CN216972738U - 一种半导体单晶炉底部加热器安装防形变装置 - Google Patents

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潘清跃
姜宏伟
李亚南
王维川
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Abstract

本实用新型公开了一种半导体单晶炉底部加热器安装防形变装置,包括:具有两个应力缓冲槽的单晶炉底部加热器;所述单晶炉底部加热器包括加热板、两个腿部;加热板及腿部的顶面均设有螺纹孔,螺栓穿过加热板的螺纹孔与腿部的螺纹孔螺纹连接;加热板包括若干首尾相连的U形板;还包括横板、分别固定于横板两端底部的两过渡板、固定于过渡板底部的支撑件以及配合件;所述的底部支撑件插入的应力缓冲槽内,且底部支撑件的两侧面分别与应力缓冲槽的内侧面相接触;配合件贯穿横板和过渡板,将过渡板与单晶炉底部加热器顶面抵紧。本实用新型能够防止半导体单晶炉底部加热器在安装固定螺栓时产生变形,避免了对底部加热器的对中安装产生不利影响。

Description

一种半导体单晶炉底部加热器安装防形变装置
技术领域
本实用新型涉及半导体单晶炉安装技术领域,具体是涉及一种半导体单晶炉底部加热器安装防形变装置。
背景技术
专利申请号为CN2017102454267的专利申请公开了一种半导体级硅单晶炉底部加热器;当半导体单晶炉底部加热器与加热器固定支柱通过固定螺栓进行紧固时,由于底部加热器材料为石墨且环状扇形结构刚度较弱,当受到扭矩的作用时,底部加热器结构容易产生变形,此变形会增加底部加热器在使用时的对中难度,导致底部加热器对中难。
实用新型内容
实用新型目的:针对以上缺点,本实用新型提供一种半导体单晶炉底部加热器安装防形变装置,可以防止半导体单晶炉底部加热器在安装固定螺栓时产生变形,进而避免了对底部加热器的对中安装产生不利影响。
技术方案:为解决上述问题,本实用新型提供一种半导体单晶炉底部加热器安装防形变装置,包括:具有两个应力缓冲槽的单晶炉底部加热器,所述两个应力缓冲槽位于单晶炉底部加热器上表面且分别位于该单晶炉底部加热器对称中轴的对称两侧;所述单晶炉底部加热器包括围成一圈的加热板、位于该加热板两侧底部且向下延伸的两个腿部;加热板的顶面及腿部均设有螺纹孔,螺栓穿过加热板的螺纹孔与腿部的螺纹孔螺纹连接;所述加热板包括若干首尾相连的U形板;还包括横板、分别固定于横板两端底部的两过渡板、固定于过渡板底部的支撑件以及配合件;所述的底部支撑件插入单晶炉底部加热器的应力缓冲槽内,且底部支撑件的两侧面分别与应力缓冲槽的内侧面相接触;所述的配合件贯穿横板和过渡板,且配合件将过渡板与单晶炉底部加热器顶面抵紧。
有益效果:本实用新型相对于现有技术,其显著优点是:通过设置支撑件与应力缓冲槽的侧面相抵触,保证配合件将过渡板与单晶炉底部加热器顶面抵紧过程中产生的力通过相抵触的位置传输至应力缓冲槽的侧面,增加底部加热器受力部位的刚度,对底部加热器形成了保护。
进一步的,所述加热板上设置两个螺纹孔且分别位于应力缓冲槽的外侧,该加热板的两个螺纹孔分别位于单晶炉底部加热器对称中轴的对称两侧。
进一步的,横板的中心开设有通孔,横板的中心开设有通孔,该通孔用于将横板固定于半导体单晶炉的坩埚轴上。通过在横板的中心开设有通孔,在底部加热器在对中安装时可以限定横板的位置,通过该横板可以调整底部加热器位置,起到底部加热器对中校准作用。
进一步的,底部支撑件的两侧面分别与应力缓冲槽的内侧面完全贴合。完全贴合时可以更好的将过渡板与单晶炉底部加热器顶面抵紧过程中产生的力传输至应力缓冲槽的侧面。
进一步的,所述的横板的长度大于底部加热器的内环径向尺寸小于外环径向尺寸。
进一步的,通过台阶销将横板、过渡板以及支撑件固定。
进一步的,支撑件通过六角沉头螺钉固定于过渡板底部。
进一步的,支撑件通过直销固定于过渡板底部。
进一步的,配合件为梅花把手。
附图说明
图1所示为本实用新型所述一种半导体单晶炉底部加热器安装防形变装置剖视图;
图2所示为本实用新型一种半导体单晶炉底部加热器安装防形变装置安装在半导体单晶炉底部加热器上的剖视图;
图3所示为本实用新型一种半导体单晶炉底部加热器安装防形变装置安装在半导体单晶炉底部加热器上的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型进行进一步的说明。
如图1所示,本实用新型所述的一种半导体单晶炉底部加热器安装防形变装置,包括横板1、过渡板2、支撑件3、配合件4、底部加热器5。
单晶炉底部加热器5包括加热板51、位于该加热板51两侧底部并向下延伸的两个腿部52。所述底部加热器5的上表面具有两个应力缓冲槽6,两个应力缓冲槽6分别位于单晶炉底部加热器5对称中轴的对称两侧。所述的加热板51为环形板状结构,包括若干首尾相连的U形板,相邻的U形板的一侧的开口边缘相连;加热板51上设置两个螺纹孔,两个螺纹孔分别位于单晶炉底部加热器对称中轴的对称两侧,且每个螺纹孔位于单晶炉底部加热器对称中轴同侧的应力缓冲槽6的外侧。所述两个腿部52的顶面也设有螺纹孔,底部加热器固定螺栓10穿过加热板52的螺纹孔与腿部52的螺纹孔进行螺纹连接。
两个过渡板2分别固定于横板1两端底部,支撑件3固定于过渡板2的底部,通过六角沉头螺钉7和直销8自上而下的插入支撑件3和过渡板2将两者固定,通过台阶销9将横板1、过渡板2、支撑件3固定。配合件4选用梅花把手,配合件4贯穿横板1和过渡板2。
如图2至图3所示,所述的横板1的长度大于底部加热器5的内环径向尺寸小于外环径向尺寸,所述底部支撑件3自上而下插入单晶炉底部加热器5的应力缓冲槽6内。底部支撑件3的两侧面分别与应力缓冲槽6的内侧面完全贴合;所述的配合件4将过渡板2与单晶炉底部加热器5的顶面抵紧。横板1的中心开设有通孔12,该通孔12的尺寸与半导体单晶炉坩埚轴11相匹配。
工作原理:首先横板1上的通孔与半导体单晶炉坩埚轴11进行装配,然后支撑件3与应力缓冲槽6进行卡配,最后通过配合件4将过渡板2与单晶炉底部加热器5的顶面抵紧,这样就增加了单晶炉底部加热器5受力部位的刚度,对单晶炉底部加热器5形成了保护,防止单晶炉底部加热器5在通过底部加热器固定螺栓10将加热板51与腿部52进行螺纹连接时产生变形,进而避免了对单晶炉底部加热器5的对中安装产生不利影响。

Claims (9)

1.一种半导体单晶炉底部加热器安装防形变装置,包括:具有两个应力缓冲槽(6)的单晶炉底部加热器(5),所述两个应力缓冲槽(6)位于单晶炉底部加热器(5)上表面且分别位于该单晶炉底部加热器(5)对称中轴的对称两侧;所述单晶炉底部加热器(5)包括围成一圈的加热板(51)、位于该加热板(51)两侧底部且向下延伸的两个腿部(52);加热板(51)及腿部(52)的顶面均设有螺纹孔,螺栓穿过加热板(51)的螺纹孔与腿部(52)的螺纹孔螺纹连接;所述加热板(51)包括若干首尾相连的U形板;其特征在于,还包括横板(1)、分别固定于横板(1)两端底部的两过渡板(2)、固定于过渡板(2)底部的支撑件(3)以及配合件(4);所述的支撑件(3)插入单晶炉底部加热器(5)的应力缓冲槽(6)内,且支撑件(3)的两侧面分别与应力缓冲槽(6)的内侧面相接触;所述的配合件(4)贯穿横板(1)和过渡板(2),且配合件(4)将过渡板(2)与单晶炉底部加热器(5)顶面抵紧。
2.根据权利要求1所述的半导体单晶炉底部加热器安装防形变装置,其特征在于,所述加热板(51)上设置两个螺纹孔且分别位于应力缓冲槽(6)的外侧,该加热板(51)的两个螺纹孔分别位于单晶炉底部加热器(5)对称中轴的对称两侧。
3.根据权利要求1所述的半导体单晶炉底部加热器安装防形变装置,其特征在于,横板(1)的中心开设有通孔,该通孔用于将横板(1)固定于半导体单晶炉的坩埚轴(11)上。
4.根据权利要求1所述的半导体单晶炉底部加热器安装防形变装置,其特征在于,支撑件(3)的两侧面分别与应力缓冲槽(6)的内侧面完全贴合。
5.根据权利要求1所述的半导体单晶炉底部加热器安装防形变装置,其特征在于,所述的横板(1)的长度大于底部加热器(5)的内环径向尺寸小于外环径向尺寸。
6.根据权利要求1所述的半导体单晶炉底部加热器安装防形变装置,其特征在于,通过台阶销将横板(1)、过渡板(2)以及支撑件(3)固定。
7.根据权利要求6所述的半导体单晶炉底部加热器安装防形变装置,其特征在于,支撑件(3)通过六角沉头螺钉固定于过渡板(2)底部。
8.根据权利要求6所述的半导体单晶炉底部加热器安装防形变装置,其特征在于,支撑件(3)通过直销固定于过渡板(2)底部。
9.根据权利要求1至权利要求6中任意一项所述的半导体单晶炉底部加热器安装防形变装置,其特征在于,配合件(4)为梅花把手。
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