CS205863B1 - Placing element on the plast carrier with increased output load - Google Patents
Placing element on the plast carrier with increased output load Download PDFInfo
- Publication number
- CS205863B1 CS205863B1 CS209079A CS209079A CS205863B1 CS 205863 B1 CS205863 B1 CS 205863B1 CS 209079 A CS209079 A CS 209079A CS 209079 A CS209079 A CS 209079A CS 205863 B1 CS205863 B1 CS 205863B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- plastic carrier
- lead
- chip
- thermally
- conductive material
- Prior art date
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- -1 covar Substances 0.000 claims description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- OLXNZDBHNLWCNK-UHFFFAOYSA-N [Pb].[Sn].[Ag] Chemical compound [Pb].[Sn].[Ag] OLXNZDBHNLWCNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
Vynález se týká vsazovací součástky na pomocném plastovém nosiči vytvořené z konvenčního čipu polovodiče propojeného volnými vodiči se souborem vývodů umožňující zvětšení výkonového zatížení součástky při montáži do hybridního integrovaného obvodu.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an insertion component on an auxiliary plastic carrier formed from a conventional semiconductor chip interconnected by free conductors with a plurality of terminals to increase the power load of the component when mounted in a hybrid integrated circuit.
Zhotovení hybridních integrovaných obvodů podle přesných požadavků zákazníka vyžaduje použít součástek, u kterých jsou předem známy elektrické vlastnosti a/nebo které lze v průběhu výrobních operaci změřit. Pasivní části hybridního integrovaného obvodu tvořené Vodivou sítí spojů, resistory, kondenzátory, izolačními vrstvami lze poměrně dohře měřit a jejich vlastnosti se obvykle při montážních operacích nemění. Podobný požadavek je kladen i na polovodičové vsazovací součástky, u kterých je potenciálně větší nebezpečí změny elektrických vlastností jak při montáži do hybridního integrovaného obvodu, tak horším odvodem tepla při provozu. Proto v minulosti byly vyvinuty vsazovací součástky lišící se konstrukčně svou strukturou i upravenými vývody a dnes známé jako čip s nosníkovými vývody, lícní čip, čip v miniaturním keramickém nebo plastovém pouzdru, čip na plastovém transportním nosiči s upravenými výstupními elektrodami z čipu nebo upravenými výstupky na plastovém' nosiči obecně známé jako technologie TAB (Tápe Automated Bonding). Technologie TAB splňuje požadavky zvětšeného výkonového zatížení vsazovací součástky i automatizovaného měření a montáže do hybridního integrovaného obvodu, na druhé straně vyžaduje konstrukční úpravy jednotlivých čipů včetně souboru vývodů a nelze ji použít zcela obecně pro libovolný typ pasivní nebo aktivní vsazovací součástky hybridního integrovaného obvodu. Uvedené nedostatky jsou odstraněny konstrukcí vsazovací součástky podle vynálezu.Manufacturing hybrid integrated circuits to customer's exact requirements requires the use of components for which electrical properties are known in advance and / or can be measured during manufacturing operations. The passive parts of the hybrid integrated circuit, consisting of a conductive network of connections, resistors, capacitors, insulating layers, can be relatively well measured and their properties usually do not change during assembly operations. A similar requirement is placed on semiconductor inserts, where there is a potentially greater risk of changing electrical properties both when mounted in a hybrid integrated circuit and inferior heat dissipation during operation. In the past, inset components have been developed which differ in their structure and modified outlets and are now known as a chip with beam outlets, a face chip, a chip in a miniature ceramic or plastic case, a chip on a plastic transport carrier with modified output electrodes from the chip, or plastic carrier commonly known as TAB (Automated Bonding) technology. TAB technology meets the increased power load requirements of the inserter as well as automated measurement and assembly to the hybrid integrated circuit, on the other hand, requires the design of individual chips, including the pin set, and cannot be used generally for any type of passive or active hybrid integrated circuit inset. These drawbacks are overcome by the construction of the insert member according to the invention.
Předmětem vynálezu je vsazovací součástka na plastovém nosiči se zvětšeným výkonovým zatížením, vytvořená jako koncepční čip, připojená na chladič v sestavě souboru vývodů integrálně spojený s transportním plastovým nosičem a propojeňý se souborem vývodů volnými vodiči, vyznačená tím, že pod připojeným čipem je v plastovém nosiči okénko vyplněné tepelně a elektricky vodivým materiálem tvořícím spojení mezi čipem a podložkou hybridního integrovaného obvodu, přičemž soubor vývodů je připojen k vodivé síti hybridního integrovaného obvodu hromadným svářením případně pájením.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is a plug-in component on a plastic carrier with increased power load, formed as a conceptual chip, connected to a heat sink in an array of terminal assemblies integrally coupled to a transport plastic carrier and interconnected with the array of terminals by free conductors. a window filled with thermally and electrically conductive material forming the connection between the chip and the hybrid IC circuit board, the set of terminals being connected to the hybrid integrated circuit conductive network by mass welding or soldering.
Vsazovací součástka konstruovaná podle vynálezu je znázorněna v jedné variantě na obr. 1 a v druhé variantě na obr. 2.The insertion member constructed in accordance with the invention is shown in one variation in Fig. 1 and in a second variation in Fig. 2.
Konvenční čip polovodiče 1 vyráběný v neomezeném sortimentu typů jako konstrukčně nej jednodušší provedení polovodičové součástky je připojen na chladič 11 v souboru vývodů 3 integrálně spojených s transportním plastovým nosičem 4. Elektrody čipu polovodiče 1 jsou propojeny volnými vodiči 2 se souborem vývodů 3 a celek takto vzniklé vsazovací součástky je povrchově chráněn ochrannou vrstvou 5. V transportním plastovém nósiiči 4 pod připojeným čipem 1 je vytvořeno volné okénko 6, které je vyplněno tepelně a elektricky vodivým materiálem. Tepelně a elektricky vodivý materiál je hutný kov, například měď, nikl, kovar, ocel případně pájka cín, olovo nebo cín, olovo, stříbro. . V další alternativě může být tepelně a elektricky vodivým materiálem termosetlcká látka s plnidlem například zlata, stříbra, niklu, železa, wolframu, molybdenu, tantalu, olova, cínu.A conventional semiconductor chip 1 manufactured in an unlimited range of types as the simplest construction of the semiconductor component is connected to a heatsink 11 in a set of terminals 3 integrally connected to a transport plastic carrier 4. The electrodes of the semiconductor chip 1 are connected by free conductors 2 to the set of terminals 3 and the whole The insertion part is surface-protected by a protective layer 5. In the transport plastic carrier 4 below the connected chip 1, a free window 6 is formed which is filled with thermally and electrically conductive material. The thermally and electrically conductive material is a dense metal, for example copper, nickel, covar, steel or solder tin, lead or tin, lead, silver. . In another alternative, the thermally and electrically conductive material may be a thermosetting agent with a filler, for example gold, silver, nickel, iron, tungsten, molybdenum, tantalum, lead, tin.
Vsazovací součástka je připojena k podložce 9 hybridního Integrovaného obvodu tepelně a elektricky vodivým materiálem 7, soubor vývodů 3 k vodivé síti 8 hybridního integrovaného obvodu hromadným pájením nebo svářením v místě 10. Jiná varianta pro zvětšení výkonové zatížitelnosti vsazovací součástky na pomocném plastovém: nosiči je znázorněna na obr. 3, kde chladič v sestavě souboru vývodů na plastovém nosiči má tvar misky 13, ve které je namontován čip polovodiče připojený výše popsaným způsobem.The insertion member is connected to the hybrid integrated circuit mat 9 by a thermally and electrically conductive material 7, a set of terminals 3 to the conductive network 8 of the hybrid integrated circuit by mass soldering or welding in place 10. Another variant for increasing the load capacity of the insertable component on an auxiliary plastic: Fig. 3, wherein the heat sink in the terminal assembly on the plastic carrier has the shape of a cup 13 in which a semiconductor chip mounted in the manner described above is mounted.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS209079A CS205863B1 (en) | 1979-03-29 | 1979-03-29 | Placing element on the plast carrier with increased output load |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS209079A CS205863B1 (en) | 1979-03-29 | 1979-03-29 | Placing element on the plast carrier with increased output load |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS205863B1 true CS205863B1 (en) | 1981-05-29 |
Family
ID=5356975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS209079A CS205863B1 (en) | 1979-03-29 | 1979-03-29 | Placing element on the plast carrier with increased output load |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS205863B1 (en) |
-
1979
- 1979-03-29 CS CS209079A patent/CS205863B1/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4763188A (en) | Packaging system for multiple semiconductor devices | |
| US4941033A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| US5942795A (en) | Leaded substrate carrier for integrated circuit device and leaded substrate carrier device assembly | |
| EP0117111B1 (en) | Semiconductor device assembly | |
| US4296456A (en) | Electronic package for high density integrated circuits | |
| US5521429A (en) | Surface-mount flat package semiconductor device | |
| US6538313B1 (en) | IC package with integral substrate capacitor | |
| US4783697A (en) | Leadless chip carrier for RF power transistors or the like | |
| KR100628286B1 (en) | Electronic module with canopy carrier | |
| EP0498412A1 (en) | Semiconductor device including a package having a plurality of bumps arranged in a grid form as external terminals | |
| US20050011672A1 (en) | Overmolded MCM with increased surface mount component reliability | |
| US7342300B2 (en) | Integrated circuit incorporating wire bond inductance | |
| GB2035701A (en) | Flat package for integrated circuit devices | |
| KR920001691A (en) | Zero Power IC Module | |
| US20050173796A1 (en) | Microelectronic assembly having array including passive elements and interconnects | |
| IE53953B1 (en) | Packages for enclosing semiconductor elements | |
| EP0700086A2 (en) | Integrated circuit package with improved heat dissipation | |
| US6115255A (en) | Hybrid high-power integrated circuit | |
| US4910584A (en) | Semiconductor device | |
| EP0031240B1 (en) | An electrical component comprising semiconductor chips | |
| US4731700A (en) | Semiconductor connection and crossover apparatus | |
| US6198166B1 (en) | Power semiconductor mounting package containing ball grid array | |
| US7102211B2 (en) | Semiconductor device and hybrid integrated circuit device | |
| KR100675030B1 (en) | Integrated circuit package | |
| CS205863B1 (en) | Placing element on the plast carrier with increased output load |