CS243748B1 - Elektrofotografiokó deska - Google Patents
Elektrofotografiokó deska Download PDFInfo
- Publication number
- CS243748B1 CS243748B1 CS853176A CS317685A CS243748B1 CS 243748 B1 CS243748 B1 CS 243748B1 CS 853176 A CS853176 A CS 853176A CS 317685 A CS317685 A CS 317685A CS 243748 B1 CS243748 B1 CS 243748B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- layer
- composition
- selenium
- electrophotographic plate
- vaporized
- Prior art date
Links
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
Elektofotograíická deska mezi kovovou podložkou a selenovou vrstvou obsahuje napařenou vrstvu o složení Αβ28χ, kde 3,2 x 8. Dále může obsahovat mezivrstvu © složení /AsgS^/ySe^y, kde x má výše uvedený význam ayJeOaž 1, na která Je napařena selenová vrstva, která může být obohacena dalšími prvky, např. arsenem, telurem a sírouThe electrophotographic plate between the metal substrate and the selenium layer contains a vaporized layer of the composition Aβ28χ, where 3.2 x 8. It may also contain an intermediate layer © of the composition /AsgS^/ySe^y, where x has the above meaning and is from 0 to 1, on which a selenium layer is vaporized, which may be enriched with other elements, e.g. arsenic, tellurium and sulfur.
Description
(54)(54)
Elektrofotografiokó deskaElektrofotografiokó deska
Elektofotograíická deska mezi kovovou podložkou a selenovou vrstvou obsahuje napařenou vrstvu o složení Αβ28χ, kde 3,2 x 8. Dále může obsahovat mezivrstvu © složení /AsgS^/ySe^y, kde x má výše uvedený význam ayJeOaž 1, na která Je napařena selenová vrstva, která může být obohacena dalšími prvky, např. arsenem, telurem a sírou.The electrophotographic plate between the metal substrate and the selenium layer comprises a vaporized layer having the composition Αβ 2 8 χ , where 3.2 x 8. The selenium layer is vaporised and can be enriched with other elements such as arsenic, tellurium and sulfur.
243 748243 748
243 748243 748
Vynález se týká způsobu přípravy elektrofotografické desky pro radiografii a reprodukční techniku.The present invention relates to a process for preparing an electrophotographic plate for radiography and reproduction techniques.
V elektrofotografii a záznamu rentgenového záření se používá desek, kde fotocitlivá vrstva skládající se ze selenu obohaceného některými prvky jako arsenem, sírou, telurem npod. je nanesena na vrstvě A32S3, které slouží jako blokující vrstva.In electrophotography and X-ray recording, plates are used where the photosensitive layer consists of selenium enriched with some elements such as arsenic, sulfur, tellurium or the like. is deposited on the A32S3 layer, which serves as a blocking layer.
Nevýhodou použití A82S3 mezi vodivou podložkou a fotocitlivou vrstvou je skutečnost, že při napařovéní se jednotky AS2S3 v parách nevyskytují. Jsou zde přítomny molekuly AS4S5, AS2S2, S2 a další. Na kovové podložce se vytváří vrstva obsahující molekuly AS4S4, řetězce síry a bezprostředně po napaření jen malý obsah arsenu je vázán do strukturních jednotek AS2S5. Vrstva sumárního složení A82S5 tak tvoří heterogenní systém citlivý k teplotě a záření. Záření o dostatečné energii nebo temperace vede k vytváření polymerní struktury blízké struktuře materiálu připravovaného tavením. Z toho je patrné, že elektrofotografické deska obsahující vrstvu AS2S3 je po zhotovení v nerovnovážném stavu a že jsou nutné operace, které rovnovážný stav zajistí.The disadvantage of using A82S3 between the conductive pad and the photosensitive layer is that the vaporization of AS2S3 units does not occur during vapor deposition. There are AS4S5, AS2S2, S2 and others molecules present. A layer containing AS4S4 molecules, sulfur chains is formed on the metal substrate and only a small amount of arsenic is bound to AS2S5 structural units immediately after steaming. Thus, the A82S5 summary composition layer forms a heterogeneous system sensitive to temperature and radiation. The radiation of sufficient energy or tempering results in the formation of a polymer structure close to that of the material to be melted. This shows that the electrophotographic plate containing the AS2S3 layer is unbalanced after fabrication and that operations to ensure the steady state are required.
Tuto nevýhodu odstraňuje konstrukce elektrofotografické desky podle vynálezu. Opírá se o zjištění, že vrstva o složení Αβ2δχ, kde 3,2 <i.x<r_8 má podstatně sníženou citlivost k vlivu záření a teploty. Její další výhodou je skutečnost, že má vyšší elektrický odpor než vrstva AsgS? a účinně zabraňuje injekci nositelů náboje z kovové vrstvy do vrstvy selenu. Této vrstvy je tedy možno e výhodou užít jako blokující vrstvy mezi kovovou podložku a vrstvu selenu.This disadvantage is overcome by the construction of the electrophotographic plate according to the invention. It is based on the finding that the layer with the composition Αβ2δχ, where 3.2 <i.x <r_8 has a significantly reduced sensitivity to radiation and temperature. Its other advantage is that it has a higher electrical resistance than the AsgS layer? and effectively prevents injection of charge carriers from the metal layer into the selenium layer. This layer can therefore advantageously be used as a blocking layer between the metal backing and the selenium layer.
243 748243 748
Vrstvu o složení As2Sx, kde 3,2^ x <.8 je možno naparovat na kovovou podložku a na tuto vrstvu je možno nanášet vrstvu fotočí tlivého selenu či selenu obohaceného dalšími prvky. Je rovněž možno vytvářet mezivrstvy proměnného složení /AsgSx/ySej.y, kde 3,2<<x<^-8 a zároveň y se mění od 1 do 0. Tím je zajištěn plynulý přechod složení mezi jednotlivými vrstvami a je zabráněno vzniku úzkých oblastí s vysokými hodnotami elektrického pole, které mohou negativně ovlivnit transport elektrického náboje, generovaného ve fotovodivé selenové vrstvě.A layer with the composition As 2 Sx, where 3.2 µm x 8 can be vaporized onto a metal substrate and a layer of photosensitive selenium or selenium enriched with other elements can be applied to this layer. It is also possible to form interlayers of variable composition of / AsgSx/ySej.y, where 3.2 << x <^ - 8 and y vary from 1 to 0. This ensures a smooth transition of the composition between layers and avoids narrow areas with high electric field values that can negatively affect the transport of electric charge generated in the photoconductive selenium layer.
Na obr. 1 je znázorněna elektrofotografická deska. Hliníková podložka 1 nese vrstvu 2 o složení As2Sx, kde 3,2<x^L8, na ní je pak napařena selenová vrstva 2· Selen může být obohacen dalšími prvky jako arsenem, telurem, sírou a podobně.Figure 1 shows an electrophotographic plate. The aluminum support 1 carries a layer 2 having the composition As2Sx, where 3.2 < x > L8, on which the selenium layer 2 is vaporized thereon.
Na obr. 2 je znázorněna elektrofotografická deska, kde na hli níkové podložce 1 je nanesena vrstva 2 As2Sx. v mezivrstvě 4 o složení /As2Sx/ySei_y se složení spojitě mění od Α82£5χ ve vrstvě 2 k selenové vrstvě 2·FIG. 2 shows an electrophotographic plate in which a layer 2 of As2Sx is deposited on the aluminum substrate 1. in the interlayer 4 of the composition / As 2 Sx / ySei_y, the composition continuously changes from Α82 £ 5χ in layer 2 to selenium layer 2 ·
Konstrukce elektrofotografické desky podle tohoto vynálezu bude popsána na následujících příkladech.The construction of the electrophotographic plate according to the invention will be described in the following examples.
Příklad 1Example 1
Na hliníkovou podložku 1 je napařena vrstva 2 As2S4f5 tloušťky 2,5/xm. Na tuto vrstvu je napařena vrstva selenu 2 o tloušťce 150/im. Tato deska může být využita v radiografii. Potenciálový spád za tmy je na ní po 10 minutách o 30 % nižší než u desky obsahující místo vrstvy AS2S4,5 vrstvu A82S3·A layer 2 of As2S4 f 5 of 2.5 µm thickness is deposited onto the aluminum support 1. A layer of 150 µm selenium 2 is steamed onto this layer. This plate can be used in radiography. The potential gradient in the dark after 10 minutes is 30% lower than a board containing an A82S3 layer instead of AS2S4.5 ·
Příklad 2Example 2
Na hliníkovou podložku 1 je napařena vrstva 2 AS2S5 tlouštky 3/im. proud procházející napařovací lodičkou obsahující AS2S5 je pak postupně snižován za současného zvyšování proudu lodičkou obsahující selen. Tím je vytvořena mezivrstva 4 o složení /As2S5/ySe1.y, kde se y postupně mění v rozmezí 1,5 yum od 1 do 0. Na tuto mezivrstvu 4 je dále napařena selenová vrstva 2 0 tloušťceA layer 2 of 3 µm AS2S5 is steamed onto the aluminum support 1. the current passing through the AS2S5-containing steam boat is then gradually reduced while increasing the current through the selenium-containing boat. This interlayer is formed by four composition / As 2 S 5 / YSE 1 .y where y changes gradually within the range of 1.5 .mu.m from 1 to 0. In this intermediate layer 4 is further vapor-deposited selenium layer thickness 2 0
- 5 243 748- 5 243 748
Získaná elektrofotografické deska byla využita k záznamu rentgenového záření· Vykazovala velmi dobrou citlivost, nízký potenciálový spád za tmy a rovněž se vyznačovala velmi dobrou stabilitou vlastností, kterými je záznam charakterizován.The obtained electrophotographic plate was used for X-ray recording. It showed very good sensitivity, low potential gradient in the dark and also characterized by very good stability of the characteristics, which characterize the recording.
Výhoda elektrofotografických desek obsahujících vrstvu s vyš ším obsahem síry»než odpovídá etechiometriekému složeni AS2S5, je též v tom, že není nutné desku před použitím vystavovat operacím, které stabilizují vlastnosti desky.The advantage of electrophotographic plates containing a layer with a higher sulfur content than corresponds to the etechiometric composition of AS2S5 is also that there is no need to expose the plate to operations that stabilize the properties of the plate before use.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS853176A CS243748B1 (en) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | Elektrofotografiokó deska |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS853176A CS243748B1 (en) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | Elektrofotografiokó deska |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS317685A1 CS317685A1 (en) | 1985-08-15 |
| CS243748B1 true CS243748B1 (en) | 1986-06-12 |
Family
ID=5371087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS853176A CS243748B1 (en) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | Elektrofotografiokó deska |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS243748B1 (en) |
-
1985
- 1985-04-30 CS CS853176A patent/CS243748B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS317685A1 (en) | 1985-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Itoh et al. | Low temperature silicon epitaxy by partially ionized vapor deposition | |
| Shimakawa et al. | Photoconduction of glasses in the Te Se Sb system | |
| Schein | Charge generation from band-gap states in amorphous selenium films | |
| EP0183948A3 (en) | Process for the photochemical vapor deposition of aromatic polymers | |
| Van der Auweraer et al. | Hole transport in 5'-[4-[bis (4-ethylphenyl) amino] phenyl]-N, N, N', N'-tetrakis (4-ethylphenyl)-1, 1': 3', 1''-terphenyl-4, 4''-diamine | |
| US5085939A (en) | Thin film-coated polymer webs | |
| US3813243A (en) | Electrophotographic photosensitive member | |
| Hanak | Co-sputtering-Its limitations and possibilities | |
| EP0021751A1 (en) | Electrophotographic plate and a process for preparation of such a plate | |
| Bridwell et al. | Electrical conductivity enhancement of polyethersulfone (PES) by ion implantation | |
| US3990894A (en) | Method of preparing photosensitive element for use in electrophotography | |
| JPH0217021B2 (en) | ||
| JPS5762053A (en) | Photoconductive member | |
| GB1312497A (en) | Superconductor elements | |
| JPS5863944A (en) | Electrophotographic receptor | |
| Congedo et al. | Ion irradiation of poly (methyl methacrylate) for precise control of electrical and optical properties | |
| JPS5454606A (en) | Recording medium | |
| JPS559558A (en) | Lamination type electrophotographic light sensitive material | |
| George et al. | Space-charge limited conduction in antimony trisulphide films | |
| Krishnan | Compositionally Modulated and Ion Beam Mixed Co--Nb Films | |
| Saito et al. | Properties of variable-thickness NbN microbridges | |
| Sastry et al. | Effect of implantation of 14N2+ ions on amorphous and crystalline films of InTe | |
| Tyczkowski et al. | Poole‐Frenkel centres in dielectrics. Kind and space density in plasma‐polymerized organosilicon films | |
| Ferrante | Method of making near infrared polarizers | |
| Schilling | Lateral distribution of energy in electron beam exposure of metal/silicon layer systems |