CS228212B1 - Způsob výroby jednovrstvých keramických kondenzátorů - Google Patents
Způsob výroby jednovrstvých keramických kondenzátorů Download PDFInfo
- Publication number
- CS228212B1 CS228212B1 CS174781A CS174781A CS228212B1 CS 228212 B1 CS228212 B1 CS 228212B1 CS 174781 A CS174781 A CS 174781A CS 174781 A CS174781 A CS 174781A CS 228212 B1 CS228212 B1 CS 228212B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- ceramic capacitors
- layer ceramic
- dielectric
- single layer
- layer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
Způaob výroby jednovrstvových keramických kondenzátorů spočívá v tom, íe dielektrikum se pokryje v mlatech požadovaných mezer ochrannou lakovou vrstvou odolnou proti aktivačním, opiechovým a pokovovacím lázním. Potom následuje bezproudové pokovení. Izolační mezery na celé pokovené ploše se vytvoří rozpuštěním pokovené ochranné lakové vrstvy v rozpouštědle.
Description
Vynález se týká způsobu výroby keramických kondenzátorů, u nichž se vytvoří mezi elektrodami v jedné vrstvě izolační mezery rozpuštěním pokovené ochranné laková vrstvy v rozpouštědle.
Základní funkce keramického kondenzátorů - kapacity - je vytvořena na keramickém dielektriku elektrodami, které jsou vzájemně odděleny izolačními mezerami. V současná době nejvíce používanou technologii vytváření elektrod jednovrstvových keramických kondenzátorů je nanáSení stříbřících suspenzí a následná vypalování kovových nánosů. Izolační mezery vznikají na dielektrikéch buá již při nanáSení kovových suspenzí na plochy tvořící elektrody sítotiskem, StStcem, stříkáním přes masku apod. nebo celoploSnS pokovené keramické desky se řezají diamantovými nástroji a izolační mezeru tvoří potom tloušťke dielektrika.
Technologie řezání pokovených desek je aplikovatelná na výrobu keramických kondenzátorů i při způsobu vytváření elektrod bezproudovým pokovením, například mSdSním nebo niklováním. Touto technologií jsou dnes vyráběny pravoúhlé fóliová jednovrstvá kondenzátory. Náhrada deficitního stříbra obecnými kovy, jako mš<f, nikl u jiných konstrukcí keramických kondenzátorů, např. trubkových, diskových, průchodkových a jiných provedení bezproudovým pokovením dosud naráží na problém vhodného způsobu vytvoření izolační mezery.
NanáSení suspenzí kovů ne dielektrika s následným výpalem je prakticky nepoužitelná, poněvadž vyžaduje redukční nebo inertní atmosféru, při které dochází u větěiny dielektrik - izolantů - ke změnám, které mají za následek vznik polovodiváho stavu. Uvedený nedostatek odstraňuje způsob výroby podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že dielektrikum se pokryje v místech požadovaných izolačních mezer ochrannou lakovou vrstvou odolnou proti aktivačním, oplachovým a pokovovacím lázním, potom se bezproudově pokoví, načež se vytvoří mezi elektrodami na celá pokovené ploSe izolační mezery rozpuštěním pokovené ochranné lakové vrstvy v rozpouštědle.
Vyšší účinek způsobu výroby jednovrstvových keramických kondenzátorů podle vynálezu proti dosavadnímu stavu techniky spočívá v možnosti vytváření nepokovenáho povrchu na keramice v libovolném tvaru. Takto upravená dielektrika lze následně bezproudově pokovit. Pokovená vrstva laku se odstraní rozpouštěním ve vhodném rozpouštědle, např. líh, aceton, čímž se dosáhnou velmi čistá izolační mezery na dielektriku mezi oběma elektrodami. Tímto způsobem lze vytvářet nepokovený povrch keramiky libovolného tvaru.
Vynález umožňuje aplikaci technologie vytváření elektrod bezproudovým pokovením u jednovrstvých keramických kondenzátorů trubkové, disková nebo jiná konstrukce, kde nelze použít technologii řezání celoplošně pokoveného dielektrika.
Způsob výroby keramických kondenzátorů podle vynálezu je objasněn na následujícím příkladu.
Keramické dielektrikum tvaru disku nebo trubky se opatří v místě požadovaných izolačních mezer polyvinylbutyralovým lekem. Po jeho zaschnutí se na celý povrch dielektrika bezproudově nanese vrstva mědi potřebné tloušťky. Odstranění měděného povlaku v místech izolačních mezer se provede vložením pokovených dielektrik do etylalkoholu, ve kterém se rozpustí pokovená vrstva laku, čímž se získají čistá nepokovené izolační mezery. Další zpracování takto získaných pokovených dielektrik je prováděno běžným způsobem.
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZUZpůsob výroby jednovrstvových keramických kondenzátorů, vyznačený tím, že dielektrikum se pokryje v místech požadovaných izolačních mezer ochrannou lakovou vrstvou odolnou proti aktivačním, oplachovým a pokovovacím lázním, potom se bezproudová pokoví, načež se vytvoří mezi elektrodami na celé pokovené ploáe izolační mezery rozpuSténím pokovené ochranné lakové vrstvy v rozpouStédle.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS174781A CS228212B1 (cs) | 1981-03-10 | 1981-03-10 | Způsob výroby jednovrstvých keramických kondenzátorů |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS174781A CS228212B1 (cs) | 1981-03-10 | 1981-03-10 | Způsob výroby jednovrstvých keramických kondenzátorů |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS228212B1 true CS228212B1 (cs) | 1984-05-14 |
Family
ID=5352628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS174781A CS228212B1 (cs) | 1981-03-10 | 1981-03-10 | Způsob výroby jednovrstvých keramických kondenzátorů |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS228212B1 (cs) |
-
1981
- 1981-03-10 CS CS174781A patent/CS228212B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4336100A (en) | Method of production of electrically conductive panels and insulating base materials | |
| US2585752A (en) | Production of discontinuous, conducting coatings upon insulating surfaces | |
| KR20010015364A (ko) | 외부 단자 전극 구비 전자 부품 및 그 제조 방법 | |
| EP0591198A1 (en) | PROCESS FOR COATING A DIELECTRIC CERAMIC PART. | |
| US3202591A (en) | Method of making an electric circuit structure | |
| GB1568941A (en) | Method of providing printed circuits | |
| US2793178A (en) | Method of providing insulator with multiplicity of conducting elements | |
| WO2022150274A1 (en) | Multilayer ceramic capacitor having ultra-broadband performance | |
| US3984290A (en) | Method of forming intralayer junctions in a multilayer structure | |
| JP7462846B2 (ja) | 超広帯域性能を有する積層セラミックコンデンサ | |
| JPH04221867A (ja) | セラミック圧電変換器ディスク及びその製造法 | |
| ATE242820T1 (de) | Verfahren zum herstellen von metallisierten substratmaterialien | |
| US3679472A (en) | Method for bonding a metal pattern to a substrate | |
| US2821013A (en) | Metal coating and method of making the same | |
| US3487522A (en) | Multilayered thin-film intermediates employing parting layers to permit selective,sequential etching | |
| US3409466A (en) | Process for electrolessly plating lead on copper | |
| US20040027769A1 (en) | Method of electroless plating and ceramic capacitor | |
| JPH04202672A (ja) | セラミック電子部品用電極の形成方法 | |
| FR2498873A1 (fr) | Procede de fabrication de circuits imprimes | |
| JPS6032340B2 (ja) | 磁器コンデンサの製造方法 | |
| JPS6295894A (ja) | スル−ホ−ル基板の製造方法 | |
| KR20010073610A (ko) | 이엠아이(emi)차폐막 제조 방법 | |
| US3934985A (en) | Multilayer structure | |
| JPS62250179A (ja) | セラミツクス上への表面処理方法 | |
| CS260879B1 (cs) | Způsob výroby jednovrstvých keramických kondenzátorů diskového tvaru |