CS243358B1 - Kelímek pro pěstováni monokrystalů germanátu bizmutu - Google Patents

Kelímek pro pěstováni monokrystalů germanátu bizmutu Download PDF

Info

Publication number
CS243358B1
CS243358B1 CS851479A CS147985A CS243358B1 CS 243358 B1 CS243358 B1 CS 243358B1 CS 851479 A CS851479 A CS 851479A CS 147985 A CS147985 A CS 147985A CS 243358 B1 CS243358 B1 CS 243358B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
crucible
single crystals
bismuth germanate
growing single
radius
Prior art date
Application number
CS851479A
Other languages
English (en)
Other versions
CS147985A1 (en
Inventor
Vaclav John
Jiri Horak
Bretislav Manek
Original Assignee
Vaclav John
Jiri Horak
Bretislav Manek
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vaclav John, Jiri Horak, Bretislav Manek filed Critical Vaclav John
Priority to CS851479A priority Critical patent/CS243358B1/cs
Publication of CS147985A1 publication Critical patent/CS147985A1/cs
Publication of CS243358B1 publication Critical patent/CS243358B1/cs

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Kelímek pro pěstovaní monokrystalů germanátu bizmutu, umožňující pěstovat dlouhá a v celám objemu dokonalá monokrystaly, kde cíle je dosaženo tím, že válcový nebo mírná konický kelímek má dno ve tvaru Části kulová plochy o poloměru zakřivení χ, který odpovídá výšce svislá Části kelímku zvětšená o 5 až 35 S.

Description

Vynález ae týká kelímku pro pěstování monokrystalů geraanátu bizmutu Bl12Ge020.
Při pěstováni monokrystalů geraanátu bizmutu metodou Czocbralskiho tažením z vlastní taveniny v odporová peci ee používá pro tavení platinového kelímku válcového nebo mírně konického tvaru s plochým dnem.
Při urfiité výěce sloupce taveniny v kelímku dochází ke vzniku nestabilní růstové meslplochy, které má vlastnosti buněéné struktury a způsobuje defektní růst monokrystalu.
Ye vznikajících dutinách jsou uzavírány Inkluze, nečistoty a podobně, což vede v praxi k tomu, že značné čést monokrystalu, obvykle 1/3 až 1/2 jeho objemu je nepoužitelné pro dalží zpracování.
Tyto potíže lze odstranit použitím kelímku válcového nebo mírné konického tvaru podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že jeho dno aá tvar části kulové plochy o poloměru £, který odpovídá výěce svislé čésti kelímku, zvětéené o 5 až 35 ·.
Pro názornost je na připojeném výkrese kelímek podle vynálezu schematicky znázorněn a je zde vyznačen polomér zakřivení části kulové plochy £ a výéka χ svislé části kelímku.
Přikladl
V kelímku podle vynálezu o průměru 80 mm, výěce 80 mm se zakřivením dna o poloměru r * 90 mm pěstován metodou Czocbralskiho tažením z vlastní taveniny monokrystal germanátu bizmutu.
Byl vypěstován monokrystal o průměru 45 mm a délce 80 mm bez vad v celém jeho objemu. Bylo-li pěstováno za jinak stejných podmínek, ale z kelímku s rovným dnem, byla 1/2 monokrystalu defektní, popraskaná a nebyla použitelná pro dalěí zpracování na funkční elementy .
Příklad 2
Podobně jako v příkladu 1 byl pěstován monokrystal germanátu bizmutu, tentokráte z kelímku o průměru 100 mm, výěce 100 a· a poloměru zakřivení dna r 3 135 mm. I v tomto případě byl vypěstován jakostní monokrystal o průměru 50 mu a délce 100 mm.

Claims (1)

  1. P S E D 11 S T VYNÁLEZU
    Kelímek pro pěstování monokrystalů germanátu bizmutu válcového nebo mírně kónického tvaru, vyznačující se tím, že jeho dno má tvar části kulové plochy o poloměru zakřivení χ, který odpovídá výěce svislé části kelímku zvětéené o 5 až 35 %.
CS851479A 1985-03-04 1985-03-04 Kelímek pro pěstováni monokrystalů germanátu bizmutu CS243358B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS851479A CS243358B1 (cs) 1985-03-04 1985-03-04 Kelímek pro pěstováni monokrystalů germanátu bizmutu

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS851479A CS243358B1 (cs) 1985-03-04 1985-03-04 Kelímek pro pěstováni monokrystalů germanátu bizmutu

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS147985A1 CS147985A1 (en) 1985-08-15
CS243358B1 true CS243358B1 (cs) 1986-06-12

Family

ID=5349303

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS851479A CS243358B1 (cs) 1985-03-04 1985-03-04 Kelímek pro pěstováni monokrystalů germanátu bizmutu

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS243358B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS147985A1 (en) 1985-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Salemme A free interface diffusion technique for the crystallization of proteins for X-ray crystallography
MY104476A (en) Apparatus for manufacturing silicon single crystals.
Scalenghe et al. Large scale isolation of nuclei and nucleoli from vitellogenic oocytes of Xenopus laevis
US6210959B1 (en) Apparatus for the cultivation and concentration of non-adherent cells as well as for co-cultivation of two different cell species
US5330729A (en) Single crystal pulling apparatus
CS243358B1 (cs) Kelímek pro pěstováni monokrystalů germanátu bizmutu
Benedetti et al. Purification and characterization of Xenopus laevis topoisomerase II.
KR100582238B1 (ko) 실리콘 종결정 및 이를 이용한 실리콘 단결정 제조방법
KR20050044794A (ko) 단백질 결정화 방법
JPS63222091A (ja) シリコン単結晶引上げ用ルツボ
US3567397A (en) Apparatus for obtaining a dross-free crystalline growth melt
JPS62167284A (ja) ブリツジマン法による単結晶の製造方法及び装置
Lin et al. Dopant segregation control in Czochralski crystal growth with a wetted float
SU890146A1 (ru) Способ определени в зкости
RU2067626C1 (ru) Способ выращивания монокристаллов
KR950001794B1 (ko) 루틸(Rutile) 단결정의 제조방법
JPS623406Y2 (cs)
Frischat et al. Homogenitaet von Glaesern Experiment Wl-Ihf-05 in der D 1-Mission(Homogeneity of Glasses: Experiment Wl-Ihf-05 in D 1 Mission)
Ricard et al. Crucible for Crystallization
RU2072003C1 (ru) Тигель для выращивания монокристаллов оксидов
Fischer et al. Possibilities for physical experiments in materials science using near zero-g-conditions
KR910010169B1 (ko) 산화티타늄 단결정 육성법
JPS63307188A (ja) 単結晶の引き上げ装置
JPS54162686A (en) Preparation of oxide single crystal
JPS6136192A (ja) 単結晶製造用るつぼ