CS252208B1 - Power Driver Connection - Google Patents

Power Driver Connection Download PDF

Info

Publication number
CS252208B1
CS252208B1 CS853929A CS392985A CS252208B1 CS 252208 B1 CS252208 B1 CS 252208B1 CS 853929 A CS853929 A CS 853929A CS 392985 A CS392985 A CS 392985A CS 252208 B1 CS252208 B1 CS 252208B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
transistor
power
transistors
switch
complementary pair
Prior art date
Application number
CS853929A
Other languages
Czech (cs)
Other versions
CS392985A1 (en
Inventor
Richard Abrahamcik
Vaclav Babovak
Original Assignee
Richard Abrahamcik
Vaclav Babovak
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Richard Abrahamcik, Vaclav Babovak filed Critical Richard Abrahamcik
Priority to CS853929A priority Critical patent/CS252208B1/en
Publication of CS392985A1 publication Critical patent/CS392985A1/en
Publication of CS252208B1 publication Critical patent/CS252208B1/en

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

Přepínač je připojen jednak na napětí jedné polarity a jednak na napětí druhé polarity vůči emitoru alespoň jednoho výkonového tranzistoru, přičemž přepínač je tvořen alespoň jednou komplementární dvojicí tranzistorů, jejichž báze a emitory jsou navzájem spojené. Zapojení výkonového budiče je realizováno v tranzistorovém svářecím zdroji.The switch is connected to a voltage of one polarity and a voltage of the other polarity to the emitter of at least one power transistor, the switch being formed by at least one complementary pair of transistors, the bases and emitters of which are connected to each other. The power driver is connected in a transistor welding power source.

Description

Vynález se týká zapojení výkonového budiče, zejména pro buzení výkonových tranzistorů, sestávající z budiče, spojeného přes přepínač a tvarovací obvod s výkonovým tranzistorem.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The invention relates to a power driver circuit, in particular for driving power transistors, consisting of a driver connected via a switch and a forming circuit to a power transistor.

Dosud používaná zapojení výkonových budičů tranzisorů, využívají obvykle pro urychlení vypnutí výkonového tranzistoru překmitu opačné polarity, vznikajícího na budícím transformátoru pří skončení budícího impulsu. V jiných případech se používají složitá zapojení, například pro nabíjení a vybíjení k tomuto účelu určených kondenzátorů. U těchto zapojení je obtížné zajistit požadovaný průběh budícího impuslu pří větších změnách jeho délky, jak je zapotřebí například u aplikací s tranzistorovými měniči při nekonstantní zátěži.The transistor power driver circuits used hitherto typically utilize the reverse polarity reversal occurring on the drive transformer at the termination of the drive pulse to accelerate the trip of the power transistor. In other cases, complex circuitry is used, for example, for charging and discharging capacitors intended for this purpose. With such wiring, it is difficult to provide the desired excitation waveform for larger variations in its length, as is needed, for example, in applications with transistor converters at non-constant load.

U aplikací s konstantní délkou budícího impulsu dochází s obvykle používanými budícími obvody k vyšším ztrátám výkonových tranzistorů. Současně i velikost napětí přiváděného na přechod báze - emitor výkonového tranzistoru v závěrném směru nelze u dosud používaných aplikací přesně definovat, což má za následek nebezpečí nepřípustného namáhání výkonového tranzistoru.In applications with a constant excitation pulse length, higher transistor losses occur with conventional excitation circuits. At the same time, the magnitude of the voltage applied to the base-emitter of the power transistor in the reverse direction cannot be precisely defined in the applications used so far, resulting in the risk of undue stress on the power transistor.

Pro buzení tranzistorů zvláště velkých výkonů (proud nad 30 A a napětí nad 500 V) jsou navíc problémy se zajištěním dostatečné strmosti čela budícího impulsu, budící transformátor nabývá značných rozměrů a současně vznikají neúměrně velké ztráty v budicích obvodech.In addition, for excitation of transistors of particularly high power (current above 30 A and voltage above 500 V), there is a problem of ensuring a sufficient steepness of the excitation pulse front, the excitation transformer is of considerable size and at the same time disproportionately large losses in excitation circuits.

Podstatně omezit či odstranit uvedené nedostatky stávajících zapojení umožňuje zapojení výkonového budiče podle vynálezu. Jeho podstata spočívá v tom, že přepínač je připojen na napětí jedné polarity a jednak na napětí druhé polarity vůči emitoru alespoň jednoho výkonového tranzistoru. Přepínač je tvořen alespoň jednou komplementární dvojicí tranzistorů, jejichž báze a emitory jsou navzájem spojené.The power exciter of the invention can be substantially reduced or eliminated. Its principle is that the switch is connected to a voltage of one polarity and second to a voltage of the other polarity with respect to the emitter of at least one power transistor. The switch comprises at least one complementary pair of transistors whose bases and emitters are connected to each other.

Zapojení podle vynálezu zajištuje optimální budící impulsy pro výkonové tranzistory od minimální potřebné délky až po libovolně velkou délku impulsu. Při potřebě dlouhých impulsů galvanicky oddělených následuje za izolačním transformátorem klopný obvod nebo se oddělení provede optoelektronickým spojovacím Členem.The circuitry according to the invention provides optimum pulses for power transistors from a minimum required length to an arbitrarily large pulse length. If long pulses are required galvanically separated, the flip-flop follows the isolation transformer or the isolation is made by an optoelectronic coupling.

V důsledku toho, že uvedené zapojení zajistí kvalitní budící impulsy, lze minimalizovat spínací a vypínací ztráty výkonových tranzistorů a protože je tranzistor prakticky saturován, jsou ztráty v sepnutém stavu rovněž minimalizovány.By providing a good excitation pulse, the switching and trip losses of the power transistors can be minimized, and since the transistor is virtually saturated, the on-state losses are also minimized.

I při použití transformátoru jako oddělovacího Členu budiče lze předloženým zapojením měnit šíři budícího impulsu v širokém rozsahu bez nebezpečí zhoršení jeho kvality. Tvar a velikost budícího proudu lze upravit použitím tvarovacích členů zapojených dle potřeby v budícím obvodě.Even when the transformer is used as an exciter isolation element, the wiring pulse width can be varied over a wide range without the risk of deteriorating its quality. The shape and magnitude of the excitation current can be adjusted by using shaping members connected as needed in the excitation circuit.

Nejčastější snahou je zvýšit strmost a amplitudu budícího impuslu v jeho začátku.The most common effort is to increase the steepness and amplitude of the excitation impulsus at its beginning.

Konkrétní příklad zapojení je znázorněn na obr. 1, kde budič 2 je přes přepínač 2 a tvarovací obvod 2 spojen s výkonovým tranzistorem 4. Dále je přepínač 2 připojen jednak na napětí jedné polarity A (+) a jednak na napětí druhé polarity B,(-) vůči emitoru výkonového tranzistoru T4, přičemž je přepínač 2 tvořen komplementární dvojicí tranzistorů T2, T3, jejichž báze a emitory jsou navzájem spojené. Do prvního vinutí impulsního oddělovacího transformátoru TR je přiváděn spouštěcí impuls. Z druhého vinutí TR se transformovaným spouštěcím impulsem spíná první tranzistor TI budiče 2· Sepnutím tohoto tranzistoru TI se převede na spojené báze komplementární dvojice tranzistorů T2, T3 kladné napětí vůči emitoru. V důsledku toho dosud sepnutý tranzistor T3 komplementární dvojice vypíná (přes odpor R byla dosud báze tranzistoru T3 komplementární dvojice spojena se záporným pólem, první tranzistor TI byl rozepnut) a dosud vypnutý tranzistor T2 komplementární dvojice sepne a přivede kladné napětí přes tvarovací obvod 2 na bázi výkonového tranzistoru T4, který tímto sepne.A specific example of wiring is shown in Fig. 1, where the driver 2 is connected to a power transistor 4 via a switch 2 and a shaping circuit 2. -) with respect to the emitter of the power transistor T4, the switch 2 being formed by a complementary pair of transistors T2, T3, whose bases and emitters are connected to each other. A trigger pulse is supplied to the first winding of the pulse isolation transformer TR. The first transistor T1 of the exciter 2 is switched from the second winding TR with the transformed trigger pulse. Consequently, hitherto closed transistor T3 complementary pair off (through a resistor R was still the base of transistor T3 complementary pair connected to the negative pole, the first transistor Tl has been opened) and far off transistor T2 complementary pair closes and applies a positive voltage through a shaping circuit 2 based on of the power transistor T4, which is thereby switched.

iand

Použitým zapojením komplementární dvojice tranzistorů T2, T3 je zajištěno rychlé spínání a vypínání a nemůže nastat stav, kdy jsou oba tranzistory prakticky sepnuty a spojí oba póly zdroje do zkratu. Tvarovací obvod 2 zajistí pomocí kondenzátoru C zvýšení strmosti a amplitudy budícího proudu při spínání výkonového tranzistoru T4. Po skončení budícího impuslu první tranzistor Tl vypíná. Tím se na spojených bázích komplementární dvojice tranzistorů T2, T3 změní napětí (před odpor R se na báze přivádí záporné napětí) z kladného na záporné a tím tranzistor T2 začne vypínat, tranzistor T3 sepne a připojí záporné napětí na bázi výkonového tranzistoru T4, čímž urychlí jeho vypnutí.By using a complementary pair of transistors T2, T3, fast switching on and off is ensured, and there can be no state in which both transistors are practically switched on and connect both poles of the source into a short circuit. The shaping circuit 2 provides, by means of capacitor C, an increase in the slope and amplitude of the excitation current when switching the power transistor T4. At the end of the excitation impulse, the first transistor T1 switches off. This changes the voltage of the complementary pair of transistors T2, T3 (negative voltage is applied to the base R) from positive to negative, and thus transistor T2 starts to trip, transistor T3 closes and connects negative voltage based on power transistor T4, thereby accelerating turning it off.

V dalších možných způsobech zapojení podle vynálezu jsou ve spojených bázích a/nebo emitorech a/nebo kolektorových obvodech komplementární dvojice tranzistorů T2, Z2 zapojeny rezistory, kondenzátory eventuálně indukčností nebo sériové a/nebo paralelní kombinace jejich zapojení.In other possible connection methods according to the invention, in the connected bases and / or emitters and / or collector circuits, complementary pairs of transistors T2, Z2 are connected by resistors, capacitors or inductances or series and / or parallel combinations of their connections.

Zapojení výkonového budiče podle vynálezu je realizováno například v tranzistorovém scářecím zdroji.The connection of the power driver according to the invention is realized, for example, in a transistor scaling source.

Claims (2)

1. Zapojení výkonového budiče, zejména pro buzení výkonových tranzistorů, sestávající z budiče, spojeného přes přepínač a tvarovací obvod s výkonovým tranzistorem, vyznačené tím, že přepínač (2) je připojen jednak na napětí jedné polarity (A) a jednak na napětí druhé polarity (B) vůči emitoru alespoň jednoho výkonového tranzistoru (T4), přičemž přepínač (2) je tvořen alespoň jednou komplementární dvojicí tranzistorů (T2, T3) jejichž bá2e a emitory jsou navzájem spojené.Wiring of a power driver, in particular for driving power transistors, consisting of a driver connected via a switch and a shaping circuit to a power transistor, characterized in that the switch (2) is connected to both polarity (A) and second polarity (B) with respect to the emitter of at least one power transistor (T4), the switch (2) being formed by at least one complementary pair of transistors (T2, T3) whose base and emitters are connected to each other. 2. Zapojení výkonového budiče podle bodu 1, vyznačené tím, že ve spojených bázích a/nebo emitorech a/nebo kolektrových obvodech komplementární dvojice tranzistorů (T2,Power driver circuit according to claim 1, characterized in that in the connected bases and / or emitters and / or collector circuits a complementary pair of transistors (T2, T3), jsou zapojeny rezistory, kondenzátory event. indukčností nebo jejich sériové a/nebo paralelní kombinace.T3) are connected resistors, capacitors event. inductance or a series and / or parallel combination thereof.
CS853929A 1985-05-31 1985-05-31 Power Driver Connection CS252208B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS853929A CS252208B1 (en) 1985-05-31 1985-05-31 Power Driver Connection

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS853929A CS252208B1 (en) 1985-05-31 1985-05-31 Power Driver Connection

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS392985A1 CS392985A1 (en) 1987-01-15
CS252208B1 true CS252208B1 (en) 1987-08-13

Family

ID=5380771

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS853929A CS252208B1 (en) 1985-05-31 1985-05-31 Power Driver Connection

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS252208B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
CS392985A1 (en) 1987-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0369448A3 (en) Drive circuit for use with voltage-driven semiconductor device
US4626980A (en) Power bridge having a non-dissipative snubber circuit
US4961054A (en) Gradient current speed-up circuit for high-speed NMR imaging system
EP0286205B1 (en) Power transistor drive circuit
EP0315597A2 (en) Analog multiplex for sensing the magnitude and sense of the current through a H-bridge stage utilizing a single sensing resistance
US3610963A (en) Switch drive circuit for the time ratio controlled transistor switching circuits
US5550412A (en) Isolated MOSFET gate drive
US4412141A (en) Three state loop keyer
US20020175719A1 (en) Transistor drive circuits and methods using selective discharge of terminal capacitance
US4947055A (en) Base drive circuit for Darlington-connected transistors
JPS62176215A (en) Base drive circuit for high power switching transistors
JP2002111463A (en) FET drive circuit and switching device
US3068420A (en) Frequency discriminator
JPH0218710Y2 (en)
JPH0430820Y2 (en)
SU1359901A1 (en) Transistor switch
TWI271917B (en) Driving circuit for DC/DC converter and voltage level transferring method
EP0527641B1 (en) H-bridge flyback recirculator
JPH11114494A (en) Output device
US3466468A (en) Monostable controlled saturable core blocking oscillator circuit
SU1239811A1 (en) Self-excited inverter
SU1324100A2 (en) High-voltage switch
JPH06105565A (en) DC-AC converter
SU1661859A1 (en) High-speed switch-gear
JPS56129582A (en) Base driving circuit for transistor