CS244094B1 - Způsob měření záznamů na fotochemických materiálech - Google Patents
Způsob měření záznamů na fotochemických materiálech Download PDFInfo
- Publication number
- CS244094B1 CS244094B1 CS852070A CS207085A CS244094B1 CS 244094 B1 CS244094 B1 CS 244094B1 CS 852070 A CS852070 A CS 852070A CS 207085 A CS207085 A CS 207085A CS 244094 B1 CS244094 B1 CS 244094B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- photochemical
- measuring
- thickness
- records
- equidistant
- Prior art date
Links
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
Řešení se týká měření záznamů na fotochemických materiálech, zejména ve vrstvách fotorezistů, zvláště při měření jejich vlastnosti a při hodnocení výsledků technologických operaci· Při měřeni podobných záznamů je obvykle nutné měřit tloušřku vrstvy zpracovaného fotochemického materiálu, nebo rozdíly v tlouětce. Užívané přístroje jsou nákladné a měření bývá časově náročné· Podstatou vynálezu je využiti skutečnosti, že rozloženi intenzity světla v difraktogramech, vznikajících ohybem světla na ekvidistantnioh obrazových prvcích, se podstatným způsobem mění při změně tloustky (popř. absorpce) těchto obrazových prvků. ' Při postupu podle vynálezu se na vrstvu fotochemického materiálu naexponuje obrazec, obsahujíci ekvidietantni prvky, exponovaný .materiál se zpracuje a vzniklý obraz se vloží do difraktometru. Změří se hodnoty charakterizující intenzitu zářeni v ohybových maximech, příslušejících ekvldistantnim prvkům obrazu (zejména hodnoty úměrné těmto intenzitám ? opř. jejioh logaritmům) a početním posupem se stanoví výška reliéfu tvořeného obrazovými prvky, popř. i střídá tohoto reliéfu. Přednosti postupu podle vynálezu je možnost měřit relativně rychle a s použitím méně nákladné aparatury i velmi malé tlouštky obrazových záznamu·
Description
Řešení se týká měření záznamů na fotochemických materiálech, zejména ve vrstvách fotorezistů, zvláště při měření jejich vlastnosti a při hodnocení výsledků technologických operaci· Při měřeni podobných záznamů je obvykle nutné měřit tloušřku vrstvy zpracovaného fotochemického materiálu, nebo rozdíly v tlouětce. Užívané přístroje jsou nákladné a měření bývá časově náročné· Podstatou vynálezu je využiti skutečnosti, že rozloženi intenzity světla v difraktogramech, vznikajících ohybem světla na ekvidistantnioh obrazových prvcích, se podstatným způsobem mění při změně tloustky (popř. absorpce) těchto obrazových prvků. '
Při postupu podle vynálezu se na vrstvu fotochemického materiálu naexponuje obrazec, obsahujíci ekvidietantni prvky, exponovaný .materiál se zpracuje a vzniklý obraz se vloží do difraktometru.
Změří se hodnoty charakterizující intenzitu zářeni v ohybových maximech, příslušejících ekvldistantnim prvkům obrazu (zejména hodnoty úměrné těmto intenzitám ?opř. jejioh logaritmům) a početním posupem se stanoví výška reliéfu tvořeného obrazovými prvky, popř. i střídá tohoto reliéfu. Přednosti postupu podle vynálezu je možnost měřit relativně rychle a s použitím méně nákladné aparatury i velmi malé tlouštky obrazových záznamu·
244 094
244 094
Vynález ee týká měření záznamů na fotochemických materiálech, zejména ve vrstvách fotorezietů, zvláště při měření jejich vlastností a při hodnocení výsledků technologických operací
Některé fotochemické materiály, zejména fotorezisty, poskytují po ozáření a následujícím zpracování ve vhodném plynném nebo častěji kapalném prostředí (tzv. vývojce) obraz, tvořený oblastmi, jejichž tloušťka závisí na ozáření. V praxi jsou nejběžnější případy, kdy záznam (obraz) tvoří dílem oblasti s odhalenou podložkou, dílem oblasti pokryté vrstvou zpracovaného fotochemického materiálu; tyto vrstvy chcá rí podložku při leptání apod. Při měřeni vlastností těchto materiálů (zejména eenzitometrickém a mikrosenzitometrickém) a dále při technologických aplikacích, je nezbytné nebo účelné, měřit tlouštku vrstev vzniklých zpracováním fotochemického materiálu, popř. rozdíly v tloušťce na různě exponovaných místech. K tomu se užívají zejména mechanické, interferometrické a elipsometrické metody. Potřebná zařízení jsou zpravidla složitá a nákladná a měření je obvykle časově náročné. Zvlᚊ obtížné je měření vrstev s velmi malou tloušťkou (např. několik desetin mikrometru a méně).
Uvedené nedostatky nemá postup podle vynálezu, jehož podstatou je postup umožňující využít skutečnosti, že rozložení intenzity zářeni v difraktogramech, vznikajících ohybem světla na ekvidistantních obrazových prvcích, se podstatným způsobem mění při změně tloušlky (popřípadě absorpce) těchto obrazových prvků.
Přednosti postupu podle vynálezu spočívají především v tom, že k uskutečnění postupu postačí i relativně jednoduchý a málo nákladný difraktometr a že měření i vyhodnocení výsledků měření
244 094 je rychlé. Pro měření a vyhodnoceni lze použit automatizovaných postupů. Způsob měření podle vynélezu je zvlášť vhodný pro měření malých tlouětěk nebo rozdílů v tloušťce.
Írí&t3.<i
Při měření záznamu, vytvářeného ve vratvě fotochemického materiálu na nosné podložce, ae aktinickým zářením na Vrstvu materiálu naexponuje obrazec, obsahující soustavu ekvidistantnlch prvků. K tomu se použije buS zvláštní zkušební obrazec (např. při senzitometrickém měření; pak je zvláště vhodný obrazec tvořený soustavou rovnoběžných světlých a tmavých čar), nebo obrazec používaný k technologickým operacím, které mají být kontrolovány, apod. (jestliže obrazec bud sám obsahuje ekvidietatní prvky, nebo je možné takové prvky do něj pro měření zařadit). Ozářený materiál se zpracuje způsobem, který je pro něj předepsán nebo zvolen a podložka a takto vzniklým záznamem ae umístí do difraktoraetru. Změří ae hodnoty (absolutní či relativní) intenzity zářeni v difrakčnich maximech, odpovídajících ekvidiatantním obrazovým prvkům. Tyto hodnoty aamy mohou být mírou dosaženého výsledku (např. při zjišťování, zda opakování technologická operace poskytlo shodný výsledek), nebo ae z nich početně stanoví tloušťka (výška) reliéfu tvořícího záznam, popřípadě táž střída tohoto reliéfu. Měřeni závislosti výšky reliéfu na expozici či jeho logaritmu charakterizuje aenzitometrické vlastnosti měřeného fotochemického materiálu, analogická závislost střídy obsahuje informaci o mikroaenzitometrických vlastnostech materiálu.
Postupu podle vynálezu lze využít zejména při měření vlaatnoa tí fotochemických materiálů a při hodnoceni vlastností záznamů, vytvořených z těchto materiálů, zvláště při měřeni tloušťky fotorezietových masek apod·, pro kontrolu a optimalizaci technologických postupů. Postupu podle vynálezu lze použit i k měřeni záznamů na materiálech, které na změny v expozici reagují změnami absorpce světla. Zde lze postupu využít zejména k měřeni atřidy obrazu ekvidiatantních prvků při hodnocení mikroaenzitometrických vlastností materiálů.
Claims (1)
- PŘEDMĚTVYNÁLEZU244 094Způsob měření záznamů na fotochemických materiálech, vyznačený tím, že na vrstvu fotochemického materiálu se aktinickým zářením exponuje obrazec obsahující ekvidistantní obrazové prvky, záznam ee po zpracování exponované vrstvy fotochemického materiálu umístí do difraktometru a stanoví se veličiny charakterizující intenzitu záření v difrakčních maximech odpovídajících ekvidistantní» obrazovým prvkům.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS852070A CS244094B1 (cs) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | Způsob měření záznamů na fotochemických materiálech |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS852070A CS244094B1 (cs) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | Způsob měření záznamů na fotochemických materiálech |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS207085A1 CS207085A1 (en) | 1985-08-15 |
| CS244094B1 true CS244094B1 (cs) | 1986-07-17 |
Family
ID=5356723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS852070A CS244094B1 (cs) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | Způsob měření záznamů na fotochemických materiálech |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS244094B1 (cs) |
-
1985
- 1985-03-22 CS CS852070A patent/CS244094B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS207085A1 (en) | 1985-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6784446B1 (en) | Reticle defect printability verification by resist latent image comparison | |
| KR100543534B1 (ko) | 검사방법 및 디바이스제조방법 | |
| KR102382490B1 (ko) | 모델 기반의 핫 스팟 모니터링 | |
| US9772562B2 (en) | Method and apparatus for measuring a structure on a substrate, models for error correction, computer program products for implementing such methods and apparatus | |
| US20130141723A1 (en) | Alignment Mark Deformation Estimating Method, Substrate Position Predicting Method, Alignment System and Lithographic Apparatus | |
| CN108431695A (zh) | 控制图案形成过程的方法、器件制造方法、用于光刻设备的控制系统以及光刻设备 | |
| WO2014123907A1 (en) | Method of electromagnetic modeling of finite structures and finite illumination for metrology and inspection | |
| TW200538886A (en) | Method to determine the value of process parameters based on scatterometry data | |
| US10948409B2 (en) | Method and apparatus for calculating electromagnetic scattering properties of finite periodic structures | |
| TW200832584A (en) | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method | |
| US6091486A (en) | Blazed grating measurements of lithographic lens aberrations | |
| US7368208B1 (en) | Measuring phase errors on phase shift masks | |
| CN109690411A (zh) | 用于工艺量测的差分目标设计和方法 | |
| US6617087B1 (en) | Use of scatterometry to measure pattern accuracy | |
| US6741334B2 (en) | Exposure method, exposure system and recording medium | |
| CS244094B1 (cs) | Způsob měření záznamů na fotochemických materiálech | |
| JPH07280739A (ja) | 異物検査方法 | |
| KR20230059132A (ko) | 반도체 시편 제조를 위한 마스크 검사 | |
| TWI786359B (zh) | 用於疊對度量衡之方法及其設備、及用於一度量衡設備之孔徑 | |
| US20220276569A1 (en) | Method and system for determining information about a target structure | |
| EP0985977A1 (en) | Integrated circuit device fabrication utilizing latent imagery | |
| TWI786360B (zh) | 度量衡方法 | |
| US6809824B1 (en) | Alignment process for integrated circuit structures on semiconductor substrate using scatterometry measurements of latent images in spaced apart test fields on substrate | |
| KR100841423B1 (ko) | 스캐터로미터 데이터에 기초한 처리 파라미터 값의 결정방법 | |
| SU458744A1 (ru) | Способ определени глубины дефекта при радиографии изделий |