CS230514B1 - Raising process of mercuriciodide crystal and ampoule toperform this method - Google Patents
Raising process of mercuriciodide crystal and ampoule toperform this method Download PDFInfo
- Publication number
- CS230514B1 CS230514B1 CS367782A CS367782A CS230514B1 CS 230514 B1 CS230514 B1 CS 230514B1 CS 367782 A CS367782 A CS 367782A CS 367782 A CS367782 A CS 367782A CS 230514 B1 CS230514 B1 CS 230514B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- section
- crystal
- ampoule
- crystals
- temperature
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000003708 ampul Substances 0.000 title claims description 10
- 229960003671 mercuric iodide Drugs 0.000 title claims description 7
- YFDLHELOZYVNJE-UHFFFAOYSA-L mercury diiodide Chemical compound I[Hg]I YFDLHELOZYVNJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 title claims description 7
- QKEOZZYXWAIQFO-UHFFFAOYSA-M mercury(1+);iodide Chemical compound [Hg]I QKEOZZYXWAIQFO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 14
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims description 5
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 claims 1
- 210000001161 mammalian embryo Anatomy 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- PRZLIHOGWOTIQA-UHFFFAOYSA-N mercury(i) iodide Chemical compound I1=[Hg]2I=[Hg]21 PRZLIHOGWOTIQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 4
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000012364 cultivation method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 240000005979 Hordeum vulgare Species 0.000 description 1
- 235000007340 Hordeum vulgare Nutrition 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005501 phase interface Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu pěstování krystalů jodidu rtutnatého zadaného tvaru a ampule k provádění tohoto způsobu.The invention relates to a method for growing mercury iodide crystals of a given shape and an ampoule for carrying out the method.
V souvislosti s rostoucím využitím jaderné energie stoupá i význam detektorů ionizují čího záření, které nalézají stále širší uplatnění v otázkách bezpečnosti práce a ochrany životního prostředí. Nároky na technické parametry detekčních materiálů se neustále zvyšují a používané materiály a přístroje stále rychleji zastarávají. Jednu z nejdůležitějších skupin detektorů tvoří v současné době krystalové detektory, a to zejména detektory scintilační a vodivostní. U scintilačních detektorů vzniká působením ionizujícího záření luminiscence, u vodivostního typu dochází ke změně vodivosti daného materiálu působením ionizu jícího záření.In connection with the increasing use of nuclear energy, the importance of detectors of ionizing radiation is increasing, and they are finding an increasingly widespread application in the field of occupational safety and environmental protection. Demands on the technical parameters of detection materials are constantly increasing and the materials and instruments used are becoming increasingly outdated. One of the most important detector groups is currently crystal detectors, especially scintillation and conductivity detectors. In the case of scintillation detectors, luminescence is produced by the effect of ionizing radiation, in the conductivity type, the conductivity of the material is changed by the effect of ionizing radiation.
Z detekčních krystalů vodivostního typu jsou v současné době předmětem největšího zájmu germánium, křemík, telurid kadmia a nízkoteplotní, to je tetragonální modifikace jodidu rtutnatého. Přes některé výhody germánia a křemíku převládá pro většinu technických aplikací základní společné nevýhoda obou těchto materiálů spojené s nutností jejich chlazení. Ostatní uvedené materiály tuto nevýhodu nemají. Nejzajímavější z nich je jodid rtutnatý, který díky vysokým atomovým číslům své kationtové a aniontové složky, v důsledku povahy vazeb v krystalové mřížce a vlivem dalších činitelů, vykazuje ve své nízkoteplotní, to je tetragonální modifikaci, fyzikální vlastnosti, které ho činí z hlediska detekce ioni zujícího zářeni ze všech známých materiálů nejperspektivnější.Of the conductive-type detection crystals, germanium, silicon, cadmium telluride and low-temperature, i.e., tetragonal modifications of mercuric iodide, are currently of greatest interest. Despite some of the advantages of germanium and silicon, the major common disadvantage of both materials associated with the need to cool them prevails for most technical applications. The other materials mentioned do not have this disadvantage. The most interesting of these is mercury iodide, which, due to the high atomic numbers of its cationic and anionic components, due to the nature of the bonds in the crystal lattice and other factors, exhibits in its low-temperature, tetragonal modification, the physical properties that make it the most promising of all known materials.
Jakost detekčních elementů vyrobených z krystalů jodidu rtutnatého je však značně kolísavé, a proto i nadále je dávána přednost detekčním elementům z teluridu kadmia a jiných materiálů s horšími,, avšak lépe reprodukovatelnými funkčními vlastnostmi.However, the quality of the detection elements made of mercury (I) iodide crystals is highly volatile, and therefore the detection elements of cadmium telluride and other materials with inferior but better reproducible performance remain preferred.
Systematickým studiem uvedeného problému bylo zjištěno, že příčinou kolísavé jakosti, respektive ěpatné reprodukovatelnosti technických parametrů krystalů a detekčních elementů z jodidu rtutnatého je nevhodný způsob jejich přípravy. Během dosavadního způsobu pěstování jodidu rtutnatého a během úpravy vypěstovaného krystalu na detekční elementy dochází k jejich krystalografickému, fyzikálnímu a chemickému narušování, která se projevuje zejména degradací jakosti funkčních ploch detektoru určených pro nanesení nebo připojení elektrod. Následkem toho dochází ke zhoršování jakosti daného detekčního elementu a jeho technické parametry nejsou dobře reprodukovatelné. Dalším ověřováním bylo zjištěno, že jakost krystalů jodidu rtutnatého vypěstovaných z roztoku, není pro detekční účely vyhovující .a že pro uvedené aplikace přicházejí v úvahu pouze způsoby pěstování těchto krystalů z plynné fáze.A systematic study of this problem has revealed that the reason for the fluctuating quality or poor reproducibility of the technical parameters of crystals and detection elements of mercury iodide is the unsuitable method of their preparation. During the present method of mercury iodide cultivation and during the cultivation of the grown crystal to the detection elements, their crystallographic, physical and chemical disturbance occurs, which is manifested mainly by degradation of the quality of the functional surfaces of the detector intended for the application or connection of electrodes. As a result, the quality of the detection element deteriorates and its technical parameters are not well reproducible. Further verification has revealed that the quality of the mercury (I) iodide crystals grown from solution is not satisfactory for detection purposes, and that only gas phase cultivation methods of these crystals are suitable for said applications.
Krystaly jodidu rtutnatého jsou pěstovány z plynné fáze buá ve formě velkých objemo-:· * vých krystalů, které je třeba opracovat na destičkové funkční elementy menších rozměrů, nebo ve formě spontánně vzniklých malých a tenkých destiček, jejichž větší plochy, k nimž jsou pak připojeny elektrody, jsou vždy jen krystalografickými plochami (001) a jsou kolmé J na krystalogryfickou osu C. Hlavní nevýhodou velkých objemových krystalů jodidu rtutnatého je nutnost, jejich opracování, během něhož dochází k degradaci technických parametrů vzniklých detekčních elementů. Nevýhodou spontánně vzniklých tetragonélních destiček je hlavně nemožnost zvětšovat jejich čelní plochy, nezávisle na jejich tlouštce a nemožnost zadání jiné, než spontánně vznikající krystalografické orientace. Pro řadu aplikací je výhodnější, když čelní plochý detekčních elementů, k nimž jsou připojeny elektrody, mají jinou krystalografickou orientaci než (001), například (100) nebo (110) a je mnohem výhodnější, když jsou se směrem hlavní krystalografické osy C rovnoběžné, nebo zaujímají s ní zadaný šikmý směr, například úhel 45°.Mercury iodide crystals are grown from the gas phase either in the form of large volumetric crystals, which need to be worked into smaller functional plate elements or in the form of spontaneously formed small and thin plates, the larger areas of which are then attached electrodes are always by crystallographic faces (001) and perpendicular to J krystalogryfickou axis C. the main disadvantage of a large volume of mercuric iodide crystals is the necessity of machining during which degrades the technical parameters of the resulting detector element. The disadvantages of the spontaneously formed tetragonal plates are mainly the inability to enlarge their faces, irrespective of their thickness, and the impossibility of assigning other than spontaneously arising crystallographic orientations. For many applications, it is preferable that the front flat detecting elements to which the electrodes are connected have a different crystallographic orientation than (001), for example, (100) or (110), and are more preferably parallel to the direction of the principal crystallographic axis C, or occupy a specified oblique direction, such as an angle of 45 °.
Další zjištěnou nevýhodou při pěstování krystalů jodidu rtutnatého z plynné fáze je nemožnost vytváření stejnosměrného a zadaného ostrého teplotního gradientu na ploše růstu krystalů, to je na rozhraní krystalové a plynné fáze. U dosavadních způsobů pěstování objemových nebo spontánních krystalů jodidu rtutnatého nelze též zabránit turbulentnímu nebo jinak nepravidelnému proudění plynné fáze v okolí plochy růstu krystalu, jež vede k fluktuacím teploty na rostoucí ploše krystalu a je jednou z dalších příčin snížené jakosti detekčního elementu.Another disadvantage found in the cultivation of mercury (i) iodide crystals from the gas phase is the impossibility of producing a direct and specified sharp temperature gradient on the crystal growth area, i.e. at the interface of the crystal and gas phases. In the prior art methods for growing bulk or spontaneous mercury iodide crystals, the turbulent or otherwise irregular flow of the gas phase around the crystal growth area, which leads to temperature fluctuations on the growing crystal area, cannot be prevented and is one of the other causes of reduced quality of the detection element.
Z provedeného rozboru je zřejmé, že detekční elementy z jodidu rtutnatého reprodukovatelné a špičkové jakosti lze získat jedině z monokrystalů vypěstovaných přímo v zadaném tvaru, rozměrech a krystalografické orientaci, které nevyžaduji následné mechanické opracování funkčních ploch.From the performed analysis it is clear that mercury iodide detection elements of reproducible and top quality can be obtained only from single crystals grown directly in the specified shape, dimensions and crystallographic orientation, which do not require subsequent mechanical processing of functional surfaces.
Tyto požadavky splňuje a uvedené nedostatky odstraňuje způsob pěstování krystalů jodidu rtutnatého z plynné fáze a ampule k provádění tohoto způsobu podle vynálezu. Podstatou .These requirements are met, and the above-mentioned drawbacks are eliminated by the process of growing mercury (I) iodide crystals from the gas phase and the ampoule for carrying out the process according to the invention. The essence.
vynálezu, že vlastní růst krystalů jodidu rtutnatého, které se pěstují s výhodou na krystalograficky orientovaných zárodcích, které rostou ve směrech (001), (100) nebo (110) a odchylkou plus 45° nebo 45° minus a růst je řízen posuvem úseku s gradientem rovným rozdílu 4 teplot Tg a T^ rychlostí 0,1 až 5 mm za hodinu, přitom výchozí surovina se nachází v oblasti s teplotou T0 rovnou 106 °C až 126 °C a rostoucí krystal se nachází v oblasti s teplotou rovnou 85 °C až 125 °C. Ampule pro pěstování krystalů jodidu rtutnatého podle tohoto způsobu je tvořena ze tří úseků, z prvního úseku pro krystalový zárodek, který má tvar jehlanu nebo kužele s obdélníkovým, případně elipsovitým průřezem, který může být ještě seškrcen, z druhého úseku pro pěstovaný monokrystal, který má tvar hranolu, přičemž poměr jeho tlouštky a šířky je 1 až 200 a délka úseku je 3 až 200 mm a ze třetího úseku pro výchozí surovinu, který má tvar válcový, hranolovitý nebo kulový, přitom vnitřní stěna ampule je případně opatřena grafitovou nebo teflonovou nebo silikonovou vrstvou.of the invention that the intrinsic growth of mercury iodide crystals, which are grown preferably on crystallographically oriented seeds that grow in directions (001), (100) or (110) and a deviation of plus or minus 45 ° or 45 °, and growth is controlled by gradient equal to a difference of temperatures T 4 and T ^ g rate of 0.1 to 5 mm per hour while the feedstock is located in the region with the temperature T 0 of 106 ° C to 126 ° C, and the growing crystal is located in the area having a temperature equal to 85 ° C to 125 ° C. The ampoule for the cultivation of mercury iodide crystals according to this method consists of three sections, a first crystal seed section having a pyramidal or conical shape with a rectangular or elliptical cross-section which may still be strangled, and a second single crystal section having a the shape of the prism, the ratio of its thickness and width being 1 to 200 and the length of the section is 3 to 200 mm and the third section for the starting material, which is cylindrical, prismatic or spherical, the inner wall of the vial optionally provided with graphite or teflon or silicone layer.
Pro vlastní způsob pěstování krystalů jodidu rtutnatého podle vynálezu je charakteristický ostrý gradient teploty na rozhraní plynné a krystalické fáze. Teplotní průběh po délceThe actual cultivation of the mercury (I) iodide crystals according to the invention is characterized by a sharp temperature gradient at the gas-crystalline phase interface. Temperature curve along the length
2305H katalyzátoru je charakterizován dvěma, prakticky teplotně bezgradientovými oblastmi, kde v úseku bezgradientové oblasti nižěí teploty se nachází vypěstovaná část krystalu, v úseku bezgradientové oblasti vySSí teploty je umístěna Výchozí surovina a v úseku gradientu teploty se nachází fronta krystalizace, Ampule pro pěstování krystalů podle uvedeného způsobu může být skleněná, teflonové nebo křemenná a z hlediska vynálezu je nejpodstatnější geometrické řešení druhého úseku této ampule. Tento úsek vymezuje zadaný geometrický tvar pro pěstovaný krystal s ohledem na tvar budoucího detekčního elementu. Jeho tvar odpovídá poměru tloušťky a šířky budoucího detekčního elementu a jeho délka odpovídá minimálně délce budoucího detekčního elementu.The 2305H catalyst is characterized by two virtually temperature-free gradients, where the cultivated portion of the crystal is located in the non-gradient lower region, the starting material is located in the non-gradient region, and the crystallization queue is located in the gradient gradient. The method of the present invention may be glass, teflon or quartz, and from the point of view of the invention, the geometric solution of the second section of the vial is essential. This section defines a given geometric shape for the grown crystal with respect to the shape of the future detection element. Its shape corresponds to the ratio of thickness and width of the future detection element and its length corresponds at least to the length of the future detection element.
Na přiloženém obrázku je znázorněno uspořádání ampule podle vynálezu. Úsek J. pro krystalový zárodek mé tvar jehlanu s elipsovitým průřezem a je v místě 1 seškrcen. Úsek 2 pro pěstovaný monokrystal vymezuje geometrický tvar hranolu pro pěstovaný krystal, přičemž poměr tloušťky a šířky je 1 až 200 a délka úseku 2 odpovídá minimálně délce budoucího detekčního elementu.The enclosed figure shows an ampoule arrangement according to the invention. The crystal section J of my pyramid shape has an elliptical cross-section and is strangled at 1. The cultured single crystal section 2 defines the geometric shape of the cultured crystal prism, wherein the thickness-to-width ratio is 1 to 200 and the length of the section 2 corresponds at least to the length of the future detection element.
Úseky 1 a í vyznačují část ampule, ve které narůstá pěstovaný krystal jočidu rtuťnatého zadaného tvaru, rozměrů a případně i zadané krystalografické orientace. Úsek i vyznačuje část ampule s krystalografickým zárodkem tvořeným samovolně v zadaném gradientu teplota Ta - Tb nebo vloženým krystalovým zárodkem zadané krystalografické orientace (001) plus, minus 90°. V některých případech jé výhodné, aby úsek 1 byl seškrcen, jak ukazuje místo A, z důvodu eliminování parazitních krystalických zárodků. Z hlediska vynálezu je podstatné geometrické řešení úseku 2· Úsek 2 vymezuje pro rostoucí krystal zadaný geometrický tvar, to je zajišťuje žádoucí poměr tloušťky, šířky a délky budoucího detekčního elementu a současně zamezuje turbulenci plynné fáze na fázovém rozhraní růstu krystalu. Délka úseku £ odpovídá minimálně ječné délce budoucího detekčního elementu, pro většinu případů je však výhodnější, když tato délka odpovídá nejméně dvojnásobku délky budoucího detekčního elementu. Geometrický tvar úseku J pro výchozí surovinu, není již z hlediska vynálezu tak významný, může být třeba válcového tvaru, jako je běžné u jiných způsobu pěstování krystalů z plyn né fáze.Sections 1 and 1 designate the portion of the vial in which the cultured mercury iodide crystal of the specified shape, dimensions, and possibly the specified crystallographic orientation grows. Section i indicates a portion of the vial with a crystallographic nucleus formed spontaneously in a specified temperature gradient T a - T b or an embedded crystalloid of a specified crystallographic orientation (001) plus, minus 90 °. In some cases, it is preferred that section 1 be strangled, as shown by site A, to eliminate parasitic crystalline seeds. From the point of view of the invention, the geometrical solution of section 2 is essential. Section 2 defines a given geometric shape for a growing crystal, that is to say a desirable ratio of thickness, width and length of the future detection element while avoiding gas phase turbulence. The length of the section 6 corresponds to at least the barley length of the future detection element, but in most cases it is preferable that this length corresponds to at least twice the length of the future detection element. The geometric shape of the feedstock section J is no longer so significant in terms of the invention, a cylindrical shape may be required, as is common with other gas phase crystal cultivation methods.
Příklad provedení:Example:
Ve skleněné evakuované nebo teflonové ampuli ve tvaru podle přiloženého obrázku, kde úsek £ byl dlouhý 10 mm, úsek byl dlouhý 50 až 100 mm, široký 15 až 40 mm a vymezoval pro krystal tlouštku 1 až 5 mm, byla v úseku J umístěna surovina - jodid rtuťnatý. Ampule byla umístěna do krystalizátoru, který zajišťoval v úseku J teplotu 106 až 126 °C a v úseku 1 teplotu 85 až 1 25 °C a který umožňoval posuv rozdílu teplot od úseku J. směrem k úseku J rychlostí 0,1 až 5 mm za hodinu. V úseku i byl buň předem umístěný krystalový zárodek z jodidu rtuťnatého nebo se v úseku 1 vytvořil tento zárodek samovolně během průchodu rozdílu teplot Ta a Tb> Jakmile krystal jodidu rtuťnatého v úseku 2 dosáhl délky 5 až 100 mra, byl krystalizační proces zastaven postupným ochlazením celého objemu ampule na pokojovou teplotu. Vypěstovaný krystal pak byl z ampule vyjmut, buě odleptáním skleněné ampule, nebo vyjmutím po jejím otevření. V některých případech bylo výhodné, když vnitřní povrch ampule byl pokryt tenkou vrstvou pyroliticky vytvořeného grafitu nebo teflonu. Uvedeným způsobem vyrobený krystal jodidu rtuťnatého byl přímo použit k výrobě elementu pro detekci ionizujícího záření a ukázalo se, že příslušný detektor vykazuje reprodukovatelně vždy lepší technické vlastností, než detektory připravené buě z jiných monokrystalů, nebo z monokrystalů jodidu rtuťnatého vyrobeného jiným způsobem.In a glass evacuated or teflon ampoule shaped as shown in the accompanying drawing, where the section 8 was 10 mm long, the section was 50-100 mm long, 15-40 mm wide, and defined a thickness of 1 to 5 mm for the crystal, mercuric iodide. The ampoule was placed in a crystallizer which provided a temperature of 106-126 ° C for section J and 85-125 ° C for section 1 and allowed the temperature difference from section J to be shifted towards section J at a rate of 0.1 to 5 mm beyond hour. In section i, the cell was pre-positioned with a mercury iodide crystal seed or formed in section 1 spontaneously during the temperature difference T a and T b> When the mercury iodide crystal in section 2 reached a length of 5 to 100 mra, the crystallization process was stopped cooling the entire ampoule volume to room temperature. The grown crystal was then removed from the vial, either by etching the glass vial, or by removing it after opening. In some cases, it was preferred that the inner surface of the vial was coated with a thin layer of pyrolytically formed graphite or teflon. The mercuric iodide crystal produced by this method was directly used to produce the ionizing radiation detecting element and it has been shown that the respective detector always has a reproducibly better technical performance than detectors prepared either from other single crystals or from mercuric iodide single crystals produced by another method.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS367782A CS230514B1 (en) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | Raising process of mercuriciodide crystal and ampoule toperform this method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS367782A CS230514B1 (en) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | Raising process of mercuriciodide crystal and ampoule toperform this method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS230514B1 true CS230514B1 (en) | 1984-08-13 |
Family
ID=5377532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS367782A CS230514B1 (en) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | Raising process of mercuriciodide crystal and ampoule toperform this method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS230514B1 (en) |
-
1982
- 1982-05-19 CS CS367782A patent/CS230514B1/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Brice et al. | Crystal growth | |
| Glen et al. | The growth and deformation of ice crystals | |
| Nitsche | Crystal growth and electro‐optic effect of bismuth germanate, Bi4 (GeO4) 3 | |
| Feigelson | The relevance of small molecule crystal growth theories and techniques to the growth of biological macromolecules | |
| EP0123809B1 (en) | Process for growing a large single crystal from multiple seed crystals | |
| Valčić | The influence of dislocations on the growth rate of saccharose crystals | |
| Holden | Growth and crystallography of deformation of β-phase uranium single crystals | |
| Kroko | Growth studies of silicon carbide crystals | |
| US7537659B2 (en) | Method of obtaining a CdTe or CdZnTe single crystal and the single crystal thus obtained | |
| Roy et al. | Crystal growth of metastable phases | |
| Gadkari | Advances of the Vertical Directional Solidification Technique for the Growth of High Quality InSb Bulk Crystals | |
| Murthy et al. | Growth of nearly perfect LiNbO3 single crystals | |
| Malek et al. | The effect of growth rate on the defect structure and dielectric properties of tgs single crystals | |
| Ivleva et al. | The growth of multicomponent oxide single crystals by stepanov's technique | |
| Guseinov et al. | Structure and growth peculiarities of Tl1bSe1bTlInSe2 | |
| Cadoret | α-Mercuric iodide crystal growth by physical vapour transport | |
| Dev | Parameters of growth by the flow method of ZnS crystals | |
| Lilov | Study of the evaporation mechanism in silicon carbide crystals growth from vapour phase | |
| Szeles et al. | Advances in the high-pressure crystal growth technology of semi-insulating CdZnTe for radiation detector applications | |
| Kaplunov et al. | Structural defects in germanium single crystals. | |
| Kuroda et al. | Wide silicon ribbon crystals | |
| Abdullayev et al. | THE GROWTH OF α-AND B-RED MONOCLINIC SELENIUM CRYSTALS AND AN INVESTIGATION OF SOME OF THEIR PHYSICAL PROPERTIES | |
| Dvoryankin et al. | X-ray detectors based on CdZnTe crystals grown from the vapor phase | |
| Burley | Ice nucleation by photolyzed silver iodide | |
| Tanner | Dislocation-free Silver Single Crystals Grown by the Czochralski Method |