CS271147B1 - Lustre forming admixture - Google Patents

Lustre forming admixture Download PDF

Info

Publication number
CS271147B1
CS271147B1 CS887061A CS706188A CS271147B1 CS 271147 B1 CS271147 B1 CS 271147B1 CS 887061 A CS887061 A CS 887061A CS 706188 A CS706188 A CS 706188A CS 271147 B1 CS271147 B1 CS 271147B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
hydrogen
carbon
acid
general formula
carbon atoms
Prior art date
Application number
CS887061A
Other languages
Czech (cs)
Other versions
CS706188A1 (en
Inventor
Jaromir Ing Csc Toman
Milan Ing Havranek
Alena Ing Matousova
Pavel Rndr Csc Svehla
Jaroslav Ing Aufart
Original Assignee
Toman Jaromir
Havranek Milan
Matousova Alena
Svehla Pavel
Aufart Jaroslav
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toman Jaromir, Havranek Milan, Matousova Alena, Svehla Pavel, Aufart Jaroslav filed Critical Toman Jaromir
Priority to CS887061A priority Critical patent/CS271147B1/en
Publication of CS706188A1 publication Critical patent/CS706188A1/en
Publication of CS271147B1 publication Critical patent/CS271147B1/en

Links

Landscapes

  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)

Abstract

The solution concerns the brightener into acid galvanic copper baths. It consists of dithioderivates of carbamoyl-4-butane sulfone acid of the general formula R-(CH2)4S03<->Me<+>, where Me is natrium, potassium or hydrogen, and R is residuum of the general formula IIa or IIb, where R<1> is o-disubstituted aromatic nucleus with the number of carbon atoms 6 to 20 or heteroaromatic nucleus with the number of carbon atoms 3 to 10, sulphur, nitrogen or oxygen containing possibly halo-, nitro-, sulfo-, hydroxy-, amino- and/or mercapto groups or alkylene with the carbon number of 2 to 20. R<2> and R<3> are the same or different alkyl residua or hydrogen. The brightener further contains tenside with the molecular weight of 200 to 15,000 in the weight ratio 100 : 1 to 1 : 50,000.<IMAGE>

Description

Řešení se týká leskutvorné přísady do kyselých galvanických mědících lázní. Přísada sestává z dithioderivátů karbamoyl-4-butansulfonové kyseliny obecného vzorce R-(CH2)4S0ZMe+, kde Me je sodík, draslík nebo νοοίκ a R je zbytek obecného vzorce Ila nebo lib, kde R1 je o-disubstituované aromatické jádro s počtem atomů uhlíku 6 až 20 nebo heteroaromatické jádro s počtem uhlíků 3 až 10, sírou, dusíkem nebo kyslíkem obsahující případně halo-, nitro-, sulfo-, hydroxy-, amino- a/nebo merkaptoskuoiny,nebo alkylen o počtu uhlíků 2 až 20. Rza fr jsou stejné nebo různé alkylové zbytky nebo vodík. Přísada dále obsahuje tenzid s molekulovou hmotností 200 až 15 000 v hmotnostním poměru 100 ku 1 až 1 ku 50 000.The present invention relates to a glazing additive for acidic galvanic copper baths. The additive consists of carbamoyl-4-butanesulfonic acid dithioderivatives of the general formula R- (CH 2 ) 4 SO 2 Me + , where Me is sodium, potassium or νοοίκ and R is a radical of the formula IIa or IIb, wherein R 1 is an o-disubstituted aromatic ring with a carbon number of 6 to 20 or a heteroaromatic nucleus having a carbon number of 3 to 10, sulfur, nitrogen or oxygen containing optionally halo-, nitro-, sulfo-, hydroxy-, amino- and / or mercaptoskuoins, or alkylene having a carbon number of 2 to 20 . from R and FR are identical or different alkyl radicals or hydrogen. The additive further comprises a surfactant having a molecular weight of 200 to 15,000 in a weight ratio of 100 to 1 to 50,000.

(11) Italy (11) (13) (13) B1 B1 (51) (51) Int. Int. Cl.5 Cl. 5 C 25 C 25 0 3/38 0 3/38 C 07 C 07 D 277/74 D 277/74 C 07 C 07 C 333/20 OJ C 333/20

Ila libIla lib

CS 271 147 BlCS 271 147 Bl

Vynález se týká leskutvorné přísady pro síranovou, silně kyselou galvanickou mědící lázeň s vysokou hloubkovou účinností, která je například vhodná pro pokovování otvorů při výrobě desek plošných spojů.BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a brightener additive for a sulphate, strongly acidic galvanic copper bath having a high depth efficiency, which is suitable, for example, for metallization of holes in the production of printed circuit boards.

V současné době užívané pokovovací lázně vzhledem к vysokému obsahu kyseliny sírové (až 200 g/1) a nízkému obsahu mědi (17 až 30 g/1) nejsou schopny pracovat bez leskutvorné přísady. Je známa široká paleta leskutvorných přísad, z nichž některé nelze v daném prostředí použít, jiné mají úzký rozsah použitelných proudových hustot pro vyloučení lesklého povlaku a vhodné tažnosti vyloučené mědi. Tyto nedostatky odstraňuje použití sodné soli dimethyldithiokarbamoyl-l-propansulfonové kyseliny a příbuzných derivátů (US patent č. 3 725 220). Nevýhoda této látky spočívá v nutnosti použití vysoce karcinogenního 1,3propansultonu při její syntéze.Due to the high sulfuric acid content (up to 200 g / l) and the low copper content (17 to 30 g / l), the plating baths currently in use are unable to work without a brightener. A wide variety of brighteners are known, some of which cannot be used in the environment, others have a narrow range of usable current densities to eliminate the shiny coating and the appropriate ductility of the excluded copper. These drawbacks are overcome by the use of dimethyldithiocarbamoyl-1-propanesulfonic acid sodium salt and related derivatives (U.S. Pat. No. 3,725,220). The disadvantage of this substance is the necessity to use highly carcinogenic 1,3-propanesultone in its synthesis.

Uvedenou nevýhodu odstraňuje leskutvorná přísada kyselých mědících lázní podle vynálezu. Jeho podstata spočívá v tom, že se skládá z dithioderivátů karbamoyl-4-butansulfonové kyseliny obecného vzorce IThis disadvantage is overcome by the brightening agent of the acidic copper baths according to the invention. It consists essentially of carbamoyl-4-butanesulfonic acid dithioderivatives of the general formula I

R-(CH2)4S0jMe+(I), kde Me je sodík, draslík nebo vodík a R je zbytek obecného vzorce /SR \ \ II·R- (CH 2 ) 4 SO 4 Me + (I), wherein Me is sodium, potassium or hydrogen and R is a radical of formula (SR);

R< ,C-S- (Ila) ^N-C-S- (lib),R <, C-S- (IIIa) ^ N-C-S- (IIb),

R^ ve kterém je o-disubstituované aromatické nebo heteroaromatické jádro, obsahující případně halo-, nitro-, sulfo-, hydroxy-, amino- a/nebo merkaptoskupiny nebo alkylen o počtu atomů uhlíku 2 až 20, R , R jsou stejné nebo různé alkylové zbytky o počtu uhlíků 1 až 6 nebo vodík, a z tenzidu na bázi etoxylovaného aminu, alkoholu, thiolu nebo fosfátu s molekulovou hmotností 200 až 15 000 v hmotnostním poměru 100 ; 1 až 1 : 50 000. Přítomnost uvedeného typu tenzidu zlepšuje účinnost přísady, zejména zvýšením lesku vyloučené vrstvy mědi. Samotný tenzid jako leskutvorná přísada nepůsobí.Wherein R is an o-disubstituted aromatic or heteroaromatic nucleus containing optionally halo-, nitro-, sulfo-, hydroxy-, amino- and / or mercapto groups or alkylene of 2 to 20 carbon atoms, R, R being the same or different alkyl radicals having 1 to 6 carbon atoms or hydrogen, and from an ethoxylated amine, alcohol, thiol or phosphate surfactant having a molecular weight of 200 to 15,000 in a weight ratio of 100; The presence of said type of surfactant improves the effectiveness of the additive, in particular by increasing the gloss of the deposited copper layer. The surfactant itself does not act as a brightener.

Koncentrace soli uvedené butansulfonové kyseliny v pracovním roztoku je účinná v rozmezí 0,1 až 100 mg/1, u tenzidu na bázi polyethoxylované sloučeniny v rozmezí 1 až 5 000 mg/1.The concentration of the salt of said butanesulfonic acid in the working solution is effective in the range of 0.1 to 100 mg / l, for the surfactant based on the polyethoxylated compound in the range of 1 to 5,000 mg / l.

Jako základní galvanická lázeň se používá vodný roztok síranu měďnatého a kyseliny sírové s přísadou chloridových iontů do 80 mh/1.An aqueous solution of copper sulphate and sulfuric acid with the addition of chloride ions up to 80 mh / l is used as the basic galvanic bath.

Leskutvorná přísada se používá jednak pro nasazení galvanické mědící lázně, jednak i pro její údržbu podle vzhledu povlaku nebo prošlých ampérhodin. Přísada není citlivá na předávkování. Vyloučená měď je tažná, při aplikaci na plošných spojích nedochází při teplotě 260 °.C po dobu 20 sekund к porušení vrstvy. Hloubková účinnost v otvorech je 90 ažGloss-forming additive is used both for the deployment of the galvanic copper bath and for its maintenance according to the appearance of the coating or the time passed. The additive is not sensitive to overdose. The deposited copper is ductile; when applied to the printed circuit boards, there is no breakage at 260 ° C for 20 seconds. The depth efficiency in the holes is 90 to

100 % při průměru otvoru 0,8 mm a tloušťce materiálu 1,5 mm. Teplota lázně se může pohybovat od 0 do 35 °C, rozsah použitelných proudových hustot je 0,5 až 5 A/dm2.100% at 0.8 mm hole diameter and 1.5 mm material thickness. The bath temperature can vary from 0 to 35 ° C, the range of usable current densities is 0.5 to 5 A / dm 2 .

Příklad 1Example 1

Leskutvorná přísada do kyselých galvanických lázní obsahující sodnou sůl N,N-dimethyldithiokarbamoyl-4-butansulfonové kyseliny v koncentraci 1 mg/1 a polyethylenglykol o molekulové hmotnosti 1 300 v koncentraci 50 mg/1.Gloss-forming additive for acid galvanic baths containing 1 mg / l of sodium N, N-dimethyldithiocarbamoyl-4-butanesulfonic acid and 1 300 polyethylene glycol of 50 mg / l.

Pro galvanické mědění se připraví lázeň rozpuštěním 117 g síranu měďnatého, 190 g kyseliny sírové, 50 mg chloridových iontů s leskutvornou přísadou vil vody. Mědění probíhá při pokojové teplotě a napětí 1,5 až 2 A/dm poměaované plochy. Vzhledem ke 100 % proudové účinnosti je vyloučená vrstva mědi úměrná době a proudové hustotě. Vyloučená měď tvoří rovnoměrnou vrstvu, která je hladká a tažná.For galvanic copper baths are prepared by dissolving 117 g of copper sulphate, 190 g of sulfuric acid, 50 mg of chloride ions with a brightener addition of vials of water. Coppering takes place at room temperature and a voltage of 1.5 to 2 A / dm of the surface area. Due to the 100% current efficiency, the deposited copper layer is proportional to time and current density. The deposited copper forms a uniform layer that is smooth and ductile.

CS 271 147 B1CS 271 147 B1

Příklad 2Example 2

Leskutvorná přísada do kyselých galvanických lázní obsahující hyl-dithiokarbamoyl-4-butansulfonové kyseliny v koncentraci 1 mg/1 molekulovou hmotností 6 000 v koncentraci 100 mg/1.Gloss-forming additive for acid galvanic baths containing hyl-dithiocarbamoyl-4-butanesulfonic acid at a concentration of 1 mg / l with a molecular weight of 6,000 at a concentration of 100 mg / l.

sodnou sůl N,N-dimeta polyethylenglykol ssodium salt of N, N-dimethylene glycol s

Příklad 3Example 3

Leskutvorná přísada do kyselých galvanických lázní obsahujícíGloss - forming additive for acid galvanic baths containing

2-merkaptobenthiazolyl-4-butansulfonovou kyselinu v koncentraci 10 mg/1 a polyethoxylovaný nonylfenol s 10 molekulami oxiranu v koncentraci 25 mg/1.2-mercaptobenthiazolyl-4-butanesulfonic acid at a concentration of 10 mg / L and polyethoxylated nonylphenol with 10 molecules of oxirane at a concentration of 25 mg / L.

Příklad 4Example 4

Leskutvorná přísada kyselých galvanických lázní obsahující draselnou sůl N,N-dimethyldithiokarbamoyl-4-butansulfonové kyseliny v koncentraci 50 mg/1 a polyethoxylovaný ethylenamin se 2 až 10 molekulami oxiranu v koncentraci 25 mg/1.Gloss-forming acid addition agent containing 50 mg / l of N, N-dimethyldithiocarbamoyl-4-butanesulfonic acid potassium salt and polyethoxylated ethylene amine with 2 to 10 molecules of oxirane at 25 mg / l.

Příklad 5Example 5

Leskutvorná přísada do kyselých galvanických lázní obsahující sodnou sůl N,N-dimethyldlthiokarbaaoyl -4-butansulfonové kyseliny v koncentraci 20 mg/1 a polyethylenglykol s molekulovou hmotností 1 500 v koncentraci 1 000 mg/1.Gloss-forming additive for acid galvanic baths containing 20 mg / l of N, N-dimethyldlthiocarbaaoyl-4-butanesulphonic acid sodium salt and 1 500 mg / l of polyethylene glycol.

Příklad 6Example 6

Leskutvorná přísada do kyselých galvanických lázní, obsahující sodnou sůl N,N-dibutyldithiokarbaEioyl-4-butansulfonové kyseliny v koncentraci 30 mg/1 a polyethoxylovaný ethylendiamin s molekulovou hmotností 12 000 v koncentraci 100 mg/1.Gloss-forming additive for acid galvanic baths, containing N, N-dibutyldithiocarbamoyl-4-butanesulfonic acid sodium salt at a concentration of 30 mg / l and polyethoxylated ethylenediamine with a molecular weight of 12,000 at a concentration of 100 mg / l.

PŘEDMĚT VYNÁLEZUSUBJECT OF THE INVENTION

Claims (1)

Leskutvorná přísada do kyséLých galvanických mědících lázní, vyznačená tím, skládá z dithíoderivátů karbamoyl-4-butansulfonové kyseliny obecného vzorce I R-(CH2)4S0'Me+ kde Me je sodík, draslík nebo vodík a R je zbytek obecného vzorceGlucurizing additive for acidic galvanic copper baths, characterized in that it consists of carbamoyl-4-butanesulphonic acid dithio derivatives of the general formula I R- (CH 2 ) 4 SO'Me + where Me is sodium, potassium or hydrogen and R is the radical of the formula Ha nebo lib že se (I).Ha or lib that (I). SWITH R C-S\Z (Ila) (Ha), ve kterém R^ je o-disubstituované aromatické jádro s počtem atomů teroaromatické jádro s počtem uhlíků 3 až 10, sírou, dusíkem nebo případně hale-, nitro-, počtu atomů uhlíku 2 až 20, Rz, R^ jsou stejné nebo různé alkylové zbytky o počtu atomů uhlíku jedna až šest nebo vodík, a z tenzidu na bázi etoxylovaného aminu, alkoholu, thiolu nebo fosfáru s molekulovou hmotností 200 až 15 000 v hmotnostním poměru 100 : 1 až 1 : 50 000.R CS \ Z (IIa) (IIa), wherein R 1 is an o-disubstituted aromatic nucleus having a carbon number of 3 to 10, a sulfur, nitrogen or optionally halo-, nitro-, carbon-numbering 2 to 20 carbon atoms R a, R are identical or different alkyl radicals of carbon number one to six, or hydrogen, and surfactant based on ethoxylated amine, alcohol, thiol or fosfáru having a molecular weight of 200 to 15,000 in a weight ratio of 100: 1 to 1: 50 000. nebo heuhlíku 6 až 20 kyslíkem, obsahující sulfo-, hydroxy-, amino- a/nebo merkaptoskupiny nebo alkylen oor carbon 6 to 20 oxygen containing sulfo-, hydroxy-, amino- and / or mercapto groups or alkylene
CS887061A 1988-10-20 1988-10-20 Lustre forming admixture CS271147B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS887061A CS271147B1 (en) 1988-10-20 1988-10-20 Lustre forming admixture

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS887061A CS271147B1 (en) 1988-10-20 1988-10-20 Lustre forming admixture

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS706188A1 CS706188A1 (en) 1990-01-12
CS271147B1 true CS271147B1 (en) 1990-08-14

Family

ID=5419036

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS887061A CS271147B1 (en) 1988-10-20 1988-10-20 Lustre forming admixture

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS271147B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
CS706188A1 (en) 1990-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2726013T3 (en) High purity sulfonic acid electrolytic solutions
US4948474A (en) Copper electroplating solutions and methods
US3725220A (en) Electrodeposition of copper from acidic baths
US20040187731A1 (en) Acid copper electroplating solutions
ATE26312T1 (en) BATHS CONTAINING ACIDIC FLASHING AGENTS AND LEVELING AGENTS FOR ELECTROLYTIC COPPER DEPOSITION.
GB2159539A (en) High speed copper electroplating process
JPH0220714B2 (en)
EP0163131A2 (en) An acid copper electroplating solution as well as a method of electroplating
US3862019A (en) Composition of electroplating bath for the electrodeposition of bright nickel
CS271147B1 (en) Lustre forming admixture
US5024736A (en) Process for electroplating utilizing disubstituted ethane sulfonic compounds as electroplating auxiliaries and electroplating auxiliaries containing same
ES476909A1 (en) Electroplating bath and process
GB884035A (en) Process for the production of electrolytic copper platings
US2994648A (en) Nickel plating additives
KR102125240B1 (en) Copper electroplating bath containing compound of reaction product of amine, polyacrylamide and sultone
TWI659131B (en) Copper electroplating baths containing compounds of reaction products of amines and polyacrylamides
US3400059A (en) Acidic copper electroplating baths and method
CN103451691A (en) Electrolytic copper plating solution and method of electrolytic copper plating
US2972571A (en) Nickel plating solutions
CS267515B1 (en) Ingredient Forming
US3219559A (en) Additive for level nickel plating
KR20180048988A (en) Copper electroplating containing compounds of the reaction product of amine and quinone
US3386897A (en) Electroplasting bright nickel
US2839457A (en) Electroplating
US3376207A (en) Electrodeposition of nickel and electrolytes therefor