CS271147B1 - Lustre forming admixture - Google Patents
Lustre forming admixture Download PDFInfo
- Publication number
- CS271147B1 CS271147B1 CS887061A CS706188A CS271147B1 CS 271147 B1 CS271147 B1 CS 271147B1 CS 887061 A CS887061 A CS 887061A CS 706188 A CS706188 A CS 706188A CS 271147 B1 CS271147 B1 CS 271147B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- hydrogen
- carbon
- acid
- general formula
- carbon atoms
- Prior art date
Links
- VQLYBLABXAHUDN-UHFFFAOYSA-N bis(4-fluorophenyl)-methyl-(1,2,4-triazol-1-ylmethyl)silane;methyl n-(1h-benzimidazol-2-yl)carbamate Chemical compound C1=CC=C2NC(NC(=O)OC)=NC2=C1.C=1C=C(F)C=CC=1[Si](C=1C=CC(F)=CC=1)(C)CN1C=NC=N1 VQLYBLABXAHUDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 5
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims abstract description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 3
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 claims abstract description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 13
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 6
- -1 nitro- Chemical class 0.000 claims description 5
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical group C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 2
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 9
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 abstract description 3
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 abstract description 3
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 abstract description 2
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical group [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 abstract 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 abstract 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OLCLIWVKEDRSFW-UHFFFAOYSA-N 5-amino-5-oxopentane-1-sulfonic acid Chemical compound NC(=O)CCCCS(O)(=O)=O OLCLIWVKEDRSFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 2
- FSSPGSAQUIYDCN-UHFFFAOYSA-N 1,3-Propane sultone Chemical compound O=S1(=O)CCCO1 FSSPGSAQUIYDCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 4-nonylphenol Polymers CCCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Polymers NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005282 brightening Methods 0.000 description 1
- QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N butane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCCS(O)(=O)=O QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000711 cancerogenic effect Effects 0.000 description 1
- 231100000315 carcinogenic Toxicity 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N ethenamine Polymers NC=C UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003916 ethylene diamine group Polymers 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Polymers CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910021653 sulphate ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012224 working solution Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
Description
Řešení se týká leskutvorné přísady do kyselých galvanických mědících lázní. Přísada sestává z dithioderivátů karbamoyl-4-butansulfonové kyseliny obecného vzorce R-(CH2)4S0ZMe+, kde Me je sodík, draslík nebo νοοίκ a R je zbytek obecného vzorce Ila nebo lib, kde R1 je o-disubstituované aromatické jádro s počtem atomů uhlíku 6 až 20 nebo heteroaromatické jádro s počtem uhlíků 3 až 10, sírou, dusíkem nebo kyslíkem obsahující případně halo-, nitro-, sulfo-, hydroxy-, amino- a/nebo merkaptoskuoiny,nebo alkylen o počtu uhlíků 2 až 20. Rza fr jsou stejné nebo různé alkylové zbytky nebo vodík. Přísada dále obsahuje tenzid s molekulovou hmotností 200 až 15 000 v hmotnostním poměru 100 ku 1 až 1 ku 50 000.The present invention relates to a glazing additive for acidic galvanic copper baths. The additive consists of carbamoyl-4-butanesulfonic acid dithioderivatives of the general formula R- (CH 2 ) 4 SO 2 Me + , where Me is sodium, potassium or νοοίκ and R is a radical of the formula IIa or IIb, wherein R 1 is an o-disubstituted aromatic ring with a carbon number of 6 to 20 or a heteroaromatic nucleus having a carbon number of 3 to 10, sulfur, nitrogen or oxygen containing optionally halo-, nitro-, sulfo-, hydroxy-, amino- and / or mercaptoskuoins, or alkylene having a carbon number of 2 to 20 . from R and FR are identical or different alkyl radicals or hydrogen. The additive further comprises a surfactant having a molecular weight of 200 to 15,000 in a weight ratio of 100 to 1 to 50,000.
Ila libIla lib
CS 271 147 BlCS 271 147 Bl
Vynález se týká leskutvorné přísady pro síranovou, silně kyselou galvanickou mědící lázeň s vysokou hloubkovou účinností, která je například vhodná pro pokovování otvorů při výrobě desek plošných spojů.BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a brightener additive for a sulphate, strongly acidic galvanic copper bath having a high depth efficiency, which is suitable, for example, for metallization of holes in the production of printed circuit boards.
V současné době užívané pokovovací lázně vzhledem к vysokému obsahu kyseliny sírové (až 200 g/1) a nízkému obsahu mědi (17 až 30 g/1) nejsou schopny pracovat bez leskutvorné přísady. Je známa široká paleta leskutvorných přísad, z nichž některé nelze v daném prostředí použít, jiné mají úzký rozsah použitelných proudových hustot pro vyloučení lesklého povlaku a vhodné tažnosti vyloučené mědi. Tyto nedostatky odstraňuje použití sodné soli dimethyldithiokarbamoyl-l-propansulfonové kyseliny a příbuzných derivátů (US patent č. 3 725 220). Nevýhoda této látky spočívá v nutnosti použití vysoce karcinogenního 1,3propansultonu při její syntéze.Due to the high sulfuric acid content (up to 200 g / l) and the low copper content (17 to 30 g / l), the plating baths currently in use are unable to work without a brightener. A wide variety of brighteners are known, some of which cannot be used in the environment, others have a narrow range of usable current densities to eliminate the shiny coating and the appropriate ductility of the excluded copper. These drawbacks are overcome by the use of dimethyldithiocarbamoyl-1-propanesulfonic acid sodium salt and related derivatives (U.S. Pat. No. 3,725,220). The disadvantage of this substance is the necessity to use highly carcinogenic 1,3-propanesultone in its synthesis.
Uvedenou nevýhodu odstraňuje leskutvorná přísada kyselých mědících lázní podle vynálezu. Jeho podstata spočívá v tom, že se skládá z dithioderivátů karbamoyl-4-butansulfonové kyseliny obecného vzorce IThis disadvantage is overcome by the brightening agent of the acidic copper baths according to the invention. It consists essentially of carbamoyl-4-butanesulfonic acid dithioderivatives of the general formula I
R-(CH2)4S0jMe+(I), kde Me je sodík, draslík nebo vodík a R je zbytek obecného vzorce /SR \ \ II·R- (CH 2 ) 4 SO 4 Me + (I), wherein Me is sodium, potassium or hydrogen and R is a radical of formula (SR);
R< ,C-S- (Ila) ^N-C-S- (lib),R <, C-S- (IIIa) ^ N-C-S- (IIb),
R^ ve kterém je o-disubstituované aromatické nebo heteroaromatické jádro, obsahující případně halo-, nitro-, sulfo-, hydroxy-, amino- a/nebo merkaptoskupiny nebo alkylen o počtu atomů uhlíku 2 až 20, R , R jsou stejné nebo různé alkylové zbytky o počtu uhlíků 1 až 6 nebo vodík, a z tenzidu na bázi etoxylovaného aminu, alkoholu, thiolu nebo fosfátu s molekulovou hmotností 200 až 15 000 v hmotnostním poměru 100 ; 1 až 1 : 50 000. Přítomnost uvedeného typu tenzidu zlepšuje účinnost přísady, zejména zvýšením lesku vyloučené vrstvy mědi. Samotný tenzid jako leskutvorná přísada nepůsobí.Wherein R is an o-disubstituted aromatic or heteroaromatic nucleus containing optionally halo-, nitro-, sulfo-, hydroxy-, amino- and / or mercapto groups or alkylene of 2 to 20 carbon atoms, R, R being the same or different alkyl radicals having 1 to 6 carbon atoms or hydrogen, and from an ethoxylated amine, alcohol, thiol or phosphate surfactant having a molecular weight of 200 to 15,000 in a weight ratio of 100; The presence of said type of surfactant improves the effectiveness of the additive, in particular by increasing the gloss of the deposited copper layer. The surfactant itself does not act as a brightener.
Koncentrace soli uvedené butansulfonové kyseliny v pracovním roztoku je účinná v rozmezí 0,1 až 100 mg/1, u tenzidu na bázi polyethoxylované sloučeniny v rozmezí 1 až 5 000 mg/1.The concentration of the salt of said butanesulfonic acid in the working solution is effective in the range of 0.1 to 100 mg / l, for the surfactant based on the polyethoxylated compound in the range of 1 to 5,000 mg / l.
Jako základní galvanická lázeň se používá vodný roztok síranu měďnatého a kyseliny sírové s přísadou chloridových iontů do 80 mh/1.An aqueous solution of copper sulphate and sulfuric acid with the addition of chloride ions up to 80 mh / l is used as the basic galvanic bath.
Leskutvorná přísada se používá jednak pro nasazení galvanické mědící lázně, jednak i pro její údržbu podle vzhledu povlaku nebo prošlých ampérhodin. Přísada není citlivá na předávkování. Vyloučená měď je tažná, při aplikaci na plošných spojích nedochází při teplotě 260 °.C po dobu 20 sekund к porušení vrstvy. Hloubková účinnost v otvorech je 90 ažGloss-forming additive is used both for the deployment of the galvanic copper bath and for its maintenance according to the appearance of the coating or the time passed. The additive is not sensitive to overdose. The deposited copper is ductile; when applied to the printed circuit boards, there is no breakage at 260 ° C for 20 seconds. The depth efficiency in the holes is 90 to
100 % při průměru otvoru 0,8 mm a tloušťce materiálu 1,5 mm. Teplota lázně se může pohybovat od 0 do 35 °C, rozsah použitelných proudových hustot je 0,5 až 5 A/dm2.100% at 0.8 mm hole diameter and 1.5 mm material thickness. The bath temperature can vary from 0 to 35 ° C, the range of usable current densities is 0.5 to 5 A / dm 2 .
Příklad 1Example 1
Leskutvorná přísada do kyselých galvanických lázní obsahující sodnou sůl N,N-dimethyldithiokarbamoyl-4-butansulfonové kyseliny v koncentraci 1 mg/1 a polyethylenglykol o molekulové hmotnosti 1 300 v koncentraci 50 mg/1.Gloss-forming additive for acid galvanic baths containing 1 mg / l of sodium N, N-dimethyldithiocarbamoyl-4-butanesulfonic acid and 1 300 polyethylene glycol of 50 mg / l.
Pro galvanické mědění se připraví lázeň rozpuštěním 117 g síranu měďnatého, 190 g kyseliny sírové, 50 mg chloridových iontů s leskutvornou přísadou vil vody. Mědění probíhá při pokojové teplotě a napětí 1,5 až 2 A/dm poměaované plochy. Vzhledem ke 100 % proudové účinnosti je vyloučená vrstva mědi úměrná době a proudové hustotě. Vyloučená měď tvoří rovnoměrnou vrstvu, která je hladká a tažná.For galvanic copper baths are prepared by dissolving 117 g of copper sulphate, 190 g of sulfuric acid, 50 mg of chloride ions with a brightener addition of vials of water. Coppering takes place at room temperature and a voltage of 1.5 to 2 A / dm of the surface area. Due to the 100% current efficiency, the deposited copper layer is proportional to time and current density. The deposited copper forms a uniform layer that is smooth and ductile.
CS 271 147 B1CS 271 147 B1
Příklad 2Example 2
Leskutvorná přísada do kyselých galvanických lázní obsahující hyl-dithiokarbamoyl-4-butansulfonové kyseliny v koncentraci 1 mg/1 molekulovou hmotností 6 000 v koncentraci 100 mg/1.Gloss-forming additive for acid galvanic baths containing hyl-dithiocarbamoyl-4-butanesulfonic acid at a concentration of 1 mg / l with a molecular weight of 6,000 at a concentration of 100 mg / l.
sodnou sůl N,N-dimeta polyethylenglykol ssodium salt of N, N-dimethylene glycol s
Příklad 3Example 3
Leskutvorná přísada do kyselých galvanických lázní obsahujícíGloss - forming additive for acid galvanic baths containing
2-merkaptobenthiazolyl-4-butansulfonovou kyselinu v koncentraci 10 mg/1 a polyethoxylovaný nonylfenol s 10 molekulami oxiranu v koncentraci 25 mg/1.2-mercaptobenthiazolyl-4-butanesulfonic acid at a concentration of 10 mg / L and polyethoxylated nonylphenol with 10 molecules of oxirane at a concentration of 25 mg / L.
Příklad 4Example 4
Leskutvorná přísada kyselých galvanických lázní obsahující draselnou sůl N,N-dimethyldithiokarbamoyl-4-butansulfonové kyseliny v koncentraci 50 mg/1 a polyethoxylovaný ethylenamin se 2 až 10 molekulami oxiranu v koncentraci 25 mg/1.Gloss-forming acid addition agent containing 50 mg / l of N, N-dimethyldithiocarbamoyl-4-butanesulfonic acid potassium salt and polyethoxylated ethylene amine with 2 to 10 molecules of oxirane at 25 mg / l.
Příklad 5Example 5
Leskutvorná přísada do kyselých galvanických lázní obsahující sodnou sůl N,N-dimethyldlthiokarbaaoyl -4-butansulfonové kyseliny v koncentraci 20 mg/1 a polyethylenglykol s molekulovou hmotností 1 500 v koncentraci 1 000 mg/1.Gloss-forming additive for acid galvanic baths containing 20 mg / l of N, N-dimethyldlthiocarbaaoyl-4-butanesulphonic acid sodium salt and 1 500 mg / l of polyethylene glycol.
Příklad 6Example 6
Leskutvorná přísada do kyselých galvanických lázní, obsahující sodnou sůl N,N-dibutyldithiokarbaEioyl-4-butansulfonové kyseliny v koncentraci 30 mg/1 a polyethoxylovaný ethylendiamin s molekulovou hmotností 12 000 v koncentraci 100 mg/1.Gloss-forming additive for acid galvanic baths, containing N, N-dibutyldithiocarbamoyl-4-butanesulfonic acid sodium salt at a concentration of 30 mg / l and polyethoxylated ethylenediamine with a molecular weight of 12,000 at a concentration of 100 mg / l.
PŘEDMĚT VYNÁLEZUSUBJECT OF THE INVENTION
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS887061A CS271147B1 (en) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | Lustre forming admixture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS887061A CS271147B1 (en) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | Lustre forming admixture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS706188A1 CS706188A1 (en) | 1990-01-12 |
| CS271147B1 true CS271147B1 (en) | 1990-08-14 |
Family
ID=5419036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS887061A CS271147B1 (en) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | Lustre forming admixture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS271147B1 (en) |
-
1988
- 1988-10-20 CS CS887061A patent/CS271147B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS706188A1 (en) | 1990-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2726013T3 (en) | High purity sulfonic acid electrolytic solutions | |
| US4948474A (en) | Copper electroplating solutions and methods | |
| US3725220A (en) | Electrodeposition of copper from acidic baths | |
| US20040187731A1 (en) | Acid copper electroplating solutions | |
| ATE26312T1 (en) | BATHS CONTAINING ACIDIC FLASHING AGENTS AND LEVELING AGENTS FOR ELECTROLYTIC COPPER DEPOSITION. | |
| GB2159539A (en) | High speed copper electroplating process | |
| JPH0220714B2 (en) | ||
| EP0163131A2 (en) | An acid copper electroplating solution as well as a method of electroplating | |
| US3862019A (en) | Composition of electroplating bath for the electrodeposition of bright nickel | |
| CS271147B1 (en) | Lustre forming admixture | |
| US5024736A (en) | Process for electroplating utilizing disubstituted ethane sulfonic compounds as electroplating auxiliaries and electroplating auxiliaries containing same | |
| ES476909A1 (en) | Electroplating bath and process | |
| GB884035A (en) | Process for the production of electrolytic copper platings | |
| US2994648A (en) | Nickel plating additives | |
| KR102125240B1 (en) | Copper electroplating bath containing compound of reaction product of amine, polyacrylamide and sultone | |
| TWI659131B (en) | Copper electroplating baths containing compounds of reaction products of amines and polyacrylamides | |
| US3400059A (en) | Acidic copper electroplating baths and method | |
| CN103451691A (en) | Electrolytic copper plating solution and method of electrolytic copper plating | |
| US2972571A (en) | Nickel plating solutions | |
| CS267515B1 (en) | Ingredient Forming | |
| US3219559A (en) | Additive for level nickel plating | |
| KR20180048988A (en) | Copper electroplating containing compounds of the reaction product of amine and quinone | |
| US3386897A (en) | Electroplasting bright nickel | |
| US2839457A (en) | Electroplating | |
| US3376207A (en) | Electrodeposition of nickel and electrolytes therefor |