CS276342B6 - Sposob prvkovej mikroanalýzy vrstevnatých štruktúr - Google Patents

Sposob prvkovej mikroanalýzy vrstevnatých štruktúr Download PDF

Info

Publication number
CS276342B6
CS276342B6 CS855722A CS572285A CS276342B6 CS 276342 B6 CS276342 B6 CS 276342B6 CS 855722 A CS855722 A CS 855722A CS 572285 A CS572285 A CS 572285A CS 276342 B6 CS276342 B6 CS 276342B6
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
layered structures
depth
microanalysis
distribution
elemental microanalysis
Prior art date
Application number
CS855722A
Other languages
English (en)
Slovak (sk)
Other versions
CS572285A3 (en
Inventor
Kornel Rndr Csc Csach
Jozef Csc Miskuf
Vojtech Prof Ing Drsc Karel
Original Assignee
Ustav Ex Fyziky Sav
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ustav Ex Fyziky Sav filed Critical Ustav Ex Fyziky Sav
Priority to CS855722A priority Critical patent/CS276342B6/cs
Publication of CS572285A3 publication Critical patent/CS572285A3/cs
Publication of CS276342B6 publication Critical patent/CS276342B6/cs

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

Vynález sa týka spôsobu prvkovej mikroanalýzy vrstevnatých štruktúr.
Zo zmeny podmienok mikroanalýzy pomocou charakteristického rontgenového žiarenia na rastrovacom elektrónovom mikroskope sa získajú informácie o prvkovej distribúcii nehomogénnych vrstevnatých štruktúr.
Pre získanie informácií o hĺbkovej distribúcii prvkov v pevných látkach Sa používajú predovšetkým chemické a fyzikálne postupy spočívajúce v analýze tenkých povrchových oblastí pri postupnom odstraňovaní povrchových vrstiev. Spoločným nedostatkom týchto metód je ich deštruktívny charakter spočívajúci v odstraňovaní analyzovanej oblasti. Použitie kolmých, resp. šikmých rezov vrstevnatého materiálu je viazané na použitie lokálnej mikroanalýzy o veími malom analyzovanom objeme.
Uvedené nevýhody sú odstránené použitím prvkovej mikroanalýzy vrstevnatých štruktúr pre získanie informácií o hĺbkovej distribúcii prvkov v nehomogénnych vrstevnatých Štruktúrach podl-a vynálezu.
Jeho podstatou je spôsob prvkovej mikroanalýzy vrstevnatých štruktúr pri ktorom sa zistuje hĺbková distribúcia prvkov vrstevnatých štruktúr v hĺbke do 0,5 yum pri uhle snímania do 30°, pri náklone vzorky do 45° a urychíovacej energií elektrónového zväzku do dvojnásobku excitačnej energie sledovaného prvku.
Využíva sa tak zmena geometrických podmienok a energie primárnych elektrónov pri mikroanalýze. Pri zmene urychíovacieho napätia primárneho elektrónového, lúča, uhla dopadu primárnych elektrónov a uhla snímania emitovaného rontgenového žiarenia sa zákonitým spôsobom mení intenzita snímaného charakteristického rontgenového žiarenia sledovaných prvkov. Z charakteru týchto zmien možno usudzoval: na distribúciu sledovaných prvkov od povrchu pevných látok smerom dovnútra vzorky, predovšetkým v oblasti 1 nm &ž U,5 yum. Príklad
Pomocou rastrovacieho elektrónového mikroskopu Tesla 0Ξ 300 a EDX analyzátora EDAX 3100/60 bola meraná závislost intenzity P,,„ žiarenia emitovaného z povrchu vzorky ocele ' , Iv , v , s ionovo implantovaným fosforom . dávky 10 _ ionov/cnT od urýchlovacieho napatia elektrónového zväzku v intervale 7 až 20 kV, pri prúde zväzku 6,5 . 10 Λ. Pri kon-štantnom urýchíovacom napätí 12 kV bola meraná uhlová závislost intenzity žiarenia.
Zmena uhla snímania emitovaného žiarenia bola dosiahnutá rotováním vzorky okolo zvislej osi. Uhol medzi rovinou vzorky a osou rotácie bol zhodný s elevačným uhlom detektora (v danom prípade 35°). Týmto spôsobom bol určený koncentračný gradient fosforu do hĺbky 0,3 /um od povrchu vzorky.
Uvedený spôsob analýzy podía vynálezu možno využit všade tom, kde je potrebné nedeštruktívnym spôsobom zistil hĺbkovú distribúciu prvkov, ktoré sú detekovateíné využívanou metódou. Využíva sa nájdená možnost plynulej zmeny uhla snímania emitovaného rontgenového žiarenia aj keď detektor žiarenia je v elektrónovom mikroskope fixne zabudovaný.

Claims (1)

  1. PATENTOVÉ NÁROKY Spôsob prvkovej mikroanalýzy vrstevnatých štruktúr pre nedeštruktívne zistenie' prvkovej distribúcie nehomogénnych vrstevnatých štruktúr zmenou geometrických podmienok a energie, vyznačujúci sa tým, že hĺbková distribúcia prvkov sa zistuje v hĺbke do 0,5 yum pri uhle snímania do 30°, pri náklone vzorky do 45° a urýchíovacora napätí •eloktrónovóho zväzku do dvojnásobku excitačněj energie prvku.
CS855722A 1985-08-06 1985-08-06 Sposob prvkovej mikroanalýzy vrstevnatých štruktúr CS276342B6 (sk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS855722A CS276342B6 (sk) 1985-08-06 1985-08-06 Sposob prvkovej mikroanalýzy vrstevnatých štruktúr

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS855722A CS276342B6 (sk) 1985-08-06 1985-08-06 Sposob prvkovej mikroanalýzy vrstevnatých štruktúr

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS572285A3 CS572285A3 (en) 1992-02-19
CS276342B6 true CS276342B6 (sk) 1992-05-13

Family

ID=5402641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS855722A CS276342B6 (sk) 1985-08-06 1985-08-06 Sposob prvkovej mikroanalýzy vrstevnatých štruktúr

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS276342B6 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS572285A3 (en) 1992-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE64206T1 (de) Verfahren und apparaturen zum untersuchen von photoempfindlichen materialien mittels mikrowellen.
Måløy et al. Experimental measurements of the roughness of brittle cracks
KR102397712B1 (ko) 표면 결함 검출 및 분석을 위한 펄스형 중성자 발생 즉발 감마선 방출 측정 시스템
Lu et al. Effect of pore‐water salinity on the electrical resistivity of partially saturated compacted clay liners
EP1943543B1 (en) Multilayer detector and method for sensing an electron beam
CS276342B6 (sk) Sposob prvkovej mikroanalýzy vrstevnatých štruktúr
Ramakrishnan A treatment of instrumental smearing effects in circularly symmetric small-angle scattering
Avci et al. A practical method for determining pit depths using X-ray attenuation in EDX spectra
KR20200069874A (ko) 방사선 계측 용기 및 방사선 계측 방법
Elphick et al. The application of SIMS ion imaging techniques in the experimental study of fluid-mineral interactions
Heck Elemental mapping with the Karlsruhe nuclear microprobe
Hellmuth et al. Investigation of the porosity of rocks
RU2097741C1 (ru) Способ неразрушающего контроля пористости материалов и устройство для его осуществления
Tatsuoka et al. Stress characteristics for shallow footings in cohesionless slopes: Discussion
Volfinger Quantitative analysis of the fluid inclusions by particle-induced gamma-ray emission
Noll et al. Fluorine profiles in Antarctic meteorites by nuclear reaction analysis (NRA)
RU2046323C1 (ru) Способ определения размеров дефектов материалов
Kosinova et al. Thin layer surface activation by charged particles used for wear investigations
Halverson Characterization of geomaterials with X-ray computed tomography (X-ray CT)
Pregenzer et al. A quantitative passive technique for assay of near-surface tritium in materials
Durham et al. Rapid technique for counting cracks in granitic rocks
JPS62208645A (ja) 凹部深さ測定装置
SU1679320A1 (ru) Способ определени локализации примесных атомов кристалла
Gilfrich X‐ray fluorescence analysis at the naval research laboratory
MATSUMOTO Use of Resistivity Cone for Detecting Contaminated Soil