CS260613B1 - Způsob uchovávání implantovaných vznrků mQOokrystalickeho germania - Google Patents
Způsob uchovávání implantovaných vznrků mQOokrystalickeho germania Download PDFInfo
- Publication number
- CS260613B1 CS260613B1 CS87369A CS36987A CS260613B1 CS 260613 B1 CS260613 B1 CS 260613B1 CS 87369 A CS87369 A CS 87369A CS 36987 A CS36987 A CS 36987A CS 260613 B1 CS260613 B1 CS 260613B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- implanted
- storing
- mococrystalline
- minus
- samples
- Prior art date
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Způsob se provádí tak, že se bezprostředně po implantaci umístí vzorky implantovaného germania v evakuované komůrce a nchladí na teplotu minus 20 °C až minus 170 stupňů Celsia. Tím se zabrání zhoršení vlastností implantované vrstvičky, ke kterému dochází je-li vzorek uchováván za normálních podmínek.
Description
Vynález se týká způsobu uchovávání implantovaných vzorků monokrystalů germania pro přípravu detektorů nízkoenergetického záření gama, aniž by došlo k zhoršení vlastností implantovaných vrstev.
Detektory záření gama z velmi čistého germania se připravují tak, že se na destičce monokrystalu germania zhotoví jeden závěrný a jeden ohmický kontakt. V některých případech, zejména při přípravě detektorů nízkoenergetického záření se s výhodou používá pro zhotovení jednoho nebo obou kontaktů technologie iontové implantace.
To znamená, že jsou do tenké povrchové vrstvičky germaniového monokrystalu implantovány na speciálních přístrojích urychlené ionty atomů, které mají vhodné dopující vlastnosti. Takové přístroje jsou techniky i finančně velmi náročné a jsou obvykle používány pro řadu externích pracovišť pro práce za různých podmínek a jejich seřízení pro implantace požadovaného dopantu s požadovanými parametry je obvykle dosti obtížné a časově náročné.
Pro přípravu detektorů je v literatuře doporučováno provést technologické úpravy a zapouzdření detektoru bezprostředně po im1· plantaci. Při delším skladování implantovaných vzorků dochází ke zhoršení vlastností závěrných nebo ohmických kontaktů, posléze k jejich nepoužitelnosti pro přípravu detektorů vůbec. Je tedy nutno vždy provádět na implantačních zařízení implantace jen takového množství vzorků, které je možno zpracovat během jednoho až dvou týdnů.
Nedostatky tohoto způsobu spočívají v tom, že není možno provádět technologické práce na přípravě implantovaných detektorů průběžně, ale jen bezprostředně po implantaci vzorků. Implantované vrstvy je třeba připravovat na implantačním zařízení často, což vede jednak k velkým časovým prostojům, protože zařízení není používáno jen pro tyto účely a často je třeba čekat, až bude dokončena jiná práce, kromě toho časté požadavky na implantační práce prodražují, vzhledem k složitým úpravám zařízení, používanou technologií.
Tyto nedostatky odstraňuje postup podle vynálezu, při kterém se čerstvě implantované vzorky okamžitě umístí v evakuované komůrce a ochladí na teplotu minus 20 °C až minus 170 °C.
Výhodou postupu podle vynálezu je to, že vzorky implantovaných destiček z germaniového monokrystalu je možno uchovávat výše uvedeným způsobem na pracovišti, aniž dojde k zhoršení vlastností implantovaných vrstev. Destičky jsou pak ke stálé dispozici pro další technologický proces. Není nutné časté provádění implantací a tak zbytečné zvyšování finančních nákladů.
Výše popsaným způsobem byly uchovávány implantované vzorky monokrystalického germania po dobu delší než půl roku a pak byly zhotoveny kvalitní detektory ionizujícího záření s implantovaným závěrným kontaktem. Při uchovávání vzorků za normálních podmínek je implantovaný vzorek obvykle po dvou týdnech nepoužitelný.
Vynález je možno využít v provozech, kde se průběžně používá technologie iontové implantace pro přípravu povrchových přechodů. Umožní úspornější provoz a racionálnější využití implantačních zařízení.
Claims (1)
- Způsob uchovávání implantovaných vzorků monokrystalického germania, vyznačený tím, že implantované vzorky se bezprostředynAlezu ně po provedení implantace umístí v evakuované komůrce a ochladí na teplotu minus 20 °C až minut 170 °C.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS87369A CS260613B1 (cs) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | Způsob uchovávání implantovaných vznrků mQOokrystalickeho germania |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS87369A CS260613B1 (cs) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | Způsob uchovávání implantovaných vznrků mQOokrystalickeho germania |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS36987A1 CS36987A1 (en) | 1988-05-16 |
| CS260613B1 true CS260613B1 (cs) | 1989-01-12 |
Family
ID=5335653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS87369A CS260613B1 (cs) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | Způsob uchovávání implantovaných vznrků mQOokrystalickeho germania |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS260613B1 (cs) |
-
1987
- 1987-01-20 CS CS87369A patent/CS260613B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS36987A1 (en) | 1988-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Chern et al. | The defect structure of CdTe: Hall data | |
| US5385762A (en) | Diamond doping | |
| Wendler et al. | Three-step amorphisation process in ion-implanted GaN at 15 K | |
| Wittmer et al. | Epitaxial regrowth of Ne‐and Kr‐implanted amorphous silicon | |
| Polman et al. | Defect states of amorphous Si probed by the diffusion and solubility of Cu | |
| CA1098219A (en) | Semiconductors | |
| Reddi et al. | Channeling and dechanneling of ion‐implanted phosphorus in silicon | |
| Linnarsson et al. | Surface erosion of ion-implanted 4H-SiC during annealing with carbon cap | |
| Edmond et al. | High temperature implantation of single crystal beta silicon carbide thin films | |
| Thomas et al. | Diffusion of boron, phosphorus, and arsenic implanted in thin films of cobalt disilicide | |
| Mehrer | Implantation of radioisotopes at ISOLDE a novel source production technique for diffusion studies in solids | |
| Forkel et al. | Pac studies of ion implanted silicon | |
| Sielanko et al. | The influence of radiation damage on the sputtering yield of silicon | |
| Goldberg et al. | The production and use of ultralow energy ion beams | |
| Xiao et al. | Channeling lattice location of Se implanted into InP by RBS and PIXE | |
| Lee et al. | A comparison between atomic concentration profiles and defect density profiles in GaAs annealed after implantation with beryllium | |
| Wood | LXII. Lattice distortion in nitrided steels and theory of hardness | |
| Correia et al. | Hyperfine interactions and Rutherford backscattering studies of Cd and Hg in CdTe single crystals and thin films | |
| Langguth et al. | Lattice Disorder and Outdiffusion in Ion Implanted InSb and CdTe | |
| Kalbitzer et al. | The environment of lattice sites during thermal epitaxial regrowth of ion beam amorphized silicon | |
| Chadderton et al. | On the annealing of damage produced by copper ion implantation of silicon single crystals | |
| Hanada | 111In Implantation in Impurity Doped Si and PAC Spectroscopy | |
| Furuya et al. | Direct Observation of Defects Formation of Semiconductors During the Irradiation in the Electron Microscope | |
| Apsley et al. | The use of ion bombardment in the study of amorphous semiconductors | |
| Brown et al. | Light-ion damage in GaAs and Si |