CS228786B1 - Způsob krystalografického orientování opticky jednoosých objemových monokrystalů - Google Patents
Způsob krystalografického orientování opticky jednoosých objemových monokrystalů Download PDFInfo
- Publication number
- CS228786B1 CS228786B1 CS801382A CS801382A CS228786B1 CS 228786 B1 CS228786 B1 CS 228786B1 CS 801382 A CS801382 A CS 801382A CS 801382 A CS801382 A CS 801382A CS 228786 B1 CS228786 B1 CS 228786B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- axis
- crystal
- orientation
- growth
- monocrystals
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 36
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 4
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005162 X-ray Laue diffraction Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- AWJDQCINSGRBDJ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Ta] Chemical compound [Li].[Ta] AWJDQCINSGRBDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000834 fixative Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Vynélez se týká způsobu krystalografického orientování opticky jednoosých objemových monokrystalů pro následné zpracování těčhto krystalů na součástkové aplikace.
Je známo, že nejrozšířenějěí a obecný způsob orientování, to je určování krystalografických os, je Laueho metoda ne základě rentgenové difrakce. Přes svou univerzálnost je rentgenové orientování zdlouhavé a náročné nejen na pracovní čas, ale i ne přístrojové vybavení, fotometeriál a elektrickou energii. Mimoto u opticky jednoosých monokrystalů se střední krystalovou symetrií, které mají poměrně složitou krystalovou strukturu, jsou snímky pořízené Laueho metodou nepřehledné a obtížně interpretovatelné. často vykazují pseudosymetrie a jejich jednoznačné vyhodnocení je z hlediska požadavků na odbornost a čas néročné. Vzhledem k tomu, že při orientování rentgenovým zářením se používají dlouhodobé expozice při velkých intenzitách, je nutné dbát zvýšené bezpečnosti práce.
Výše uvedené nedostatky odstraňuje podle vynálezu způsob krystelograflckého orientování opticky jednoosých objemových monokrystalů s osou růstu kolmou na optickou osu. Podstata vynálezu spočívá v tom, že se krystal nastaví do rovnoběžného světelného svazku mezi zkřížené polaroidy osou růstu souose s tímto svazkem a otáčením krystalu kolem této osy se nastaví jedna ze čtyř poloh zhéěení krystalu, přičemž krystalografické osa totožné s optickou osou se pak určí jako směr kolmý ne osu růstu a ležící v té polarizační rovině, která má definovaný vztah k vnějšímu habitu krystalu.
Jelikož orientování v polarizovaném světle je úlohe s dvojím řeěením e orientování z habitu v případě jednoosých monokrystalů s osou růstu kolmou na optickou osu má obecně rovněž dvojí řešení, představuje způsob orientování podle vynálezu kombinaci dvojznačných úloh s jednoznačným řešením.
22Θ7Θ6
Výhodou způsobu krystalografického orientování opticky jednoosých objemových monokrystalů podle vynélezu je, že celý pracovní postup vyžaduje pouze jednoduSe upravený polarizační mikroskop, případně podobné optické zařízení, s fixačním přípravkem pro justeci krystalu a pro jeho následné přenesení v orientované poloze k delšímu zpracování. Tím odpadá nákladné přístrojové vybavení, které vyžaduje dosavadní rentgenové metoda.
Významnou výhodou je odstranění rizikovosti prací související s rentgenovým zářením, přičemž navíc dochází k úspoře fotamateriálu a elektrické energie. Vzhledem k tomu, že celý pracovní postup je velmi rychlý, jednoduchý bez zvléštních nároků na odbornost obsluhy a přitom zcela spolehlivý, dosahuje se úspory pracovního času a odborné kapacity.
Způsob krystalografického orientování opticky jednoosých objemových monokrystalů s osou růstu kolmou na optickou osu bude následovně blíže popsán v příkladovém provedení s pomocí připojených vyobrazení, kde obr. 1 znázorňuje označení význačných krystalografických směrů v trigonélních krystalech, obr. 2a znázorňuje habitus vrchní kuželové čésti krystalu tenteličněnu lithného ve směru osy X β obr. 2b znázorňuje habitus válcové části stejného krystalu, obr. 3a a obr. 3b znázorňují dvě možnosti rozmístění růstových ívů vzhledem k ose g krystalu tantaličnanu lithného, taženého ve směru osy ž·
Způsob krystalografického orientování opticky jednoosých objemových monokrystalů podle vynélezu bude znázorněn na příkladu trigonélního krystalu tantaličnanu lithného. Pro popis jeho orientace se užívá ortogonální systém os X, Y, £, který je ne obr. 1 zakreslen v hexegonélní soustavě s osami ap &%> £3 8 £1 kde £ je hlavní trigonélní osa totožná a optickou osou a s osou Z ortogonálního systému.
Krystal tantaličnanu lithného, tažený ve směru osy 2, se umístí do rovnoběžného svazku světla mezi zkřížené polaroidy s osou růstu rovnoběžně se svazkem světle. K tomu účelu se použije polarizační mikroskop v uspořádání ne průchod e s vyřazenou zvětšovací optikou.
K fixaci krystalu se použije přípravek umožňující jeho justaci a přenos v orientované poloze. Otáčením krystalu kolem oay růstu se nastaví libovolné ze čtyř poloh zhášení; tím jsou určeny dva navzájem kolmá směry, z nichž jeden je hledaná osa £.
Způsob, jakým lze nesprávný způsob vyloučit, vychází z habitu krystalu. Objemový monokrystal tantaličnanu lithného tažený metodou Czochralakého mé tvar válce, ukončeného dvěma kužely. Povrch válcové části i kuželů bývá hladký s více, či méně patrnými růstovými rysy.
Z nich jsou pro potřebu daného orientování nejdůležltějěí růstové švy, které jsou projevem snahy krystalu o vývin přirozených krystalových tvarů. Vyskytují ae na povrchových přítokách kuželové i válcové čésti, přičemž pro určitý směr tažení je jejich počet a rozložení charakteristické. V případě tažení ve směru g je rozložení na povrchu vrchní kuželové čésti krystalu,znázorněno na obr. 2a a na válcové čésti na obr. 2b. Hlavní švy procházejí kuželovou 1 válcovou částí krystalu a jsou označeny na obr. 2a, 2b a déle 3a, 3b jako g, vedlejší švy, označené, n^ obr. 2a a déle 3a, 3b jako gg ee vyskytují pouze na jeho kuželové části.
Ose £ je od roviny procházející hlavními švy odkloněna přibližně o 33° buá v kladném či záporném smyslu. Úloha určení osy g pouze z habitu je tedy dvojznačné a navíc nepřesné, avěak lze ji využít k nutnému vyloučení nesprávného směru dvojznačného řešení nalezeného pozorováním při otáčení v polarizovaném světle.
Spojení obou metod, to je orientování v polarizovaném světle a známého vztahu habitu krystalu vůči ose g, vede k jednoznačnému určení krystalografického ortogonálního systému.
Po výše popsaném nastavení krystalu tantaličnanu lithného v polarizační· mikroskopu či podobném optickém zařízení do jedné ze čtyř libovolných poloh zhášení se tato poloha porovná s rozmístěním hlavních růstových švů. Osa g je pek určena směrem kolmým ne svazek světla a ležícím v té polarizační rovině, které má od roviny procházející hlavními švy odchylku rovnou přibližně úhlu 33°.
Schéma určení osy Z při kladné odchylce je znázorněno na obr. 3β, a při záporné odchylce na obr. 3b. Symboly Pl a P£ na obr. 3a a 3b znázorňují polarizační roviny obou zkří ženýeh polaroidů a alfa je úhel přibližně 33°. Takto neorientovaný krystal tantaličnanu lithného je připraven k fixaci a přenosu k dalšímu zpracování, to je řezání pro součástkovou aplikaci.
Podobným způsobem jako va výěe popsaném příkladovém provedení se postupuje i u jiných opticky jednoosých monokrystalů s osou růstu kolmou na optickou osu, pokud to definovaný vztah optické osy k habitu krystalu dovolí.
Claims (1)
- Způsob krystalografického orientování opticky jednoosých objemových monokrystalů s osou růstu kolmou na optickou osu, vyznačený tím, že se krystal nastaví, do rovnoběžného světelného svazku mezi zkřížené polaroidy osou růstu souose s tímto svazkem a otáčením krystalu kolem této osy se nastaví jedna ze čtyř poloh zháiení krystalu, přičemž krystalografické osa totožné s optickou osou se pak určí jako směr kolmý na osu růstu a ležící v té polarizační rovině, které mé definovaný vztah k vnějšímu habitu krystalu.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS801382A CS228786B1 (cs) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | Způsob krystalografického orientování opticky jednoosých objemových monokrystalů |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS801382A CS228786B1 (cs) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | Způsob krystalografického orientování opticky jednoosých objemových monokrystalů |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS228786B1 true CS228786B1 (cs) | 1984-05-14 |
Family
ID=5430172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS801382A CS228786B1 (cs) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | Způsob krystalografického orientování opticky jednoosých objemových monokrystalů |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS228786B1 (cs) |
-
1982
- 1982-11-10 CS CS801382A patent/CS228786B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Xuong et al. | Strategy for data collection from protein crystals using a multiwire counter area detector diffractometer | |
| Belouet et al. | X-ray topographic study of defects in KH2PO4 single crystals and their relation with impurity segregation | |
| Harding et al. | The crystal structure of insulin: II. An investigation of rhombohedral zinc insulin crystals and a report of other crystalline forms | |
| Williams et al. | The crystallography of the β-α transformation in titanium | |
| Kinsland et al. | Strength of MgO and NaCl polycrystals to confining pressures of 250 kbar at 25 C | |
| North et al. | A semi-empirical method of absorption correction | |
| Dolino et al. | Stress-induced “3-q”-“1-q” incommensurate phase transition in quartz | |
| Nakahigashi et al. | Crystal structure of antiferromagnetic NiO determined by X-ray topography | |
| MacGillavry et al. | On the Patterson transforms of fibre diagrams | |
| Hope | Polarization factor for graphite X-ray monochromators | |
| US2430969A (en) | Process and apparatus for orienting crystals | |
| Freeman et al. | The structure and Bijvoet ratios of cadmium selenide | |
| Maiwa et al. | Observation of screw and mixed dislocations in barium nitrate crystals by means of birefringence and x-ray topography | |
| Capelle et al. | Characterization of dislocations in protein crystals by means of synchrotron double-crystal topography | |
| Wunderlich et al. | Interference microscopy of crystalline high polymers. Determinations of the thickness of single crystals | |
| Milch et al. | The indexing of single-crystal X-ray rotation photographs | |
| Walford et al. | The use of x-ray topography for the observation and characterization of gross imperfections in sapphire single crystals | |
| Kitago et al. | Semi-automated protein crystal mounting device for the sulfur single-wavelength anomalous diffraction method | |
| Willems et al. | Oriented overgrowth of paraffin wax crystals on spherulites of polyethylene | |
| SU977990A1 (ru) | Способ подготовки образцов дл исследовани их кристаллической структуры | |
| Armstrong et al. | Crystal subgrain misorientations observed by X-ray topography in reflection | |
| Stowell | Internal strains in kink bands in silver chloride crystals | |
| Steiner et al. | Diffraction imaging (topography) with monochromatic synchrotron radiation | |
| Matthews et al. | Climb trails at dislocations in gadolinium gallium garnet (Gd3Ga5O12) | |
| Gunter et al. | EXCALIBR revisited |