CS244094B1 - Způsob měření záznamů na fotochemických materiálech - Google Patents

Způsob měření záznamů na fotochemických materiálech Download PDF

Info

Publication number
CS244094B1
CS244094B1 CS852070A CS207085A CS244094B1 CS 244094 B1 CS244094 B1 CS 244094B1 CS 852070 A CS852070 A CS 852070A CS 207085 A CS207085 A CS 207085A CS 244094 B1 CS244094 B1 CS 244094B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
photochemical
measuring
thickness
records
equidistant
Prior art date
Application number
CS852070A
Other languages
English (en)
Other versions
CS207085A1 (en
Inventor
Jiri Holan
Original Assignee
Jiri Holan
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiri Holan filed Critical Jiri Holan
Priority to CS852070A priority Critical patent/CS244094B1/cs
Publication of CS207085A1 publication Critical patent/CS207085A1/cs
Publication of CS244094B1 publication Critical patent/CS244094B1/cs

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

Řešení se týká měření záznamů na fotochemických materiálech, zejména ve vrstvách fotorezistů, zvláště při měření jejich vlastnosti a při hodnocení výsledků technologických operaci· Při měřeni podobných záznamů je obvykle nutné měřit tloušřku vrstvy zpracovaného fotochemického materiálu, nebo rozdíly v tlouětce. Užívané přístroje jsou nákladné a měření bývá časově náročné· Podstatou vynálezu je využiti skutečnosti, že rozloženi intenzity světla v difraktogramech, vznikajících ohybem světla na ekvidistantnioh obrazových prvcích, se podstatným způsobem mění při změně tloustky (popř. absorpce) těchto obrazových prvků. ' Při postupu podle vynálezu se na vrstvu fotochemického materiálu naexponuje obrazec, obsahujíci ekvidietantni prvky, exponovaný .materiál se zpracuje a vzniklý obraz se vloží do difraktometru. Změří se hodnoty charakterizující intenzitu zářeni v ohybových maximech, příslušejících ekvldistantnim prvkům obrazu (zejména hodnoty úměrné těmto intenzitám ? opř. jejioh logaritmům) a početním posupem se stanoví výška reliéfu tvořeného obrazovými prvky, popř. i střídá tohoto reliéfu. Přednosti postupu podle vynálezu je možnost měřit relativně rychle a s použitím méně nákladné aparatury i velmi malé tlouštky obrazových záznamu·

Description

Řešení se týká měření záznamů na fotochemických materiálech, zejména ve vrstvách fotorezistů, zvláště při měření jejich vlastnosti a při hodnocení výsledků technologických operaci· Při měřeni podobných záznamů je obvykle nutné měřit tloušřku vrstvy zpracovaného fotochemického materiálu, nebo rozdíly v tlouětce. Užívané přístroje jsou nákladné a měření bývá časově náročné· Podstatou vynálezu je využiti skutečnosti, že rozloženi intenzity světla v difraktogramech, vznikajících ohybem světla na ekvidistantnioh obrazových prvcích, se podstatným způsobem mění při změně tloustky (popř. absorpce) těchto obrazových prvků. '
Při postupu podle vynálezu se na vrstvu fotochemického materiálu naexponuje obrazec, obsahujíci ekvidietantni prvky, exponovaný .materiál se zpracuje a vzniklý obraz se vloží do difraktometru.
Změří se hodnoty charakterizující intenzitu zářeni v ohybových maximech, příslušejících ekvldistantnim prvkům obrazu (zejména hodnoty úměrné těmto intenzitám ?opř. jejioh logaritmům) a početním posupem se stanoví výška reliéfu tvořeného obrazovými prvky, popř. i střídá tohoto reliéfu. Přednosti postupu podle vynálezu je možnost měřit relativně rychle a s použitím méně nákladné aparatury i velmi malé tlouštky obrazových záznamu·
244 094
244 094
Vynález ee týká měření záznamů na fotochemických materiálech, zejména ve vrstvách fotorezietů, zvláště při měření jejich vlastností a při hodnocení výsledků technologických operací
Některé fotochemické materiály, zejména fotorezisty, poskytují po ozáření a následujícím zpracování ve vhodném plynném nebo častěji kapalném prostředí (tzv. vývojce) obraz, tvořený oblastmi, jejichž tloušťka závisí na ozáření. V praxi jsou nejběžnější případy, kdy záznam (obraz) tvoří dílem oblasti s odhalenou podložkou, dílem oblasti pokryté vrstvou zpracovaného fotochemického materiálu; tyto vrstvy chcá rí podložku při leptání apod. Při měřeni vlastností těchto materiálů (zejména eenzitometrickém a mikrosenzitometrickém) a dále při technologických aplikacích, je nezbytné nebo účelné, měřit tlouštku vrstev vzniklých zpracováním fotochemického materiálu, popř. rozdíly v tloušťce na různě exponovaných místech. K tomu se užívají zejména mechanické, interferometrické a elipsometrické metody. Potřebná zařízení jsou zpravidla složitá a nákladná a měření je obvykle časově náročné. Zvlᚊ obtížné je měření vrstev s velmi malou tloušťkou (např. několik desetin mikrometru a méně).
Uvedené nedostatky nemá postup podle vynálezu, jehož podstatou je postup umožňující využít skutečnosti, že rozložení intenzity zářeni v difraktogramech, vznikajících ohybem světla na ekvidistantních obrazových prvcích, se podstatným způsobem mění při změně tloušlky (popřípadě absorpce) těchto obrazových prvků.
Přednosti postupu podle vynálezu spočívají především v tom, že k uskutečnění postupu postačí i relativně jednoduchý a málo nákladný difraktometr a že měření i vyhodnocení výsledků měření
244 094 je rychlé. Pro měření a vyhodnoceni lze použit automatizovaných postupů. Způsob měření podle vynélezu je zvlášť vhodný pro měření malých tlouětěk nebo rozdílů v tloušťce.
Írí&t3.<i
Při měření záznamu, vytvářeného ve vratvě fotochemického materiálu na nosné podložce, ae aktinickým zářením na Vrstvu materiálu naexponuje obrazec, obsahující soustavu ekvidistantnlch prvků. K tomu se použije buS zvláštní zkušební obrazec (např. při senzitometrickém měření; pak je zvláště vhodný obrazec tvořený soustavou rovnoběžných světlých a tmavých čar), nebo obrazec používaný k technologickým operacím, které mají být kontrolovány, apod. (jestliže obrazec bud sám obsahuje ekvidietatní prvky, nebo je možné takové prvky do něj pro měření zařadit). Ozářený materiál se zpracuje způsobem, který je pro něj předepsán nebo zvolen a podložka a takto vzniklým záznamem ae umístí do difraktoraetru. Změří ae hodnoty (absolutní či relativní) intenzity zářeni v difrakčnich maximech, odpovídajících ekvidiatantním obrazovým prvkům. Tyto hodnoty aamy mohou být mírou dosaženého výsledku (např. při zjišťování, zda opakování technologická operace poskytlo shodný výsledek), nebo ae z nich početně stanoví tloušťka (výška) reliéfu tvořícího záznam, popřípadě táž střída tohoto reliéfu. Měřeni závislosti výšky reliéfu na expozici či jeho logaritmu charakterizuje aenzitometrické vlastnosti měřeného fotochemického materiálu, analogická závislost střídy obsahuje informaci o mikroaenzitometrických vlastnostech materiálu.
Postupu podle vynálezu lze využít zejména při měření vlaatnoa tí fotochemických materiálů a při hodnoceni vlastností záznamů, vytvořených z těchto materiálů, zvláště při měřeni tloušťky fotorezietových masek apod·, pro kontrolu a optimalizaci technologických postupů. Postupu podle vynálezu lze použit i k měřeni záznamů na materiálech, které na změny v expozici reagují změnami absorpce světla. Zde lze postupu využít zejména k měřeni atřidy obrazu ekvidiatantních prvků při hodnocení mikroaenzitometrických vlastností materiálů.

Claims (1)

  1. PŘEDMĚT
    VYNÁLEZU
    244 094
    Způsob měření záznamů na fotochemických materiálech, vyznačený tím, že na vrstvu fotochemického materiálu se aktinickým zářením exponuje obrazec obsahující ekvidistantní obrazové prvky, záznam ee po zpracování exponované vrstvy fotochemického materiálu umístí do difraktometru a stanoví se veličiny charakterizující intenzitu záření v difrakčních maximech odpovídajících ekvidistantní» obrazovým prvkům.
CS852070A 1985-03-22 1985-03-22 Způsob měření záznamů na fotochemických materiálech CS244094B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS852070A CS244094B1 (cs) 1985-03-22 1985-03-22 Způsob měření záznamů na fotochemických materiálech

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS852070A CS244094B1 (cs) 1985-03-22 1985-03-22 Způsob měření záznamů na fotochemických materiálech

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS207085A1 CS207085A1 (en) 1985-08-15
CS244094B1 true CS244094B1 (cs) 1986-07-17

Family

ID=5356723

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS852070A CS244094B1 (cs) 1985-03-22 1985-03-22 Způsob měření záznamů na fotochemických materiálech

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS244094B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS207085A1 (en) 1985-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6784446B1 (en) Reticle defect printability verification by resist latent image comparison
KR100543534B1 (ko) 검사방법 및 디바이스제조방법
KR102382490B1 (ko) 모델 기반의 핫 스팟 모니터링
US9772562B2 (en) Method and apparatus for measuring a structure on a substrate, models for error correction, computer program products for implementing such methods and apparatus
US20130141723A1 (en) Alignment Mark Deformation Estimating Method, Substrate Position Predicting Method, Alignment System and Lithographic Apparatus
CN108431695A (zh) 控制图案形成过程的方法、器件制造方法、用于光刻设备的控制系统以及光刻设备
WO2014123907A1 (en) Method of electromagnetic modeling of finite structures and finite illumination for metrology and inspection
TW200538886A (en) Method to determine the value of process parameters based on scatterometry data
US10948409B2 (en) Method and apparatus for calculating electromagnetic scattering properties of finite periodic structures
TW200832584A (en) Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
US6091486A (en) Blazed grating measurements of lithographic lens aberrations
US7368208B1 (en) Measuring phase errors on phase shift masks
CN109690411A (zh) 用于工艺量测的差分目标设计和方法
US6617087B1 (en) Use of scatterometry to measure pattern accuracy
US6741334B2 (en) Exposure method, exposure system and recording medium
CS244094B1 (cs) Způsob měření záznamů na fotochemických materiálech
JPH07280739A (ja) 異物検査方法
KR20230059132A (ko) 반도체 시편 제조를 위한 마스크 검사
TWI786359B (zh) 用於疊對度量衡之方法及其設備、及用於一度量衡設備之孔徑
US20220276569A1 (en) Method and system for determining information about a target structure
EP0985977A1 (en) Integrated circuit device fabrication utilizing latent imagery
TWI786360B (zh) 度量衡方法
US6809824B1 (en) Alignment process for integrated circuit structures on semiconductor substrate using scatterometry measurements of latent images in spaced apart test fields on substrate
KR100841423B1 (ko) 스캐터로미터 데이터에 기초한 처리 파라미터 값의 결정방법
SU458744A1 (ru) Способ определени глубины дефекта при радиографии изделий