CN207181908U - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开一种阵列基板，包括由相互交叉的栅线和数据线划分的成阵列分布的多个像素单元对，相邻行的所述像素单元对之间具有两条所述栅线，所述像素单元对包括第一像素单元和第二像素单元，所述第一像素单元和所述第二像素单元之间具有依次层叠设置在基板上的栅绝缘层、第一金属层、钝化层和像素电极层；其中，所述像素电极层与所述第一金属层在所述基板上的正投影部分重叠，形成存储电容，所述第一金属层与所述像素单元对的公共电极层搭接。与现有技术相比，本实用新型的阵列基板减小了存储电容两个电极间的介质的厚度，可以增大电容，在保证存储电容大小的基础上，还可以减小第一金属的尺寸，从而增大开口率。

Description

一种阵列基板、显示面板及显示装置
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
现有的TN型液晶显示器中，一般采用像素电极ITO和公共电极COM交叠形成存储电容，如图1所示，公共电极1'环绕像素电极4'设置，其对应的形成存储电容Cst部分的截面图即图1的A'-A'截面示意图，如图2所示，其中，公共电极1'与其所在像素的薄膜晶体管的栅极层Gate同层设置，公共电极1'与像素电极4'以及二者之间的栅绝缘层2'、钝化层3'共同形成存储电容Cst。
因为公共电极1'与像素电极4'交叠部分不透光，如果增大存储电容会导致像素的开口率减小，如果要保持较大的开口率，则像素的存储电容又会满足不了要求。
实用新型内容
本实用新型提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，在保证存储电容的情况下增大开口率。
第一方面，本实用新型提供一种阵列基板，包括：由相互交叉的栅线和数据线划分的成阵列分布的多个像素单元对，相邻行的所述像素单元对之间具有两条所述栅线，所述像素单元对包括第一像素单元和第二像素单元，所述第一像素单元和所述第二像素单元之间具有依次层叠设置在基板上的栅绝缘层、第一金属层、钝化层和像素电极层；
其中，所述像素电极层与所述第一金属层在所述基板上的正投影部分重叠，形成存储电容，所述第一金属层与所述像素单元对的公共电极层搭接。
可选地，所述第一金属层与所述像素单元对的薄膜晶体管的源漏层同层设置。
可选地，所述公共电极层与所述像素单元对的薄膜晶体管的栅极层同层设置。
可选地，在所述钝化层形成有搭接所述第一金属层与所述像素单元对公共电极层的半搭孔，所述半搭孔内形成有导电层，实现所述第一金属层与所述像素单元对的公共电极层的搭接。
可选地，所述导电层与所述像素电极层同层设置。
可选地，所述阵列基板为TN-LCD阵列基板。
可选地，所述阵列基板为Z反转像素结构的阵列基板。
可选地，所述钝化层的厚度为
可选地，所述栅绝缘层的厚度为
第二方面，本实用新型提供了一种显示面板，包括上述阵列基板。
第三方面，本实用新型提供了一种显示装置，包括上述显示面板。
与现有技术相比，本实用新型实施例具有以下优点：
本实用新型实施例的阵列基板，在像素单元对之间具有依次层叠设置的栅极绝缘层、第一金属层、钝化层和像素电极层，且由第一金属电极层与像素电极层构成存储电容，与现有技术相比，减小了存储电容两个电极间的介质的厚度，可以增大电容，在保证存储电容大小的基础上，还可以减小第一金属的尺寸，从而增大开口率。
附图说明
图1所示为现有技术的一种阵列基板的局部平面结构示意图；
图2为图1的A'-A'截面示意图；
图3所示为本实用新型实施例的一种阵列基板的局部平面结构示意图；
图4所示为图3的A-A截面示意图；
图5所示为图3的B-B截面示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
参照图3和图4所示，本实用新型实施例的阵列基板包括由相互交叉的栅线62和数据线61划分的成阵列分布的多个像素单元对，相邻行的像素单元对之间具有两条所述栅线62，像素单元对包括第一像素单元51和第二像素单元52，其中，在一具体实现方式中，所述阵列基板为Z反转像素结构的阵列基板，第一像素单元51和第二像素单元52之间具有层叠设置在基板上的栅绝缘层2、第一金属层11、钝化层3和像素电极层4。
其中，像素电极层4与第一金属层11在基板上的正投影部分重叠，形成存储电容，且第一金属层11与像素单元对的公共电极层12搭接，以实现第一金属层11与公共电极层12的电连接。
这样，由第一金属层11与像素电极层4构成存储电容，减小了存储电容两个电极间的介质的厚度，可以增大电容，在保证存储电容大小的基础上，还可以减小第一金属层11的尺寸，从而增大开口率。
具体的，上述第一金属层11位于像素对的第一像素51与第二像素52之间，且与数据线61平行设置。上述第一金属层11可以与像素单元对的薄膜晶体管的源漏层同层设置，由位于源漏层的第一金属层11和像素电极层4以及二者之间的钝化层3构成存储电容Cst，公共电极层12与像素单元对的薄膜晶体管的栅极层同层设置，参照图3，公共电极层12与第一金属层11围绕第一像素51和第二像素52设置，且与像素电极4在基板上的正投影部分重叠，共同形成第一像素51与第二像素52的存储电容。公共电极层12与像素电极层4之间的介质为栅绝缘层2与钝化层3，其结构可以参照图2。因此，本实用新型实施例的存储电容与现有技术相比，第一像素51与第二像素52之间的部分为第一金属层11，该部分存储电容的介质厚度减小，具体的，钝化层3的厚度为栅绝缘层2的厚度为存储电容在像素电极对的两个电极之间的部分的介质厚度大大减小，本实施例的存储电容比现有技术的存储电容可增大25％。
相比于现有技术，本实用新型实施例的存储电容大大增大，因此，可以在保证存储电容的情况下，改变第一金属层11的尺寸，可以减小其长度或宽度，以增加像素的开口率。
参照图5所示，上述阵列基板的钝化层3形成有搭接第一金属层11与像素单元对的公共电极层12的半搭孔，在半搭孔内形成有导电层，实现第一金属层11与像素单元对的公共电极层12的搭接。
具体的，图5中的导电层可以与像素电极层4同层设置，通过导电的像素电极层4将第一金属层11与公共电极层12电连接。
本实用新型实施例的阵列基板可以是TN-LCD阵列基板，在TN-LCD产品中引入上述实施例的阵列基板中的存储电容，可以有效的降低由gate电压耦合造成的像素电极发生的电压的变化。同时，由于现有TN产品像素数目逐渐增多，会造成像素尺寸减小进而造成单位像素的存储电容减小，因此，采用上述实施例的阵列基板可以有效增大存储电容的值。
本实用新型实施例的阵列基板为采用Z反转像素结构的阵列基板，Z反转像素结构的阵列基板有利于降低功耗。
本实用新型实施例的阵列基板，在形成过程中没有增加任何新的工艺流程，均是以现有的层结构为基础，第一金属层与薄膜晶体管的源漏层同层设置，在形成源漏层时，改变掩膜板的形状，保留该位置的层结构即可。同样的，在形成钝化层后，在第一金属电极层与公共电极层搭接区域增加半搭孔位置处的刻蚀，刻蚀出该半搭孔即可，这样，在形成像素电极层时，可以将第一金属电极层与公共电极层进行搭接。
通过上述内容可知，本实用新型实施例包括以下优点：
本实用新型实施例的阵列基板，在像素单元对之间具有层叠设置的栅极绝缘层、第一金属层、钝化层和像素电极层，且第一金属层与薄膜晶体管的源漏层同层设置，这样设置，减小了存储电容两个电极间介质的厚度，可以增大存储电容，同时，在保证开口率的基础上，还可以减小第一金属层的尺寸，从而增大开口率。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于系统实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
尽管已描述了本实用新型实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种阵列基板，包括由相互交叉的栅线和数据线划分的成阵列分布的多个像素单元对，相邻行的所述像素单元对之间具有两条所述栅线，所述像素单元对包括第一像素单元和第二像素单元，其特征在于，所述第一像素单元和所述第二像素单元之间具有依次层叠设置在基板上的栅绝缘层、第一金属层、钝化层和像素电极层；
其中，所述像素电极层与所述第一金属层在所述基板上的正投影部分重叠，形成存储电容，所述第一金属层与所述像素单元对的公共电极层搭接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层与所述像素单元对的薄膜晶体管的源漏层同层设置。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层与所述像素单元对的薄膜晶体管的栅极层同层设置。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述钝化层形成有搭接所述第一金属层与所述像素单元对公共电极层的半搭孔，所述半搭孔内形成有导电层，实现所述第一金属层与所述像素单元对的公共电极层的搭接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述导电层与所述像素电极层同层设置。
6.根据权利要求1至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为TN-LCD阵列基板。
7.根据权利要求1至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为Z反转像素结构的阵列基板。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层的厚度为
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层的厚度为
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的阵列基板。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求10所述的显示面板。
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