CS268127B1

CS268127B1 - Apparatus for measuring the optical power of emission emitting chips

Info

Publication number: CS268127B1
Application number: CS882026A
Authority: CS
Inventors: Jiri Sika; Petr Cotek
Original assignee: Jiri Sika; Petr Cotek
Priority date: 1988-03-28
Filing date: 1988-03-28
Publication date: 1990-03-14
Also published as: CS202688A1

Abstract

Řešeni se týká zařízeni pro měřeni čelně emitujících čipů, kterých substrát je připojen na záporný pol proudového zdroje přes plošný kontakt a čelně emitující strana je přes světloc1tlivou vrstvu křemíkového fotodetektoru připojena na kladný pól proudového zdroje, kde křemíkový fotodetektor je napojen na napětový zdroj, jehož kladný pól je připojen na světloc1tlivou vrstvu křemíkového fotodetektoru a záporný pól křemíkového fotodetektoru je přes měřič proudu připojen na druhý pól křemíkového fotodetektoru tak, že měřič proudu měří proud v křemíkovém fotodetektoru vyvolaným zářením emisního Č1pu, jenž je úměrný zářivému výkonu emisního čipu. Emitující čipy sviti na neošetřenou světloc1tl1vou vrstvu křemíkového fotodetektoru, ve které vykazuje fotoproud, který měří měřič proudu .The solution relates to a device for measuring front-emitting chips, the substrate of which is connected to the negative pole of a current source via a surface contact and the front-emitting side is connected to the positive pole of the current source via a photosensitive layer of a silicon photodetector, where the silicon photodetector is connected to a voltage source, the positive pole of which is connected to the photosensitive layer of a silicon photodetector and the negative pole of the silicon photodetector is connected to the second pole of the silicon photodetector via a current meter so that the current meter measures the current in the silicon photodetector induced by the radiation of the emission chip, which is proportional to the radiant power of the emission chip. The emitting chips shine onto the untreated photosensitive layer of the silicon photodetector, in which they exhibit a photocurrent, which is measured by the current meter.

Description

Vynález se týká zařízeni pro sířeni optického výkonu emisních čelné emitující:-, čipů.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for propagating the optical power of an emission front-facing chip.

0osa vadni způsoby mířeni vyžaoujl pracné upevňováni a komplikované itéřeni na :ra hých, většinou dovozních zařízeních. Navíc jsou tato měřeni časově náročná. Například se čip nalepí na patlcl, nakontaktuje a potom se teprve oěřl optický výkor. v kouli s germaniovým nebo křemíkovým iotodetektoree, nebo se čip uchopí mezi dva hroty za jedním z nich je opět germaniový nebo křemíkový velkoplošný iotodetektor.The poor aiming methods required laborious fastening and complicated treatment on various, mostly importing equipment. Moreover, these measurements are time consuming. For example, the chip is adhered to the patlcl, contacted, and then the optical wicking is measured. in a sphere with a germanium or silicon iotodetector, or the chip grasps between two tips behind one of them is again a germanium or silicon large-area iotodetector.

Tyto nevýhody řeší zařízeni pro měřeni optického výkonu emisních čelně emitujících čipů, jehož podstata spočívá v tom, že čip se připevni čelně emitující stranou na křemíkový íotodetektor, jehož světloci11ivá vrstva neni kryta ochranou vrstvou a může dojit ke galvanickému spojeni kontaktu emisního čelně emitujícího čipu a vodivého povrchu své11oci11ivé vrstvy křemíkového 1 otodetektoru, který je připojen na kladný pól proudového zdroje, k jehož zápornému pólu je připojen substrát čipu, přičemž křemíkový fotodetektor je připojen přes měřič proudu k napětověmu zdroji.These disadvantages are solved by a device for measuring the optical power of emission front-emitting chips, which is based on the fact that the chip is mounted by the front-emitting side on a silicon photodetector whose luminous layer is not covered by a protective layer. a silicon photodetector connected to the positive pole of the power supply, to the negative pole of which the chip substrate is connected, the silicon photodetector being connected via a current meter to the voltage source.

Praktické provedeni je především vhodné pro rychlé orientační měřeni optického výkonu čipu na celé desce před použitím ke zpracováni. Nepřesnosti vzniklé oootřebenia detektoru jsou vzhledem k požadovaným nárokům na měřeni zanedbatelné. Výhodou zařízeni podle vynálezu je jeho velká operativnost měřeni, snadná možnost automatizace a manipulace s čipem při měřeni.The practical embodiment is particularly suitable for rapid indicative measurement of the optical power of the chip on the entire board prior to use for processing. Inaccuracies caused by detecting the detector are negligible due to the required measurement requirements. The advantage of the device according to the invention is its high measuring operability, easy possibility of automation and manipulation of the chip during measurement.

Ha připojeném výkrese je vyobrazeno blokové schéma zařízeni pro měřeni optického výkonu emisních čelně emitujících čipů.In the accompanying drawing, a block diagram of a device for measuring the optical power of emission front-emitting chips is shown.

^rlnclp spočívá v tom, že substrát 5 ílpu 2 je připojen na záporný pól proudového zdroje J pres plošný kontakt 2· Čelně emitující strana £ emisního čipu 2 je přes svítlocitlivou vrstvu 4 křemíkového ťotodetektoru 2/ který není opatřen ochranou kryci vrstvou, připojen na kladný pól proudového zdroje 1. Čip 2 záři na křemíkový íotodetektor 3, který je napájen z napětového zdroje 2, jehož kladný pól je připojen na světlocitlivou vrstvu i křemíkového iotodetektoru 2 a záporný pól je připojen přes měřič proudu 5,1 na druhý pól § křemíkového iotodetektoru 3. Měřič proudu 5.1. vyhotovuje iotoproud v křemíkovém iotodetektoru 2, který je vyvolán zářením emisního čipu 2. Tento proud je úměrný zářivému výkonu emisního čipu 2· Měřič proudu 5,1. udává potom přímo výkon v mW. Pro případ měřeni emisního čelně emitujícího čipu 2 typu N je třeba obrátit polaritu proudového zdroje 1.The substrate 5 of the chip 2 is connected to the negative pole of the power supply via the surface contact 2. The front-emitting side 4 of the emission chip 2 is connected to the positive layer via a light-sensitive layer 4 of the silicon detector 2. the pole of the current source 1. The chip 2 radiates to a silicon iodo detector 3, which is powered by a voltage source 2, the positive pole of which is connected to the light-sensitive layer i of the silicon iotodetector 2 and the negative pole is connected via a current meter 5.1 3. Current meter 5.1. it produces an iot current in the silicon iotodetector 2, which is caused by the emission of the emission chip 2. This current is proportional to the radiant power of the emission chip 2 · Current meter 5.1. it then indicates directly the power in mW. The polarity of the current source 1 is to be reversed in the case of the measurement of the emission front-emitting chip 2 of the N-type.

Zařízeni podle vynálezu Je možno s výhodou použit při výrobě emisních diod, kce se uplatni zejména jeho vysoká operativnost měřeni. Jeho podstatným přinošen bude použiti v průmyslu, protože umožňuje levné a jednoduché objektivní tříděni čipu emisních diod.The device according to the invention can advantageously be used in the manufacture of emission diodes, in particular because of its high measurement operability. Its substantial benefit will be used in industry, because it allows cheap and simple objective sorting of emitting diode chip.

Claims

Apparatus for measuring the optical power of emission front-emitting chips, characterized in that the substrate (5) of the chip ΓΖ! is connected to the negative pole of the power supply (1) via the surface contact (7) and the front emitting side (6) of the emission chip (2) is connected to the positive pole of the power source (1) via the light-sensitive layer (4) of the silicon iotodetector wherein the silicon photodetector (3) is powered from a voltage source (9), the positive pole of which is connected to the photosensitive layer 74 (silicon iotodetector) and the negative pole is connected to a second pole (3) of the silicon iotodetector 73 / so that the current meter (5.1) measures the current in the silicon iotodetector (3) induced by the emission chip radiation (2), which is proportional to the radiant power of the emission chip (2).