CS163590A3 - Optical recording medium and process for producing thereof - Google Patents

Optical recording medium and process for producing thereof Download PDF

Info

Publication number
CS163590A3
CS163590A3 CS901635A CS163590A CS163590A3 CS 163590 A3 CS163590 A3 CS 163590A3 CS 901635 A CS901635 A CS 901635A CS 163590 A CS163590 A CS 163590A CS 163590 A3 CS163590 A3 CS 163590A3
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
layer
silicon
recording medium
optical recording
protective layer
Prior art date
Application number
CS901635A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiji Tsuzukiyama
Hidehiko Hashimoto
Original Assignee
Mitsui Petrochemical Ind
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP1087306A external-priority patent/JPH02265051A/ja
Priority claimed from JP1087307A external-priority patent/JPH02265052A/ja
Application filed by Mitsui Petrochemical Ind filed Critical Mitsui Petrochemical Ind
Publication of CS163590A3 publication Critical patent/CS163590A3/cs

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
    • G11B7/2548—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of inorganic materials
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B7/2578—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24306—Metals or metalloids transition metal elements of groups 3-10
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25706—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing transition metal elements (Zn, Fe, Co, Ni, Pt)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/2571—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing group 14 elements except carbon (Si, Ge, Sn, Pb)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25713—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing nitrogen

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Description

Vynález se týká optického záznamového média,'-- „,*0·a způsobúvvyroby >**·'* ./.-. zejména optického záznamového média majícícho ochran-nou vrstvu, která zajišťuje, ze vrstva nepraská, má výtečnéoptické zesilovací účinky a má výtečnou ochrannou funkci prozáznamovou vrstvu, a způsobu výroby optického záznamového mé-dia s takovou ochrannou vrstvou s vysokou pracovní účinnostípro ukládání této vrstvy,, Z optických záznamových médií, u nichž záznam informacena záznamovou vrstvu a reprodukce zaznamenané informace z níse provádějí použitím výkonového paprsku, jako je laser a po-dobně, je známo optické záznamové médium typu umožňujícího pou-ze reprodukci, jako jsou kompaktní diska CD-ROM optické zázna-mové médium typu pro jeden záznam, které je schopno záznamu,ale nikoliv vymazání informace, a optické záznamové médium pře-pisová telného typu, které je schopno volně přepsat informaci* V posledních letech je optické záznamové médium přepisová tel-ného typu zvláště přitěžlivé, poněvadž má výhodu v tom, že jeschopno volného přepisu informace*
Jako optické záznamové médium přepisovatelného typu bylovyvinuto magneticko optické záznamové médium mající magnetickooptickou záznamovou vrstvu, která má magnetickou anisotropiikolmou k povrchu filmu vytvářejícího záznamovou vrstvu, a op-tické záznamové médium se změnou fáze, které používá fázovouzměnu mezi amorfní a krystalickou strukturu* V magnetickooptickéa záznamovém médiu světlo laseruozařuje záznamovou vrstvu, což má za následek otáčení pola-rizační roviny průchozích© světla nebo odraženého světla
I v závislosti na stavu magnetizace, a to na její velikosti a/nebo směru, na ozářené části, a ÍLto s použitím tohoto je-vu, to jest Kerrova účinku a/nebo Faradayova účinku, magne-tickooptické záznamové médium umožňuje reprodukci informace.
Aby zařízení pro reprodukci informace učinilo kompaktním, u-žívá se v současné době s výhodou magneticko-optické záznamo-vé médium typu reprodukujíčího informaci za použití Kerrovajevu, poněva dž je snadnější detekovat rotační úhel, tak zva-ný Kerrův rotační úhel, v polarizační rovině odraženého světla.Přitom, poněvadž čím větší je Kerrův rotační úhel, tím menšíje chyba čtení v době reprodukce informace, byly činěny různépokusy o zvětšení Kerrova rotačního úhlu.
Například japonská zveřejněná patentová přihláška č.56-156 943popisuje složení ochranného filmu mezi magneticko-optickou zázna-movou vrstvou a transparentní podložkou, kde ochranný film obsa-huje transparentní dielektrický film, který pracuje jako zesilo-vací vrstva pro zvýšení Kerrova účinku a tím uskutečňuje zřetel-né zvýšení Kerrova rotačního úhlu. Je známo, že materiál vytváře-jící ochrannou vrstvu obsahující transparentní dielektrický film,který pracuje jako vrstva zesilující Kerrův jev, je vyroben z o-xidů, jako je oxid zirkonu, oxid titanu, oxid vizmutu a oxid kře-míku a neoxidů, jako jsou sulfid kadmia, nitrid křemíku, nitridhliníku, karbid křemíku a sulfid zinku. Neoxidová transparentní dioelektrická vrstva je ve srovnání s oxidovou vrstvou lepšípokud jde o ochranné vlastnosti pro zlepšení odolnosti vůčioxidaci a vůči korozi a takto se očekává, že bude používánajako ochranná vrstva» Ačkoli však transparentní dielektrická vrstva obsahujícínitrid křemíku má dostatečnou funkci jako ochranná vrstva mátato vrstva nevýhody v tom, že index lomu je 1,8 až 2,0 a niž-ší než index lomu dielektrické vrstvy vytvářející materiál dal-ších aeoxidových systémů, jako jsou sirník zinku, sirník kadmiasirník křemíku a podobně a zesilovací účinek Kerrova jevu jenízký.
Pro překonání těchto problémů byla vyvinuta technologie,při níž transparentní dielektrická tenká vrstva obsahuje hlavnísložku nitridu křemíku a třetí složku prvku či prvků jako jsoutitan, zirkon, molybde a podobně se používá jako ochranná a Ker·rův jev zesilující vrstva, což je popsáno v japonské zveřejněnépatentové přihlášce č. 61-22458, odpovídající americkým paten-tům δ. 4 680 742 a 4 851 096·
Jestliže však transparentní dielektrická tenká vrstva,obsahující nitrid křemíku, zahrnuje prvky jako třetí složku,superponovanou na podložce a používanou jako ochranná a Ker-rův jev zesilující vrstva, přinášelo to sebou zvýšenou pravdě-podobnost vzniku prasklin na filmu, čímž se ochranný účinek prozáznamovou vrstvu značně snížil.
Navíc k použití zesilovací vrstvy takového složení nasubstrát byly doposud používány metody, které používají spo-lečné naprašování nitridu křemíku a částic , způsob kterýpoužívá naprašování částic a nitridu křemíku, způsob kterýpoužívá reaktivní společné naprašování křemíku a částic azpůsob, který používá reaktivní naprašování částic na kře-mík. Ovšem jestliže se používá nitrid křemíku, je izolačníschopnost nitridu křemíku vyseká a pokud se používá křemík,je specifický elektrický odpor křemíku vysoký a izolační ten-ká vrstva je uložena na křemíkovou plechu v případě reaktiv-ního naprašování, a proto bylo nezbytné používat vysokofrek-venčního naprašování a naopak bylo nemožné používat stejno-směrného naprašování. Stejnosměrné naprašování je ve srovnánís vysokofrekvenčním naprašováním výhodné pokud jde o rychlostukládání vrstvy a ještě výhodnější pokud jde o pracovní účin-nost ukládáni vrstvy, takže bylo žádoucí vyvinout technologiiukládání ochranné vrstvy stejnosměrným napra šováním* Výše popsané nevýhody dosavadního stavu techniky byly ú-spěšně eliminovány tímto vynálezem*
Odtud je předmětem vynálezu zajistit optické záznamovémédijia, jehož ochranná vrstva má vysokou odolnost vůči korozi,vysoký zesilovací účinek a nevytváří na svém povrchu praskliny.
Dalším předmětem vynálezu je zajištění způsobu výroby optického záznamového média vytvořením takové ochranné vrstva na pod- ležce a/nebo záznamové vrstvy s vysokou účinností za použitístejnosměrného relaktivníhe oprašování,» Vše zmíněného předmětu vynálezu bylo dosaženo optickýmzáznamovým médiem majícím záznamovou vrstvu na podložce a o-chrannou vrstvu na světlo odrážející straně a/nebo světlo pro-pouštějící straně záznamové vrstvy, kde ochranná vrstva zahr-nuje alespoň křemík, chrom a dusíko
Je výhodné, že atomový poměr křemíku a chrómu, zahrnutýchx ' v ochranné vrstvě» je představován Si-, , Cr , kde splňuje pod-minku O, x <k_o,4.
Optické záznamové médium podle vynálezu je zamýšleno prozabránění vzniku prasklinek v ochranné vrstvě a pro zvýšeníochranného účinku ochranné vrstvy a optického zeislovacího ú-činku, poněvadž ochranná vrstva zahrnuje chróm jinak než s kře-míkem a dusíkem,» Výše zmíněný předmět vynálezu je dosažen způsobem výrobyoptického záznamového média vytvořením takové ochranné vrstvyna světlo odrážející straně a/nebo světlo propouštějící stranězáznamové vrstvy, vytvořené na podložce za použití slitiny kře-míku a prvku, zvoleného ze skupiny kovových prvků, polovodivýchprvků a polokovových prvků, majících menší specifický elektrickýodfcor než křemík, s výhodou slitiny křemíku a chrómu, jako ka-tody a v atmosféře smíšeného plynu obsahujícího alespoň intert-ní plyn a plynný dusík N2 se stejnosměrným magnetronovým rozpra- šováním. Slitina» například křemíku s chrómem, umožňuje pou-žití stejnosměrného reaktivního naprašovéní, které nebylo pou-žito pro vytváření vrstvy nitridu křemíku. Výsledkem je dosaže-ní vysoké pracovní účinnosti vytváření ochranné vrstvy. , ě
Vynalez bude dále podrobnji popsán na přiložených výkre-sech, kde na obr. 1 je pohled na řez příkladným provedením o-ptického záznamového média podle vynálezu a na obra 2 je zná-zorněn pohled na řez dalším příkladným provedením optickéhozáznamového média podle vynálezuo
Jak je znázorněno na obr. 1, optické záznamové médium 1podle vynálezu má například strukturu, v níž ochranná vrstva 2a záznamové vrstva £ jsou naneseny na sebe na podložce 2 vezmíněném pořadí. Optické záznamové médium 1 podle vynálezu můžemít například jinou strukturu, v níž je ochranná vrstva vytvo-řena nikoliv mezi podložkou 2 a záznamovou vrstvou £, ale pou-ze. na povrchu záznamové vrstvy £, nebo strukturu, v níž ochran-ná vrstva 3,, záznamová vrstva £ a ochranná vrstva 2. jsou super-ponovány na podložce 2. v tomto sleduo Odrazová vrstva £ a/nebovysokoteplotní vodivá vrstva mohou být vytvořeny na povrchuvsstvy 2., jak je znázorněno na obr. 2, nebo na ochranné vrstvě vytvořené na záznamové vrstvá £„ V příkladných provedeních z obr. 1 a 2 je znázorněno optic-ké záznamové médium 1, které je vytvořeno tak, že paprsek energie, například paprsek laseru, dopadá ze směru šipky &amp; a, měří se změny aptických vlastností světla odraženého do opačného smě- ru· V těchto příkladných provedeních pracuje ochranná vrstva 3, která je vložena mezi podložku 2, a záznamovou vrstvu £ ta- ké jako zesilovací vrstva pro zesílení změn optických vlastností,,
Materiál podložky 2 nemusí být zvláštním materiálem, alevýhodné je použití transparentního materiálu. Jak anorganickémateriály, jako je sklo nebo hliník, tak organické materiály,jako polymetylmetakrylát, polykarbonát, polymerová směs polykar-bonátu a polysterénu a kopolymer etylencykloolefinu, jako ty po-psané v americkém patentu čo 4 814 778, včetně kopolymerů etylénus 1, 4, 5, 8-dimetano-l, 2, 3, 4, 4a, 5, 8, 8a-oktahydronaftalénuči tetracyklododecénu, kopolymery etylénu s 2-metyl-l, 4, 5, 8-dimeta-no-1, 2, 3» 4, 4a, 5» 8, 8a-oktahydronaftalénu či metyltetracyklodo-decénu a kopolymery etylénu se 2-etyl-l, 4, 5» 8-dimetano-l, 2, 3» 4, 4a, 5» 8, 8a-oktahydronaftalénu či etyltetracyklododecénu, poly-4-metyl-l-penténu, epoxidové pryskyřice, polyetersulfonu, polyeteri-midu, kopolymerů etylén tetracyklododecénu, jsou používány ja k·podložky 2.
Materiál záznamové vrstvy 4 nemusí být zvláštním materiálem,ale když je záznamová vrstva 4 vytvořena jako magnetickooptická,je výhodné, obsahuje-li alespoň jeden ze skupiny 3d přechodovýchkovů a alespoň jeden prvek zvolený ze vzácných zemních kovů nebov dalším provedení alespoň jeden zvolený z 3d přechodových kovů a alespoň jeden prvek zvolený ze vzácných zemních kovů a jedenprvek zvolený z vůči korozi odolných kovů# Železo, kobalt, titan, vanad, chróm, nikljř: měň nebo zinekse používají jako 3d přechodové kovy,, Výhodné jsou železo a ko-balt nebo oba dva» Vůči korozi odolné kovy zvyšují odolnost záznamové vrstvyvůči kyselinám» Platina, paladium, titan, zirkon, tantal, molyb-den, nebo podobné se používají jako vůči korozi odolné kovy0Výhodné jsou zvláště platina, paladium nebo titan a nejvýhod-nější jsou platina, paladium nebo oba»
Gadolínium, terbium, dispozium, hclmium, erbium, thulium,yterbium, lutecium, lanthan, cér, praseodym, neodym, proměthdum,samarium nebo auropium se používají jako vzácné zemní prvky a vý-hodné jsou zejména gadolinium, terbium, disproziua, holmium, ne-odym, samarium nebo praseodym»
Když je záznamová vrstva jiná než magneticko optická, napří-klad záznamová vrstva se změnou fáze, je sestavena ze slitinovétenké vrstvy zahrnující jako hlavní složku telur nebo selen adále tenkou vrstvu ze slitiny teluru, germania a antimonu, xsxx případně tenkou vrstvu ze slitiny teluru, germania a chrómu, pří-tenkou pádně vrstvu z teluru, termania a zinku, případně tenkou vrstvuz teluru, antimonu a india, nebo podobně»
Materiál odrazové vrstvy znázorněný na obr, 2, takénení omezený. Lze použít například slitiny niklu, mající te-plotní vodivos 2 J/cm.SoK, platinu, jejíž teplotní vodivostje 0,71 J/cm.SoK, paladium, jehož teplotní vodivostje 0,78 J/cm.s.K, titan, jehož teplotní vodivost je 0,22 J/cm.SoK, kobalt, jehož teplotní vodivost je 0,99 J/cm.SoK, zirkon, jehož teplotní vodivost je 0,23 J/cm.SoK, případně slitiny těchto kovů»
Hliníkové slitiny, jako je slitina hliníku a hafnia, sli-tina hliníku, hafnia a titanu, slitina hliníku, chrómu a titanu,slitina hliníku a niobu, slitina hliníku, chrómu a hafnia, sli-tina hliníku, titanu a niobu, slitina hliníku, hořčíku a hafnia,slitina hliníku, hořčíku a titanu, slitina hliníku, hořčíku ahafnia, slitina hliníku, hořčíku, titanu a hafnia a slitina hliníku,hořčíku a chrómu, se používají jako vysoce tepelně vodivé vrstvy®Obsah kovů jiných než hliník v těchto slitinách je s výhodou 10procent atomové hmotnosti nebo méně®
Ochranná vrstva £ optického záznamového média 1, podle vyná-lezu je sesta véna z tenké vrstvy zahrnující alespoň křemík, chroma dusík. Atomový poměr těchto prvků je představován následujícím vzorcem (Sil—xc 0Γχ)1-ν H v - 10 -
Kde χ splňuje podmínku 0,05 “X “0,4, s výhodou Ql^x .^.0,3a y splňuje podmínku C)/.y^-Qí9 a s výhodou 0,01~y^0^ a ještěvýhodněji 0,2-^y érO,57. Ochranná vrstva i, zahrnující křemík,chrom a dusík v tomto rozsahu, má vysoký ochranný účinek, žádnépraskliny a vyšší optický zesilovací účinek než ochranná vrstvanemající žádný chrom0 Navíc tato ochranná vrstva umožňuje vy-tvářet vrstvu za použití stejnosměrného reaktivního napraševání,která xsxakx nebyla používána pro vytvoření tenké vrstva nitri-du křemíku nezahrnující žádný chrom. Výsledkem toho je zlepšenípracovní účinnosti vytváření ochranné vrstvy Záznamová vrstva £ podle vynálezu má tloušťku s výhodou od5 do 500 am, ještě výhodněji od 10 do 200 no. Ochranná vrstva Jpodle vynálezu má tloušťku s výhodou od 5 do 500 nm, ještě; vý-hodněji od 10 do 300 nm. Způsob vytváření ochranné vrstvy napaíla^ve 2. nebo záznamové vrstvy £ bude popsán v následujícím.
Ochranná vrstva 2 podle vynálezu může být vytvořena reaktiv-ním naprašováním, to jest vysokofrekvenčním reaktivním naprašová-ním či stejnosměrným reaktivním naprašováním směísi s chromovýchčástic na křemíku neb© slitinou křemíku a chrómu v atmosféře smě-si plynů, složené z inzertního plynu a dusíku Ng. Výhodné je je-stliže ©chranná vrstva je vytvořena reaktivním naprašováním sli-tiny křemíku a kovů, majícího menší relativní elektrický odpor,například chrómu, v atmosféře smíšených plynů, složené z inXerníh© 11 plynu a dusíku, kde reaktivní naprašování je s výhodou provádě-no použitím stejnosměrného proudu. Stejnosměrné reaktivní napra-vování je výhodnější něž vysokofrekvenční naprašování pokud jdeo rychlost nanášení vrstvy a pracovní účinnosto Helium, neon»argon, krypton nebo podobně se používají jako in/ertní plyn, při-čemž nejvýhodnější je argon. Způsobem podle vynálezu se stabilnístejnosměrné naprašování provádí použitím slitiny křemíku a chró-mu nebo podobně» Toto může být v důsledku toho, ža doutnavý výbojje stabilizován použitím kovu, majícího menší specifický elektric-ký odpor.
Poměr inertního plynu a dusíku při reaktivním naprašovánípro vytváření ochranné vrstvy je 9 1 až O : 10, s výhodou 7 t 3 až 2 : 8. Záznamová vrstva £ je vytvořena na ochranné vrstvě 2. vytvo-řené na podložce 2 v jednom příkladném provedení tohoto vynálezu#Podle vynálezu je ochranná vrstva J. také vytvořena na záznamovévrstvě £, vytvořené na podložce 2» nebo je také vytvořena na zá-znamové vrstvě která je vytvořena na podložce 2, mající na so-bě ochrannou vrstvu. Navíc může být na povrchu záznamové •Čstvy £nebo ochranné vrstvy vytvořena odrazová vrstva
Podle vynálezu je možné získat optické záznamové médium ma-jící ochrannou vrstvu 3, která má výtečné účinky optického zesílení,vysokou odolnost vůči korozi a žádné prasklinky, poněvadž ve své o-chranné vrstvě zahrnuje kromě křemíku a dusíku i chróm. 12
Podle vynálezu může být ochranné vrstva 2. vytvořena na záznamovévrstvě £ nebo na podložce 2 použitím stejnosměrného reaktivníhonaprašovéní, které by nemohlo být použito pro vytvoření tenkévrstvy křemíkodusíkové bez přídavku chrómu vzhledem k používáníslitinového terčíku křemíkochromového typu jako katody. Výsledkemtoho je, že pracovní účinnost se velmi zvýší»
Vynález bude detailněji popsán podle následujících příkladů.Je však třeba poznamenta, že vynález není žádným způsobem omezenna tyto příklady. Příklad 1 :
Ochranná vrstva 2. zahrnující křemík, chrom a dusík a majícítloušíku asi 100 nm byla vytvořena na kopolymerové podložce ety~lentetracyklododecénu reaktivním naprašováním směsi z částečekchrómu na křemíku, a t© vysokofrekvenčním výkonem 500 W v atmo-sféře směsi plynů argonu 20 SCCM a dusíku Ng 20 SCCM při tlaku0,2 Pa. Atomový poměr křemíku a chrómu byl 67 : 33· Dále byla naochranné vrstvě stejnosměrným magnetronovým rozprašováním za pod-mínek 20 až 50°C a v argonové atmosféře o tlaku 1,33-10-5 Pa vy-tvořena záznamová vrstva s terbia, železa a kobaltu o tloušíceasi 100 nm. Optické záznamové médium 1 bylo získáno vytvořenímochranné vrstvy 2. křemíku, chrómu a dusíku o tloušlce asi 100 nmna záznamové vrstvě?£ týmž způsobem, jaký byl popsán výše. Testživotnosti tohoto optického záznamového média 1 byl proveden je-ho umístěním v atmosféře při 85°C a relativní vlhkosti 85 % nadobu 1 000 hodin. Koercitivní síla se v průběhu testu nemění. 13
S
Optická konstanta a výledek testu na praskliny této ochran-né vrstvy jsou naznačeny v tabulce 1* Optická konstanta ochrannévrstvy byla odměřena elipsometrem při vlnové délce 839 nm0 Testna praskliny ochranné vrstvy vytvořené na podložce byl provedenpřed vytvořením následné záznamové vrstvy a ochranné vrstvy0
Tabulka δ. 1 :
Index lomu Praskliny na vrstvě Příklad 1 2o2 0 Příklad 2 2o2 0 Příklad 3 2O2 0 Srovnávací příklad 2 2O2 X Srovnávací příklad 3 2©2 X Srovnávací příklad 4 2o0 X Srovnávací příklad 5 2©1 X Srovnávací příklad 6 1.9 X Srovnávací příklad 7 2©2 X Srovnávací příklad 7 2©2 X
Ve sloupci praskliny vrstvy O znamená, že nebyly zjištěny žádnépraskliny -a x znamená, že se ve vrstvě objevily praskliny© Příklad 2 :
Optické záznamové médium 1 bylo získáno vytvořením ochrannýchfilmů z křemíku, chrómu a dusíku jak na podložce 2, tak na zázna-mové vrstvě £ tímtéž způsobem, jak bylo popsáno v příkladu 1, s výjimkou toho, že na místě katody byl použit sintrující slitinovýterčík z křemíku a chrómu při chrómu 20 a tm %o Atomový poměr kře-míku a chrómu v ochranných vrstvách byl 80 : 100. 14
Koercitivní síla Hc se v testu životnosti podobném příkladu1 neměnila* Optická konstanta ochranné vrstvy 2 a výsledek tes-tu na praskliny jsou rovněž uvedeny v tabulce 1.
Referenční příklad : Před vytvářením optického záznamového média 1 byly provedenynásledující testy týkající se stejnosměrného reaktivního napra-šování·
Test 1 : po vyčerpání komory na tlak nižší než 1,33.10-3 Pabylo provedeno stejnosměrné reaktivní naprašovéní, přičemž se ja-ko katody použilo slitinového, 101,6 mm velikého terčíku z křemí-ku a chrómu ve složení křemík 80, chrom 20, s přiloženým stejno-směrným výkonem 300 Vž v atmosféře směsi plynů, a to argonu 20 SCCM a a dusíku 20 SCCM. Bylo zjištěno, aby doutnavý vývoj byl za těchtopodmínek stabilní*
Test 2 : dále poté co se tlak v komoře vrátil na hodnotu ataosférického tlaku zavedením vzduchu do něj a byl opět pod hodnotou1,33.10-3 Pa, bylo provedeno stejnosměrné reaktivní naprašovénízpůsobem podobným, jako byl popsán výše. Opět bylo zajištěno, abydoutnavý výboj byl stabilní* Příklad 3 :
Po vyčerpání komory na tlak pod 1,33.10-3 Pa bylo provedenostejnosměrné reaktivní naprašovéní za použití slitinového terčíku 15 z křemíku a chrómu při složení křemík 80, chrom 20 a velikosti101,6 mm jako katody s přiloženým stejnosměrným výkonem 300 Wv atmosféře ze směsi plynů, a to argonu 20 SCCM a dusíku 20 SCCMo tlaku 0,2 Pa pro uložení ochranné vrstvy 2 z křemíku, chrómu adusíku o tlousrce přibližně 100 nm na kopolymerovou podložku etyl-entefcracyklododecénuo Dále byla na ochranné vrstvě J vytvořena stejnosměrným magne-tronovýa napravováním slitinového terčíku z tybia, železa a kobal-tu za teploty 20 až 50°C a tlaku l,33®10-5 Pa v argonové atmosféřezáznamová vrstva 4 z železa a kobaltu s tloušťkou asi 100 nmo Pakse získalo optické záznamové médium 1 vytvořením ochranné vrstvy 2z křemíku, chrómu a dusíku vťLoušíce a si 100 nm na záznamové vr-stvě £ podobně, jak bylo popsáno výše» Atomový poměr křemíku achrómu ochranné vrstvy 2 byl 80 : 20»
Bylo^f zajištěno, aby doutnavý výboj byl stabilní v průběhuukládání ochranné vrstvy» Koercitivní síla Hc se v průběhu testuživotnosti podobně jako u příkladu 1 neměnila,, Optická konstantaochranné vrstvy a výsledek teatu na praskliny jsou rovněž uvedenyv tabulce 1. Příklady 4 až 9 :
Optické záznamové médium 3. bylo získáno tímtéž způsobem jakov příkladu 3, ale rychlost toku směsi plynů argonu a dusíku bylaměněna» — 16 a
Rychlost toku plynů, rychlost vy tváření?* každá optická kon- stanta ochranných vrstev J, jsou vyjmenovány v tabulce 2* • Tabulka So 2 : Terčík Výkon Plyn Rychlost Index Praskliny (Wss) (SCCti) nanášení lomu na vrstvě Ar N2 vrstvy Příklad 4 Si8oCr2o (slitinový terčík) 300 20 20 105 2*2 0 Příklad 5 tentýž 300 36 4 128 3o7 0 Příklad 6 tentýž 300 28 12 121 2.7 0 Příklad 7 tentýž 300 24 16 109 2*3 0 Příklad 8 tentýž 300 16 24 97 2*3 0 Příklad 9 tentýž 300 12 28 72 2*2 0 Ve sloupci praskliny vrstvy 0 znamená , že nebyly zjiš tšny žádné praskliny*
Srovnávací příklad 1 :
Vytváření ochranné vrstvy J, bylo zkoušeno za použití pouze kře-míkového terčíku jako katody, a to za těchže podmínek jako v příkladu3, ale výboj nebyl stabilní a ochranné vrstva 2 nemohla být vytvořena*
Srovnávací příklad 2 :
Optické záznamové médium 1 bylo získáno vytvořením ochrannýchvrstev 3 jak na podložce 2, tak na záznamové vrstvě 4 za těch pod- 17 jako v příkladu 1, s výjimkou toho, že se použila směs» kde nakřemíkové® terčíku byly uloženy částice ? molybdenu,. Výsledek jenaznačen v tabulce 1.
Srovnávací příklad 3 :
Optické záznamové médium 1 bylo získáno vytvořením ochran-ných vrstev 2 na podložce 2 i na záznamové vrstvě 4 za těchžepodmínek jako u příkladu 1, s výjimkou toho, že se použila směs,kde na křemíkovém terčíku byly uloženy Částice neodymu. V^Ledekbyl zaznamenán v tabulce 1.
Srovnávací příklad 4 :
Optické záznamové médium 1 bylo získáno vytvořením ochran-ných vrstev 3 jak na podložce 2., tak na záznamové vrstvě 4 zatěchže podmínek jako v příkladu 1, s výjimkou toho, že se použi-la směs, kde na křemíkovém terčíku byly uloženy částice týbia.Výsledek je uveden v tabulce 1.
Srovnávací příklad 5 :
Optické záznamové médium 1 bylo získáno vytvořením ochran-ných vrstev 2. jak na podložce 2, tak na záznamové vrstvě 4 zatěchže podmínek jako v příkladu 1, s výjimkou toho, že byl po-užit křemíkový terčík, na němž byly uloženy částice gadolínia»Výsledek je naznačen v tabulce 1. — 18 —
Srovnávací přiklad 6 :
Optické záznamové médium 1 bylo získáno vytvořením ochran-ných vrstev 2 jak πθ podložce 2, tak na záznamové vrstvě J. zatěchže podmínek jako v příkladu 1, s výjimkou použití složenéhoterčíku, kde na křemíkovém terčíku byly uloženy částice kobaltUoVýsledek je zaznamenán v tabulce 1.
Srovnávací příklad 7 :
Optické záznamové médium 1 bylo získáno vytvořením ochran-jak ných vrstev na podložce 2., tak na záznamové vrstvě £ za těchžepodmínek jako v příkladu 1, s výjimkou použití složeného terčí-ku, kde na křemíkovém terčíku byly uloženy částice tybia. Ato-mový poměr křemíku a tybia v ochranné vrstvě byl 69 : 31« Vý-sledek je zaznamenán v tabulce lo
Srovnávací příklad 8 :
Optické záznamové médium 1 bylo získáno vytvořením ochran-ných vrstev 2. jak na podložce 2, tak na záznamové vrstvě £ zatěchže podmínek jako v příkladu 1, s výjimkou použití sleženéhoterčíku, kde na křemíkovém terčíku byly uloženy částice zirkonu.Atomový poměr křemíku a zirkonu v ochranné vrstvě 2 byl 92 _£ 8oVýsledek byl zaznamenán v tabulce 1.
Je zjištěno, že ochranné vrstvy 3 v příkladech 1 až 3 majíméně případů prasklin než ty ve srovnávacích příkladech 1 až 8 19 a mají vysoký lom a jsou použity buS pro ochrannou vrstvunebo optickou zesilovací vrstvu,.

Claims (5)

  1. v-- 4:'/Μ?TTift-':;“Uv*Vj./í-V··- ·,· - 20 PATENTOVÉ ' v· ’.: 1' i '.' // < -;'J ‘ j ·/ >1
    1. Optické záznamové medium, obsahující podložku, záznamovouvrstvu uspořádanou na podložce a ochrannou vrstvu,vyznačující se tím , že reaktivně napařenáochranná vrstva je uspořádána na světlo odrážející straněa/nebo na světlo propouštějící straně záznamové vrstvy,přičemž ochranná vrstva obsahuje alespoň křemík, chroma dusík.
  2. 2. Optické záznamové medium podle nároku 1, vyznačují-cí se tím , že poměr atomů křemíku a chrómuobsažených v ochranné vrstvě je vyjádřen vzorcem Si - Cr ., 7 “ X * kde x splňuje podmínku 0,05<x<0,4.
  3. 3. Optické záznamové medium podle nároku 1 nebo 2, vyzna-čující se tím , že záznamová vrstva sestává z magneticko-optické záznamové vrstvy s jednoosou magnetickouanisotropií kolmou k povrchu vrstvy vytvářející záznamovouvrstvu.
  4. 4. Optické záznamové medium podle kteréhokoliv z nároků 1 až 3,vyznačující se tím , že záznamová vrstvasestává z vrstvy o tloušťce od 5 do 500 nm obsahujícízáznamový materiál.
  5. 5. Způsob výroby optického záznamového media, vyznaču-jící se tím , že na podložku a/nebo záznamovouvrstvu se nanese ochranná vrstva tak, že se připraví katoda,obsahující slitinový terč z křemíku a alespoň jednoho prvku,vybraného ze skupiny kovových, polokovových a polovodivýchprvků, který má menší specifický elektrický odpor než křemíka potom se provede stejnosměrné magnetronové napařování v atmosféře směsi plynů, která obsahuje alespoň některýinertní plyn a dusík.
CS901635A 1989-04-06 1990-04-03 Optical recording medium and process for producing thereof CS163590A3 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1087306A JPH02265051A (ja) 1989-04-06 1989-04-06 光記録媒体
JP1087307A JPH02265052A (ja) 1989-04-06 1989-04-06 光記録媒体の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS163590A3 true CS163590A3 (en) 1992-06-17

Family

ID=26428598

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS901635A CS163590A3 (en) 1989-04-06 1990-04-03 Optical recording medium and process for producing thereof

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP0391423A3 (cs)
KR (1) KR900016972A (cs)
CN (1) CN1046226A (cs)
CA (1) CA2013867A1 (cs)
CS (1) CS163590A3 (cs)
RU (1) RU1838830C (cs)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2254620B (en) * 1991-03-25 1994-10-05 Kobe Steel Ltd Manufacturing method of magnetic disk
US5328813A (en) * 1992-06-30 1994-07-12 The Dow Chemical Company Method for the preparation of optical recording media containing overcoat
US6660451B1 (en) * 1999-06-18 2003-12-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium
TW527592B (en) 2001-03-19 2003-04-11 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Optical information recording media, and the manufacturing method and record regeneration method of the same
JP4198918B2 (ja) * 2002-02-14 2008-12-17 日鉱金属株式会社 硫化亜鉛を主成分とするスパッタリングターゲット及び該スパッタリングターゲットの製造方法
TW200401237A (en) * 2002-07-05 2004-01-16 Lintec Corp Laminate sheet, laminate sheet roll, and producing methods therefor
JP2005251279A (ja) 2004-03-03 2005-09-15 Nec Corp 光学的情報記録媒体及びその製造方法
CN101794598A (zh) * 2010-01-27 2010-08-04 东莞宏威数码机械有限公司 单面双层光盘及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1046226A (zh) 1990-10-17
KR900016972A (ko) 1990-11-15
CA2013867A1 (en) 1990-10-06
EP0391423A3 (en) 1991-08-28
EP0391423A2 (en) 1990-10-10
RU1838830C (ru) 1993-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0406569B1 (en) Optical recording medium
US5738765A (en) Magneto-optic memory device
JP2551403B2 (ja) 光磁気記録素子
CS163590A3 (en) Optical recording medium and process for producing thereof
EP0327257B1 (en) Magneto optic recording medium with silicon carbide dielectric
JPH0325737A (ja) 光磁気記録媒体
US4640860A (en) Optical recording coating
EP0410575B1 (en) Magneto optic recording medium with hydrogenated silicon carbide dielectric
US5019462A (en) Sheet-like, multilayer magneto-optical recording material
JPH02265052A (ja) 光記録媒体の製造方法
JP2558011B2 (ja) 磁気光学記憶媒体
EP0388852B1 (en) Magneto-optical recording medium and process for production of the same
JPH02265051A (ja) 光記録媒体
JPH02105351A (ja) 光記録媒体
JPH0461045A (ja) 光磁気記録媒体
JPH02261822A (ja) 光記録媒体およびその製造方法
KR100194131B1 (ko) 광학 기록 매체
EP0275189B1 (en) Stable magneto optic recording medium
JPH02128346A (ja) 光磁気デイスク
JPH02260253A (ja) 光記録媒体およびその製造方法
JP2743088B2 (ja) 光磁気記録素子
JP3205921B2 (ja) 光磁気記録媒体
JPS62298954A (ja) 光磁気デイスク
KR100209583B1 (ko) 단파장용 광자기 디스크
JPH04263143A (ja) 光磁気記録媒体