CS246982B1 - Method and apparatus for producing chemically active environment for plasma chemical reactions namely for deposition of thin layers - Google Patents
Method and apparatus for producing chemically active environment for plasma chemical reactions namely for deposition of thin layers Download PDFInfo
- Publication number
- CS246982B1 CS246982B1 CS440785A CS440785A CS246982B1 CS 246982 B1 CS246982 B1 CS 246982B1 CS 440785 A CS440785 A CS 440785A CS 440785 A CS440785 A CS 440785A CS 246982 B1 CS246982 B1 CS 246982B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- gas
- activatable
- plasma
- vacuum chamber
- electrode
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 19
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 230000003137 locomotive effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 238000011089 mechanical engineering Methods 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu a zařízení pro vytváření chemicky aktivního prostředí pro plazmochemické reakce, zejména pro depozice tenkých vrstev, a je využitelný ve více oborech jako je zejména výroba textilních strojů, strojní a elektrotechnický průmyl, hutnictví a těžké strojírenství, energetika, chemický průmsl atd·
V současné době existuje řada generace chemicky aktivního plasma tu pro plazmocheMcké reakce vedoucí k tvorbě nových sloučenin, zejména ve tvaru tenkých vrstev na vhodně umístěných površích· Tyto metody se ocdišují frekvencí elektromagnetického pole generujícího plazma, způsobem zavádění elektromagnetického výkonu do výbojové komory, geometr! elektrod a celkového uspořádá ní nebo druhem pouuité plynné pracovní s^ísí.·
Podle spisu DOS č· 3 209 792 A z r· 1982 se chrání zařízení se speciální rozptylovou tryskou pro přívod pracovního plynu, kterou se dosahuje zlepšení rov^i^i^měnnst^i tlouěiky vytvářené vrstvy·
Podle patentu USA £· 4 328 258 z r· 1982 se chrání speciální uspořádání s tvary elektrod pro depozic! polovodičových vrstev v doutnavém
Podle patentu USA ě· 4 289 797 z r· 1981 se chrání vytváření rovnoměrných vrstev nitridu křemíku SLxNy nebo kysličníku křemíku SLxOy v tekoucím vysokofrekvenčním plazmatu ve dvou cyklech, zahrnuujcích vytváření vodíkem nasycené křemíkové vrstvy a následnou вдЬьИ^с! vodíku dusíkem nebo kyslíkem·
Ve spisu DAS č· 2 803 331 z r· 1978 se chrání zařízení se stejnoměrná generovinám výbojem v dutých vodivých tělesech tvořících jednu z elektrod, přičemž pracovní plyn se přivádí přímo tělesa· Tím se dosahuje vysoké účinnooti výboje, například v dusíku, pro tvorbu difúzní nitridové vrstvy tzv· iontovou nitridací·
Kromě vytváření chem.cky aktivních plazmatických prostředí, například pro depozice tenkých vrstev na povrchy substrátů přímým působením plazmatu, je možno vyuuít nepřímé tvorby aktivního prostředí mimo oblast plazmatu· Takové metody jsou založeny na plazmatické activaci jednoho či několika vhodných plynů, ve kterých vznikají íeeαatabíluí částice s vysokou chemickou aktivitou a tyto se pak přiváděěí do reakčního prostoru mimo plazma, kde reagijí s požadovanými plyny· Samotná reakce tedy probíhá v elektricky neutrálním prostředí miLno.plazma. Zatímco při vyuuití přímých plazmochemických metod jsou probíhhjící reakce, například růst vrstev, zpravidla rycího jší než u nepřímých, vznikají při interakci plazmatu s povrchy substrátů specifické problémy s hranovými potenciály, stínící oblastí prostorové náboje apod· Tyto problémy se naopak u metod nepřímých, kde substrát není vystaven působením plazmatu. Zde jde spíže o vyřešení vhodného proudění aktivovaného plynu a neaktivovaného reakčního plynu vzhledem k substrátu·
V čs· vynálezu podle A· o· 227 837 z r· 1981 je chráněno zařízení se specifCcým rozptylovačem aktivního a rozdělovačem aktivovaného plynu pro dosažení homogenní tloušťky deponované vrstvy na substrátě· I když je uvedenými metodami možno vytvářet rovnoměrně tlusté vrstvy, nebo povlakovat vnitřní či nepřístupné plochy, ryclh.ost depozice vrstev je tady několikanásobně nižší, nežli u metod s přímým využitím plazmatu·
Uvedené nevýhody e nedostatky dosud známých způsobů a zařízení pro vytváření chemicky aktivního prostředí pro plazmochemické reakce jsou buS zcela nebo alespoň do značné mísy odstraněny způsobem a zařízením pro jeho provádění poche vynálezu· Podstata způsobu podle vynálezu spočívá v tom, že aktivovatelný reakční plyn popřípadě směs alespoň jednoho aktivovatelného reakčního plynu a alespoň jednoho pracovního plynu ee napouuttzí alespoň jednou tryskou ve směru žádané největší chemické Ortivity vytvořená aktivované zóny do ob-asti' generování plazmatu při tlaku vyšším nelži je tlak okolního pracovního plynu, přičemž podstatná, neionizovaná část aktivovatelného plynu je dLsoclací anebo excitací uvedena do chemicky aktivního stavu v aktivované zóně proudícího aktivovatelného reakčního plynu·
Podstata zařízení pro provádění způsobu poidLe vynálezu spočívá při první alternativě v tom, že je vytvořeno z vakuové komoory připojené k čerpacímu systému a opatřehé přívodem pracovního plynu, dále z elektrického zdroje pro generování plazmatu. Podle vyn&Lezu je do jedné stěny vakuové komory elektricky izolovaně zasazena alespoň jedna tryska, opatřená na svém konci uvnitř vakuové komory první elektrodou spojenou s první svorkou elektrického zdroje, jehož druhá svorka je spojena s držákem druhé elektrody, přičemž mezi první elektrodou a druhou elektrodou v oblasti generování plazmatu je umístěno pohybové ústrojí, jehož upínací část pro upevnění substrátu je přivrácena k první elektrodě·
Podstata zařízení pro provádění způsobu po&.e vynálezu spočívá při druhá alternativě v tom, že je vytvořeno z vakuové komorry, připojené k čerpacímu systému a opatřené přívodem pracovního plynu, a dále z elektrického zdroje pro generování plazmatu. Po&e . vynálezu je do jedné stěny vakuové komory zasazena alespoň jedna tryska přívodu aktivovatelného plynu, proti níž je v oblasti generování plazmatu upraveno pohybové ústrojí s upínací Siástl pro upevnění substrátu.
Způsob a zařízení podle vynálezu odstraňují nevýhody přímých a nepřímých metod vytváření vrstev. Poddtata vynálezu spočívá v mžnnst^i vytváření síírovatelné a lokali zovatelné zóny aktivovaného plynu, která je vytvořena z elektricky neutrálních, chemicky aktivních č^í^t:ic přímo v obbealtl plazmatu. Tímto způsobem je možno spojit výhodu rycHXoaltl přímých, plazmochemických metod s výhodou vytvoření lokálních obl^l^i^1^:í v neplazmatickém, chemicky vysoce aktivním stavu.
Poddtata vynálezu je dále objasněna pomocí výkresů, na nichž je znázorněno: na obr. 1 - princip způsobu, na obr. 2 - první příklad prakticky provedeného zařízení, na obr. 3 - druhý příklad prakticky provedeného zařízení, na'obr. 4 - . tři alternativní provedení A, B, C první elektrody se systmrnem trysek.
Na obr. 1 je znázorněna tryska 2 pro přívod aktivovatelného plynu j, a jeho napouštění do oblasti ± generován i plazmatu: v obl^l^i^l^X ± generování plaraatu je prostředí s pracovním plynem J a uvnitř toheto prostředí je zóna g aktivovaného plynu, jež mé vysokou chemickou aktivitu, je dobře smmrovatelná a lokalizovatelné směrem trysky 2 A jejím vlastním provedením.
Tryska 2 je určena pro přívod aktiaoaatelnáho plynu 1, ale róže být výhodné její použžtí pro přívod aktiaoaatelnáho plynu 1 spolu s pracovním plynem g, pokud není upraven vlastní přívod pracovního plynu g.
Na obr. 2 je znázorněn první příklad prakticky provedeného zařízení, které je vytvořeno z vakuové komory 2» k níž je připojen čerpací systém .12, Ve vakuové komoře jsou umí stěny dvě elektrody, z nichž první elektrodou 6 prochází tryska 2* například v její ose, druhý elektroda 8 je elektricky vodivě spojena s první svorkou elektrického zdroje УЗ pro generování plazmatu, ' jehož druhá' svorka je spojena s první elektrodou 6.
Aktivovatelný plyn j se zavádí do vakuové komory 2 tryskou .2 v první elektrodě 6, pracovní plyn g se zavádí vlastním nátrubkem do vakuové komory J. Obě elektrody g, § jsou umístěny v oblasti 4 generování plazmatu; mezi elektrodami 6, g je umístěn pevný substrát 2 v dosahu zóny g aktivovaného plynu a na jeho- povrchu se vytváří tenká vrstva 10. řevný substrát 2 de upevněn v upínací části pohybového ústrojí jj,.
Na obr. 3 je znázorněn druhý příklad prakticky provedeného zařízení, jež je vytvořeno opět z vakuové komory 2, přič<mž generování plazmatu je bezelektrodové, pomocí *
vazebního prvku 24 · vnější stěny vakuově · komrcy J. Tryska £ je opět určena pro přívod aktivovatelněho plynu £.
Ve stěně vakuově komory 2 je umístěn přívod pracovního plynu J, d^le čerpací systěm 12 a pohybové zařízení 21 β upínací částí v níž je upevněn pevný substrát 2 v dosahu siny 6 aktivovaného plynu. Pohybovým zařízení 11 . lze pozici pevného substrátu účelně mínit vzhledem k zóně i· Kromě toho lze pohybovým zařízením .££ také mínit polohu trysky 2 a pevného substrátu £ nebo současným pohyby trysky 2 a pevného substrátu 2 taktéž dosáhnout pohybu pevného substrátu 2 vzhledem k zóně 2·
První svorka elektrtLelého zdroje ££ je připojena k vazebnímu prvku £4» druhá svorka elektrického zdroje 22 je uzemněna, popřípadě spájena s kostrou úplného zařízení. Na obr. j je znázorněna též vrstva 10 vytvořená na pevném substrátu 2·
Na obr. 4 jsou znázorněny tři alternativy A, B, C provedení první elektrody 6 schematicky naznačené již na obr. 2 a j.
V první aLternativě A na obr. 4 je pevným -^substrátem 2 rotačně symetrický předmět například dutý válec. Akivovatelný plyn 2 a pracovní plyn J mej společný přívod, to znamená, že elektroda 6 je ve tvaru trubky přecházející v trysky 2. Zóna 2 aktivovaného plynu je v dutině, tj. uvntř válcového meezkiriží· Je znázorněna vytvořená vrstva £2, jejíž rovnoměrné tlouěíky lze dosáhnout vzájemnými pohyby pevného substrátu 2 β zóny 2 aktivovaného plynu ve směru šipek.
Ve druhé alternativě B na obr. 4 je pevném substrátem 2 tyč, například válcový trn, vrták apod·, a aktivovatelný plyn £ a pracovní plyn 2 mají opít společný přívod, to znamená že elektroda 6 je ve tvaru trubky přec^azejcí ve válcovou dutinu, jejíž vnitřní válcová stěna je opatřena více otvory a tvoří vlastní tryhky 2» zatímco vnější válcová stěna je bez otvorů a je spojena vespod čelní plochou s vnitřní válcovou stěnou s tryskami 2.
Pevný substrát 2 ve tvaru například tyče je vložen do vnitřní válcové dutiny s tryskami 2. Je znázorněna vytvořená vrstva 10. jejíž rovnoměrné tloušlky lze dosáhnout vzájemným, pohyby pevného substrátu 2 a zóny 2 aktivovaného plynu ve směru šipek.
Ve třetí ^tema^ví C na obr. 4 má pevný substrát 2 tvar dlouhé folie a aktivovatelný plyn 2 a pracovní plyn J maaí společný přívod upravený na tělese elektrody 6, jejíž 'větě! rozměr je ve směru napříč dlouhé fólie. V elektrodě 6 je upravena v podélném směni řada trysek 2, napříč délce a pohybu prvního substrátu 2 ve tvaru dlouhé fólie.
Druhá elektroda £ po<U.e obr. 2 a j by mohla v uspořádání podle obr. 4 mít tvar přizpůsobený geometrrí první elektrody 6 a pevného substrátu 2, je však možno s výhodou využít uzemněnou stěnu vakuové komory podle obr. j nebo dokonce samotný pevný substrát 2·
Z hládiske činnosti lze popsat způsbb a zařízení podle vynálezu následovně: poďLe obr. 1 aktivovatelný plyn 2 ne napouští do oblasti 4 generování plazmatu tryskou 2, čímž se dosáhne proudu plynu, který má proti okolnímu prostředí s pracovním plynem J zvýšený tlak. Zvýšený tlak představuje při jistých, pro jednotlivé plyny specifických hodnotách, snížení ionizace a plyn je pouze disoLiovái nebo excitován do požadovaných elektricky neutrálních stavů · s vysokou chemickou aktivitou.
Napříkla· u dusíku je to vysoce aktivní atom v západním stavu N/4S/. V oblasti 4 generování plazmatu se proto vytvoří·zóna 2 aktivovaného plynu, která má vysokou hhemickou aktivitu a navíc je dobře síírovateliá a lokjlizovjttliá směrem s . vlastním provedením trysky 2«
Pracovní plyn J lze napouštět do oblasti generování plazmatu nezávisle na napouštění aktivovatelného plynu I, může však být výhodné také napouštění pracovního ply,nu J spolu s aktivovatelným plynem
Podle obr* 2 jsou pro generování plazmatu použity dvě elektrody 6, 8, připojené к elektrickému zdroji 13 pro generování plazmatu· Plazma se vytváří ve směsi pracovního plynu J a aktivovatelného plynu 1, který se do oblasti I generování plazmatu přivádí tryskou 2 vytvořenou přímo v první elektrodě 6, čímž je docíleno napouštění aktivovatelného plynu 1 do oblasti nejintenzivnějšího generování plazmatu a tryskou 2 je dosaženo vhodného přetlaku aktivovatelného plynu 1, takže se vytvoří poměrně dobře ohraničená zóna J elektricky neutrálních částic aktivovaného plynu s vysokou chemickou aktivitou·
Rozměry zóny £ aktivovaného plynu lze měnit průtočným množstvím aktivovatelného plynu 1, velikosti trysky 2, výkonem elektrického zdroje 13. celkovým tlakem plynů ve vakuové komoře J, poměrem průtoků aktivovatelného plynu 1 a neaktivovatelného pracovního plynu Д atd· Pevný substrát £ se umístí v oblasti Д generování plazmatu v dosahu zóny £ aktivovaného plynu tak, že se na jeho povrchu plazmochemickou reakcí vytváří tenká vrstva 10. Pro tvarování tloušíky a vlastnosti vrstvy 10 na pevném substrátě 2 se tento upevní do upínací části pohybového ústrojí 11. kterým lze měnit jeho polohu vzhledem к zóně £ aktivovaného plynu·
Podle obr· 3 je použito bezelektrodového generování plazmatu pomocí vazebního prvku 1.4 z vnější stěny vakuové komory Aktivovatelný plyn 1 se přivádí do oblasti generování plazmatu 1 tryskou 2> pomocí jíž lze lokálně vytvořit požadovaný přetlak a dosáhnout aktivací plynu 1 v elektricky neutrální oblasti £ se zvýšenou chemickou aktivitou.
Pevný substrát £ se opět umisluje v dosahu zóny £ s možností pohybu použitím pohybového zařízení 11« Vzájemného pohybu substrátu £ a zóny £ lze dosáhnout také spojením trysky 2 s pohybovým zařízením 11 nebo současným pohybem trysky 2 a pevného substrátu
Podle obr. 4 jsou ve všech třech alternativách aktivovatelný plyn 1 a pracovní plyn J přiváděny současně, společně, pro zlepšení lokalizace reakcí. Možnosti vzájemného pohybu pevného substrátu 2 a zóny £ aktivovaného plynu jsou vyznačeny šipkami.
Příkladem využití způsobu a zařízení podle vynálezu je depozice vrstev nitridu křemíku ve vysokofrekvenčním výboji, přičemž aktivovatelným plynem je dusík, pracovním plynem je sílán mícháný v argonu případně směs sílánu, argonu a dusíku.
Při napouštění všech plynů společnou tryskou se vytvoří úzce směrovaná oblast elektricky neutrálního a chemicky aktivního tekoucího plynu v okolním plazmatu. Při interakci a povrchem pevného substrátu se vytváří vrstva nitridu křemíku s rychlostí depozice řádově jednotek mikrometrů za jednu minutu; tato rychlost převyšuje několikanásobně rychlosti analogické klasické depozice v plazmatu a řádově převyšuje rychlost nepřímých plazmo chemicích depozic. Kromě vrstev typu nitridu křemíku Si^N^ lze způsobem podle vynálezu deponovat i jiné typy vrstev, například nitrid titanu TiN a nitrid boru BN.
Vhodnou volbou pracovních plynů lze dosáhnout nejenom depozice vrstev v oblasti aktivované zóny, ale také leptací účinky s vysokou rychlostí leptání.
Claims (3)
1. Způsob vytváření chemicky aktivního prostředí pro plazmachem.cké reakce, zejména pro deppzici tenkých vrstev, vyznačený tím, že aktivovatelný reakční plyn popřípadě směs alespoň jednoho aktivovatelného reakčního plynu a alespoň jedhoho pracovního plynu se napouStí alespoň jednou tryskou ve směru žádané největší chemické aktivity vytvořené aktivované zóny do oblasti generování plazmatu při tlaku vyšším nežli je tlak okolního pracovního plynu, přičemž podstatná, neoinizovaná část aktivovatelného plynu je disociací a/nebo excitací uvedena do chem.cky aktivního stavu v aktivované ζόηβ proudícího aktivovatelného reakčního plynu·
2· Zaaízení pro provádění způsobu podle bodu 1, vytvořené z vakuové komory, připojené k čerpacímu systému a opatřené přívodem pracovního plynu, dáLe z elektrického zdroje pro generování plezmatu, vyznačené tím, že do jedné stěny vakuové komory (7) je elektricky izolovaně zasazena alespoň jedna tryska (2), opatřená na.svém konci wvdtř vakuové komory (7) první elektrodou (6) spojenou s první svorkou elektrického zdroje (13), jehož druhá svorka je spojena s držákem druhé elektrody (8), přičemž mezi první elektrodou (6) a druhou elektrodou (8) v oblasti (4) generování plazmatu, je umístěno pohybové ústrojí (11), jehož upínací část pro upevnění substrátu (9) je přivrácena k první elektrodě . (6)·
3· Zaaízení pro provádění způsobu po&e bodu 1, vytvořené z vakuové komoiT/, připojené k čerpacímu systému a opatřené přívodem pracovního plynu, a dále z elektrického zdroje pro generování plazmatu, vyznačené tím, že do jedné stěny vakuové komory (7) je zasazena alespoň jedna tryska (2) přívodu aktivovatelného plynu (1), proti níž je v oblasti (4) generování plazmatu upraveno pohybové ústrojí (11) s upínací pro upevnění substrátu (9)·
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS440785A CS246982B1 (en) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | Method and apparatus for producing chemically active environment for plasma chemical reactions namely for deposition of thin layers |
| DE19863620214 DE3620214A1 (de) | 1985-06-17 | 1986-06-16 | Verfahren und vorrichtung zur schaffung eines chemisch aktiven milieus fuer plasmochemische reaktionen, vor allem fuer die abscheidung duenner schichten |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS440785A CS246982B1 (en) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | Method and apparatus for producing chemically active environment for plasma chemical reactions namely for deposition of thin layers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS246982B1 true CS246982B1 (en) | 1986-11-13 |
Family
ID=5386747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS440785A CS246982B1 (en) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | Method and apparatus for producing chemically active environment for plasma chemical reactions namely for deposition of thin layers |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS246982B1 (cs) |
| DE (1) | DE3620214A1 (cs) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5908602A (en) * | 1994-11-18 | 1999-06-01 | Surfcoat Oy | Apparatus for generation of a linear arc discharge for plasma processing |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3729347A1 (de) * | 1986-09-05 | 1988-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | Plasmaprozessor |
| DE3810197A1 (de) * | 1987-03-27 | 1988-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma-bearbeitungseinrichtung |
| DE3741672A1 (de) * | 1987-12-09 | 1989-06-22 | Asea Brown Boveri | Verfahren und anordnung zur oberflaechenbehandlung von substraten |
| DE3936518C2 (de) * | 1989-11-02 | 2001-10-11 | Rieter Ag Maschf | Vorspinnmaschine |
| DE19505268C2 (de) * | 1995-02-16 | 1999-02-18 | Fraunhofer Ges Forschung | CVD-Verfahren zur Beschichtung von Substratoberflächen |
| DE19722624C2 (de) * | 1997-05-30 | 2001-08-09 | Je Plasmaconsult Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung einer Vielzahl von Niedertemperatur-Plasmajets |
| DE19920693C1 (de) * | 1999-05-05 | 2001-04-26 | Inst Oberflaechenmodifizierung | Offener UV/VUV-Excimerstrahler und Verfahren zur Oberflächenmodifizierung von Polymeren |
| DE19932630C2 (de) | 1999-07-13 | 2003-12-04 | Perkin Elmer Bodenseewerk Zwei | Einheit für eine Plasma-Atomisierungsvorrichtung mit Plasma-Gaszuführeinrichtung, Probenzerstäubereinrichtung und Probeninjektionseinrichtung |
-
1985
- 1985-06-17 CS CS440785A patent/CS246982B1/cs unknown
-
1986
- 1986-06-16 DE DE19863620214 patent/DE3620214A1/de not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5908602A (en) * | 1994-11-18 | 1999-06-01 | Surfcoat Oy | Apparatus for generation of a linear arc discharge for plasma processing |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3620214A1 (de) | 1986-12-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4897285A (en) | Method and apparatus for PCVD internal coating a metallic pipe by means of a microwave plasma | |
| US5996528A (en) | Method and apparatus for flowing gases into a manifold at high potential | |
| EP3161182B1 (en) | Plasma source and surface treatment methods | |
| JP4565743B2 (ja) | 半導体処理室用電極及びその製造方法 | |
| JP5364054B2 (ja) | 調整可能なマルチゾーンガス噴射システム | |
| KR0177590B1 (ko) | 플라즈마를 이용하는 기판처리장치 | |
| KR960706572A (ko) | 가스 확산기 판 조립체와 무선 주파수 전극(Gas diffuser plate assembly and RF electrode) | |
| MY139877A (en) | Lower electrode design for higher uniformity | |
| CZ147698A3 (cs) | Způsob vytváření fyzikálně a chemicky aktivního prostředí plazmovou tryskou a plazmová tryska | |
| CA2399493C (en) | Arrangement for generating an active gas jet | |
| CS246982B1 (en) | Method and apparatus for producing chemically active environment for plasma chemical reactions namely for deposition of thin layers | |
| US20120222617A1 (en) | Plasma system and method of producing a functional coating | |
| JPS5915982B2 (ja) | 放電化学反応装置 | |
| KR20090042955A (ko) | Ｅｃｒ 플라즈마 소스 | |
| KR940020495A (ko) | 플라즈마 처리장치(plasma processing apparatus) | |
| KR960030338A (ko) | 플라즈마처리장치 | |
| EP1073091A3 (en) | Electrode for plasma generation, plasma treatment apparatus using the electrode, and plasma treatment with the apparatus | |
| JPH0543785B2 (cs) | ||
| JP4416402B2 (ja) | 機能層を形成するためのプラズマ装置及び機能層の形成方法 | |
| US5640009A (en) | Fast atom beam source | |
| JP2009526129A (ja) | 短パルス大気圧グロー放電方法及び装置 | |
| US5039836A (en) | Radiation manufacturing apparatus and method | |
| KR100449524B1 (ko) | 플라즈마 처리방법 및 장치 | |
| JPS6223068B2 (cs) | ||
| RU2068029C1 (ru) | Способ плазмохимического нанесения покрытия |