CS243889B1 - Process for preparing oxygen-free boron nitride - Google Patents

Process for preparing oxygen-free boron nitride Download PDF

Info

Publication number
CS243889B1
CS243889B1 CS85239A CS23985A CS243889B1 CS 243889 B1 CS243889 B1 CS 243889B1 CS 85239 A CS85239 A CS 85239A CS 23985 A CS23985 A CS 23985A CS 243889 B1 CS243889 B1 CS 243889B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
boron nitride
free boron
preparing oxygen
oxygen
boric acid
Prior art date
Application number
CS85239A
Other languages
Czech (cs)
Other versions
CS23985A1 (en
Inventor
Vlastimil Brozek
Vladimir Dufek
Stanislav Sasak
Original Assignee
Vlastimil Brozek
Vladimir Dufek
Stanislav Sasak
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vlastimil Brozek, Vladimir Dufek, Stanislav Sasak filed Critical Vlastimil Brozek
Priority to CS85239A priority Critical patent/CS243889B1/en
Publication of CS23985A1 publication Critical patent/CS23985A1/en
Publication of CS243889B1 publication Critical patent/CS243889B1/en

Links

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

Způsob přípravy bežkyslíkového nitridu boritého spočívá v tom, že se pěnový grafit s pórovitostí nad 90 % nasytí roztokem kyseliny borité a močoviny při teplotě 80 až 240 °C a po nasycení se zahřívá v proudu amoniaku při 900 až 1 200 °C.The method of preparing oxygen-free boron nitride consists in saturating foamed graphite with a porosity of over 90% with a solution of boric acid and urea at a temperature of 80 to 240 °C and, after saturation, heating it in a stream of ammonia at 900 to 1,200 °C.

Description

(54) Způsob přípravy bezkyslíkovóho nitridu boritého(54) A process for preparing oxygen-free boron nitride

Způsob přípravy bežkyslíkového nitridu boritého spočívá v tom, že se pěnový grafit s pórovitostí nad 90 % nasytí roztokem kyseliny borité a močoviny při teplotě 80 až 240 °C a po nasycení se zahřívá v proudu amoniaku při 900 až 1 200 °C.A process for the preparation of cross-linked boron nitride is to saturate the graphite with a porosity of over 90% with a boric acid-urea solution at 80 to 240 ° C and, after saturation, to heat in an ammonia stream at 900 to 1200 ° C.

Vynález se týká způsobu přípravy nitridu boritého neobsahujícího zbytkový kyslík.The invention relates to a process for the preparation of boron nitride free of residual oxygen.

Hexagonální nitrid boritý pro výrobu speciální neoxidické keramiky se připravuje řadou nejrůznějších chemických postupů. Pokud še při syntéze nitridu boritého vychází ze snadno dostupných a levných kyslíkatých sloučenin boru, zůstává vždy v produktu přítomen zbytkový kyslík, který způsobuje zhoršení jakosti keramických výrobků, případně snižuje výtěžnost při výrobě kubického nitridu boritého. výroba nitridu boritého z neoxidických výchozích látek je neekonomická, navíc je riziková pro vysokou toxicitu těchto sloučenin boru.Hexagonal boron nitride for the production of special non-oxidic ceramics is prepared by a number of different chemical processes. If boron nitride synthesis is based on readily available and inexpensive boron oxygen compounds, residual oxygen is always present in the product which causes deterioration in the quality of the ceramic products, possibly reducing the yield in the production of cubic boron nitride. the production of boron nitride from non-oxidic starting materials is uneconomical, moreover, it is at risk for the high toxicity of these boron compounds.

Uvedené nevýhody jsou odstraněny způsobem přípravy nitridu boritého podle vynálezu, který spočívá v tom, že pěnový grafit s pórovitostf nad 90 % se nasytí roztokem kyseliny borité a močoviny při teplotě 80 až 240 °C a po nasycení se zahřívá v proudu amoniaku při teplotě 900 až 1 200 °C. Reakce (NH2)2C0 + 2 H3BO3 = 2 BN + C02 + 5 HjO kyseliny borité s močovinou v dusíkové atmosféře, vytvořené plynným amoniakem, vedoucí k nitridu boritému, se uskutečňuje na povrchu nosiče, kterým je vysoceporézní grafitová hmota.These disadvantages are overcome by the process for preparing the boron nitride according to the invention, wherein the graphite foam having a porosity above 90% is saturated with a solution of boric acid and urea at a temperature of 80 to 240 ° C and after saturation is heated in a stream of ammonia at 900 to 1200 ° C. The reaction of (NH 2 ) 2 CO 2 H 3 BO 3 = 2 BN + CO 2 + 5 H 10 boric acid with urea under nitrogen atmosphere, formed by ammonia gas leading to boron nitride, takes place on the surface of the carrier, which is a highly porous graphite mass. .

PříkladExample

Navážka 1 kg močoviny a 2 kg«kyseliny borité se za sucha,promíchá a zahřívá na teplotu 80 až 240 °C. V tomto teplotním intervalu vznikne tavenina, do které se ponoří hranol grafitové pěny o objemu 1 litr. Grafitová pěna, připravená karbonizací vhodné pryskyřice, nasákne tuto taveninu, načež se přenese do trubkové pece, zahřívané na teplotu nejméně 900 °C, do které je z tlakové nádoby přiváděn amoniak. Při teplotě 900 °C sé vsádka zahřívá 5 hodin.Weigh 1 kg of urea and 2 kg of boric acid dry, mix and heat to 80-240 ° C. In this temperature range, a melt is formed into which a 1 liter prism of graphite foam is immersed. Graphite foam, prepared by carbonizing a suitable resin, soaks the melt and then transfers it to a tube furnace heated to a temperature of at least 900 ° C, to which ammonia is fed from the pressure vessel. The batch is heated at 900 ° C for 5 hours.

Po skončení ohřevu se produkt velmi snadno rozetře na jemný práškový nitrid boritý, vhodný pro slinování v grafitových nástrojích.After heating, the product is very easily spread on fine powdered boron nitride suitable for sintering in graphite tools.

Claims (1)

předmEt vynálezuobject of the invention Způsob přípravy bezkyslíkového nitridu boritého, vyznačující se tím, že se pěnový grafit s pórovitostí nad 90 % nasytí roztokem kyseliny borité a močoviny při teplotě 80 áž 240 °C a po nasycení se zahřívá v proudu amoniaku při teplotě 900 až 1 200 °C.A process for the preparation of oxygen-free boron nitride, characterized in that the foam graphite having a porosity above 90% is saturated with a boric acid-urea solution at a temperature of 80 to 240 ° C and after saturation is heated in a stream of ammonia at 900 to 1200 ° C.
CS85239A 1985-01-11 1985-01-11 Process for preparing oxygen-free boron nitride CS243889B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS85239A CS243889B1 (en) 1985-01-11 1985-01-11 Process for preparing oxygen-free boron nitride

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS85239A CS243889B1 (en) 1985-01-11 1985-01-11 Process for preparing oxygen-free boron nitride

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS23985A1 CS23985A1 (en) 1985-09-17
CS243889B1 true CS243889B1 (en) 1986-07-17

Family

ID=5334170

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS85239A CS243889B1 (en) 1985-01-11 1985-01-11 Process for preparing oxygen-free boron nitride

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS243889B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
CS23985A1 (en) 1985-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0694500B1 (en) Boron nitride-containing material and method thereof
Wang et al. In situ synthesis of silicon carbide whiskers from silicon nitride powders
US4734234A (en) Preparation of very strong and very heat-stable ceramic moldings of silicon nitride
US4619905A (en) Process for the synthesis of silicon nitride
JPS6112844B2 (en)
EP0503930A2 (en) Production of titanium diboride and boron nitride powders
US4764489A (en) Preparation of mixed boron and aluminum nitrides
JPH0476924B2 (en)
US5075091A (en) Process for the preparation of silicon nitride
CS243889B1 (en) Process for preparing oxygen-free boron nitride
US4865830A (en) Gas phase preparation of aluminum nitride
US4931513A (en) Polymeric hydridosilazanes and processes for their preparation and their use
US5160719A (en) Process for nitriding silicon containing materials
Zeng et al. Combustion synthesis of Sialon Powders (Si6‐zAlzOzN8‐z, z= 0.3, 0.6)
JPS6111886B2 (en)
US2834650A (en) Production of boron nitride
CA1298319C (en) Process for the preparation of sialon products
Amadeh et al. Influence of boron nitride and carbon additives on the behaviour of sintered AlN in a steel-making environment
Wang et al. SiC whisker/Si3N4 composites by a chemical mixing process
ATE72204T1 (en) SILICON NITRIDE POWDER FOR CERAMIC BY CARBOTHERMAL REDUCTION AND PROCESS FOR THEIR PRODUCTION.
JPH02258677A (en) Sic powder, preparation thereof and use thereof
Panda et al. Carbothermal reduction of sillimanite
JPS57101000A (en) Preparation of ceramic whisker
SU508475A1 (en) The method of obtaining fibrous silicon carbide
JP2801821B2 (en) Ceramic composite sintered body and method of manufacturing the same