CS243547B1 - Electrophotographic plate - Google Patents
Electrophotographic plate Download PDFInfo
- Publication number
- CS243547B1 CS243547B1 CS853177A CS317785A CS243547B1 CS 243547 B1 CS243547 B1 CS 243547B1 CS 853177 A CS853177 A CS 853177A CS 317785 A CS317785 A CS 317785A CS 243547 B1 CS243547 B1 CS 243547B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- layer
- selenium
- composition
- plate
- interlayer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
Elektrofotografická deska, obsahující alespoň jednu vrstvu ASjS^ a selenovou vrstvu, obsahuje mezi každou vrstvu As2S3 a selenovou vrstvou mezivrstvu o složení /As2S3/xSe3_x, kde x je O až 1. Mezivrstva může obsahovat dopující prvky, kterými je dopována selenová vrstva ve stejném atomovém poměru k selenu, jako je v selenové vrstvě.An electrophotographic plate comprising at least one As2S3 layer and a selenium layer comprises between each As2S3 layer and the selenium layer an intermediate layer of the composition /As2S3/xSe3_x, where x is 0 to 1. The intermediate layer may comprise doping elements with which the selenium layer is doped in the same atomic ratio to selenium as in the selenium layer.
Description
Vynález se týká radlografické desky pro klinické a defektoskopická účely.The invention relates to a radlographic plate for clinical and flaw detection purposes.
K záznamu rentgenového záření prošlého studovaným objektem se používá nejčastěji filmů obsahujících halogeny stříbra. Jejich výhodou je dobrá citlivost a jednoduché zpracování. Nevýhodou je však malá rozlišovací schopnost, která ztěžuje rozlišení oblastí lišících se jen málo absorpcí, např. rakovinných nádorů v měkkých částech těla v ranném stadiu.Films containing silver halogens are most often used to record X-rays transmitted through the studied object. Their advantage is good sensitivity and easy processing. The disadvantage, however, is the low resolution, which makes it difficult to distinguish areas that differ only by very little absorption, eg cancerous tumors in the soft parts of the body at an early stage.
Je známo, že mnohem lepší rozlišovací schopnost vykazuje radiografický proces založený na expozici rentgenového záření na povrch nabité selenové vrstvy. Interakcí rentgenového záření se selenovou vrstvou vznikající náboje neutralizují náboj na povrchu selenové vrstvy, a tím je vytvářen obraz, který je zviditelněn práškovou výbojkou.It is known that a radiographic process based on exposure of X-rays to the surface of a charged selenium layer exhibits a much better resolution. By the interaction of X-rays with the selenium layer, the resulting charges neutralize the charge on the surface of the selenium layer, thereby creating an image which is visible by the powder lamp.
Základními požadavky kladenými na radiografickou desku jsou:The basic requirements for a radiographic plate are:
1/ vysoká citlivost vůči rentgenovému záření,1 / high sensitivity to X-rays,
2/ schopnost selenové vrstvy udržet vysoký potenciál po dostatečně dlouhou dobu /větší než 15 minut/ bez výrazného poklesu.2 / the ability of the selenium layer to maintain a high potential for a sufficiently long time (greater than 15 minutes) without a significant decrease.
Ke zlepšení trvanlivosti selenové vrstvy a odolnosti vůči krystalizaoi jsou do selenové vrstvy přidávány např. arsen /US patent, č. 2 803 542 a 2 822 300/ nebo síra /US patent, č. 2 662 832/. Je rovněž známo, že přidání ASjSj do Se snižuje citlivost vůči viditelnému světlu při zachování citlivosti vůči rentgenovému záření /US patent č. 2 863 768/.For example, arsenic (US Patent Nos. 2,803,542 and 2,822,300) or sulfur (US Patent No. 2,662,832) are added to the selenium layer to improve the durability of the selenium layer and crystallization resistance. It is also known that the addition of ASjSj to Se decreases the sensitivity to visible light while maintaining the sensitivity to X-rays (U.S. Pat. No. 2,863,768).
Ke zlepšení vlastností radiografických desek rovněž přispívá vrstva As2S3 napařená na hliníkovou podložku /US patent č. 2 901 349/. Na tuto vrstvu je nanášen vakuovým napařovaním selen.The As 2 S 3 layer vapor deposited on an aluminum support also contributes to improving the properties of radiographic plates (U.S. Patent No. 2,901,349). Selenium is deposited on this layer by vacuum evaporation.
Povrch selenu může být chráněn vrstvou s vysokým elektrickým odporem a vyšší odolností vůči otěru, než je odolnost selenu. K tomuto účelu se užívá např. polyvinylkarbazol, který sám rovněž vykazuje fotocitlivost /US patent č. 3 037 861/ a další organické materiály.The selenium surface can be protected by a layer with high electrical resistance and a higher abrasion resistance than the selenium resistance. For example, polyvinylcarbazole, which also exhibits photosensitivity (U.S. Pat. No. 3,037,861) and other organic materials, is used for this purpose.
Významné zlepšení vlastností radlografické desky, kterého se dosáhne napařením vrstvy As2S3 mezi hliníkovou podložku a selen, spočívá v tom, že tato vrstva zabraňuje injekci nositelů náboje z kovové podložky, a tím přispívá ke snížení samovolného vybíjení za tmy. Tato okolnost je velmi důležitá zejména při klinickém užití radiografických desek, kdy doba mezi nabitím desky a expozicí může dosáhnout 15 minut.A significant improvement in the properties of the radlographic plate achieved by vapor deposition of the As 2 S 3 layer between the aluminum substrate and selenium is that it prevents injection of charge carriers from the metal substrate, thereby contributing to the reduction of spontaneous discharge in the dark. This is particularly important in the clinical use of radiographic plates where the time between plate loading and exposure can reach 15 minutes.
Vytvoření této vrstvy as2s3 mezi hliníkovou podložkou a selenovou vrstvou, případně další vrstvy na povrchu selenu, přináší sebou automaticky též vznik rozhraní mezi prostředími o různých permitivitách, různých rovnovážných koncentracích náboje a různých pohyblivostech vede k vytváření úzkých přechodových oblastí, které se negativně projevují při transportu generovaných nositelů náboje.The formation of this layer with 2 with 3 between the aluminum substrate and the selenium layer, or other layers on the selenium surface, also automatically creates the interface between environments of different permittivity, different equilibrium charge concentrations and different mobility leads to the formation of narrow transition areas manifest when transporting the generated charge carriers.
Uvedené nevýhody odstraňuje elektrofotografická deska podle vynálezu, která mezi vrstvou As2S3'a selenovou vrstvou obsahuje mezivrstvu, ve které se složení spojitě mění od As2S3 k selenu, resp. od As2s3 k selenu dopovanému dalšími prvky jako telur, arsen, síra apod.These disadvantages are overcome by the electrophotographic plate according to the invention, which comprises an intermediate layer between the As 2 S 3 'layer and the selenium layer, in which the composition changes continuously from As 2 S 3 to selenium, respectively. from As 2 with 3 to selenium doped with other elements such as tellurium, arsenic, sulfur etc.
Za předpokladu, že základním fotovodivým materiálem je čistý selen bez příměsí, má mezivťstva obecné složení /As2 s3/xSei-x' kde x se- mění postupně od 1 do 0. Pokud je základní foto vodivá selenová vrstva dopována příměsemi, zabudovávají se při vytváření mezivrstvy tyto příměsi spolu se selenem a jejich obsah se s rostoucím obsahem selenu v mezivrstvě rovněž zvyšuje úměrně..obsahu selenu.Assuming that the base photoconductive material is pure selenium without impurities, the intermediate layer has the general composition / As 2 s 3 / x Se ix ' where x changes gradually from 1 to 0. If the base photo conductive selenium layer is doped with impurities, when the interlayer is formed, these dopants together with selenium and their content also increase in proportion to the selenium content with increasing selenium content in the interlayer.
Podle dalšího zjištění je vhodné vytvářet mezivrstvu o složení /As2 s3/xSe1_x, kde x se mění postupně od 0 do 1 v případě, že se vrstva o složení As2s3 použije jako vrstva vrchní. Jestliže je selenová vrstva dopována dalšími prvky, tyto prvky se zabudovávají i v mezivrstvě, přičemž jejich obsah klesá s klesajícím obsahem selenu v mezivrstvě. Tloušťka obou zmíněných mezivrstev je volena od 0,1 jam do 5 (im.According to another finding, it is suitable to form an intermediate layer of composition / As 2 s 3 / x Se 1 x , where x varies gradually from 0 to 1 when the layer of composition As 2 s 3 is used as the top layer. If the selenium layer is doped with other elements, these elements are also incorporated in the interlayer, and their content decreases with decreasing selenium content in the interlayer. The thickness of both said interlayers is chosen from 0.1 µm to 5 µm.
Uspořádání jednotlivých vrstev je zřejmé z výkresu. Na hliníkové podložce £ je vrstva 2_ oxidu hlinitého, na ní je nanesena spodní vrstva 3_ As2S3, mezivrstva £ o složení /As2S3/xSe1_x, kde x se mění od 1 do 0, selenová vrstva £ a další mezivrstva £ o složení /As2S3/xSe1_x, kde x se mění od 0 do 1, vrchní vrstva £ As2S3·The arrangement of the individual layers is apparent from the drawing. On the aluminum pad £ is a layer 2 of aluminum oxide on it is applied to the lower layer 3 As 2 S 3, interlayer £ the composition / As 2 S 3 / X 1 _ x, where x varies from 1 to 0, a selenium layer £ and another interlayer £ of composition / As 2 S 3 / x Se 1 x , where x varies from 0 to 1, the top layer £ As 2 S 3 ·
Jestliže je selen obohacen o příměs M tak, že obsahuje p atomových % této příměsi, pak složení mezivrstvy může být zapsáno ve tvaru /As2S3/ /Se + p atomových % M/j , kde x se mění od 1 do 0 v případě, že je mezivrstva naparována na vrstvu As2S3 a od 0 do 1 je-li mezivrstva napařována na vrstvu Se.If selenium is enriched with M to contain p atomic% of this dopant, then the composition of the interlayer can be written in the form / As 2 S 3 / / Se + p atomic% M / j, where x varies from 1 to 0 in if the interlayer is vapor deposited on the As 2 S 3 layer and from 0 to 1 if the interlayer is vapor deposited on the Se layer.
Vytvořením mezivrstvy se snižuje citlivost desky vůči únavě a zvyšuje odolnost vůči samovolnému vybíjení.The formation of the interlayer reduces the fatigue sensitivity of the plate and increases the spontaneous discharge resistance.
Vytvoření mezivrstvy o složení /As2S3/xSei_x' kde x se mění od 1 do 0, která je součástí radiografické desky, bude vysvětleno na příkladu 1.The formation of the / As 2 S 3 / x Se i x x composition where x varies from 1 to 0, which is part of the radiographic plate, will be explained in Example 1.
Příklad 1Example 1
DO. dvou lodiček s nezávislým žhavením byl vložen jednak Se a jednak As2s3· Na hliníkovou podložku obsahující vrstvu £ oxidu hlinitého byla napařována nejprve vrstva 2 As2S3'· Když její tloušťka dosáhla 2,5 um, byl žhavicí proud lodičkou obsahující As2S3 postupně snižován za současného zvyšování proudu lodičkou obsahující selen.TO. two independent heater boats were inserted both Se and As 2 s 3 · On the aluminum pad containing the alumina layer, the 2 As 2 S 3 'layer was first steamed. When its thickness reached 2.5 µm, the glow current was a boat containing As 2 S 3 gradually decreased while increasing the current by the selenium-containing boat.
Tímto způsobem byla vytvořena mezivrstva £, kde se složení spojitě měnilo během tlouštky 1 (um do As2S3 k Se. Studium radiografických vlastností prokázalo, že radiografická deska zhotovená tímto způsobem vykazovala velmi dobrou citlivost a oddlnost vůči únavě.In this way, an intermediate layer 6 was formed where the composition changed continuously during a thickness of 1 (µm to As 2 S 3 to Se.) The study of radiographic properties showed that the radiographic plate produced in this way showed very good sensitivity and fatigue resistance.
Užití tohoto způsobu konstrukce radiografických desek umožňuje výrobu desek s nízkou citlivostí vůči únavě při zachování všech výhod, které přináší užití vrstvy As2S3·The use of this type of radiographic plate construction allows the production of plates with low fatigue sensitivity while maintaining all the benefits of using the As 2 S 3 layer.
Konstrukce desky obsahující mezlvrstvu £ o složení /As2S3/xSe1_x, kde x se mění od 1 do 0, a mezlvrstvu 6 o složení /As2S3/xSe1_x, kde x se mění od O do 1, bude vysvětlena v příkladu 2.The construction of a plate comprising a composite layer 5 of / As 2 S 3 / x Se 1 x , where x varies from 1 to 0, and an interlayer 6 of composition / As 2 S 3 / x Se 1 x , where x varies from 1 to 0 0 to 1 will be explained in Example 2.
Přiklad 2Example 2
Do dvou lodiček s nezávislým žhavením byl vložen jednak As2S3, jednak Se. Na hliníkovou podložku £ s oxidovou vrstvou £ byl nanášen As2S3, a byla vytvořena tak spodní vrstva As2S3 £. Když její tloušťka dosáhla 3,5 jum, byl žhavicí proud postupně snižován za současného zvyšování proudu lodičkou obsahující Se.As 2 S 3 and Se were inserted into two independent heating boats. As 2 S 3 was deposited on the aluminum substrate (6) with an oxide layer ( 6 ) to form the bottom layer (As 2 S 3 ). When its thickness reached 3.5 µm, the heating current was gradually reduced while increasing the current by the Se-containing boat.
Tímto způsobem byla vytvořena mezivrstva £, kde se složení spojitě měnilo od As2S3 k Se během tloušťky mezivrstvy £ 1,5 jum. Na takto zhotovenou mezivrstvu £ byl naparován selen tak, že vznikla selenová vrstva £ o tloušťce 160 (um.In this way, an intermediate layer 6 was formed where the composition varied continuously from As 2 S 3 to Se during the thickness of the intermediate layer 1,5 1.5 µm. Selenium was vaporized on the thus produced intermediate layer 6 to form a selenium layer 6 having a thickness of 160 µm.
Po dosažení této tloušťky byl žhavicí proud lodičkou obsahující selen postupně snižován, za současného zvyšování proudu lodičkou s As2s3- Tímto způsobem byla vytvořena mezivrstva £ o složení /As2S3/xSe3_x, kde se x měnilo spojitě od O do 1 během tloušťky 1 pm.Upon reaching this thickness, the heating current through the selenium-containing boat was gradually reduced, while increasing the current through the boat with As 2 s 3 - In this way, an intermediate layer 6 of the composition / As 2 S 3 / x Se 3 x was formed. 0 to 1 during 1 µm thickness.
Na takto zhotovenou mezivrstvu £ byla napařena vrchní vrstva As2S3 £. Ke stabilizaci vlast ností radiografické desky byla deska před vlastním použitím vystavena záření bez zastínění objektem.The top layer As 2 S 3 ař was deposited onto the intermediate layer 8 thus produced. To stabilize the properties of the radiographic plate, the plate was exposed to radiation without shading by the object before use.
Takto připravená deska vykazovala výbornou rozlišovací schopnost, nízkou citlivost vůči únavě a nízký spád potenciálu za tmy.The plate thus prepared exhibited excellent resolution, low fatigue sensitivity and low potential drop in the dark.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS853177A CS243547B1 (en) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | Electrophotographic plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS853177A CS243547B1 (en) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | Electrophotographic plate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS317785A1 CS317785A1 (en) | 1985-08-15 |
| CS243547B1 true CS243547B1 (en) | 1986-06-12 |
Family
ID=5371099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS853177A CS243547B1 (en) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | Electrophotographic plate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS243547B1 (en) |
-
1985
- 1985-04-30 CS CS853177A patent/CS243547B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS317785A1 (en) | 1985-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Shalvoy et al. | Bond ionicity and structural stability of some average-valence-five materials studied by x-ray photoemission | |
| US6897560B2 (en) | Ultraviolet-transparent conductive film and process for producing the same | |
| US2962376A (en) | Xerographic member | |
| US3909458A (en) | Photosensitive vitreous layer comprising bismuth and selenium | |
| US4040985A (en) | Photoconductive films | |
| US3142586A (en) | Method for the manufacture of photosensitive elements | |
| US2844493A (en) | High resistance photoconductor | |
| GB1586571A (en) | Photosensitive member for electrophotography | |
| US5436101A (en) | Negative charging selenium photoreceptor | |
| US3077386A (en) | Process for treating selenium | |
| CS243547B1 (en) | Electrophotographic plate | |
| EP0067015B1 (en) | Photoconductive film | |
| US2844543A (en) | Transparent photoconductive composition | |
| US3773567A (en) | Diffused heterojunction multilayer coatings for electrostatic photography | |
| US3639120A (en) | Two-layered photoconductive element containing a halogen-doped storage layer and a selenium alloy control layer | |
| US4601965A (en) | Photosensitive material for use in electrophotography | |
| JPH0217021B2 (en) | ||
| Kushwaha et al. | Effect of Sb impurity on the photoelectrical properties of a-Se | |
| JPS5863944A (en) | Electrophotographic receptor | |
| SU911446A1 (en) | Electrophotographic laminate material | |
| JPH0740138B2 (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
| Senske et al. | Electrophotographic properties of reactively sputtered a-Si: H | |
| Nesheva et al. | Electrophotographic photoreceptors including selenium-based multilayers | |
| US5030477A (en) | Processes for the preparation and processes for suppressing the fractionation of chalcogenide alloys | |
| PL153055B1 (en) | The method of winning of vidicon electrode with heterojunction |