屏的像管的制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：
A、金属封接环加工，并设置填铟槽；
B、光纤面板成型，并在其边缘设置卡体，卡体金属化处理；
C、在制备好的金属封接环的填铟槽内填铟：把铟焊料填入制备好的填铟槽内，并放入到真空排气系统内，保持填铟槽水平，进行真空排气后，加热铟焊料使其融化，待冷却后将金属封接环取出，剔除填铟槽中铟表面的氧化层；
D、光纤面板与金属封接环焊接：将制备好光纤面板放置到金属封接环的填铟槽表面，再次放入到真空排气系统内，保持填铟槽槽面水平，进行抽真空排气后，加热铟焊料，融化后停止加热，待其冷却后取出；
E、将铟封好光纤面板的金属封接环同管壳熔融焊接，形成管壳；
F、将管壳与光阴极封接。
3.根据权利要求2所述的铟封式荧光屏的像管的制备工艺，其特征在于，在两个真空排气过程结束后，真空度都不低于10-3Pa。
4.根据权利要求2所述的铟封式荧光屏的像管的制备工艺，其特征在于，所述铟焊料是铟锡焊料丝或者高纯铟，所述高纯铟的纯度为99.999％或者高于99.999％。
5.根据权利要求2所述的铟封式荧光屏的像管的制备工艺，其特征在于，加热铟焊料的温度为170℃--300℃。
6.根据权利要求2所述的铟封式荧光屏的像管的制备工艺，其特征在于，所选铟焊料为高纯铟，加热温度为200℃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200610022073A CN1959912B (zh) | 2006-10-20 | 2006-10-20 | 一种铟封式荧光屏以及采用该荧光屏的像管的制备工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200610022073A CN1959912B (zh) | 2006-10-20 | 2006-10-20 | 一种铟封式荧光屏以及采用该荧光屏的像管的制备工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1959912A CN1959912A (zh) | 2007-05-09 |
| CN1959912B true CN1959912B (zh) | 2010-05-12 |
Family
ID=38071531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200610022073A Active CN1959912B (zh) | 2006-10-20 | 2006-10-20 | 一种铟封式荧光屏以及采用该荧光屏的像管的制备工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1959912B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102489819A (zh) * | 2011-12-26 | 2012-06-13 | 北方夜视科技集团有限公司 | 波动式管体焊料真空浇注器 |
| CN103123886B (zh) * | 2012-12-21 | 2015-05-27 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种热铟封封接装置 |
| CN105551913A (zh) * | 2015-12-15 | 2016-05-04 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种条纹变像管的制备方法 |
| CN105428258B (zh) * | 2015-12-16 | 2017-11-07 | 济南市半导体元件实验所 | 控制半导体腔内可动多余物的封装工艺 |
| CN111623801A (zh) * | 2020-06-12 | 2020-09-04 | 湖南二零八先进科技有限公司 | 一种激光陀螺电极铟封增强装置和增强方法 |
| CN119069322A (zh) * | 2024-08-28 | 2024-12-03 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种具有收集增强功能的远紫外成像探测器及其制备方法 |
| CN119725052A (zh) * | 2024-11-20 | 2025-03-28 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种基于冷铟封结构的超二代像增强管及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1086347A (zh) * | 1993-03-04 | 1994-05-04 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种双近贴分幅像增强器 |
| CN1406390A (zh) * | 2000-01-24 | 2003-03-26 | 株式会社东芝 | 图像显示装置、其制造方法以及密封材料填充装置 |
| CN1632899A (zh) * | 2005-01-05 | 2005-06-29 | 河南安彩高科股份有限公司 | 一种制造阴极射线管玻屏的方法 |
-
2006
- 2006-10-20 CN CN200610022073A patent/CN1959912B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1086347A (zh) * | 1993-03-04 | 1994-05-04 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种双近贴分幅像增强器 |
| CN1406390A (zh) * | 2000-01-24 | 2003-03-26 | 株式会社东芝 | 图像显示装置、其制造方法以及密封材料填充装置 |
| CN1632899A (zh) * | 2005-01-05 | 2005-06-29 | 河南安彩高科股份有限公司 | 一种制造阴极射线管玻屏的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1959912A (zh) | 2007-05-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100585244B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 | |
| EP2122654B1 (en) | Ceramic burner for ceramic metal halide lamp | |
| CN1959912B (zh) | 一种铟封式荧光屏以及采用该荧光屏的像管的制备工艺 | |
| JP2010170873A (ja) | 気密容器及び画像表示装置の製造方法 | |
| JPH0474826B2 (zh) | ||
| US6997769B2 (en) | Plasma display panel manufacturing apparatus and manufacturing method | |
| CN102951789A (zh) | 金属焊接的平板钢化真空玻璃及其制造方法 | |
| GB2351388A (en) | Arc tube manufacture utilising temporary and main pinching means | |
| JP2000208051A (ja) | 封止方法及び密封容器と画像表示装置及び真空排気装置 | |
| JP3422175B2 (ja) | ガス放電パネルの製造方法 | |
| US3866280A (en) | Method of manufacturing high pressure sodium arc discharge lamp | |
| CN1755869B (zh) | 放电灯管的制造方法 | |
| CN102863145A (zh) | 一种真空玻璃封接方法 | |
| TW514951B (en) | Vacuum fluorescence display | |
| JP2000195426A (ja) | 封止方法及び密封容器と画像表示装置及び真空排気装置 | |
| JP3127952U (ja) | 放電発光管シーリング装置 | |
| KR100442891B1 (ko) | 가스 방전 램프 및 그 제작 방법 | |
| CN101110309B (zh) | 荧光灯及其电极的制造方法 | |
| CN102951793A (zh) | 钢化、半钢化真空玻璃及其制造方法 | |
| JP5078772B2 (ja) | 気密容器及び画像表示装置の製造方法 | |
| JP2007103361A (ja) | 照明装置、特に高圧メタルハライドランプ | |
| JP2000223029A (ja) | 画像形成装置及びその製造方法及び製造装置 | |
| CN114905182A (zh) | 一种焊料的制备方法及通过焊料焊接冷板的方法 | |
| JP2002033051A (ja) | ガス放電パネルの製造方法及びガス放電パネル | |
| CN118417647A (zh) | 氮化镓微波功放芯片共晶焊接方法及氮化镓微波功放器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Indium seal type luminescent screen, and technique for preparing the display tube of using the luminescent screen Effective date of registration: 20160908 Granted publication date: 20100512 Pledgee: Chengdu SME financing Company Limited by Guarantee Pledgor: Tianwei Electronics Co,. Ltd. Registration number: 2016510000044 |
|
| PLDC | Enforcement, change and cancellation of contracts on pledge of patent right or utility model | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20200310 Granted publication date: 20100512 Pledgee: Chengdu SME financing Company Limited by Guarantee Pledgor: SICHUAN TIANWEI ELECTRONIC Co.,Ltd. Registration number: 2016510000044 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 610000, Sichuan, Chengdu Province three East Ring Road two Longtan Urban Industrial Development Zone, small and medium-sized enterprises Pioneer Park No. 5 Patentee after: Sichuan tianmicroelectronics Co.,Ltd. Address before: 610000, Sichuan, Chengdu Province three East Ring Road two Longtan Urban Industrial Development Zone, small and medium-sized enterprises Pioneer Park No. 5 Patentee before: SICHUAN TIANWEI ELECTRONIC Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |