CS243414B1

CS243414B1 - Silicon disc for vidikon tubes

Info

Publication number: CS243414B1
Application number: CS8410094A
Authority: CS
Inventors: Ivo Benc; Jaroslav Kerhart; Josef Kopecky; Josef Kriz; Josef Ladner; Jaroslav Mach; Jan Urbanec; Libuse Wenigova
Original assignee: Ivo Benc; Jaroslav Kerhart; Josef Kopecky; Josef Kriz; Josef Ladner; Jaroslav Mach; Jan Urbanec; Libuse Wenigova
Priority date: 1984-12-20
Filing date: 1984-12-20
Publication date: 1986-06-12
Also published as: CS1009484A1

Abstract

Řešení se týká křemíkového terčíku pro elektronky typu vidikon ee soustavou avětlocitlivých diod, vytvořenou na základním monokrystalickén křemíku typu N a opatřeného povrchovou svodovou vrstvou, vytvářející nad diodami vsájemně odizolované ostrůvky. Účelem řešení je snížení povrchového odporu svodové vrstvy takovou úpravou, jež ty nevyžadovala tepelné zpracování negativně ovlivňující elektrické parametry terčíku. Uvedeného účelu ae doaáhne tím, že ostrůvky svodové vrstvy jsou na svém povrchu překryty kovovou nebo jinou vodivou vrstvouThe solution concerns a silicon target for vidicon type tubes with a system of photosensitive diodes, formed on a basic monocrystalline N-type silicon and provided with a surface drain layer, creating mutually isolated islands above the diodes. The purpose of the solution is to reduce the surface resistance of the drain layer by such a treatment that does not require heat treatment negatively affecting the electrical parameters of the target. The stated purpose is achieved by covering the islands of the drain layer on their surface with a metal or other conductive layer

Description

(54) Křemíkový terčík pro elektronky typu vidikon(54) Silicon target for vidicon tubes

Řešení se týká křemíkového terčíku pro elektronky typu vidikon se soustavou svčtlocitllvých diod, vytvořenou na základním monokryatalickém křemíku typu N a opatřeného povrchovou avodovou vrstvou, vytvářející nad diodami vsdjemng odisolovane ostrůvky.The present invention relates to a silicon target for vidicon tubes with a light-emitting diode array formed on a single N-type monocryatal silicon and provided with a surface and anode layer forming over the diodes all of the insulated islands.

účelem řešení je snížení povrchového odporu svodové vrstvy takovou úpravou, jež ty nevyžadovala tepelné zpracování negativně ovlivňující elektrické parametry terčíku.the purpose of the solution is to reduce the surface resistance of the leakage layer by a treatment that did not require heat treatment adversely affecting the electrical parameters of the target.

Uvedeného účelu ee dosáhne tím, že ostrůvky svodové vrstvy jsou na svém povrchu překryty kovovou nebo jinou voáivou vrstvou.This is achieved by the fact that the islands of the lead layer are covered on their surface by a metal or other free layer.

Vynál·* řeSí křeaíkový terčík pro elektronky typu vidikon, ae eoutavou světlocitlivých diod vytvořenou ne sdklednía aonokryatallckám křemíku typu N a opatřený povrchovou svodovou vrstvou >· slabi vodivého nebo polovodiváho materiálu například * polykryetellckého křešíku, vytvářející nad dlodaal jednotlivá vzájemně odizolovaná ostrůvky překrývající povrch a blízká okolí jednotlivých diod.Involves a silicon target for vidicon tubes with an electrolytic light-emitting diode formed from a non-transparent aonocrystalline N-type and provided with a surface conductive layer> · a weakly conductive or semiconductive material, for example * around each diode.

Křemíková terčíky pro elektronky typu vidikon, se soustavou světlocitlivých diod, jsou v blžnáa provedení zhotoveny tak, Se celý povrch terčíku se strany diod, jejichž hustota se obvykle pohybuje kolss 0,5 milionů diod ne 1 ca^{1 2}, je pokryt souvislou svodovou vrstvou se slabě vodivého nebo polovodiváho Materiálu.Silicon targets for Vidikon type tubes, the plurality of photosensitive diodes, in blžnáa embodiment is constructed so that the entire surface of target parties diodes whose density is usually kolss 0,500,000 diodes no 1 ^{1 2} ca, is covered by a continuous layer of the downcomer a weakly conductive or semiconductive material.

O křeaíkových terčíků, u nichž se požaduje vySěí rozlišení, ee tato souvislé povrchová svodová vrstva nahresuje systáaea ostrůvků překrývajících jednotlivá diody s oo možno největším okolí·, tvořenýa zpravidla kysličník·· křemičitým.For silicon discs for which a higher resolution is required, this continuous surface leakage layer depicts the islet systems overlapping the individual diodes with as large an environment as possible, generally consisting of silica.

Tyto ostrůvky obvykle ve tvaru čtverců se zhotoví rozleptánía souvislé povrchová svodová vrstvy. Pro vytvoření ostrůvků se z technologických i funkčních důvodů zatím používá vrstva saorfaího nebo polykrystalického křemíku.These islands, usually in the form of squares, are made by etching and a continuous surface leakage layer. For the production of islets, for both technological and functional reasons, a layer of saorpha or polycrystalline silicon has so far been used.

Nevýhodou stávajícího uspořádání je to, že vrstva naneseného polykrystalického nebo eaorfního křeaíku né při bSžnS používaných tlouSÍkéch specifický odpor vBtSÍ než 30 kfi/q.A disadvantage of the present arrangement is that the deposited polycrystalline or eaorphous silicon layer does not have a specific resistance in excess of 30 kfi / q at the commonly used thickness.

Je-li požadován nižSÍ odpor, je nutno k dotaci použít dalží tepelná operace, například dtfuse, číaž ee vSek většinou zhorSÍ zdvSrné vlastnosti diod e tím se také sníží dynamický pracovní rozsah terčíku.If a lower resistance is required, an additional heat operation, such as diffusion, must be used for the subsidy, which in turn will usually deteriorate the diode properties and thus reduce the dynamic working range of the target.

Podstat· křemíkového terčíku pro elektronky typu vidikon spočívá v toa, že ostrůvky svodová vrstvy jsou na svéa povrchu překryty kovovou nebo jinou vodivou vrstvou. Z hlediska funkce ostrůvků a z technologických důvodů je výhodná překrývající vodivá vrstva z chromniklu.The essence of the silicon target for vidicon tubes is that the islands of the lead layer are covered on their surface by a metal or other conductive layer. From the point of view of the island function and for technological reasons, an overlapping conductive layer of chromium-nickel is preferred.

Kažení podle vynálezu odstraňuje nevýhody současného uspořádání terčíku s ostrůvky tía, že uaožňuje dosáhnout požadovaného snížení povrchového odporu ostrůvků, a to pomSrnS jednoduchou technologickou operaoí, například vakuovým napařením kovu, jež neovlivňuje negativní elektrické vlastnosti terčíku.The spoilage of the present invention eliminates the disadvantages of the present arrangement of the target with islets that makes it possible to achieve the desired reduction in surface resistance of the islands by a simple technological operation, for example by vacuum metal vapor deposition, which does not affect the negative electrical properties of the target.

Příklad provedení terčíku podle vynálezu je ne připojených obrázcích. Na obr. i je řez aktivní částí terčíku a na obr. 2 je nérys části vrchní strany terčíku.An exemplary embodiment of a target according to the invention is shown in the accompanying drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of the active portion of the target; and FIG.

V uvedením provedení je základním materiálem terčíku kruhové deska monokrystelického křeaíku 1 typu N o průměru 22 mm. Na vrchní stranS této desky jsou ve vyleptaných otvorech izolační vrstvy 2 * kysličníku křemičitého nadifundované oblasti typu P vytvářející soustavu světlocitlivých diod Z·In an embodiment, the base material of the target is a circular N-type monocrystalline 1 plate having a diameter of 22 mm. On the upper side of this plate, there are etched holes of the insulating layer 2 * of silica in the etched areas of the P-type region forming a set of light-sensitive diodes.

Na izolační vretvS 2 jsou vytvořeny čtvercové ostrůvky svodová vrsvy í vytvořené z polykrystalickáho křemíku. Tyto ostrůvky jsou ne svém povrchu překryty vodivou vrstvou 2 z chromniklu.On the insulating layer S2, square islets of leakage layers 1 formed of polycrystalline silicon are formed. These islands are covered by a chromium-nickel conductive layer 2 on their surface.

Claims

p Seven St invention

A silicon target for vidicon tubes with a light-sensitive diode array formed on a N-type monocrystalline base quartz having a surface conductive layer of weakly conductive or semiconductive material, for example, polycrystalline silicon forming individual, mutually insulated islands overlapping the surface and the surrounding area of each diode characterized in that the islands of the lead layer (4) are covered on their surface by a metal or other conductive layer (5).

2. A silicon target for vidicon tubes according to claim 1, characterized in that the conductive layer (5) overlapping the islands of the lead layer (4) is made of chroanicle.